JP2005306653A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【選択図】なし
Description
このように、再結晶化を行なう際に、シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物(ドーパント)をガスドープすれば、元々シリコン原料棒にドープされていたドーパントの抵抗率に対する寄与を減少させるまたは打ち消すことができるので、これによって抵抗率が3000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型のシリコン単結晶を極めて容易に製造することができる。
このように、本発明ではCZ法により製造された大口径であっても結晶品質が高く且つ安価なシリコン原料棒を使用するので、最終的に製造する高品質シリコン単結晶の直径を低コスト且つ高歩留まりで容易に200mm以上とすることができ、これによって高性能半導体デバイスを低コストで製造するのに適する大口径で高抵抗率のFZシリコンウェーハを提供できる。
このように、CZ法で製造したシリコン原料棒の直径を150mm以上とすれば、直径200mm以上の大口径の高品質FZシリコン単結晶を高歩留まりで且つ容易に製造できる。なお、例えば最終的に製造するシリコン単結晶の直径を200mmとする場合には、シリコン原料棒の直径を210mm以下とするのが好ましい。直径が210mmより大きい場合は、そのような太い原料棒を溶融するためにそれだけ高電力が必要となるので、200mm用の誘導加熱コイルではコイルから放電が生じるおそれがあり、またゾーニングの際の溶融帯に対する原料の供給スピードが遅くなりすぎ、溶融状態が悪化してネック部が切れる問題が生じるおそれがあるので好ましくない。
このように、FZ法により再結晶化させることにより、シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma以下とすることが容易にできるので、この単結晶に350〜500℃程度の熱処理を施しても酸素ドナーの形成は確実に防止される。従って、デバイス製造工程において抵抗率が低下することが確実にない高抵抗率のFZウェーハを作製可能なシリコン単結晶を製造できる。
このように、再結晶化を行なう際に、成長炉のチャンバー内雰囲気の窒素濃度を0.2〜0.5%とすれば、再結晶化したシリコン単結晶には適量の窒素がドープされ、シリコン原料棒内に存在するFPD(Flow Pattern Defect)やスワール欠陥を消滅させることができるので、より高品質なシリコン単結晶が製造できる。
このように、FZ法による再結晶化を行なう際に、シリコン原料棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすることによりシリコン原料棒を再結晶化させれば、低抵抗側から高抵抗側にドーパントが偏析するので、再結晶化したシリコン単結晶棒の軸方向の抵抗率分布を、元々のシリコン原料棒の軸方向の抵抗率分布よりも均一にすることができる。
前述のように、近年大口径化の要求が強い高抵抗率のシリコンウェーハの材料として、CZ法により製造されたシリコン単結晶が使われるようになってきたが、デバイス製造工程での酸素ドナーの形成によるウェーハの抵抗率の低下の問題が依然として存在していた。特に、高抵抗率のウェーハの場合は、酸素ドナーの形成がわずかであってもその抵抗率に与える影響は大きいので、このような酸素ドナーの形成を防止する必要性が高い。
一方、FZ法により製造されたシリコン単結晶は酸素濃度が極めて低いものとなるので、このような抵抗率の変化は発生しないが、従来FZ法においてシリコン原料棒として用いられていた多結晶シリコン棒は大口径のものを高品質で安価に製造するのが困難であり、1回のゾーニングでの無転位化の成功率が低く、このことはFZシリコン単結晶の製造歩留まりの低下と高コスト化とを招いていた。
まず、FZ法によるシリコン単結晶の製造に用いるシリコン原料棒となるシリコン結晶棒をCZ法により育成する。例えば導電型がP型、直径200mmのシリコン結晶棒を育成する場合、例えば口径24インチ(600mm)の石英ルツボに150kgのシリコン多結晶を充填し、抵抗率が1000Ω・cm以上の所望の抵抗率となるようにドーパントとして所定量のボロンやガリウム等のP型のドーパントを石英ルツボ内に投入する。ドーパントとしては、例えばボロンを高濃度にドープしたシリコン片を用いることができる。なお、導電型をN型とする場合には、リン、ヒ素、アンチモン等のN型のドーパントを投入すればよい。
その場合、CZ法で製造したシリコン原料棒の直径を150mm以上とすれば、直径200mm以上の大口径の高品質FZシリコン単結晶を高歩留まりで且つ容易に製造できるので好ましい。なお、例えば最終的に製造するシリコン単結晶の直径を200mmとする場合には、シリコン原料棒の直径を210mm以下とするのが好ましい。直径が210mmより大きい場合は、そのような太い原料棒を溶融するためにそれだけ高電力が必要となるので、200mm用の誘導加熱コイルではコイルから放電が生じるおそれがあり、またゾーニングの際の上軸下降速度(溶融帯に対する原料の供給スピード)が遅くなりすぎ、溶融状態が悪化してネック部が切れる問題が生じるおそれがあるので好ましくない。但し、原料棒の直径の好ましい上限値は、製造するFZシリコン単結晶の直径に応じて定めることができる。
(実施例1)
一般的なCZ法の製造方法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにボロンのドーパントを添加して、導電型P型、直径150mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma(JEIDA)、ライフタイムは3000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を170mm、外側の第二加熱コイルの外径を280mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を30l/min、窒素ガス濃度を0.3%、成長速度を2.1mm/min、原料回転中心と製品単結晶回転中心のずれ量(偏芯量)を12mmとした。
実施例1と同様に、CZ法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにボロンのドーパントを添加して、導電型P型、直径200mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma、ライフタイムは2000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を220mm、外側の第二加熱コイルの外径を300mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.20MPa、Arガス流量を50l/min、窒素ガス濃度を0.5%、成長速度を2.3mm/min、偏芯量を12mmとした。
実施例1と同様に、CZ法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにリンのドーパントを添加して、導電型N型、直径200mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma、ライフタイムは2000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を220mm、外側の第二加熱コイルの外径を300mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.20MPa、Arガス流量を50l/min、窒素ガス濃度を0.5%、成長速度を2.3mm/min、偏芯量を12mmとし、さらにP型のドーパントガスであるジボラン(B2H6)を濃度0.01ppmaで含有させたArガスをドープガスノズルから流量5cc/minで溶融帯に吹きつけることにより極微量のガスドープを行なった。
直径150mmのシリコン多結晶をシリコン原料棒として、FZ法によりゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ40cmのシリコン単結晶を製造した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を170mm、外側の第二加熱コイルの外径を280mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を30l/min、窒素ガス濃度を0.3%、成長速度を2.1mm/min、偏芯量を12mmとした。
4…上軸、 6…上部保持治具、 8…下軸、 10…下部保持治具、
12…種結晶、 14…誘導加熱コイル、 16…絞り、 18…溶融帯(メルト)、
22…ドープガスノズル。
Claims (7)
- FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物をガスドープすることにより、前記シリコン原料棒を抵抗率が3000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化させるシリコン単結晶の直径を200mm以上とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン原料棒の直径を150mm以上とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma(JEIDA)以下とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、成長炉のチャンバー内雰囲気の窒素濃度を0.2〜0.5%とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすることにより、前記シリコン原料棒を再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007145610A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン半導体結晶の製造方法 |
JP2007314374A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Cz法により製造したシリコン結晶棒を原料としたfz単結晶シリコンの製造方法 |
WO2008038689A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sumco Techxiv Corporation | procÉdÉ de fabrication d'un cristal de silicium unique, cristal de silicium unique, galette de silicium, mÉcanisme rÉgulateur de la fabrication d'un cristal de silicium unique et programme |
WO2008093576A1 (ja) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sumco Techxiv Corporation | シリコン結晶素材及びその製造方法 |
JP2008266090A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法 |
JP2010132470A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Sumco Techxiv株式会社 | Fz法シリコン単結晶の製造方法 |
JP2010215431A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
JP2011088758A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶 |
JP2012141522A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Sony Corp | 赤外線光学系、赤外線撮像装置 |
WO2012114375A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | 信越半導体株式会社 | N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶 |
JP2012253216A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Sumco Corp | ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2016079065A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
KR20190017781A (ko) * | 2016-06-08 | 2019-02-20 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼 |
JP2019108239A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 信越半導体株式会社 | Fz用シリコン原料棒の製造方法およびfzシリコン単結晶の製造方法 |
JP2019202913A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 信越半導体株式会社 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法 |
JP2020007163A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-16 | 信越半導体株式会社 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103866375B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-02-24 | 有研半导体材料有限公司 | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
CN103866376B (zh) * | 2012-12-13 | 2016-06-22 | 有研半导体材料有限公司 | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法 |
US11585010B2 (en) | 2019-06-28 | 2023-02-21 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant |
US11795569B2 (en) | 2020-12-31 | 2023-10-24 | Globalwafers Co., Ltd. | Systems for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant |
US11866844B2 (en) | 2020-12-31 | 2024-01-09 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004124979A patent/JP4367213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007145610A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン半導体結晶の製造方法 |
JP4581977B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2010-11-17 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2007314374A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Cz法により製造したシリコン結晶棒を原料としたfz単結晶シリコンの製造方法 |
WO2008038689A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sumco Techxiv Corporation | procÉdÉ de fabrication d'un cristal de silicium unique, cristal de silicium unique, galette de silicium, mÉcanisme rÉgulateur de la fabrication d'un cristal de silicium unique et programme |
JP2008087984A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶の製造制御装置、及びプログラム |
US8382895B2 (en) | 2006-09-29 | 2013-02-26 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon single crystal manufacturing method, silicon single crystal, silicon wafer, apparatus for controlling manufacture of silicon single crystal, and program |
US9181631B2 (en) | 2007-01-31 | 2015-11-10 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon crystalline material and method for manufacturing the same |
WO2008093576A1 (ja) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sumco Techxiv Corporation | シリコン結晶素材及びその製造方法 |
JP2008266090A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法 |
WO2008133205A1 (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sumco Techxiv Corporation | シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法 |
EP2143833A1 (en) * | 2007-04-24 | 2010-01-13 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same |
EP2143833A4 (en) * | 2007-04-24 | 2010-12-22 | Sumco Techxiv Corp | SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING AN FZ SILICON CRYSTAL WITH THEREWITH |
JP2010132470A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Sumco Techxiv株式会社 | Fz法シリコン単結晶の製造方法 |
JP2010215431A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
JP2011088758A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶 |
JP2012141522A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Sony Corp | 赤外線光学系、赤外線撮像装置 |
EP2679706A1 (en) * | 2011-02-23 | 2014-01-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing n-type silicon single crystal, and phosphorus-doped n-type silicon single crystal |
CN103403231A (zh) * | 2011-02-23 | 2013-11-20 | 信越半导体股份有限公司 | N型单晶硅的制造方法及掺磷n型单晶硅 |
EP2679706A4 (en) * | 2011-02-23 | 2014-10-01 | Shinetsu Handotai Kk | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF N-TYPE SILICON MONOCRYSTAL AND N-TYPE DOPED SILICON MONOCRYSTAL MONOCRYSTAL |
WO2012114375A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | 信越半導体株式会社 | N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶 |
CN103403231B (zh) * | 2011-02-23 | 2016-04-20 | 信越半导体股份有限公司 | N型单晶硅的制造方法及掺磷n型单晶硅 |
JP2012253216A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Sumco Corp | ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2016079065A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
US11142844B2 (en) | 2016-06-08 | 2021-10-12 | Globalwafers Co., Ltd. | High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength |
JP2019517454A (ja) * | 2016-06-08 | 2019-06-24 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. | 改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ |
CN111201341A (zh) * | 2016-06-08 | 2020-05-26 | 环球晶圆股份有限公司 | 具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片 |
KR20190017781A (ko) * | 2016-06-08 | 2019-02-20 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼 |
EP3469120B1 (en) * | 2016-06-08 | 2022-02-02 | GlobalWafers Co., Ltd. | High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength |
KR102439602B1 (ko) | 2016-06-08 | 2022-09-01 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼 |
US11655560B2 (en) | 2016-06-08 | 2023-05-23 | Globalwafers Co., Ltd. | High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength |
US11655559B2 (en) | 2016-06-08 | 2023-05-23 | Globalwafers Co., Ltd. | High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength |
JP2019108239A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 信越半導体株式会社 | Fz用シリコン原料棒の製造方法およびfzシリコン単結晶の製造方法 |
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