TWI802227B - 中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種去除方法，其不會對於環境造成不良影響且不會大幅損傷作為基材之矽晶圓，而可藉由簡易裝置極有效率且低價地去除矽晶圓表面之積層物。
本發明使用噴砂裝置(噴射經乾燥之研磨材的乾式，且使因重力而從研磨材槽落下之研磨材乘著壓縮空氣進行噴射的重力式者)，以噴射距離=120mm、噴射壓力=0.2MPa的噴射條件，對於中間排出矽晶圓的積層物之積層面吹附作為研磨材的粒度#220之碳化硼(B4C)5秒，藉此實施噴砂處理。
Description
本發明係關於中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其係用以使在半導體積體電路之製造步驟中排出的中間排出矽晶圓能夠再利用。
在製造半導體積體電路(半導體晶片)時，主要係在單晶矽晶圓所構成之元件的表面重複進行光阻遮罩、曝光、蝕刻等加工，而使微細配線及元件等所構成之電路圖案在縱向橫向上整齊排列成格狀，並以此狀態大量形成後(亦即積層於元件表面後)，依照此等電路圖案裁切(切割)矽晶圓，藉此形成矩形的半導體積體電路。
上述半導體積體電路的製造中，必須以高精度對於作為元件的矽晶圓之表面重複實施各種加工，因此會針對每個加工步驟進行測試、評價以確認完工狀態，該測試、評價用的矽晶圓並不會用於製造最終的製品，而是排出至製造系統外。又，經過加工而損傷的矽晶圓(不良品)亦會被排出至製造系統外。這種在製造過程中被排出至系統外的矽晶圓(本發明中稱為中間排出矽晶圓)，在投入的所有矽晶圓中占了較高的比例(約20%)，因此普遍會實施使該中間排出矽晶圓再生而用作新的原材料(因此中間排出矽晶圓亦稱為再生用矽晶圓)。
為了使中間排出矽晶圓再生，必須去除矽晶圓表面的積層物，但該積層物中混有SiO2、SiC、Si3N4、GaAs、InP、Al、W、Ti、TiN、ITO、Al2O3
等具有各種硬度的成分，若直接進行研磨亦無法均勻地研磨，因此如專利文獻1採用了一種方法，其係藉由使用鹼性及酸性的化學試劑進行蝕刻來去除部分積層物之後再進行研磨。又，如專利文獻2亦開發了一種方法，其係使用噴砂裝置吹附氧化鋁或碳化矽與壓縮空氣混合而成的流體，以作為研磨材而藉此去除矽晶圓表面之積層物。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利3046807號公報
〔專利文獻2］日本特開2001-237201號公報
然而，如專利文獻1，藉由使用化學試劑進行蝕刻來去除矽晶圓表面的積層物後再進行研磨的方法中，具有用於蝕刻的化學試劑在環境上成為問題的疑慮，而且以蝕刻去除積層物需要長時間故效率不佳，難以低價地實施。此外具有化學試劑不僅侵蝕積層物亦侵蝕作為基材之矽晶圓這種不良的情形。
本發明之目的在於解決如專利文獻1、2的習知矽晶圓表面之積層物的去除方法所具有之問題點，而提供一種去除方法，其不影響環境且不會大幅損傷作為基材之矽晶圓而能夠以簡易的裝置極有效率且低價地去除矽晶圓表面之積層物。
本發明中，請求項1之發明係一種用以從半導體積體電路的製造過程中被排出至系統外之中間排出矽晶圓的表面去除積層物(光阻、金屬、異物、污漬等)的去除方法，其特徵為：對於中間排出矽晶圓的表面，噴射密度為2.0g/cm3以上且小於3.0g/cm3、莫氏硬度9以上且小於11的研磨材，藉此強制剝離中間排出矽晶圓表面的積層物。另外，本發明中的中間排出矽晶圓包含擋片(Dummy Wafer)及測試晶圓等在製造過程中用以確認製造條件、評價性能及檢查等而排出至系統外的所有矽晶圓。
請求項2所述之發明，係如請求項1所述之發明，其中前述研磨材具有#150(以依據JIS R6001之電阻試驗方法測量時的粒度，平均粒徑約相當於70μm)~#10,000的粒度(以依據JIS R6001之電阻試驗方法測量時的粒度，平均粒徑約相當於0.4μm)。
請求項3所述之發明，係如請求項1或2所述之發明，其中前述研磨材的噴射壓力為0.15~0.8MPa。
請求項4所述之發明，係如請求項1至3中任一項所述之發明，其中前述研磨材為碳化硼(B4C)。
請求項5所述之發明，係如請求項1至4中任一項所述之發明，其中對於載置於基台上的中間排出矽晶圓之表面噴射前述研磨材，並且在前述基台與中間排出矽晶圓之間設置緩衝材。
根據本發明的中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，不會對於環境造成不良影響，且不會大幅損傷作為基材的矽晶圓，可藉由簡易的裝置極有效率且低價地去除矽晶圓表面的積層物。
本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其特徵為使用噴砂裝置，以既定噴射壓力對於中間排出矽晶圓的表面噴射具有特定性狀之研磨材，藉此強制剝離中間排出矽晶圓表面的積層物(光阻、金屬、異物、污漬等)。
<噴砂裝置>
本發明之中間排出矽晶圓表面的積層物的去除方法中，作為對於中間排出矽晶圓表面噴射既定研磨材的裝置，可適當使用一般的噴砂裝置。亦即，可適當使用具備下述的手段等之噴砂裝置：運送手段，運送中間排出矽晶圓；噴砂處理手段，朝向中間排出矽晶圓噴射作為噴砂材的研磨材(或含研磨材之漿液)；回收手段，回收噴射後的研磨材等；控制手段，統整性地控制各手段。又，作為噴砂裝置，可適當使用噴射乾燥研磨材(微粉末)的乾式噴砂方式者(空氣式的噴砂裝置)。亦即，若使用這種空氣噴砂裝置，在去除積層物後僅吹附空氣即可將處理面冷卻，可防止如使用濕式噴砂裝置時與水混合的研磨材固著於裝置構件的現象，因而較佳。此外，使用空氣噴砂裝置對於中間排出矽晶圓的表面噴射研磨材時，較佳係使噴射噴嘴在與中間排出矽晶圓表面平行的平面上擺動(來回移動)。
此外，作為空氣式的噴砂裝置，可適當使用：使由供給至投入有研磨材之槽內的壓縮空氣所運送之研磨材，乘著另外供給之壓縮空氣的空氣流而藉由噴砂槍進行噴射的直壓式噴砂加工裝置；使因重力而從研磨材槽落下的研磨材乘著壓縮空氣而進行噴射的重力式噴砂加工裝置等。其中使用重力式的
噴砂加工裝置可輕易控制研磨材的噴射速度及噴射壓力，因而較佳。又，在研磨材為#5,000以上之細微粒子的情況中，若使用直壓式的噴砂加工裝置，則容易控制研磨材的噴射速度及噴射壓力，因而較佳。
又，噴砂裝置噴射研磨材的壓力並未特別限制，若在0.15~0.8MPa(0.15MPa以上且小於0.8MPa)的範圍內，則可效率良好地從中間排出矽晶圓表面去除積層物，並且可減少中間排出矽晶圓表層的損傷，因而較佳。該噴射壓力較佳為0.2~0.6MPa，更佳為0.3~0.5MPa。
另一方面，藉由噴砂裝置對於中間排出矽晶圓表面噴射研磨材時，噴射噴嘴與矽晶圓表面的距離(以下稱為噴射距離)並未特別限制，但若使其在80~200mm的範圍內，可效率良好地從中間排出矽晶圓表面去除積層物，並且可減少中間排出矽晶圓表層的損傷，因而較佳。該噴射距離更佳為100~150mm。
另一方面，藉由噴砂裝置對於中間排出矽晶圓表面噴射研磨材時的噴射時間並未特別限制，若在10~50秒的範圍內，可效率良好地從中間排出矽晶圓表面去除積層物，並且可減少中間排出矽晶圓表層的損傷，因而較佳。該噴射時間更佳為20~40秒。此外，較佳係將對於中間排出矽晶圓表面噴射研磨材時的覆蓋率(目視下的處理面積(研磨材的衝擊率))調整為100~300%。
另外，上述研磨材的噴射壓力、噴射距離必須根據研磨材的編號調整。亦即噴射編號大的研磨材(亦即粒徑小的研磨材，約為編號#1,000以上)時必須提高噴射壓力(約0.5MPa以上)、縮短噴射距離(約小於150mm)；相反地，噴射編號小的研磨材(亦即粒徑大的研磨材)時必須降低噴射壓力、延長噴射距離。
<研磨材(噴砂材)>
另一方面，作為本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法中所使用之研磨材，不僅必須具有高硬度而在除噴射衝擊時可去除積層物，並且必須使用在噴射衝擊以去除積層物時可精準地防止作為基材之矽晶圓被磨削的現象者。若使用以往噴砂處理中作為研磨材的碳化矽(SiC，密度=3.2g/cm3)及氧化鋁(Al2O3，密度=4.3g/cm3)等具有較高密度的材質所構成之研磨材，為了得到去除矽晶圓表面之積層物所需的噴射速度，不得不提高噴射壓力。然而，像這樣為了提高噴射壓力而提升噴射速度，則會因為研磨材的高密度導致在衝擊矽晶圓表面時衝擊能量大，而具有不僅去除積層物亦造成矽晶圓破損的疑慮。又，亦會發生因為研磨材的衝擊導致矽晶圓發熱而無法使用的現象。因此，本發明之中間排出矽晶圓表面的積層物的去除方法中，必須使用密度在2.0g/cm3以上且小於3.0g/cm3者作為研磨材。
另一方面，以往噴砂處理中作為研磨材的碳化矽(SiC)及氧化鋁(Al2O3)等的硬度並未充分高於欲去除之積層物的硬度，因此若使用碳化矽或氧化鋁等作為研磨材，則難以有效率地去除積層物，而導致需要長時間進行去除或是無法完全去除積層物而使其殘留於矽晶圓表面。為了避免這樣的現象，若提高研磨材的噴射速度，如上所述，會因為衝擊能量提升而發生作為基材之矽晶圓表面被磨削的現象。因此，本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法中，為了有效防止上述矽晶圓被磨削之現象，必須使用莫氏硬度9以上且小於11者作為研磨材。
因此，本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法中，為了不殘留積層物而將其完全去除並且有效防止矽晶圓被磨削的現象，必須使用
密度2.0g/cm3以上且小於3.0g/cm3、莫氏硬度9以上且小於11者作為研磨材。然後，作為這樣的研磨材，可適當使用密度2.51g/cm3且莫氏硬度9.497(微硬度約5,000kgf/mm2)的碳化硼(B4C)。碳化硼雖較為昂貴，但在噴砂處理時可將噴射壓力設定為較低的壓力，並以較短的處理時間(亦即以較少的研磨材使用量)去除積層物，而且可有效防止作為基材的矽晶圓受到損傷(磨削)。
此外，研磨材的粒度(粒子的尺寸)並未特別限定，若調整為#150~#10,000之粒度(約0.4μm~約70μm的平均粒徑)的範圍內，則可有效率地去除積層物，並且可有效防止作為基材的矽晶圓受到損傷，因而較佳。研磨材的粒度(粒子的尺寸)更佳為#400~#7,000(平均粒徑=1.6μm~30μm)，特佳為#600~#5,000(平均粒徑=2.5μm~20μm)。
再者，本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法中，在使用如上述之特定研磨材實施噴砂處理時，以降低研磨材的衝擊力並減少研磨材之衝擊能量為目的，較佳係在作為基材的矽晶圓與載置台(噴砂處理時載置中間排出矽晶圓的基台)之間，以抵接於矽晶圓背面(未積層有積層物的面)的方式設置緩衝材。作為此緩衝材，可適當使用由橡膠、矽樹脂或發泡樹脂所構成的具有彈性之片材，若使用由聚氨酯橡膠所構成者，則在研磨材衝擊矽晶圓表面時不易產生靜電，而不易發生研磨材附著於矽晶圓表面的現象，因而較佳。又，緩衝材依照JIS K6253-3之方法測量時的硬度(亦即以硬度計(A型)測量時的硬度)若為20~90(彈性係數=5~20MPa)，則可有效率地從中間排出矽晶圓表面去除積層物，並且可減少中間排出矽晶圓表層的損傷，因而較佳。另一方面，緩衝材的厚度並未特別限定，但為了充分吸收、分散研磨材衝擊時的衝擊力，較佳為2.0mm以上，從容易進行設置作業的觀點來看，較佳為7.0mm以下。緩衝材的厚
度較佳為2.0mm以上，從容易進行設置作業的觀點來看，較佳為20.0mm以下。此外，緩衝材的厚度更佳為8.0mm以上且小於12.0mm。
此外，緩衝材亦可為單純的板狀(亦即表面整體(100%)皆抵接於中間排出矽晶圓的背面)，但若使用以整齊均勻分布的方式穿設有多個貫通孔(直徑約3.0mm以下)者、或是以整齊均勻分布的方式突設有既定高度(約3.0mm以下)之圓柱狀、角柱狀、半球狀、長方體狀、扁平中空圓柱狀、扁平中空角柱狀等的突起者等，則可輕易將研磨材衝擊時產生之熱能釋放至外部而使冷卻效率良好，因而較佳。另外，像這樣在緩衝材上設有多個貫通孔或多個突起的情況中，若將緩衝材表面與中間排出矽晶圓背面的抵接比例調整為50%~80%左右，則可同時優化研磨材衝擊時的衝擊緩衝效率、冷卻效率，因而較佳。
又，本發明之中間排出矽晶圓表面的積層物之去除方法中，使用如上述具有特定性狀之研磨材對於矽晶圓實施噴砂處理，該噴砂處理可在常溫下進行，亦可在高於常溫的欲剝離之積層物軟化溫度的環境下(例如，積層物的Tg(玻璃轉移點)~Tg+10℃左右的氛圍下)進行。
[實施例]
以下藉由實施例詳細說明本發明之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，但本發明不限於此等實施例的態樣，在不脫離本發明之主旨的範圍內可適當變更。又，實施例、比較例中的物性、特性的評價方法如下。
<積層物的去除狀態>
以目視藉由電子顯微鏡放大(1,000倍)觀察去除光阻等積層物後的矽晶圓表面，以下述4階段的等級對於光阻等積層物的去除狀態進行功能評價。另外，
評價係在同一矽晶圓中不同的3點進行，並將各評價的平均等級(◎、○、△、X)作為最終評價。
◎：積層物的去除率100%(積層物完全去除)。
○：積層物的去除率約60%以上且小於100%。
△：積層物的去除率約20%以上且小於60%。
X：積層物的去除率約小於20%。
<基材的損傷狀態>
以目視藉由電子顯微鏡放大(1,000倍)觀察去除光阻等積層物後的矽晶圓表面，以下述4個等級對於作為基材之矽晶圓表面的損傷狀態(磨削狀態)進行功能評價。另外，評價係在同一矽晶圓中不同的3點進行，並將各評價的平均等級(◎、○、△、X)作為最終評價。
◎：基材表面完全未見損傷。
○：基材表面幾乎未見損傷(僅確認到些微的小損傷)。
△：基材表面粗糙或是基材表面確認到微細的龜裂。
X：基材表面確認到明確的龜裂。
〔實施例A-1〕
使用噴砂裝置，以噴射壓力0.2MPa、噴射距離=120mm的噴射條件從直徑9.0mmφ的噴嘴，對於中間排出矽晶圓(再生用矽晶圓)的積層物之積層面吹附作為研磨材的粒度#220(平均粒徑=51μm)的格狀(grid)碳化硼(B4C)5秒，藉此實施噴砂處理。另外，作為噴砂裝置，係使用噴射經乾燥之研磨材的乾式且使因重力而從研磨材槽落下之研磨材乘著壓縮空氣而進行噴射的重力式者(空氣噴砂裝置)，並藉由作為運送手段的傳輸帶以固定速度運送作為處理對象的中間
排出矽晶圓。又，將在直徑200mm的矽晶圓表面上蒸鍍氧化膜並在其上塗布光阻(Photoresist)以進行遮罩後進行曝光、蝕刻而形成有電路圖案基底(厚度約0.3μm)者裁切成80mm×50mm的矩形，而使用其作為中間排出矽晶圓。然後以純水清洗該中間排出矽晶圓並在常溫下使其乾燥後，以上述方法評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例A-1〕
將所使用之研磨材變更為粒度#220的碳化矽(SiC)，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例A-2〕
將所使用之研磨材變更為粒度#220的氧化鋁(Al2O3)，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例A-3〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#220的碳化矽(SiC)，並將噴射時間變更為60秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例A-4〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#220的氧化鋁(Al2O3)，並將噴射時間變更為120秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例B-1〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#600(平均粒徑=20μm)的碳化硼(B4C)，將噴射距離變更為100mm，將噴射壓力變更為0.4MPa，並將噴射時間變更為30秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例B-1〕
將所使用之研磨材變更為粒度#600的碳化矽(SiC)，除此之外，與實施例B-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例B-2〕
將所使用之研磨材變更為粒度#600的氧化鋁(Al2O3)，除此之外，與實施例B-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾
燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例B-3〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#600的碳化矽(SiC)，並將噴射時間變更為100秒，除此之外，與實施例B-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例B-4〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#600的氧化鋁(Al2O3)，並將噴射時間變更為150秒，除此之外，與實施例B-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例C-1〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#3,000(平均粒徑=5μm)的碳化硼(B4C)，將噴射距離變更為100mm，將噴射壓力變更為0.6MPa，且將噴射時間變更為40秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例C-1〕
將所使用之研磨材變更為粒度#3,000的碳化矽(SiC)，除此之外，與實施例C-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例C-2〕
將所使用之研磨材變更為粒度#3,000的氧化鋁(Al2O3)，除此之外，與實施例C-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例C-3〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#3,000的碳化矽(SiC)，並將噴射時間變更為120秒，除此之外，與實施例C-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔比較例C-4〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#3,000的氧化鋁(Al2O3)，並將噴射時間變更為200秒，除此之外，與實施例C-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例D-1〕
以與實施例A-1相同的方法對於中間排出矽晶圓的背面噴射研磨材時，在中間排出矽晶圓的背面(積層物的非積層面)與噴砂裝置的載置台(金屬)之間設置聚氨酯橡膠製片材以作為緩衝材，並且將噴射壓力變更為0.3MPa，且將噴射時間變更為5秒。另外，聚氨酯橡膠製片材係使用依據JIS K6253-3之方法測量時硬度為55且厚度約10.0mm者。然後，除此之外與實施例A-1相同地對於矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法，評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例D-2〕
在對於中間排出矽晶圓的背面噴射研磨材時，將設置於中間排出矽晶圓背面(積層物的非積層面)與噴砂裝置的載置台(金屬)之間的緩衝材變更為依據JIS K6253-3之方法測量時硬度為30且厚度約10.0mm的矽橡膠製片材，除此之外，與實施例D-1相同地對於矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例E-1〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#220(平均粒徑=62μm)的碳化硼(B4C)，將噴射距離變更為150mm，將噴射壓力變更為0.3MPa，並將噴射時間變更為3秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
〔實施例E-2〕
將噴射至中間排出矽晶圓背面的研磨材變更為粒度#4,000(平均粒徑=3μm)的碳化硼(B4C)，將噴射距離變更為150mm，將噴射壓力變更為0.6MPa，並將噴射時間變更為50秒，除此之外，與實施例A-1相同地對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理，以純水清洗並在常溫下使其乾燥。然後，以與實施例A-1相同的方法評價積層物的去除狀態及基材的損傷狀態。評價結果與研磨材的性狀及噴砂處理條件一併顯示於表1。
由表1可知，以滿足本發明(請求項1之發明)之要件的實施例A-1、B-1、C-1、D-1、D-2、E-1、E-2的方法對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理時，積層物的去除狀態、基材的損傷狀態皆為良好。又，如實施例E-1、E-2，可知在中間排出矽晶圓的背面與噴砂裝置的載置台之間設有緩衝材的情況中，基材的損傷狀態極佳。相對於此，可知以未滿足本發明之要件的比較例A-1~A-4、B-1~B-4、C-1~C-4的方法對於中間排出矽晶圓實施噴砂處理時，積層物的去除狀態不佳或是基材的損傷狀態不佳。
〔產業上的可利用性〕
本發明之中間排出矽晶圓之積層物的去除方法，可發揮上述優良的效果，因此可適當地作為從中間排出矽晶圓表面去除積層物以再次利用中間排出矽晶圓的方法。
Claims (5)
- 一種中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其係用以從在半導體積體電路的製造過程中排出至系統外之中間排出矽晶圓表面去除積層物，其特徵在於：對於中間排出矽晶圓的表面，噴射密度為2.0g/cm3以上且小於3.0g/cm3、莫氏硬度9以上且小於11的研磨材，其中前述研磨材為碳化硼(B4C)，藉此強制剝離中間排出矽晶圓表面的積層物。
- 如請求項1所述之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其中前述研磨材具有#150~#10,000的粒度。
- 如請求項1或2所述之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其中前述研磨材的噴射壓力為0.15~0.8MPa。
- 如請求項1或2所述之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其中對於載置於基台上的中間排出矽晶圓表面噴射前述研磨材，並且在前述基台與中間排出矽晶圓之間設置緩衝材。
- 如請求項3所述之中間排出矽晶圓表面之積層物的去除方法，其中對於載置於基台上的中間排出矽晶圓表面噴射前述研磨材，並且在前述基台與中間排出矽晶圓之間設置緩衝材。
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Citations (3)
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| US20070128837A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Semiconductor processing |
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| US20210301421A1 (en) * | 2018-07-25 | 2021-09-30 | Denso Corporation | SiC WAFER AND MANUFACTURING METHOD FOR SiC WAFER |
-
2022
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Patent Citations (3)
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