JP2005306653A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents

シリコン単結晶の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005306653A
JP2005306653A JP2004124979A JP2004124979A JP2005306653A JP 2005306653 A JP2005306653 A JP 2005306653A JP 2004124979 A JP2004124979 A JP 2004124979A JP 2004124979 A JP2004124979 A JP 2004124979A JP 2005306653 A JP2005306653 A JP 2005306653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
single crystal
resistivity
silicon single
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004124979A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4367213B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Kodama
義博 児玉
Shuji Omori
修二 大森
Atsushi Iwasaki
淳 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2004124979A priority Critical patent/JP4367213B2/ja
Publication of JP2005306653A publication Critical patent/JP2005306653A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4367213B2 publication Critical patent/JP4367213B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

【課題】大口径で抵抗率1000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないFZ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、FZ法によるシリコン単結晶の製造方法に関するものであり、より詳しくはFZ法による高抵抗率でかつ大口径のP型またはN型のシリコン単結晶を低コストで製造する方法に関する。
従来、高耐圧パワーデバイスやサイリスタ等のパワーデバイス作製用にはフローティングゾーン法(FZ法)により製造された高抵抗率のシリコンウェーハが使用されてきた。また近年、半導体デバイスの性能向上とコストの低減のため、大口径のシリコンウェーハが求められ、これに伴って大口径シリコン単結晶の育成が要求されている。
さらに、特に近年、移動体通信用の半導体デバイスや、最先端のC−MOSデバイスでは、寄生容量の低減が必要とされている。信号の伝送ロスやショットキーバリヤダイオードにおける寄生容量は、高抵抗率の基板を用いることによって効果的に低減できることが報告されている。
また、前記半導体デバイスを更に高性能にするために、いわゆるSOI(Silicon On Insulator)ウェーハが用いられることもある。このSOIウェーハの代表的な製造方法として、ウェーハの貼り合わせ法がある。この方法は、デバイス形成層となるボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを酸化膜を介して密着させ、熱処理を加えて両者を強固に結合し、その後ボンドウェーハを薄膜化してSOI層として、貼り合わせSOIウェーハを製造するというものである。
このような方法で製造された貼り合わせSOIウェーハを用いて半導体デバイスを製造する場合においても、前述したウェーハの大口径化が要求され、また信号の伝送ロス等の問題を解決するために高抵抗率のウェーハをベースウェーハとして用いることが望まれていた。
そして、このような大口径化の要求が強い半導体デバイスに用いられるウェーハには、FZ法に代わり結晶の大型化に有利な、チョクラルスキー法(CZ法)によって製造されたシリコン単結晶が使われるようになってきた。CZ法によるシリコン単結晶の製造方法は、一般に良く知られているように、単結晶製造装置に配置された石英ルツボ内で多結晶シリコン原料を溶融させたシリコン融液に種結晶を浸漬し、石英ルツボと種結晶を反対方向に回転させながら融液に浸漬した種結晶を上方に静かに引上げることにより、略円柱状のシリコン単結晶を育成するというものである。
このようなCZ法によるシリコン単結晶の製造方法ではシリコン融液の保持に石英ルツボを使用しているため、高温のシリコン融液とルツボ内壁の石英が反応して、シリコン融液中に酸素原子が溶け出し、この酸素が融液を通して育成中の単結晶に取り込まれる。
単結晶中に取り込まれた酸素原子は通常単独では電気的に中性であるが、単結晶に350〜500℃の低温熱処理が施されると複数個の酸素原子が集まって電子を放出して電気的に活性な酸素ドナーとなる。そのため、CZ法により得られた高抵抗率のウェーハに、デバイス製造工程、例えば酸化膜形成、不純物拡散、配線工程等で350〜500℃程度の熱処理が施されると、この酸素ドナーの形成により高抵抗率CZウェーハの抵抗率が低下してしまうという問題がある。
このような酸素ドナーの形成による抵抗率の低下を防ぎ、CZ法を用いて高抵抗率のシリコンウェーハを得る方法の一つとして、結晶育成時に格子間酸素濃度が低くなるようにシリコン単結晶を製造する方法が開示されている。例えば、合成石英ルツボを用いてMCZ法(CZ法においてシリコン融液に磁場を印加する方法)で単結晶の育成を行うことにより、単結晶に溶け込む酸素量を制御して、10000Ω・cm以上の高抵抗率を有するシリコン単結晶を製造できることが開示されている(特許文献1参照)。
また、CZ法によって高抵抗率ウェーハを製造する別の方法として、酸素ドナーが形成される現象を逆に利用することによって、高抵抗率シリコンウェーハを製造する方法も提案されている。すなわち、低不純物濃度で低酸素濃度のP型シリコンウェーハに400〜500℃の熱処理を行って酸素ドナーを発生させる。この発生した酸素ドナーは電子を放出するN型であるから、これによりシリコンウェーハ中のP型不純物の抵抗率に対する寄与を打ち消してウェーハの導電型をN型化することによって、高抵抗率N型シリコンウェーハを製造することができる(特許文献2参照)。
CZ法により高抵抗率のウェーハを製造するさらに別の方法として、CZ法により抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであるシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウェーハに加工し、その後、該ウェーハに酸素析出熱処理を行なって格子間酸素を析出させることにより、ウェーハ中の残留格子間酸素濃度を8ppma以下としてシリコンウェーハを製造する方法も提案されている(特許文献3参照)。
また、CZ法により、抵抗率が100Ω・cmで初期格子間酸素濃度が5〜10ppmaであるシリコン単結晶棒を育成することにより、酸素ドナーの発生による抵抗率低下の影響がほとんどない高抵抗率CZシリコンウェーハを製造することができることが開示されている(特許文献4参照)。
しかし、以上のようなCZ法によって製造されたシリコンウェーハであっても、FZ法により製造されたシリコンウェーハと比較すると、デバイス製造工程、例えば酸化膜形成、不純物拡散、配線工程における熱処理を加えるとウェーハの抵抗率が低下する問題が依然として存在する。従って、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないFZ法により育成された高抵抗率のシリコン単結晶であって、直径が例えば200mm以上の大口径のものを製造する方法の開発が望まれていた。
FZ法による直径200mmのシリコン単結晶の製造方法としては、直径145mm以上の多結晶シリコンをシリコン原料棒とする方法が開示されている(特許文献5参照)。
通常は出来るだけ直径の大きいシリコン原料棒からシリコン単結晶を製造する方が生産性等の点で有利であるが、直径の大きい、特に直径160mm以上の多結晶シリコンを製造するのは極めて困難である。また、多結晶シリコンは大口径になると均一な粒界組織にならないという欠点を有するものとなる。従って、例えば直径160mmの多結晶シリコン原料棒を使用してFZ法により直径200mmのシリコン単結晶を製造した場合、1回のFZ法によるゾーニングでは無転位にならず、ゾーニングを繰り返す必要があるため、製造歩留りが極めて低くなってしまうという問題がある。また、大口径の多結晶シリコンは単価が極めて高いという欠点も有する。
なお、CZ法で製造された抵抗率が10〜15Ω・cm程度のシリコン単結晶棒に関しては、結晶成長時の冷却条件の違いにより、軸方向で酸素析出物の量等に差が生じている場合があり、それを軸方向で均一にするために、CZ法により上部から下部に向けて格子間酸素濃度を増大させたシリコン単結晶棒を引き上げ、これをFZ法を用いて再結晶化させる方法が開示されている(特許文献6参照)。
特開平5−58788号公報 特公平8−10695号公報 国際公開第00/55397号パンフレット 特開2003−68744号公報 特開2003−55089号公報 特開平5−43382号公報
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、大口径で抵抗率1000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないFZ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供することにある。
上記目的達成のため、本発明は、FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供する(請求項1)。
このように、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒とすれば、大口径のシリコン原料棒であっても多結晶シリコンのものよりも結晶品質がはるかに高く且つ安価に製造できるものなので、これをFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させれば、高抵抗率で且つデバイス製造工程でも抵抗率が低下することのない高品質な大口径シリコン単結晶を、低コストで且つ高歩留まりで製造することができる。
この場合、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物をガスドープすることにより、前記シリコン原料棒を抵抗率が3000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることが好ましい(請求項2)。
このように、再結晶化を行なう際に、シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物(ドーパント)をガスドープすれば、元々シリコン原料棒にドープされていたドーパントの抵抗率に対する寄与を減少させるまたは打ち消すことができるので、これによって抵抗率が3000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型のシリコン単結晶を極めて容易に製造することができる。
また、前記再結晶化させるシリコン単結晶の直径を200mm以上とすることができる(請求項3)。
このように、本発明ではCZ法により製造された大口径であっても結晶品質が高く且つ安価なシリコン原料棒を使用するので、最終的に製造する高品質シリコン単結晶の直径を低コスト且つ高歩留まりで容易に200mm以上とすることができ、これによって高性能半導体デバイスを低コストで製造するのに適する大口径で高抵抗率のFZシリコンウェーハを提供できる。
この場合、前記シリコン原料棒の直径を150mm以上とすることが好ましい(請求項4)。
このように、CZ法で製造したシリコン原料棒の直径を150mm以上とすれば、直径200mm以上の大口径の高品質FZシリコン単結晶を高歩留まりで且つ容易に製造できる。なお、例えば最終的に製造するシリコン単結晶の直径を200mmとする場合には、シリコン原料棒の直径を210mm以下とするのが好ましい。直径が210mmより大きい場合は、そのような太い原料棒を溶融するためにそれだけ高電力が必要となるので、200mm用の誘導加熱コイルではコイルから放電が生じるおそれがあり、またゾーニングの際の溶融帯に対する原料の供給スピードが遅くなりすぎ、溶融状態が悪化してネック部が切れる問題が生じるおそれがあるので好ましくない。
また、前記シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma(JEIDA)以下とすることが好ましい(請求項5)。
このように、FZ法により再結晶化させることにより、シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma以下とすることが容易にできるので、この単結晶に350〜500℃程度の熱処理を施しても酸素ドナーの形成は確実に防止される。従って、デバイス製造工程において抵抗率が低下することが確実にない高抵抗率のFZウェーハを作製可能なシリコン単結晶を製造できる。
また、前記再結晶化を行なう際に、成長炉のチャンバー内雰囲気の窒素濃度を0.2〜0.5%とすることが好ましい(請求項6)。
このように、再結晶化を行なう際に、成長炉のチャンバー内雰囲気の窒素濃度を0.2〜0.5%とすれば、再結晶化したシリコン単結晶には適量の窒素がドープされ、シリコン原料棒内に存在するFPD(Flow Pattern Defect)やスワール欠陥を消滅させることができるので、より高品質なシリコン単結晶が製造できる。
また、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすることにより、前記シリコン原料棒を再結晶化させることが好ましい(請求項7)。
このように、FZ法による再結晶化を行なう際に、シリコン原料棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすることによりシリコン原料棒を再結晶化させれば、低抵抗側から高抵抗側にドーパントが偏析するので、再結晶化したシリコン単結晶棒の軸方向の抵抗率分布を、元々のシリコン原料棒の軸方向の抵抗率分布よりも均一にすることができる。
本発明に従い、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、これをFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させれば、高抵抗率で且つデバイス製造工程でも抵抗率が低下することのない高品質な大口径シリコン単結晶を、低コスト且つ高歩留まりで製造することができる。これによって、高性能半導体デバイスを低コストで製造するのに適する大口径で高抵抗率のFZシリコンウェーハを提供できる。
以下、本発明について詳述する。
前述のように、近年大口径化の要求が強い高抵抗率のシリコンウェーハの材料として、CZ法により製造されたシリコン単結晶が使われるようになってきたが、デバイス製造工程での酸素ドナーの形成によるウェーハの抵抗率の低下の問題が依然として存在していた。特に、高抵抗率のウェーハの場合は、酸素ドナーの形成がわずかであってもその抵抗率に与える影響は大きいので、このような酸素ドナーの形成を防止する必要性が高い。
一方、FZ法により製造されたシリコン単結晶は酸素濃度が極めて低いものとなるので、このような抵抗率の変化は発生しないが、従来FZ法においてシリコン原料棒として用いられていた多結晶シリコン棒は大口径のものを高品質で安価に製造するのが困難であり、1回のゾーニングでの無転位化の成功率が低く、このことはFZシリコン単結晶の製造歩留まりの低下と高コスト化とを招いていた。
本発明者らは、抵抗率が1000Ω・cm以上のFZシリコン単結晶を製造する際に、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により再結晶化させれば、CZ法により製造された酸素濃度の高いシリコン結晶を原料棒として用いたとしても、FZ中に、原料棒中の酸素を飛散させることができるので、デバイス製造工程で酸素ドナーの発生しないウェーハを作製できるシリコン単結晶とすることができることに想到した。さらに、CZ法で製造された大口径のシリコン結晶の原料棒は多結晶シリコンのものよりもはるかに高品質であるから、これを用いればゾーニングの回数の減少及びゾーニングによる無転位化の成功率の向上が達成できるし、しかも同じ大口径の多結晶棒よりもむしろ安価であるから、結果として高品質のシリコン単結晶を低コスト且つ高歩留まりで製造することができることに想到し、本発明を完成させた。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1は、本発明に係るシリコン単結晶の製造に用いるFZ単結晶製造装置の一例を示す模式的部分断面図である。
まず、FZ法によるシリコン単結晶の製造に用いるシリコン原料棒となるシリコン結晶棒をCZ法により育成する。例えば導電型がP型、直径200mmのシリコン結晶棒を育成する場合、例えば口径24インチ(600mm)の石英ルツボに150kgのシリコン多結晶を充填し、抵抗率が1000Ω・cm以上の所望の抵抗率となるようにドーパントとして所定量のボロンやガリウム等のP型のドーパントを石英ルツボ内に投入する。ドーパントとしては、例えばボロンを高濃度にドープしたシリコン片を用いることができる。なお、導電型をN型とする場合には、リン、ヒ素、アンチモン等のN型のドーパントを投入すればよい。
そして、その後、ヒータによりシリコン多結晶を加熱溶融した原料融液に種結晶を浸し、種結晶とルツボを反対方向に回転させながら所定の成長速度で例えば直径205mm、直胴長さ150cmのシリコン結晶を成長させる。このとき、シリコン結晶は抵抗率が目標とする1000Ω・cm以上の抵抗率に制御されたものであればよく、その他の製造条件や特性、例えば酸素濃度、COP(Crystal Originated Particle)密度、FPD密度は特に限定されない。なお、結晶方位としては、最終的に製造するFZシリコン単結晶と同じとすることが好ましい。また、育成したシリコン結晶中のボロンやリン等のドーパント濃度は、例えば1×1013atoms/cm以下である。
なお、本発明ではCZ法により製造された大口径であっても結晶品質が高く且つ安価なシリコン原料棒を使用するので、上記のように最終的に製造する高品質FZシリコン単結晶の直径を200mm以上とする場合でも、低コスト且つ高歩留まりで容易に製造を行なうことができるので好ましい。
その場合、CZ法で製造したシリコン原料棒の直径を150mm以上とすれば、直径200mm以上の大口径の高品質FZシリコン単結晶を高歩留まりで且つ容易に製造できるので好ましい。なお、例えば最終的に製造するシリコン単結晶の直径を200mmとする場合には、シリコン原料棒の直径を210mm以下とするのが好ましい。直径が210mmより大きい場合は、そのような太い原料棒を溶融するためにそれだけ高電力が必要となるので、200mm用の誘導加熱コイルではコイルから放電が生じるおそれがあり、またゾーニングの際の上軸下降速度(溶融帯に対する原料の供給スピード)が遅くなりすぎ、溶融状態が悪化してネック部が切れる問題が生じるおそれがあるので好ましくない。但し、原料棒の直径の好ましい上限値は、製造するFZシリコン単結晶の直径に応じて定めることができる。
次に、こうしてCZ法で育成したシリコン結晶の抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定し、またスリップ転位の有無を確認する。スリップ転位が存在していると、シリコン結晶棒をFZのシリコン原料棒としてFZ単結晶製造装置にセットする時やFZ法でシリコン単結晶を再結晶化中に原料棒落下の原因となり得るので、スリップ転位がある場合は、スリップ転位の部分を予め取り除く必要がある。なお、このようなスリップ転位以外の結晶欠陥は存在していても特に問題はなく、シリコン結晶棒が完全に高品質な単結晶となっているものでなくともよい。すなわち、このようにCZ法で製造されたシリコン結晶棒であれば、従来FZ法のシリコン原料棒として用いられていたシリコン多結晶原料棒と比較して結晶性がはるかに高いので、FZ法により再結晶化して得られるシリコン単結晶は従来のものより高品質とできるし、例えば所望の品質のシリコン単結晶を得るために従来ではゾーニングを複数回行なう必要がある場合であっても、本発明では1回のゾーニングで所望の品質が得られる確率がはるかに高いものとなる。
次に、こうしてCZ法により得られたシリコン結晶棒を円筒研削後、FZ法で溶融を開始する部分をコーン形状に加工し、その後、加工歪みを除去するために表面のエッチングを行なう。このシリコン結晶棒は、例えばボロンをドープした場合には、シリコン結晶が成長するに従ってドープされるボロン濃度が高くなるので、抵抗率は低くなる。その結果、シリコン結晶棒には軸方向に抵抗率分布が生じている。従って、シリコン結晶棒の一端をコーン形状に加工してコーン部を形成する際に、シリコン結晶棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングするときはシリコン結晶棒の低抵抗側をコーン形状に加工し、シリコン結晶棒の高抵抗側から低抵抗側に向かってゾーニングするときは、シリコン結晶棒の高抵抗側をコーン形状に加工する。
そして、このようにCZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒を、FZ成長炉のチャンバー内に設置された図1に示すFZ単結晶製造装置1の上軸4の上部保持冶具6にネジ等で固定してシリコン原料棒2とし、下軸8の下部保持冶具10には種結晶12を取り付ける。
次に、シリコン原料棒2のコーン部の下端をカーボンリング(不図示)で予備加熱する。その後、チャンバー下部より窒素ガスを含んだArガスを供給しチャンバー上部より排気して、例えば炉内圧力を0.20MPa、Arガスの流量を50l/min、チャンバー内窒素濃度を0.5%とする。そして、シリコン原料棒2を誘導加熱コイル(高周波コイル)14で加熱溶融した後、コーン部先端を種結晶12に融着させ、絞り16により無転位化し、上軸4と下軸8を回転させながらシリコン原料棒2を例えば2.3mm/minの成長速度で下降させることで溶融帯(メルト)18をシリコン原料棒上端まで移動させてゾーニングし、シリコン原料棒2を再結晶化してシリコン単結晶3を成長させる。このとき、シリコン原料棒2を育成する際に回転中心となる軸4と、再結晶化の際に単結晶の回転中心となる軸8とをずらして(偏芯させて)単結晶を育成することが好ましい。このように両中心をずらすことにより再結晶化の際に溶融状態を攪拌させ、製造する単結晶の面内抵抗率分布等の品質を均一化することができる。偏芯量は例えば単結晶の直径に応じて設定すればよい。
こうして、CZ法により製造されたシリコン原料棒中に不可避的に含まれる酸素を溶融帯中に飛散させることができるので、FZ単結晶中の酸素濃度を極めて低いものとできる、その結果350〜500℃の熱処理が施されても酸素ドナーが発生しないだけでなく、COPに代表される酸素起因欠陥が極めて低密度なシリコン単結晶とできる。
なお、上記のようにチャンバー内を窒素を含む雰囲気にすれば、シリコン単結晶中に窒素がドープされ、シリコン原料棒2の内部に存在したFPDやスワール欠陥が消滅するのでより高品質のシリコン単結晶を成長させることができるので好ましい。この場合、雰囲気中の窒素濃度は上記の0.5%に限らず、0.2〜0.5%とすれば、上記の欠陥を消滅させるのに適当な濃度の窒素がドープされるので好ましい。また、窒素ガスの代わりにアンモニア、ヒドラジン、三フッ化窒素等の窒素を含む化合物ガスを用いてもよい。このときシリコン単結晶にドープされる窒素濃度は、例えば3×1014atoms/cm程度である。
また、再結晶化の際に、シリコン原料棒2の低抵抗側をコーン部として低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすれば、シリコン単結晶3の軸方向の抵抗率分布をシリコン原料棒2の軸方向の抵抗率分布よりも均一にすることができるので、ここからシリコンウェーハを作製すれば、それらはウェーハ間で抵抗率のバラツキがないものとできるので好ましい。また逆に、シリコン原料棒2の高抵抗側をコーン部として高抵抗側から低抵抗側に向かってゾーニングすれば、シリコン単結晶3の軸方向の抵抗率分布を、シリコン原料棒2の軸方向の抵抗率分布よりも大きな傾きをもつ抵抗率分布とすることもでき、これによってウェーハ間で抵抗率がより大きく異なる複数のシリコンウェーハを製造することもできる。これにより種々の抵抗率規格に対応することができる。
さらに、再結晶化を行なう際に、シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物(ドーパント)をガスドープすれば、元々シリコン原料棒にドープされていたドーパントの抵抗率に対する寄与を減少させるまたは打ち消すことができるので、これによって抵抗率が3000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型のシリコン単結晶を極めて容易に製造することができる。この場合、ドープ量の調整により、シリコン単結晶の導電型を原料棒の導電型と同じものにも反対のものにもできる。
ガスドープは、公知の方法に従いドープガスノズル22から反対導電型のドーパントガスを極微量含むドープガスを所定の流量で溶融帯に吹きつけることにより行なうことができる。例えば、シリコン原料棒がN型であれば、ドーパントガスとしてジボラン(B)をArガス等に極微量だけ含ませたドープガスを用いることができるし、P型であればホスフィン(PH)を用いることができる。
そして、上記のようにFZ法により再結晶化を行なうことにより、シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma以下とすることが容易にできる。このような極めて低い酸素濃度であれば、この単結晶に350〜500℃程度の熱処理を施しても酸素ドナーの形成は確実に防止される。従って、このように製造されたシリコン単結晶は、デバイス製造工程において抵抗率が低下することが確実にない高抵抗率のFZウェーハを作製可能なものとなる。
以下に本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
一般的なCZ法の製造方法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにボロンのドーパントを添加して、導電型P型、直径150mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma(JEIDA)、ライフタイムは3000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
このCZシリコン単結晶をシリコン原料棒として、FZ法により低抵抗側から高抵抗側へゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ40cmのシリコン単結晶を製造した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を170mm、外側の第二加熱コイルの外径を280mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を30l/min、窒素ガス濃度を0.3%、成長速度を2.1mm/min、原料回転中心と製品単結晶回転中心のずれ量(偏芯量)を12mmとした。
そして、このように製造したシリコン単結晶の抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した結果、抵抗率は1500〜2000Ω・cm、酸素濃度は0.3ppma(JEIDA)、ライフタイムは5000μsecであった。また、この場合の1パス成功率は60%であった。なお、ここでの1パス成功率とは、上記のように製造したシリコン単結晶のうち、1回のゾーニングで無転位化したものの割合を示すものである。
(実施例2)
実施例1と同様に、CZ法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにボロンのドーパントを添加して、導電型P型、直径200mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma、ライフタイムは2000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
このCZシリコン単結晶をシリコン原料棒として、FZ法により低抵抗側から高抵抗側へゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ90cmのシリコン単結晶を製造した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を220mm、外側の第二加熱コイルの外径を300mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.20MPa、Arガス流量を50l/min、窒素ガス濃度を0.5%、成長速度を2.3mm/min、偏芯量を12mmとした。
そして、このように製造したシリコン単結晶の抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は0.2ppma、ライフタイムは5000μsecであった。また、この場合の1パス成功率は50%であった。
(実施例3)
実施例1と同様に、CZ法により、肩部の抵抗率が1500Ω・cmになるようにリンのドーパントを添加して、導電型N型、直径200mm、直胴長さ150cmのシリコン単結晶を20本製造し、抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した。その結果、抵抗率は1000〜1500Ω・cm、酸素濃度は17〜18ppma、ライフタイムは2000μsecであった。また、全長にわたってスリップ転位がないことを確認した。
このCZシリコン単結晶をシリコン原料棒として、FZ法により低抵抗側から高抵抗側へゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ90cmのシリコン単結晶を製造した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を220mm、外側の第二加熱コイルの外径を300mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.20MPa、Arガス流量を50l/min、窒素ガス濃度を0.5%、成長速度を2.3mm/min、偏芯量を12mmとし、さらにP型のドーパントガスであるジボラン(B)を濃度0.01ppmaで含有させたArガスをドープガスノズルから流量5cc/minで溶融帯に吹きつけることにより極微量のガスドープを行なった。
そして、このように製造したシリコン単結晶の抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した結果、抵抗率は5000〜10000Ω・cmと元のシリコン原料棒の抵抗率の5倍以上となり、また酸素濃度は0.3ppma、ライフタイムは4000μsecであった。また、この場合の1パス成功率は50%であった。
(比較例1)
直径150mmのシリコン多結晶をシリコン原料棒として、FZ法によりゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ40cmのシリコン単結晶を製造した。
なお、この単結晶の製造の際には、誘導加熱コイルは内側の第一加熱コイルの外径を170mm、外側の第二加熱コイルの外径を280mmのパラレルコイルとし、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を30l/min、窒素ガス濃度を0.3%、成長速度を2.1mm/min、偏芯量を12mmとした。
そして、このようにシリコン多結晶から製造したシリコン単結晶の抵抗率、酸素濃度、ライフタイムを測定した結果、抵抗率は3000〜8000Ω・cm、酸素濃度は0.3ppma、ライフタイムは6000μsecであった。このときの抵抗率はガスドープをしていないので、シリコン原料棒の抵抗率とほぼ等しいものであった。また、この場合の1パス成功率は10%と低かった。
すなわち、実施例のように、本発明に従い抵抗率1000Ω・cm以上のCZシリコン単結晶をシリコン原料棒として、これをFZ法によりゾーニングを行って再結晶化させてシリコン単結晶を製造すれば、直径200mmのような大口径のものでも多結晶シリコンを原料棒とした場合よりも1パス成功率が3倍近く高くなり、本発明の効果が確認された。しかも、原料棒に多結晶を用いる場合、FZ法の原料として使えるような緻密で割れの生じないものは製造が困難であるため、きわめて高価であった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、実施例では直径200mmのシリコン単結晶を製造したが、それ以上の直径のシリコン単結晶を製造する場合は、そのような大口径のシリコン単結晶の製造に適する大口径の多結晶シリコンを高品質で製造するのはより困難かつ高コストであるから、本発明の効果はますます顕著なものとなる。
本発明に係るFZ単結晶製造装置の一例を示す模式的部分断面図である。
符号の説明
1…FZ単結晶製造装置、 2…シリコン原料棒、 3…シリコン単結晶、
4…上軸、 6…上部保持治具、 8…下軸、 10…下部保持治具、
12…種結晶、 14…誘導加熱コイル、 16…絞り、 18…溶融帯(メルト)、
22…ドープガスノズル。

Claims (7)

  1. FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  2. 請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の導電型とは反対の導電型の不純物をガスドープすることにより、前記シリコン原料棒を抵抗率が3000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  3. 請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化させるシリコン単結晶の直径を200mm以上とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  4. 請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン原料棒の直径を150mm以上とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶に含まれる酸素濃度を1ppma(JEIDA)以下とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、成長炉のチャンバー内雰囲気の窒素濃度を0.2〜0.5%とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、前記再結晶化を行なう際に、前記シリコン原料棒の低抵抗側から高抵抗側に向かってゾーニングすることにより、前記シリコン原料棒を再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
JP2004124979A 2004-04-21 2004-04-21 シリコン単結晶の製造方法 Expired - Lifetime JP4367213B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004124979A JP4367213B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 シリコン単結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004124979A JP4367213B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 シリコン単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005306653A true JP2005306653A (ja) 2005-11-04
JP4367213B2 JP4367213B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=35435831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004124979A Expired - Lifetime JP4367213B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 シリコン単結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4367213B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007145610A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン半導体結晶の製造方法
JP2007314374A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd Cz法により製造したシリコン結晶棒を原料としたfz単結晶シリコンの製造方法
WO2008038689A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-03 Sumco Techxiv Corporation procÉdÉ de fabrication d'un cristal de silicium unique, cristal de silicium unique, galette de silicium, mÉcanisme rÉgulateur de la fabrication d'un cristal de silicium unique et programme
WO2008093576A1 (ja) 2007-01-31 2008-08-07 Sumco Techxiv Corporation シリコン結晶素材及びその製造方法
JP2008266090A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Sumco Techxiv株式会社 シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法
JP2010132470A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Sumco Techxiv株式会社 Fz法シリコン単結晶の製造方法
JP2010215431A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶の製造方法
JP2011088758A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶
JP2012141522A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Sony Corp 赤外線光学系、赤外線撮像装置
WO2012114375A1 (ja) * 2011-02-23 2012-08-30 信越半導体株式会社 N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶
JP2012253216A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sumco Corp ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法
JP2016079065A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社Sumco 単結晶の製造方法及び製造装置
KR20190017781A (ko) * 2016-06-08 2019-02-20 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼
JP2019108239A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 信越半導体株式会社 Fz用シリコン原料棒の製造方法およびfzシリコン単結晶の製造方法
JP2019202913A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法
JP2020007163A (ja) * 2018-07-02 2020-01-16 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866375B (zh) * 2012-12-10 2016-02-24 有研半导体材料有限公司 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法
CN103866376B (zh) * 2012-12-13 2016-06-22 有研半导体材料有限公司 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法
US11585010B2 (en) 2019-06-28 2023-02-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant
US11795569B2 (en) 2020-12-31 2023-10-24 Globalwafers Co., Ltd. Systems for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant
US11866844B2 (en) 2020-12-31 2024-01-09 Globalwafers Co., Ltd. Methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007145610A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン半導体結晶の製造方法
JP4581977B2 (ja) * 2005-11-24 2010-11-17 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2007314374A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd Cz法により製造したシリコン結晶棒を原料としたfz単結晶シリコンの製造方法
WO2008038689A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-03 Sumco Techxiv Corporation procÉdÉ de fabrication d'un cristal de silicium unique, cristal de silicium unique, galette de silicium, mÉcanisme rÉgulateur de la fabrication d'un cristal de silicium unique et programme
JP2008087984A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Sumco Techxiv株式会社 シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶の製造制御装置、及びプログラム
US8382895B2 (en) 2006-09-29 2013-02-26 Sumco Techxiv Corporation Silicon single crystal manufacturing method, silicon single crystal, silicon wafer, apparatus for controlling manufacture of silicon single crystal, and program
US9181631B2 (en) 2007-01-31 2015-11-10 Sumco Techxiv Corporation Silicon crystalline material and method for manufacturing the same
WO2008093576A1 (ja) 2007-01-31 2008-08-07 Sumco Techxiv Corporation シリコン結晶素材及びその製造方法
JP2008266090A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Sumco Techxiv株式会社 シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法
WO2008133205A1 (ja) 2007-04-24 2008-11-06 Sumco Techxiv Corporation シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法
EP2143833A1 (en) * 2007-04-24 2010-01-13 Sumco Techxiv Corporation Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same
EP2143833A4 (en) * 2007-04-24 2010-12-22 Sumco Techxiv Corp SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING AN FZ SILICON CRYSTAL WITH THEREWITH
JP2010132470A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Sumco Techxiv株式会社 Fz法シリコン単結晶の製造方法
JP2010215431A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶の製造方法
JP2011088758A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶
JP2012141522A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Sony Corp 赤外線光学系、赤外線撮像装置
EP2679706A1 (en) * 2011-02-23 2014-01-01 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for manufacturing n-type silicon single crystal, and phosphorus-doped n-type silicon single crystal
CN103403231A (zh) * 2011-02-23 2013-11-20 信越半导体股份有限公司 N型单晶硅的制造方法及掺磷n型单晶硅
EP2679706A4 (en) * 2011-02-23 2014-10-01 Shinetsu Handotai Kk PROCESS FOR THE PRODUCTION OF N-TYPE SILICON MONOCRYSTAL AND N-TYPE DOPED SILICON MONOCRYSTAL MONOCRYSTAL
WO2012114375A1 (ja) * 2011-02-23 2012-08-30 信越半導体株式会社 N型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープn型シリコン単結晶
CN103403231B (zh) * 2011-02-23 2016-04-20 信越半导体股份有限公司 N型单晶硅的制造方法及掺磷n型单晶硅
JP2012253216A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sumco Corp ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法
JP2016079065A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社Sumco 単結晶の製造方法及び製造装置
US11142844B2 (en) 2016-06-08 2021-10-12 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength
JP2019517454A (ja) * 2016-06-08 2019-06-24 グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. 改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ
CN111201341A (zh) * 2016-06-08 2020-05-26 环球晶圆股份有限公司 具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片
KR20190017781A (ko) * 2016-06-08 2019-02-20 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼
EP3469120B1 (en) * 2016-06-08 2022-02-02 GlobalWafers Co., Ltd. High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength
KR102439602B1 (ko) 2016-06-08 2022-09-01 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼
US11655560B2 (en) 2016-06-08 2023-05-23 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength
US11655559B2 (en) 2016-06-08 2023-05-23 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity single crystal silicon ingot and wafer having improved mechanical strength
JP2019108239A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 信越半導体株式会社 Fz用シリコン原料棒の製造方法およびfzシリコン単結晶の製造方法
JP2019202913A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法
JP7067267B2 (ja) 2018-05-23 2022-05-16 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法
JP2020007163A (ja) * 2018-07-02 2020-01-16 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法
JP7240827B2 (ja) 2018-07-02 2023-03-16 信越半導体株式会社 原料結晶の抵抗率の測定方法及びfzシリコン単結晶の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4367213B2 (ja) 2009-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4367213B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP5070737B2 (ja) Cz法により製造したシリコン結晶棒を原料としたfz単結晶シリコンの製造方法
US7704318B2 (en) Silicon wafer, SOI substrate, method for growing silicon single crystal, method for manufacturing silicon wafer, and method for manufacturing SOI substrate
KR100928885B1 (ko) Igbt용의 실리콘 단결정 웨이퍼 및 igbt용의실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법
KR100847112B1 (ko) Igbt용 실리콘 단결정 웨이퍼 및 igbt용 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법
KR101522480B1 (ko) 실리콘 단결정 제조 방법, 실리콘 단결정, 및 웨이퍼
JP5246163B2 (ja) Igbt用のシリコン単結晶ウェーハ及びigbt用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
JPH11189495A (ja) シリコン単結晶及びその製造方法
US9469917B2 (en) Dopant feeder of ignot growing apparatus
EP2045372A2 (en) Method for growing silicon ingot
JP5399212B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
CN103403231B (zh) N型单晶硅的制造方法及掺磷n型单晶硅
JP2006315869A (ja) 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法
JP6119642B2 (ja) 半導体単結晶の製造方法
JP6756244B2 (ja) 半導体シリコン単結晶の製造方法
KR101403800B1 (ko) 잉곳 성장 방법 및 잉곳
US20090293803A1 (en) Method of growing silicon single crystals
KR20050120707A (ko) 단결정의 제조방법
JP6720841B2 (ja) 半導体シリコン単結晶の製造方法
JP2004175620A (ja) 単結晶の製造方法
JP2010132470A (ja) Fz法シリコン単結晶の製造方法
JP5830215B2 (ja) エピタキシャルウエーハ並びにその製造方法
US11987901B2 (en) Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer
JP2004269335A (ja) 単結晶の製造方法
JP2014031290A (ja) Fz単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090804

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090817

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4367213

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term