CN112621557B - Yag晶片的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种YAG晶片的抛光方法，包括如下步骤：S1：提供YAG晶片，设定一面为A面，另一面为B面，在抛光盘上均匀粘贴聚氨酯抛光垫，对YAG晶片A面进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；S2：对YAG晶片B面进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；S3：在抛光盘上均匀粘无纺布抛光垫，对YAG晶片A面进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；S4：对YAG晶片B面进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；S5：将YAG晶片进行超声清洗，清洗液为去离子水。本发明通过化学机械抛光利用化学与机械相结合的方式，通过抛光液的腐蚀作用使晶片表面钝化，生成软质层，然后通过磨粒的研磨作用使软质层去除，化学机械抛光加工效率高，能够获得平坦低损伤、无划痕的加工表面。

Description

YAG晶片的抛光方法
技术领域
本发明涉及一种YAG晶片的抛光方法。
背景技术
YAG具有独特的非双折射特性，较低的激光阈值，以及优良的热导率和耐热冲击性能，因此被广泛应用于高功率激光器中，在医疗、工业、军事、通信等领域得到快速发展。有研究表明，表面损伤更小、几何精度和表面质量更高的激光晶片，有助于进一步提高激光器的功率和光束质量。
YAG晶片硬度高、脆性大、各向异性，属于典型的难加工材料，在加工成型过程中极易产生机械损伤，造成划痕、磨损等表面缺陷，严重影响激光晶片性能。常见的超精密抛光方法有电解机械复合抛光、激光抛光、化学机械抛光、机械抛光等。电解机械复合抛光利用电解与机械抛光相结合的技术，抛光盘与电源负极相连，工件与电源阳极相连，工件和抛光盘在一定的压力下，以一定速度相对运动，接通电源后，实现材料去除，该方式加工要求被加工工件属于可导电材料，因此无法用于YAG抛光；激光抛光技术利用瞬时高功率，在极短时间内对材料进行去除，避免产生表面及亚表面损伤，但是对周围材料影响较大，不能避免产生温度残余应力；机械抛光过程中，采用机械抛光时，磨粒容易在晶片表面产生较深的磨痕和亚表面损伤。
有鉴于此，有必要对现有的YAG晶片的抛光方法予以改进，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种YAG晶片的抛光方法，以解决现有抛光方法容易在晶体表面产生磨痕和损伤的问题。
为实现上述目的，一种YAG晶片的抛光方法，所述YAG晶片的抛光方法包括如下步骤：
S1：提供YAG晶片，设定一面为A面，另一面为B面，提供平面研磨抛光机，所述平面研磨抛光机包括抛光盘和载物盘，在抛光盘上均匀粘贴聚氨酯抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加抛光液；
S2：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG 晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；步骤1和步骤2中的第一抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含磨粒和添加剂，所述磨粒为粒径大小为120～200nm的碱性胶体二氧化硅，含量为15wt％；添加剂包括阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种，含量为0.3～0.5wt％；第一抛光液通过乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺中一种或多种调PH值至7.5；
S3：在抛光盘上均匀粘无纺布抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；
S4：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG 晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；步骤3和步骤4中的第二抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含混合磨粒、氧化剂、添加剂，其中混合磨粒包括粒径大小为60～80nm的金刚石磨粒，含量为5wt％，以及粒径大小为30～50nm的二氧化硅磨粒，含量为10wt％；氧化剂为双氧水、高铁酸钾、过硫酸钾中的一种或两种的混合，含量为2wt％；添加剂包括络合剂壳寡糖，含量为0.3wt％，以及阳离子表面活性剂FAOA，含量为4～6ml/L；第二抛光液通过柠檬酸、酒石酸中一种货多种调PH值至6；
S5：将YAG晶片进行超声清洗，清洗液为去离子水。
作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中抛光压力为 0.15～0.3MPa。
作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中所述抛光盘和所述载物盘的转速为60～80r/min。
作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中抛光液流量为 6ml～9ml/min。
作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中抛光时间为45～60min。
作为本发明的进一步改进，步骤S3和步骤S4中抛光压力为 0.05～0.08MPa。
作为本发明的进一步改进，步骤S3和步骤S4中所述抛光盘和所述载物盘的转速为100～120r/min。
作为本发明的进一步改进，步骤S3和步骤S4中抛光时间为30min。
作为本发明的进一步改进，步骤1和步骤2中的第一抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含磨粒和添加剂，所述磨粒为粒径大小为120～200nm的碱性胶体二氧化硅，含量为15wt％；添加剂包括阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种，含量为0.3～0.5wt％；第一抛光液通过乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺中一种或多种调PH值至7.5。
作为本发明的进一步改进，步骤3和步骤4中的第二抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含混合磨粒、氧化剂、添加剂，其中混合磨粒包括粒径大小为60～80nm的金刚石磨粒，含量为5wt％，以及粒径大小为30～50nm的二氧化硅磨粒，含量为10wt％；氧化剂为双氧水、高铁酸钾、过硫酸钾中的一种或两种的混合，含量为2wt％；添加剂包括络合剂壳寡糖，含量为0.3wt％，以及阳离子表面活性剂FAOA，含量为4～6ml/L；第二抛光液通过柠檬酸、酒石酸中一种货多种调PH值至6。
本发明的有益效果是：本发明通过化学机械抛光利用化学与机械相结合的方式，通过抛光液的腐蚀作用使晶片表面钝化，生成软质层，然后通过磨粒的研磨作用使软质层去除，化学机械抛光加工效率高，能够获得平坦低损伤、无划痕的加工表面。
附图说明
图1是本发明的YAG晶片的抛光方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
如图1所示，本发明的YAG晶片的抛光方法包括如下步骤：
S1：提供YAG晶片，设定一面为A面，另一面为B面，提供平面研磨抛光机，所述平面研磨抛光机包括抛光盘和载物盘，在抛光盘上均匀粘贴聚氨酯抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；
S2：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG 晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；
S3：在抛光盘上均匀粘无纺布抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；
S4：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG 晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；
S5：将YAG晶片进行超声清洗，清洗液为去离子水。
其中，步骤S1是对A面进行粗抛光，步骤S2是对B面进行粗抛光，步骤 S1和步骤S2中抛光压力为0.15～0.3MPa，所述抛光盘和所述载物盘的转速为 60～80r/min，抛光液流量为6ml～9ml/min，抛光时间为45～60min。
步骤1和步骤2中的第一抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含磨粒和添加剂，所述磨粒为粒径大小为120～200nm的碱性胶体二氧化硅，含量为15wt％；添加剂包括阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种，含量为0.3～0.5wt％；第一抛光液通过乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺中一种或多种调PH值至7.5。乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺均为大分子有机碱。
其中，步骤S3是对A面进行精抛光，步骤S4是对B面进行精抛光，步骤 S3和步骤S4中抛光压力为0.05～0.08MPa，所述抛光盘和所述载物盘的转速为 100～120r/min，抛光时间为30min。
步骤3和步骤4中的第二抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含混合磨粒、氧化剂、添加剂，其中混合磨粒包括粒径大小为60～80nm的金刚石磨粒，含量为 5wt％，以及粒径大小为30～50nm的二氧化硅磨粒，含量为10wt％；氧化剂为双氧水、高铁酸钾、过硫酸钾中的一种或两种的混合，含量为2wt％；添加剂包括络合剂壳寡糖，含量为0.3wt％，以及阳离子表面活性剂FAOA，含量为4～6ml/L；第二抛光液通过柠檬酸、酒石酸中一种或多种调PH值至6。柠檬酸和酒石酸均为大分子有机酸。
本发明的YAG晶片的抛光方法，在粗抛时采用软磨粒机械抛光，在精抛时采用化学机械抛光，与传统单一抛光方式相比具有表面损伤小的优点；在化学机械抛光中，采用软硬两种混合磨粒，在保证较高材料去除效率的前提下，减少表面缺陷、划痕以及亚表面损伤；本发明第一抛光液采用有机碱、第二抛光液采用有机酸进行pH值的调节，避免了金属离子引入，此外有机酸、有机碱属于大分子化合物,可以和晶片加工过程中去除掉的金属离子络合形成环状结构, 起到螯合剂的作用。
本发明通过化学机械抛光利用化学与机械相结合的方式，通过抛光液的腐蚀作用使晶片表面钝化，生成软质层，然后通过磨粒的研磨作用使软质层去除，化学机械抛光加工效率高，能够获得平坦低损伤、无划痕的加工表面。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种YAG晶片的抛光方法，其特征在于：所述YAG晶片的抛光方法包括如下步骤：
S1：提供YAG晶片，设定一面为A面，另一面为B面，提供平面研磨抛光机，所述平面研磨抛光机包括抛光盘和载物盘，在抛光盘上均匀粘贴聚氨酯抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；
S2：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；步骤S1和步骤S2中的第一抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含磨粒和添加剂，所述磨粒为粒径大小为120～200nm的碱性胶体二氧化硅，含量为15wt％；添加剂包括阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种，含量为0.3～0.5wt％；第一抛光液通过乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺中一种或多种调pH值至7.5；
S3：在抛光盘上均匀粘无纺布抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；
S4：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；步骤S3和步骤S4中的第二抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含混合磨粒、氧化剂、添加剂，其中混合磨粒包括粒径大小为60～80nm的金刚石磨粒，含量为5wt％，以及粒径大小为30～50nm的二氧化硅磨粒，含量为10wt％；氧化剂为双氧水、高铁酸钾、过硫酸钾中的一种或两种的混合，含量为2wt％；添加剂包括络合剂壳寡糖，含量为0.3wt％，以及阳离子表面活性剂FAOA，含量为4～6ml/L；第二抛光液通过柠檬酸、酒石酸中一种或多种调pH值至6；
S5：将YAG晶片进行超声清洗，清洗液为去离子水。
2.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光压力为0.15～0.3MPa。
3.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中所述抛光盘和所述载物盘的转速为60～80r/min。
4.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光液流量为6ml～9ml/min。
5.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光时间为45～60min。
6.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中抛光压力为0.05～0.08MPa。
7.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中所述抛光盘和所述载物盘的转速为100～120r/min。
8.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中抛光时间为30min。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114753007B (zh) * 2022-06-15 2022-11-18 苏州焜原光电有限公司 一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04291723A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Asahi Denka Kogyo Kk シリコンウェハー用研摩剤
JP2719113B2 (ja) * 1994-05-24 1998-02-25 信越半導体株式会社 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法
DE10142400B4 (de) * 2001-08-30 2009-09-03 Siltronic Ag Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung
JP2005268665A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN102115633A (zh) * 2009-12-30 2011-07-06 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102909650B (zh) * 2012-11-01 2015-04-08 成都精密光学工程研究中心 板条激光介质的表面加工方法
CN103992743B (zh) * 2014-05-09 2018-06-19 杰明纳微电子股份有限公司 含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺
DE112018007133T5 (de) * 2018-02-21 2020-11-05 Sumco Corporation Waferproduktionsverfahren
CN108818157A (zh) * 2018-06-20 2018-11-16 天津大学 一种Nd:GGG晶体平面光学元件高效低损伤加工方法
CN108838745B (zh) * 2018-06-27 2019-08-13 大连理工大学 一种钇铝石榴石晶体的高效化学机械抛光方法
CN109396967B (zh) * 2018-12-12 2020-10-02 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种用于硒化镉晶体的化学机械抛光方法
CN109848821A (zh) * 2018-12-28 2019-06-07 大连理工大学 一种镍合金的绿色环保化学机械抛光方法
CN109824248B (zh) * 2019-03-14 2020-09-11 大连理工大学 一种超薄石英片的精密加工方法
CN111421391A (zh) * 2020-03-09 2020-07-17 大连理工大学 一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法
CN111633476B (zh) * 2020-06-09 2021-12-07 江苏师范大学 一种获得氧化钇透明陶瓷埃级光滑表面的方法
CN111834229A (zh) * 2020-07-23 2020-10-27 大连理工大学 一种碲锌镉晶片的绿色环保化学机械抛光方法

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