JP2010283371A5 - - Google Patents
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- 半導体ウェーハの製造方法において、
ａ）半導体ロッドを多数の半導体ウェーハに切断し、
ｂ）半導体ウェーハの縁部を面取りし、
ｃ）ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００またはこれより細かい研削剤粒度を有する２個のセラミック結合研削盤を使用して半導体ウェーハの両面を同時研削し、
この場合、前記研削盤は、同一直線上に配置されたスピンドル上に取り付けられており、およびこの場合、半導体ウェーハは、材料取り入れ手段を用いて強制的に案内せずに保持され、したがって研削の際に交差する研削溝が形成され、
ｄ）半導体ウェーハの両面を予備研磨し、さらに半導体ウェーハの片面を仕上げ研磨して半導体ウェーハを製造することを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。 - 半導体ウェーハの予備研磨の前にウェーハの表面の片面または両面をエッチング剤で処理する請求項１記載の方法。
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