JP4493062B2 - 両面研磨ウェーハの製造方法 - Google Patents
両面研磨ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4493062B2 JP4493062B2 JP18648599A JP18648599A JP4493062B2 JP 4493062 B2 JP4493062 B2 JP 4493062B2 JP 18648599 A JP18648599 A JP 18648599A JP 18648599 A JP18648599 A JP 18648599A JP 4493062 B2 JP4493062 B2 JP 4493062B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- double
- wafer
- semiconductor wafer
- grinding
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は両面研磨ウェーハの製造方法、詳しくはウェーハ表裏両面が鏡面仕上げされた両面研磨ウェーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の標準的なウェーハの加工プロセスでは、ラップ後のウェーハを酸またはアルカリ中に浸漬して、ウェーハの表面または面取り部の残留加工歪みの除去と表面粗さの低減とを行ってきた。
しかしながら、エッチング工程での平坦度悪化、多量の酸やアルカリを使用することの危険性、それらの廃液を処理するための多大な負荷などにより、エッチングを行わないプロセス構成が提案されている。
【0003】
このエッチングレス方式のウェーハ製造方法の一例を、図2を参照して説明する。
まず、スライス工程(S201)で、ブロック切断されたインゴットからシリコンウェーハをスライスする。次の1次面取り工程(S202)では、このシリコンウェーハの外周部に粗い面取り加工を施す。続く1次両面研削工程(S203)では、シリコンウェーハの表裏両面を粗く研削する。
この1次両面研削工程に代えて、ラップ盤によりそのシリコンウェーハの表裏面に軽くラッピング加工する軽ラッピング工程(S204)を施してもよい。これらの1次両面研削または軽ラッピングの各工程の場合、通常、片面で20〜50μm、両面で40〜100μm程度の加工となる。
【0004】
その後、仕上げ両面研削工程(S205)が施される。ここでは1次両面研削または軽ラッピングされたシリコンウェーハの表裏面を仕上げ研削する。この仕上げ研削時の研削量は、片面で5〜50μm、両面で10〜100μmである。なお、1次両面研削を行わず仕上げ両面研削だけで処理する場合もある。続いて、この仕上げ両面研削されたシリコンウェーハを洗浄する(S206)。次の両面研磨工程(S207)では、洗浄されたシリコンウェーハの表裏両面が研磨される。そして、熱処理工程(S208)では、洗浄後のシリコンウェーハが熱処理されて、酸素ドナーの発生が防止される。例えば拡散炉を用いる熱処理(WHT:Wafer Heat Treatment)時には、多数枚のシリコンウェーハが、石英製の熱処理用ボートに挿填されて、不活性ガス中、650〜700℃で15分程度加熱される。この熱処理では、熱によってボートのウェーハ挿填溝の一部分が溶け、これがウェーハ外周部に付着して治具跡をつける場合がある。
【0005】
次のPCR工程(S209)では、ウェーハ両面がチャックに吸着された状態でウェーハ外周部にPCR加工が施される。PCR加工では、面取り面が研磨布により鏡面仕上げされる。このPCR加工により、WHT熱処理による上記治具跡も除去される。
続く1次研磨工程(S210)では、シリコンウェーハの表裏両面のそれぞれが1〜5μm研磨される。これにより、熱処理時にウェーハ表裏両面に付着した各種の不純物が除去されるとともに、このPCR加工でのウェーハの吸着面のあれも除去される。その後の仕上げ研磨工程(S211)では、この吸着・保持面が1μm以下の研磨量で仕上げ研磨される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の両面研磨ウェーハの製造方法によれば、両面研磨工程(S207)が熱処理工程(S208)の前に実施されていた。そのため、シリコンウェーハを熱処理用ボートなどに挿填して熱処理を施した際、各種の不純物によりウェーハ表面が汚染されるおそれがあった。
そこで、従来法では、これらの不純物および治具跡を除去するために、PCR工程(S209)後、シリコンウェーハの表裏面を比較的大きな研磨量で研磨する、上記1次研磨工程がかかせなかった。その結果、ウェーハ製造においてその工程数が増加するという問題が生じていた。
なお、この1次研磨工程では、仮に、前工程のPCR加工時にウェーハ片面だけが保持板に吸着されていた場合であっても、このウェーハ表裏両面が研磨される。これは、1次研磨工程が、シリコンウェーハの吸着面のあれを除去するという目的の外に、熱処理時にウェーハ表裏両面に付着した不純物を除去するという目的があるためである。
【0007】
【発明の目的】
この発明は、ウェーハ製造工程数を低減することができる両面研磨ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
この発明は、エッチング工程をなくすことができる両面研磨ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
この発明は、仕上げ研磨工程の簡易化が図れる両面研磨ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体ウェーハの表裏両面を同時に1次両面研削する工程と、この1次両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に仕上げ両面研削する工程と、この仕上げ両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を0.1〜1μmだけ、超音波洗浄を用いたアルカリ洗浄およびこのアルカリ洗浄後の酸洗浄によってエッチングする工程と、このエッチングされた半導体ウェーハに、酸素ドナー消去のための熱処理を施す熱処理工程と、この熱処理後、この半導体ウェーハの表裏両面を研磨して、熱処理工程で発生した半導体ウェーハの表裏両面の不純物汚染を除去する工程とを備えた両面研磨ウェーハの製造方法である。
半導体ウェーハとしてはシリコンウェーハ,ガリウム砒素ウェーハなどがある。
1次両面研削工程での研削量は、通常、片面で20〜50μm、表裏両面で40〜100μmである。この工程に用いられる両面研削装置としては、例えば反転式両面研削装置などを使用することができる。
この両面研削装置に組み込まれる研削砥石は、#240〜#2000のレジノイドボンド研削砥石およびビトリファイド研削砥石を採用することができる。
上記ラッピング工程でのラップ量は、ウェーハ表裏両面で40〜100μmである。
【0009】
また、仕上げ両面研削工程の研削量は、通常、表裏両面で10〜100μmである。この仕上げ研削に使用される仕上げ用の両面研削装置としては、例えば反転式両面研削装置ならびに両面同時研削装置などを採用することができる。さらには、1次両面研削もしくはラップを行わず仕上げ両面研削だけで処理する場合もある。
組み込まれる研削砥石としては、1次両面研削工程と同様にレジノイド研削砥石並びにビトリファイド研削砥石を採用することができる。ただし、この仕上げ両面研削工程では、ウェーハ表面粗さを小さくすることができるとともに、非ダメージ面であるウェーハ表面でも研削することができる高番手の研削砥石を用いた方がよい。例えば、#1000〜#8000のレジノイドボンド研削砥石またはビトリファイド研削砥石を使用することができる。
通常、仕上げ両面研削工程後には洗浄が行われる。例えば、アルカリ洗浄と酸洗浄とを組み合わせた洗浄が施される。この洗浄では、半導体ウェーハ面が片面で0.1〜1μmだけエッチングされる。また、超音波を付加することもできる。
【0010】
また、酸素ドナーを消去するための熱処理時の熱処理条件は、加熱温度600〜1100℃、加熱時間15分程度である。雰囲気ガスには、クリーンエア,酸素,窒素などを採用することができる。
なお、この熱処理を行うことで、半導体ウェーハの表裏面にダメージが生じる。続く両面研磨工程での表裏両面の研磨量は、このダメージ深さに合わせて決定される。すなわち、この研磨量は、例えばウェーハ片面で0.5〜5μm、ウェーハ表裏両面で1〜10μmである。両面研磨装置としては、例えば20Bクラスの小型4ウェイ両面研磨装置を採用することができる。
また、組み込まれる研磨布としては、例えば硬質発泡ウレタンフォームパッド、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させたパッドなどが挙げられる。
【0011】
請求項2に記載の発明は、半導体ウェーハの表裏両面を同時に1次両面研削する工程と、この1次両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に仕上げ両面研削する工程と、この仕上げ両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を0.1〜1μmだけ、超音波洗浄を用いたアルカリ洗浄およびこのアルカリ洗浄後の酸洗浄によってエッチングする工程と、このエッチングされた半導体ウェーハに、酸素ドナー消去のための熱処理を施す熱処理工程と、この熱処理後、この半導体ウェーハの表裏両面を研磨して、熱処理工程で発生した半導体ウェーハの表裏両面の不純物汚染を除去する工程と、両面研磨された半導体ウェーハを吸着して、このウェーハ外周部の面取り面を鏡面仕上げするPCR工程と、この鏡面面取り加工後、この半導体ウェーハの吸着面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程とを備えた両面研磨ウェーハの製造方法である。
【0012】
PCR工程時には、半導体ウェーハの片面または表裏両面を保持板に吸着する。また、PCR加工装置としては、例えば円筒形状のウレタンバフを回転させ、この回転しているバフ外周面に、保持板に吸着・保持された半導体ウェーハの外周面を接触させて、この外周面を鏡面加工するものなどを採用できる。
そして、半導体ウェーハの吸着・保持面を仕上げ研磨する際には、仕上げ研磨装置が用いられる。この装置としては、片面研磨装置、両面研磨装置などを採用することができる。この仕上げ研磨されるウェーハ面は、PCR工程での吸着・保持面である。半導体ウェーハの片面を吸着する場合、または、その表裏両面を吸着する場合がある。このときの研磨量は、例えばウェーハ片面で0.1〜1μmである。
【0013】
【作用】
この発明によれば、両面研磨ウェーハの製造方法において、熱処理工程後に両面研磨工程が行われる。これにより、熱処理時に発生しやすいウェーハ面の不純物汚染を、その後の両面研磨工程で除去することができる。
なお、従来法では、両工程の順番を逆にして、両面研磨後に熱処理を実施していた。このため、熱処理工程後に、ウェーハの表裏面を再度研磨する1次研磨工程が必要とされていた。
この発明では、この1次研磨工程を省くことができる。この結果、ウェーハ製造工程数を少なくすることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。図1は、この発明の一実施例に係る両面研磨ウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
図1に示すように、この実施例にあっては、スライス,1次面取り,1次両面研削(または軽ラッピング),仕上げ両面研削,洗浄,WHT(熱処理),両面研磨,PCR(Polishing Cornor Rounding),仕上げ研磨の各工程を経て、両面研磨ウェーハが作製される。以下、各工程を詳細に説明する。
【0015】
CZ法により引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程(S101)で、厚さ860μm程度の8インチのシリコンウェーハにスライスされる。
次に、このスライスドウェーハは、1次面取り工程(S102)で、その外周部が#600のメタル面取り用砥石により、所定の形状にあらく面取りされる。これにより、シリコンウェーハの外周部は、所定の丸みを帯びた形状(例えばMOS型の面取り形状)に成形される。
そして、この面取りされたシリコンウェーハは、1次両面研削工程(S103)で、#600番のレジノイド研削砥石を備えた両面研削装置により、あらく両面研削される。このときの研削量はウェーハ表裏面を合わせて40〜100μmである。
ここでいう両面研削装置としては、片面ごとに研削する反転式両面研削装置または両面同時に研削する両面同時研削装置などが挙げられる。
【0016】
また、この1次両面研削に代えて、ラッピング工程(S104)を実施することもできる。この工程は、シリコンウェーハを互いに平行なラップ定盤間に配置し、その後、このラップ定盤間に、アルミナ砥粒と分散剤と水の混合物であるラップ液を流し込む。それから、加圧下で回転・摺り合わせを行うことにより、このウェーハ表裏両面を機械的にラッピングする。この際、シリコンウェーハのラップ量は、ウェーハの表裏両面を合わせて40〜100μm程度である。なお、この一次両面研削工程または軽ラップ工程ではなく、次の仕上げ両面研削工程だけで処理する場合もある。
【0017】
次いで、この1次両面研削後のウェーハまたはラップドウェーハの表裏面を、仕上げ両面研削する(S105)。具体的には、#2000番以上の細粒レジノイドボンド研削砥石やビトリファイド研削砥石を搭載した仕上げ両面研削装置により、綿密に両面研削される。このときの研削量は10〜100μm程度である。ここでいう仕上げ両面研削装置としては、片面ごとに仕上げ研削する反転式両面研削装置または両面同時に仕上げ研削する両面同時研削装置などが挙げられる。
【0018】
次に、シリコンウェーハの洗浄工程を行う(S106)。この洗浄は、超音波を加えたウルトラソニックによる。しかもこの洗浄は、アルカリ洗浄後に酸洗浄が施される洗浄である。このような洗浄によって、シリコンウェーハ面がウェーハ表裏面で0.1〜1μmだけエッチングされる。
続いて、洗浄後のシリコンウェーハを熱処理(WHT)する(S107)。すなわち、多数枚のシリコンウェーハを石英製の熱処理用ボートに刻設された各ウェーハ挿填溝に挿填し、その後、このボートを拡散炉に投入する。そして、この炉内で650℃、15分間熱処理する。この際、炉内の雰囲気ガスは窒素ガスである。
なお、この熱処理により、シリコンウェーハの表裏両面は、例えば金属などの不純物などにより汚染される場合が多い。また、シリコンウェーハの外周部は、この高温の熱によって溶けてしまったボートの一部分(ウェーハ挿填溝形成部の内面層)が付着する場合が多々ある。よって、この付着物を原因として、ウェーハ外周面に治具跡が残る懸念がある。
【0019】
その後、熱処理されたシリコンウェーハの表裏両面を不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた研磨布を用いて研磨する(S108)。研磨量はウェーハ表裏両面を合わせて10〜50μm程度である。
次に、この両面研磨後のシリコンウェーハの外周部をPCR加工する(S109)。この加工時には、周知のPCR加工装置が用いられる。すなわち、ここでは円筒形状のウレタンバフをモータ回転させる装置が採用されている。モータによりウレタンバフを回転させ、この回転中のバフ外周面にシリコンウェーハの外周面を接触させる。これにより、このウェーハ外周面が鏡面仕上げされる。この際、シリコンウェーハは保持板にその片面だけが吸着・保持されている。吸着源は、この保持板にホースなどを介して外部接続される負圧発生装置である。なお、このPCR加工を行うことで、上記ウェーハ外周面に残存した治具跡も除去される。
その後、このシリコンウェーハの片面に仕上げ研磨が施される(S110)。このウェーハ片面とは、PCR加工時に保持板に吸着・保持されたウェーハ面のことである。なお、シリコンウェーハの吸着・保持面(片面)を仕上げ研磨する仕上げ研磨装置としては、片面研磨装置、両面研磨装置などが採用される。この際、仕上げ研磨量は、ウェーハ表裏両面で0.1〜2μm程度である。
【0020】
このように、熱処理工程の後に両面研磨工程を行うようにしたので、WHT熱処理時に発生するシリコンウェーハ表裏両面の不純物汚染を、その直後の両面研磨工程で除去することができる。これにより、両面研磨後にWHT熱処理を行っていた従来法において必須とされていた、上記1次研磨工程を省略することができる。この結果、ウェーハ製造工程数を低減することができる。
特に、この一実施例では、PCR加工時において、保持板によりシリコンウェーハの片面だけを吸着・保持する。しかも、仕上げ研磨工程ではこのウェーハ片面についてだけ仕上げ研磨を施せばよいので、この仕上げ研磨工程の作業の簡易化を図ることができる。
【0021】
【発明の効果】
この発明によれば、熱処理工程の後に両面研磨工程を行うようにしたので、熱処理時に発生するウェーハ表裏面の不純物汚染を、この両面研磨時に除去することができる。その結果、例えばエッチングレス方式のプロセスにおいて1次研磨工程が省けて、ウェーハ製造工程数を低減することができる。
【0022】
特に、請求項2に記載の発明によれば、PCR工程を半導体ウェーハの片面を吸着して行い、よって仕上げ研磨工程では、このウェーハ片面にだけ仕上げ研磨を施したので、この仕上げ研磨工程の作業の簡易化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係る両面研磨ウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
【図2】従来手段に係る両面研磨ウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
Claims (2)
- 半導体ウェーハの表裏両面を同時に1次両面研削する工程と、
この1次両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に仕上げ両面研削する工程と、
この仕上げ両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を0.1〜1μmだけ、超音波洗浄を用いたアルカリ洗浄およびこのアルカリ洗浄後の酸洗浄によってエッチングする工程と、
このエッチングされた半導体ウェーハに、酸素ドナー消去のための熱処理を施す熱処理工程と、
この熱処理後、この半導体ウェーハの表裏両面を研磨して、熱処理工程で発生した半導体ウェーハの表裏両面の不純物汚染を除去する工程とを備えた両面研磨ウェーハの製造方法。 - 半導体ウェーハの表裏両面を同時に1次両面研削する工程と、
この1次両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に仕上げ両面研削する工程と、
この仕上げ両面研削後に、この半導体ウェーハの表裏両面を0.1〜1μmだけ、超音波洗浄を用いたアルカリ洗浄およびこのアルカリ洗浄後の酸洗浄によってエッチングする工程と、
このエッチングされた半導体ウェーハに、酸素ドナー消去のための熱処理を施す熱処理工程と、
この熱処理後、この半導体ウェーハの表裏両面を研磨して、熱処理工程で発生した半導体ウェーハの表裏両面の不純物汚染を除去する工程と、
両面研磨された半導体ウェーハを吸着して、このウェーハ外周部の面取り面を鏡面仕上げするPCR工程と、
この鏡面面取り加工後、この半導体ウェーハの吸着面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程とを備えた両面研磨ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18648599A JP4493062B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 両面研磨ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18648599A JP4493062B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 両面研磨ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001015459A JP2001015459A (ja) | 2001-01-19 |
JP4493062B2 true JP4493062B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=16189320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18648599A Expired - Fee Related JP4493062B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 両面研磨ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493062B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10142400B4 (de) * | 2001-08-30 | 2009-09-03 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung |
KR20030052465A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
KR20030053084A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
JP4854936B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2012-01-18 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ |
DE102005046726B4 (de) | 2005-09-29 | 2012-02-02 | Siltronic Ag | Nichtpolierte monokristalline Siliziumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2010040876A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP6933187B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2021-09-08 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコンウェーハの金属不純物除去方法 |
JP7172747B2 (ja) * | 2019-03-06 | 2022-11-16 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の抵抗率測定方法 |
CN110842762A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-28 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺 |
CN117161839B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-02-06 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种改善硅抛光片边缘机械损伤的方法 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18648599A patent/JP4493062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001015459A (ja) | 2001-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7402520B2 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
JP3055401B2 (ja) | ワークの平面研削方法及び装置 | |
TW201351497A (zh) | 半導體晶圓之製造方法 | |
JP2000164542A (ja) | 半導体ウエーハおよびその製造方法 | |
JP4493062B2 (ja) | 両面研磨ウェーハの製造方法 | |
US6465328B1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
JP2007067179A (ja) | 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム | |
JP3097846B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2002231669A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨布およびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP2002124490A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN111095491A (zh) | 硅晶片的双面抛光方法 | |
JP2001156030A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP4366928B2 (ja) | 片面鏡面ウェーハの製造方法 | |
JP3606432B2 (ja) | 高平坦度ウェーハの製造方法 | |
JPH09246216A (ja) | 半導体ウェ−ハの製造方法 | |
TW202305915A (zh) | 矽晶圓的製造方法 | |
JP3109419B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2004087522A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2002299290A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP3521051B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP3399180B2 (ja) | ウェーハ面取り部仕上げ加工方法および加工装置 | |
JPS6381934A (ja) | ウエハおよびその製造方法 | |
JP2004319717A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2003229385A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20050222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071012 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080513 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081008 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081128 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4493062 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |