JP2017210376A - シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶 - Google Patents

Abstract

【課題】製造時の原料ロスを抑制しつつ、面内の品質ばらつきが抑制されたシリコンウェーハを得ることが可能なシリコン単結晶の製造方法。
【解決手段】シリコン単結晶の製造方法は、種子結晶ＳＣをシリコン融液に浸漬させ、中心軸ＣＢ１と平行な方向に引き上げてシリコン単結晶を育成する工程を備え、種子結晶ＳＣは、その＜１１１＞結晶軸ＣＢ２がその中心軸ＣＢ１に対して［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜している。
【選択図】図３

Description

本発明は、シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶に関する。

従来、チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法において、＜１１１＞結晶軸を中心軸に対して１°以上６°以下の角度で傾斜させた種子結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸と平行な方向に引き上げてシリコン単結晶を育成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の方法では、シリコン単結晶を傾斜角度に対応する角度でスライスすることで、面方位が（１１１）面のシリコンウェーハを得ている。

特許文献１には詳細に開示されていないが、上述のようなシリコン単結晶からシリコンウェーハを得る際には、一般的に以下の処理が行われる。
シリコン単結晶は、品質上の要求や、引き上げ中の外乱により直径が変動する可能性があること等を考慮に入れて、目標のシリコンウェーハの直径（以下、「目標直径」という）よりも数％大きな直径で引き上げられる。このため、まず、シリコン単結晶の直胴部が目標直径の円柱状になるように、外周を研削する（結晶外周研削工程）。
次に、シリコン単結晶の肩部、テール部を切断して除去し、直胴部を複数の円柱状ブロックに切断する（ブロック取得工程）。
その後、目標の面方位のシリコンウェーハを得られるように、円柱状ブロックをスライスする（スライス工程）。例えば特許文献１のような面方位が（１１１）面のシリコンウェーハを得る場合、＜１１１＞結晶軸に対する直交面で円柱状ブロックをスライスする。
スライス工程後のシリコンウェーハは楕円形状なので、余計な部分を研削して真円に加工する（ウェーハ真円加工工程）。

特開平１１−１８６１２１号公報

しかしながら、特許文献１の方法では、図１（Ａ）に示すように、直径がＲ１の直胴部ＳＭ２における周方向の一部に、直胴部ＳＭ２の長さ方向に延びる平坦部ＳＴ１が発生する場合がある。
このような直胴部ＳＭ２に対して、目標直径がＲ２となるように結晶外周研削工程を行う場合、研削による原料ロスを最小限に抑えるためには、二点鎖線で示すように、研削後の中心軸ＣＳ２が研削前の中心軸ＣＡ１に対して偏心するように外周を研削する必要がある。しかし、このような工程を経て得られたシリコンウェーハでは、当該シリコンウェーハの外縁全体において、結晶外周研削工程前の直胴部ＳＭ２の外縁までの距離がほぼ一定でないため、シリコンウェーハ面内の品質、例えば酸素濃度や抵抗率にばらつきが生じるおそれがある。

このようなシリコンウェーハ面内の品質ばらつきを抑制するためには、研削後の中心軸ＣＳ２が研削前の中心軸ＣＡ１に対して偏心しないように外周を研削することが考えられる。しかし、この場合、平坦部ＳＴ１を考慮に入れてシリコン単結晶の直径をＲ１よりもさらに大きくする必要があり、結晶外周研削工程における原料ロスが多くなってしまう。

本発明の目的は、製造時の原料ロスを抑制しつつ、面内の品質ばらつきが抑制されたシリコンウェーハを得ることが可能なシリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶を提供することにある。

本発明者は、鋭意研究を重ね、面方位が（１１１）面のシリコンウェーハの製造に用いられ、＜１１１＞結晶軸を有するシリコン単結晶では、［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向側の外周面に晶癖線が発生するが、この三方向のうちいずれか一方向の位置に平坦部ＳＴ１が発生することを知見した。以下、［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向をまとめて、「晶癖線発生方向」という場合がある。この知見に基づいて、さらに鋭意研究を重ねた結果、＜１１１＞結晶軸をシリコン単結晶の中心軸に対して、晶癖線発生方向および当該晶癖線発生方向の反対方向（［１１−２］方向、［１−２１］方向、［−２１１］方向）の計六方向のうち、いずれか一方向に傾斜させることで、図１（Ｂ）に示すように、晶癖線発生方向のうちいずれか一方向側に若干の変形部ＳＴ２が発生するものの、その変形量が平坦部ＳＴ１よりも小さくなることを知見した。
本発明は、上述のような知見に基づいて完成したものである。

すなわち、本発明のシリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、種子結晶をシリコン融液に浸漬させ、当該種子結晶の中心軸と平行な方向に引き上げてシリコン単結晶を育成する工程を備え、前記種子結晶は、その＜１１１＞結晶軸がその中心軸に対して［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜していることを特徴とする。

本発明によれば、図１（Ｂ）に示すように、シリコン単結晶の直胴部ＳＭ２に発生する変形部ＳＴ２を平坦部ＳＴ１よりも小さくできる。このため、直胴部ＳＭ２の直径をＲ１よりも小さいＲ３にしても、目標直径がＲ２となるように結晶外周研削工程を行う場合、二点鎖線で示すように、研削後の中心軸ＣＳ２が研削前の中心軸ＣＡ１と一致するように外周を研削でき、原料ロスを抑制できる。
また、このような工程を経て得られた、例えば面方位が（１１１）面のシリコンウェーハでは、当該シリコンウェーハの外縁全体において、結晶外周研削工程前の直胴部ＳＭ２の外縁までの距離がほぼ一定となるため、シリコンウェーハ面内の酸素濃度や抵抗率等の品質ばらつきを抑制できる。

本発明のシリコン単結晶の製造方法において、前記種子結晶の前記＜１１１＞結晶軸は、前記中心軸に対して前記いずれか一方向に０°よりも大きく２°以下の角度で傾斜していることが好ましい。

＜１１１＞結晶軸の中心軸に対する傾斜角度が２°を超える場合、肩部の広がりの不均一度合いが大きくなり、直胴部に有転位化が発生する確率が高くなるおそれがある。
本発明によれば、上記傾斜角度を０°よりも大きく２°以下にするため、直胴部に有転位化が発生する確率を低くでき、シリコンウェーハの歩留まり低下を抑制できる。

本発明のシリコン単結晶の製造方法において、直胴部の直径が３００ｍｍ以上の前記シリコン単結晶を育成することが好ましい。

本発明者は、上述のような平坦部ＳＴ１は直胴部の直径が３００ｍｍ以上の場合に特に顕著に発生し、製造時の原料ロスと面内の品質ばらつきとが大きくなるという知見を得た。
本発明によれば、シリコン単結晶製造時の原料ロスとシリコンウェーハ面内の品質ばらつきとを、従来よりも大幅に抑制できる。

本発明のシリコン単結晶の製造方法において、ｐ型の前記シリコン単結晶を育成することが好ましい。
本発明のシリコンウェーハの製造方法は、上述のシリコン単結晶の製造方法で製造されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すことを特徴とする。
本発明のシリコン単結晶は、＜１１１＞結晶軸が中心軸に対して［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜していることを特徴とする。

（Ａ）は本発明の課題を示す説明図であり、（Ｂ）は本発明の作用を示す説明図。 本発明の一実施形態に係る単結晶引き上げ装置の断面図。 前記一実施形態の種子結晶の説明図であり、（Ａ）は＜１１１＞結晶軸の傾斜角度を示し、（Ｂ）は傾斜方向を示す。 前記一実施形態のシリコン単結晶の説明図。

［実施形態］
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
〔単結晶引き上げ装置の構成〕
図２に示すように、単結晶引き上げ装置１は、ＣＺ法に用いられる装置であって、引き上げ装置本体２を備えている。引き上げ装置本体２は、チャンバ２１と、このチャンバ２１内に配置された坩堝２２と、坩堝駆動部２３と、加熱部２４と、断熱筒２５と、引き上げ部２６と、熱遮蔽体２７とを備えている。

チャンバ２１の上部には、Ａｒガスなどの不活性ガスをチャンバ２１内に導入するガス導入口２１Ａが設けられている。チャンバ２１の下部には、チャンバ２１内の気体を排出するガス排気口２１Ｂが設けられている。
坩堝２２は、シリコン単結晶ＳＭの原料である多結晶のシリコンを融解し、シリコン融液Ｍとするものである。
坩堝駆動部２３は、坩堝２２を所定の速度で昇降させるとともに、坩堝２２の下端に接続された支持軸２３Ａを中心にして回転させる。
加熱部２４は、坩堝２２の外側に配置されており、坩堝２２を加熱してシリコンを融解する。
断熱筒２５は、坩堝２２および加熱部２４の周囲を取り囲むように配置されている。

引き上げ部２６は、引き上げ駆動部２６Ａと、一端が引き上げ駆動部２６Ａに接続された引き上げケーブル２６Ｂとを備えている。引き上げケーブル２６Ｂの他端には、種子結晶ＳＣを保持する図示しないシードホルダ、または、図示しないドーピング装置が取り付けられる。ドーピング装置は、ドーパントを坩堝２２内のシリコン融液Ｍに添加してドーパント添加融液ＭＤを生成するためのものである。引き上げ駆動部２６Ａは、引き上げケーブル２６Ｂを所定の速度で昇降および回転させる。
熱遮蔽体２７は、坩堝２２の上方においてシリコン単結晶ＳＭを囲む円錐台筒状に形成され、加熱部２４から上方に向かって放射される輻射熱を遮断する。

〔シリコン単結晶の製造方法〕
まず、図３（Ａ）に示すような種子結晶ＳＣを準備する。種子結晶ＳＣは、＜１１１＞結晶軸ＣＢ２の中心軸ＣＢ１に対する傾斜角度θが０°を超え２°以下となるように構成されている。このように、＜１１１＞結晶軸ＣＢ２の傾斜角度θを２°以下にすることで、直胴部ＳＭ２に有転位化が発生する確率を低くできる。種子結晶ＳＣの＜１１１＞結晶軸ＣＢ２は、図３（Ｂ）に示すような［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜している。

一方、単結晶引き上げ装置１は、シリコン単結晶ＳＭを製造するに際し、加熱部２４により坩堝２２を加熱することで、ドーパント添加融液ＭＤを生成する。ドーパントとしては、ｐ型のボロンを添加することが好ましい。また、ドーパントは、シリコン単結晶ＳＭの抵抗率が１Ω・ｃｍ以上１０００Ω・ｃｍ以下＜＜値をご教示ください＞＞となるように添加されることが好ましい。なお、ドーパントを添加しなくてもよい。
その後、チャンバ２１内を減圧下の不活性雰囲気に維持し、引き上げケーブル２６Ｂを下降させることで種子結晶ＳＣをドーパント添加融液ＭＤに接触させる。そして、引き上げケーブル２６Ｂを適宜回転させながら引き上げるとともに、坩堝２２を適宜回転させながら上昇させることで、図４に示すようなシリコン単結晶ＳＭを引き上げる。この際、中心軸ＣＢ１が引き上げ方向と平行になるように種子結晶ＳＣを上昇させるとともに、直胴部ＳＭ２の酸素濃度が１０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となるように、シリコン単結晶ＳＭを引き上げることが好ましい。また、直胴部ＳＭ２の直径が３００ｍｍ以上となるように引き上げることが好ましく、ウェーハ真円加工工程後のシリコンウェーハの直径が３００ｍｍ以上となるように引き上げることがより好ましい。

以上のような工程により、＜１１１＞結晶軸ＣＡ３が中心軸ＣＡ１に対して、［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向、すなわち種子結晶ＳＣの中心軸ＣＢ１に対する＜１１１＞結晶軸ＣＢ２の傾斜方向と同じ方向に傾斜したシリコン単結晶ＳＭを得ることができる。
また、直胴部ＳＭ２の外周面における晶癖線発生方向のうちいずれか一方向側には、図１（Ｂ）に示すような変形部ＳＴ２が発生し、残りの二方向側には、晶癖線が発生する。

〔シリコンウェーハの製造方法〕
まず、上述の製造方法で製造されたシリコン単結晶ＳＭに対し、直胴部ＳＭ２がシリコンウェーハの目標直径の円柱状、例えば３００ｍｍ以上の円柱状になるように外周を研削する（結晶外周研削工程）。このとき、図１（Ｂ）の二点鎖線で示すように、研削後の中心軸ＣＳ２が研削前の中心軸ＣＡ１と一致するように外周を研削でき、原料ロスを抑制できる。また、偏心させずに外周を研削できるため、従来使用していた研削装置を用いることができる。

次に、シリコン単結晶の肩部ＳＭ１、テール部ＳＭ３を除去して、直胴部ＳＭ２を複数の円柱状ブロックに切断し（ブロック取得工程）、この円柱状ブロックをスライスする（スライス工程）。このとき、図４に二点鎖線で示すように、＜１１１＞結晶軸ＣＡ３に対する直交面Ｆで円柱状ブロックをスライスすることで、楕円形状かつ面方位が（１１１）面のシリコンウェーハが得られる。なお、＜１１１＞結晶軸ＣＡ３に対する直交面Ｆ以外の面、例えば直胴部ＳＭ２の中心軸ＣＡ１に対する直交面で円柱状ブロックをスライスして、シリコンウェーハを得てもよい。
その後、シリコンウェーハの余計な部分を研削して真円に加工する（ウェーハ真円加工工程）。
以上のような工程により、シリコンウェーハの外縁全体において、結晶外周研削工程前の直胴部ＳＭ２の外縁までの距離がほぼ一定となるため、面内の酸素濃度や抵抗率等の品質ばらつきが抑制されたシリコンウェーハを得ることができる。

次に、本発明を実施例および比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。

［実験１：シリコン単結晶の変形について］
〔比較例１〕
＜１１１＞結晶軸の中心軸に対する傾斜角度が０°の種子結晶を用い、その中心軸が引き上げ方向と平行になるように種子結晶を引き上げて、抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上２０Ω・ｃｍ以下、酸素濃度が１０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のシリコン単結晶を製造した。また、ドーパントとしてｐ型のボロンを用い、シリコン単結晶の直径を３００ｍｍ以上にした。
シリコン単結晶の外周面には、晶癖線発生方向のうちいずれか一方向側に、図１（Ａ）に示すような平坦部ＳＴ１が発生し、残りの二方向側に晶癖線が発生していた。
そして、図１（Ａ）に示すように、シリコン単結晶の直胴部上端から３００ｍｍ、６００ｍｍ、９００ｍｍ、１２００ｍｍ、１５００ｍｍの位置における直径Ｄ１、中心軸に対する直交面の内接円の直径Ｄ２、前記直交面における平坦部ＳＴ１の長さＤ３、中心軸から平坦部ＳＴ１までの最短長さＤ４を測定した。Ｄ１の値を１としたＤ２、Ｄ３、Ｄ４の比率を表１に示す。

〔実施例１〕
＜１１１＞結晶軸が中心軸に対して［−１−１２］方向に傾斜し、傾斜角度が２°の種子結晶を用いたこと以外は、比較例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造した。このシリコン単結晶の外周面には、晶癖線発生方向のうちいずれか一方向側に、図１（Ｂ）に示すような変形部ＳＴ２が発生し、残りの二方向側に晶癖線が発生していた。
そして、図１（Ｂ）に示すように、比較例１と同じ位置における直径Ｄ１１、中心軸に対する直交面の内接円の直径Ｄ１２を測定した。Ｄ１１の値を１としたＤ１２の比率を表１に示す。
なお、この実施例１の条件では、肩部の広がりが不均一となり有転位化が発生する場合があったが、その発生確率は５０％未満であり、大きな問題にはならないレベルであった。

〔評価〕
表１に示すように、比較例１における直径Ｄ２の比率の最小値が０．９６８であるのに対し、実施例１における直径Ｄ１２の比率の最小値が０．９８７であることから、実施例１は、比較例１と比べて直胴部の変形量が小さくなることが確認できた。

［実験２：結晶外周研削工程における原料ロス低減効果について］
上記実験１の結果に基づいて、結晶外周研削工程後の直径（図１（Ａ），（Ｂ）のＲ２）を３０１ｍｍにするために、当該研削工程前に最低限必要な直胴部の直径を試算した。この試算は、＜１１１＞結晶軸の傾斜角度が０°の場合（比較例２）、図１（Ａ）に示すように、研削後の中心軸ＣＡ２を研削前の中心軸ＣＡ１に対して偏心させ、傾斜角度が２°（実施例２）の場合、図１（Ｂ）に示すように、研削後の中心軸ＣＡ２を研削前の中心軸ＣＡ１と一致させることを前提にして行った。

また、比較例２および実施例２において、上述の前提に基づく結晶外周研削工程を行った場合の原料ロスを試算した。具体的には、図１（Ａ），（Ｂ）における二点鎖線よりも外側の面積（研削される領域の面積）を、実線の内側の面積（研削前の領域の面積）で除することにより原料ロスを求めた。
各試算結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例２は、比較例２と比べて製造時の原料ロスを抑制できることが確認できた。

［実験３：シリコンウェーハの品質ばらつき抑制効果について］
〔比較例３〕
実験２の結果に基づいて、シリコン単結晶の直径を３１７ｍｍにしたこと以外は、比較例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造した。シリコン単結晶には、比較例１と同様に、平坦部と晶癖線とが発生していた。
次に、研削後の中心軸を研削前の中心軸に対して偏心させて結晶外周研削工程を行い、直胴部の直径が３０１ｍｍのシリコン単結晶を得た。その後、ブロック取得工程、スライス工程を行うことで、表３に示す位置から複数のシリコンウェーハを取得した。スライス工程では、＜１１１＞結晶軸に対する直交面でスライスすることで、面方位が（１１１）面の円形状のシリコンウェーハを得た。
なお、比較例３では、スライス工程で円形状のシリコンウェーハを得られることから、ウェーハ真円加工工程を行わなかった。

そして、各シリコンウェーハに対し、抵抗率の面内分布と酸素濃度の面内分布とを評価した。
抵抗率の面内分布は、ナプソン株式会社製の測定装置（型式：ＲＴ３０００Ｓ／ＲＧ−１２０Ｙ、測定方法：４深針法）を用いて、４つの測定点（シリコンウェーハの中心からの距離が０ｍｍ、７５ｍｍ、１４０ｍｍ、１４５ｍｍの位置）の抵抗率を測定し、以下の式（１）で得られる値Ｅ１により評価した。
Ｅ１（％）＝（ρmax−ρmin）／ρmin×１００ … （１）
ρmax：抵抗率の最大値
ρmin：抵抗率の最小値
また、酸素濃度の面内分布は、サーモフィッシャサイエンティフィック株式会社製の測定装置（型式：ＥＣＯ−１０００Ｓ、測定方法：ＦＴ−ＩＲ法）を用いて、３つの測定点（シリコンウェーハの中心からの距離が０ｍｍ、１４０ｍｍ、−１４０ｍｍ）の酸素濃度を測定し、以下の式（２）で得られる値Ｅ２により評価した。
Ｅ２（％）＝（Ｏｉmax−Ｏｉmin）／Ｏｉmin×１００ … （２）
Ｏｉmax：酸素濃度の最大値
Ｏｉmin：酸素濃度の最小値
式（１），（２）で得られた結果および平均値を表３に示す。

〔実施例３〕
シリコン単結晶の直径を３１７ｍｍにしたこと以外は、実施例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造した。シリコン単結晶には、実施例１と同様に、変形部と晶癖線とが発生していた。
次に、研削後の中心軸を研削前の中心軸に対して偏心させずに結晶外周研削工程を行い、直胴部の直径が３０１ｍｍのシリコン単結晶を得て、ブロック取得工程、スライス工程を行うことで、表３に示す位置から複数のシリコンウェーハを取得した。スライス工程では、＜１１１＞結晶軸に対する直交面でスライスすることで、面方位が（１１１）面の楕円形状のシリコンウェーハを得た。その後、ウェーハ真円加工工程を行い、この工程で得られた円形状の各シリコンウェーハに対し、比較例３と同様に抵抗率および酸素濃度の面内分布を評価した。
式（１），（２）で得られた結果および平均値を表３に示す。

〔評価〕
表３に示すように、実施例３の抵抗率および酸素濃度の面内分布は、比較例３よりも改善されることが確認できた。特に、酸素濃度が大きく改善されることが確認できた。

［まとめ］
上述のように、種子結晶の＜１１１＞結晶軸を中心軸に対して［−１−１２］方向に２°傾斜させることで、傾斜させない場合と比べて、シリコン単結晶の変形量が小さくなり（実験１）、製造時の原料ロスを抑制でき（実験２）、抵抗率および酸素濃度の面内ばらつきが小さくなる（実験３）ことが確認できた。
また、種子結晶の＜１１１＞結晶軸を、晶癖線発生方向のうちの残り二方向（［−１２−１］方向、［２−１−１］）、晶癖線発生方向の反対方向（［１１−２］方向、［１−２１］方向、［−２１１］方向）のうちいずれか一方向に２°傾斜させる場合にも、晶癖線発生方向のうちいずれか一方向側に平坦部よりも小さい変形部が発生するとともに、残りの二方向側に晶癖線が発生し、上記実施例１，２，３と同様の効果を得られると推定できる。晶癖線発生方向の反対方向のうちいずれか一方向に２°傾斜させる場合にも、晶壁線方発生方向に対して他の方向よりも大きな変化を与えることになるため、上記効果を得られると推定できる。
さらに、＜１１１＞結晶軸の傾斜角度が０°を超え２°未満の場合にも、得られる効果の度合いが小さい可能性があるが上記実施例１，２，３と同様の効果を得られると推定できる。

ＣＡ１…（シリコン単結晶の）中心軸、ＣＡ３…（シリコン単結晶の）＜１１１＞結晶軸、ＣＢ１…（種子結晶の）中心軸、ＣＢ２…（種子結晶の）＜１１１＞結晶軸、ＳＣ…種子結晶、ＳＭ…シリコン単結晶、ＳＭ２…直胴部。

Claims (6)

1. チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、
   種子結晶をシリコン融液に浸漬させ、当該種子結晶の中心軸と平行な方向に引き上げてシリコン単結晶を育成する工程を備え、
   前記種子結晶は、その＜１１１＞結晶軸がその中心軸に対して［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜していることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
2. 請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
   前記種子結晶の前記＜１１１＞結晶軸は、前記中心軸に対して前記いずれか一方向に０°よりも大きく２°以下の角度で傾斜していることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
   直胴部の直径が３００ｍｍ以上の前記シリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
   ｐ型の前記シリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法で製造されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
6. ＜１１１＞結晶軸が中心軸に対して［−１−１２］方向、［−１２−１］方向、［２−１−１］方向、［１１−２］方向、［１−２１］方向および［−２１１］方向のうちいずれか一方向に傾斜していることを特徴とするシリコン単結晶。

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