CN104246024A - 生长晶锭的方法和晶锭 - Google Patents

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Abstract

提供了一种生长晶锭的方法。所述生长晶锭的方法包括：使硅熔融以制备硅熔融液，制备具有晶体取向[110]的晶种，由所述晶种生长颈部，以及由所述颈部生长具有晶体取向[110]的晶锭。所述颈部具有约4mm至约8mm的直径。

Description

生长晶锭的方法和晶锭
技术领域
本公开涉及一种生长晶锭的方法和一种晶锭。
背景技术
通常，用于制造半导体装置的晶片的制造工艺可包括：切割硅单晶晶锭的切割工艺，将经切割的晶片边缘修圆的边缘磨削工艺，使晶片由于切割工艺而产生的粗糙表面平坦化的研磨工艺，除去在边缘磨削工艺或研磨工艺期间附着至晶片表面的颗粒和各种污染物的清洁工艺，得到适用于后处理的形状和表面的表面抛光工艺，以及对于晶片边缘的边缘抛光工艺。
可通过丘克拉斯基(czochralski，CZ)法或者浮区(FZ)法来生长硅单晶晶锭。由于通过CZ法能够制造出大直径的单个单晶晶锭，并且CZ法也是相对便宜的方法，所以通常使用CZ法来生长硅单晶晶锭。
CZ法可通过将晶种浸渍在硅熔融液中，随后以较低速度提拉晶种来进行。
然而，需要具有新晶体取向的产品来克服现存的半导体装置的局限性。例如，预期具有晶体取向[110]的产品可能成为下一代产品。然而，当与具有晶体取向[100]的晶体相比时，由于位错在晶体生长方向上的增加，并且位错也是难以控制的，所以具有晶体取向[110]的晶锭具有低结晶度。
发明内容
技术问题
多种实施方式提供了具有晶体取向[100]的高质量的晶片。
技术方案
在一个实施方式中，生长晶锭的方法包括：使硅熔融以制备硅熔融液；制备具有晶体取向[110]的晶种；由所述晶种生长颈部；以及从所述颈部生长具有晶体取向[110]的晶锭，其中所述颈部具有约4mm至约8mm的直径。
在附图和下面的说明书中对一个或多个实施方式的细节进行了描述。根据说明书和附图以及权利要求，其它特征将是清晰明了的。
有益效果
按照生长晶锭的方法，可生长具有晶体取向[110]的高质量的晶锭。也就是说，可制造具有新晶体取向的晶片，该具有新晶体取向的晶片能够克服现有技术中的半导体装置的局限性。也就是说，利用具有晶体取向[110]的晶锭可以制造装置效率改进的晶片。
具体地，晶种的硼浓度可对应于硅熔融液的掺杂浓度。因此，可使由于硅熔融液和晶种之间的浓度差异而发生的失配得到控制。失配位错表示：在硅熔融液的掺杂浓度与晶种的掺杂溶度不同的情况中，当晶种与硅熔融液接触时，由于它们之间的常数不同而在晶种内发生的位错。在实施方式中，可控制失配位错以生长具有高质量的单晶。
而且，因为通过根据实施方式的生长晶锭的方法而生长的颈部的直径大于现有技术中生长的颈部的直径，因此通过根据实施方式的生长晶锭的方法而生长的颈部可支撑大尺寸高重量的晶锭。也就是说，可防止工艺失败，并且可改进工艺的产率。
附图说明
图1为示出了根据实施方式的生长晶锭的方法的流程图。
图2为通过根据实施方式的生长晶锭的方法所制造的晶锭的立体图。
图3为在根据实施方式的生长晶锭的方法中使用的，制造晶锭的设备的剖面图。
图4为示出了在根据实施方式的生长晶锭的方法中，位错长度相对于颈部直径的实验数据的曲线图。
具体实施方式
在附图中，为描述的方便和清楚性，修改了每一层(膜)、每一区域、每一图案或每一结构的厚度和尺寸。因此，每一元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
下面将参照附图更充分地描述示例性实施方式。
下面参照图1和图2，将详细地描述根据实施方式的生长晶锭的方法以及通过该方法制造的晶锭。图1示出了根据实施方式的生长晶锭的方法的流程图。图2为通过根据实施方式的生长晶锭的方法制造的晶锭的立体图。
根据实施方式的生长晶锭的方法，包括：制备熔融液(ST100)，制备晶种(ST200)，生长颈部(ST300)，以及生长晶锭(ST400)。
在制备熔融液(ST100)期间，硅熔融液可在安装在腔室中的石英坩埚中进行制备。也就是说，在制备熔融液(S100)期间，可使硅熔融以制备硅熔融液。硅熔融液可具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的掺杂浓度。更具体地，硅熔融液可掺杂有硼。在此，硼可具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的浓度。在硼掺杂浓度下，硼可被大量的掺杂以用于测定EPI-基底，而并不用于测定一般比电阻带(general specific resistance band)。
具体地，在制备熔融液(ST100)期间，可施加磁场。具体地，磁场可被施加至硅熔融液表面的较低侧。更具体地，如果硅熔融液表面的水平高度为零，则最大磁场可被施加至相应于距离零约-100mm的水平高度的位置。磁场可具有约1500G至约3500G的强度。因此，可降低硅熔融液的温度偏差。从而，可使位错得到控制。
在制备晶种(ST200)期间，可制备具有晶体取向[110]的晶种。因此，可由晶种生长具有晶体取向[110]的晶锭。
晶种可具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的硼浓度。也就是说，晶种的硼浓度可对应于硅熔融液的掺杂浓度。因此，可使由于硅熔融液和晶种之间的浓度差异而发生的失配得到控制。失配位错表示：在硅熔融液的掺杂浓度与晶种的掺杂溶度不同的情况中，当晶种与硅熔融液接触时，由于它们之间的常数不同而在晶种内发生的位错。在当前实施方式中，可控制失配位错以生长具有高质量的单晶。
接下来，在生长颈部(ST300)期间，可由晶种生长颈部。也就是说，可由晶种生长具有薄且长的形状的颈部N。
在生长颈部(ST300)期间，颈部可具有约3.0mm/min至约3.2mm/min的生长速率。因此，颈部可以以与位错速度相比较快的速度生长，以控制位错。
如果颈部具有约2mm/min或更低的生长速率，则颈部的直径可能增加。因此，可能更难控制[110]晶体中颈部的位错。另一方面，如果颈部具有约4mm/min或更高的生长速率，则颈部的直径可能减小。因此，颈部易被重物损害。因此，颈部可具有约3mm/min至约3.2mm/min的生长速率。
参照图2，颈部N可具有约400mm或更长的长度l。而且，颈部N可具有约4mm至约8mm的直径d。因为颈部N具有的直径大于现有技术中颈部的直径，因此颈部N可以支撑大尺寸高重量的晶锭。也就是说，可以防止工艺失败，并且可以改进工艺产率。
详细地，如果颈部具有小于约4mm的直径，则在生长晶锭期间，颈部可能不能承受大尺度的晶锭(具有约300nm或更大的直径)的重量。因此，颈部可能发生断裂而引起损失。而且，如果颈部具有大于约8mm的直径，可能难以控制颈部的位错。
参照下面的实验结果，将描述颈部具有约4mm至约8mm的直径以及约400mm或更长的长度的原因。
下表示出了根据颈部直径来排列位错长度所得到的结果。图4以图4中的曲线形式示出了下表中的实验数据。
[表1]
参照表1和图4，当颈部具有小于约400mm的长度时，位错长度较短。因此，尽管生产率改进了，但可能难以控制[110]晶体中的位错。因此，可能劣化产品的质量。
因此，可能需要使颈部具有约400mm或更长的长度，从而使颈部具有约4mm至约8mm的直径以更容易控制位错。
在生长晶锭(ST400)期间，晶锭I可从颈部N生长。也就是说，可生长具有晶体取向[110]的晶锭。也就是说，可制造具有新晶体取向的晶片，该具有新晶体取向的晶片能够克服现有技术中的半导体装置的局限性。也就是说，利用具有晶体取向[110]的晶锭可制造装置效率改进的晶片。
在生长晶锭(ST400)期间，晶锭可具有约0.9mm/min或更高的提拉速度。因此，通过包括冷却器的生长设备可提高晶体的冷却速率以改进耐热性。而且，位错可得到倍增，以用肉眼来证实是否存在多晶体，从而确保单晶体。
生长晶锭(ST400)可包括：放肩形成(shouldering formation)工艺，以使颈部N的直径扩大至目标直径；以及晶体生长工艺，以在维持目标直径的同时使硅单晶晶锭生长。
下文，将描述通过根据实施方式的生长晶锭的方法来制造晶锭的设备。图3是制造晶锭的设备的剖面图，该制造晶锭的设备用于根据实施方式的生长晶锭的方法中。
参照图3，根据实施方式的生长硅单晶晶锭的设备可为在制造硅晶片的CZ法中使用的设备。
用于生长根据实施方式的硅单晶晶锭的设备包括：腔室10，用于容纳原材料的第一坩埚20，遮盖部件100，第二坩埚22，坩埚转动轴24，用于提拉晶锭的提拉机械装置30，用于阻挡热量的热屏蔽件40，以及电阻加热器70，绝缘体80，以及磁场生成装置90。
详细描述如下。
参照图3，第一坩埚20可接纳原材料。第一坩埚20可接纳多晶硅。而且，第一坩埚20可接纳熔融的硅，其中，多晶硅是熔融的。第一坩埚20可包括石英。
第二坩埚可支撑第一坩埚20。第二坩埚22可包括石墨。
第一坩埚20可通过坩埚转动轴24以顺时针方向或逆时针方向转动。晶种附着至其上的提拉机械装置30可被布置在第一坩埚20的上部以提拉晶种。提拉机械装置30可以以与坩埚转动轴24的转动方向相反的方向转动。
附着至提拉机械装置30的晶种可被浸渍在硅熔融液SM中，并且随后可使提拉机械装置30转动以提拉晶种。因此，可生长硅单晶体以制造晶锭I。
随后，可在邻近第二坩埚22处放置电阻加热器70，电阻加热器70用于将热量施加至第一坩埚20。绝缘体80可被放置在电阻加热器70的外侧。电阻加热器70提供热量，用于使多晶硅熔融以产生硅熔融液SM。另外，在制造工艺期间，电阻加热器70可连续地将热量提供至硅熔融液SM。
容纳在第一坩埚20中的硅熔融液SM可具有高温。因此，热量可从硅熔融液SM的界面释放出来。在此，如果释放出大量的热量，则可能难以维持生长硅单晶晶锭所需的合适温度。因此，可最大限度地减小从界面释放出来的热量，并且另外，可防止热量被转移至硅单晶晶锭的上部。为此，设置热屏蔽件40，从而使硅熔融液SM和硅熔融液SM的界面都维持在高温。
热屏蔽件40可具有各种形状，从而将热环境维持在所需的状态以稳定地生长晶体。例如，热屏蔽件40可具有空的圆柱状，以环绕硅单晶晶锭的外周。例如，热屏蔽件40可包括石墨、石墨毡或钼。
磁场生成装置90可被放置在腔室10的外侧，磁场生成装置90将磁场施加至硅熔融液SM以控制硅熔融液SM的对流。磁场生成装置90可以是一装置，该装置生成垂直于硅单晶晶锭的晶体生长轴的方向的磁场，即，水平磁场(MF)。在当前的实施方式中，磁场生成装置90可从使硅熔融的工艺开始发生作用。更具体地，磁场生成设备90可将磁场施加至硅熔融液的表面的较低侧。
根据实施方式描述的具体特征、结构或效果被包括在本发明的至少一个实施方式中，但是并不仅限于一个实施方式。此外，当根据任何实施方式描述具体特征、结构或特性时，应当认为，在本领域技术人员的知识范围内，这样的特征、结构或特性也与其它实施方式相关。因此，含有各种变型和改变的内容将构成并且被包括在本公开的范围内。
工业实用性
因为用于生长晶锭的设备和方法能够用在本实施方式中，因此工业适用性可以是很高的。

Claims (12)

1.一种生长晶锭的方法，所述方法包括：
使硅熔融以制备硅熔融液；
制备具有晶体取向[110]的晶种；
由所述晶种生长颈部；以及
从所述颈部生长具有晶体取向[110]的晶锭；
其中，所述颈部具有约4mm至约8mm的直径。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅熔融液具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述硅熔融液具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的硼浓度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶种具有约8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述晶种具有8.5×1018原子/cm3至约1.7×1019原子/cm3的硼浓度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述颈部具有约400mm或更长的长度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述颈部的生长期间，所述颈部具有约3.0mm/min至约3.2mm/min的生长速率。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶锭的生长期间，所述晶锭具有约0.9mm/min或更高的提拉速度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅熔融液的制备期间，施加磁场。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述磁场被施加至所述硅熔融液的表面的较低侧。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述磁场具有约1500G至约3500G的强度。
12.一种具有晶体取向[110]的晶锭，所述晶锭是根据权利要求1至11生长的。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101680213B1 (ko) * 2015-04-06 2016-11-28 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법
US11282490B2 (en) 2018-09-15 2022-03-22 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Dark acoustic metamaterial cell for hyperabsorption
US11585010B2 (en) * 2019-06-28 2023-02-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant
US20220145493A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-12 Globalwafers Co., Ltd. Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911823A (en) * 1995-12-13 1999-06-15 Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. Method for pulling a single-crystal semiconductor
WO2003089697A1 (fr) * 2002-04-19 2003-10-30 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Procede de production de silicium monocristallin, procede de production de tranches de silicium monocristallin, cristal germe destine a la production de silicium monocristallin, lingot de silicium monocristallin, et tranche de silicium monocristallin
CN1646736A (zh) * 2002-04-24 2005-07-27 信越半导体株式会社 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
JP2007022865A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
US20070034138A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Toshiaki Ono Method for growing silicon single crystal and silicon wafer
CN1995485A (zh) * 2006-12-06 2007-07-11 天津市环欧半导体材料技术有限公司 <110>无位错硅单晶的制造方法
US20080053370A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Shuichi Inami Method for producing silicon single crystal
CN101168850A (zh) * 2006-09-05 2008-04-30 株式会社Sumco 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
TW200844271A (en) * 2007-04-03 2008-11-16 Sumco Corp Production method of silicon single crystal

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151600A (ja) * 1999-11-24 2001-06-05 Showa Denko Kk Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911823A (en) * 1995-12-13 1999-06-15 Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. Method for pulling a single-crystal semiconductor
WO2003089697A1 (fr) * 2002-04-19 2003-10-30 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Procede de production de silicium monocristallin, procede de production de tranches de silicium monocristallin, cristal germe destine a la production de silicium monocristallin, lingot de silicium monocristallin, et tranche de silicium monocristallin
CN1646736A (zh) * 2002-04-24 2005-07-27 信越半导体株式会社 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
JP2007022865A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
US20070034138A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Toshiaki Ono Method for growing silicon single crystal and silicon wafer
US20080053370A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Shuichi Inami Method for producing silicon single crystal
CN101168850A (zh) * 2006-09-05 2008-04-30 株式会社Sumco 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
CN1995485A (zh) * 2006-12-06 2007-07-11 天津市环欧半导体材料技术有限公司 <110>无位错硅单晶的制造方法
TW200844271A (en) * 2007-04-03 2008-11-16 Sumco Corp Production method of silicon single crystal

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Publication number Publication date
WO2013162145A1 (en) 2013-10-31
DE112012006260T5 (de) 2015-02-05
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