JP3097846B2 - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法Info
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、両面に研削仕上げ
が施されて縁部に丸みを付けた半導体ウェーハを製造す
る方法に関するものである。
が施されて縁部に丸みを付けた半導体ウェーハを製造す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの製造は、結晶から半導
体ウェーハを切削する作業と、一連の材料除去を行う機
械仕上げ工程とから成る。切削工具として適切なもの
は、アニューラソー、リボンソーおよびワイヤソーであ
る。ワイヤソーを使用すると、結晶から、複数の半導体
ウェーハを同時に切削することができる。ワイヤソーで
切削した半導体は、ワイヤソーによるのこ引きで使用す
るのこ引き懸濁液のため、切削作業の後はひどく汚れて
いる。使用する切削方法に関わらず、結晶から切削した
半導体は、表面近くの領域に損傷があり、それは、その
後の材料除去機械仕上げ工程によって取り除かなければ
ならない。前記機械仕上げ工程は、また、半導体ウェー
ハの縁部に丸みを付け、表面をできるだけ円滑に、そし
て両面を平行にするためにも必要となる。切削作業後、
半導体ウェーハの厚みのばらつき、その両面の平面度、
およびその縁部の構造などは、その後の、電子部品を製
造するための半導体ウェーハの処理に要求される規定に
はまだ適合していない。材料除去機械仕上げ工程には、
通常、切削された半導体ウェーハに対する、縁部に丸み
を付ける作業、ラップ仕上げ、エッチング、研摩が含ま
れる。半導体ウェーハの両側を同時に機械加工するラッ
プ仕上げの代わりに、半導体の面を片側ずつ、順に行な
う二度にわたる研削工程で置き換えた方法もすでに提案
されている。米国特許第５，４００，５４８号明細書で
は、このような研削方法について論じられている。研削
中、半導体ウェーハは、ウェーハホルダ（チャック）の
支持体上に置かれる。標準のウェーハホルダは、多孔質
のセラミック材から成る支持体を有している。半導体ウ
ェーハは、真空吸引によってウェーハホルダに固定され
る。半導体ウェーハの、ウェーハホルダ上に横たわって
いる面の反対側の面が研削される。縁部に丸みを付ける
作業では、半導体ウェーハの縁部が研削される。
体ウェーハを切削する作業と、一連の材料除去を行う機
械仕上げ工程とから成る。切削工具として適切なもの
は、アニューラソー、リボンソーおよびワイヤソーであ
る。ワイヤソーを使用すると、結晶から、複数の半導体
ウェーハを同時に切削することができる。ワイヤソーで
切削した半導体は、ワイヤソーによるのこ引きで使用す
るのこ引き懸濁液のため、切削作業の後はひどく汚れて
いる。使用する切削方法に関わらず、結晶から切削した
半導体は、表面近くの領域に損傷があり、それは、その
後の材料除去機械仕上げ工程によって取り除かなければ
ならない。前記機械仕上げ工程は、また、半導体ウェー
ハの縁部に丸みを付け、表面をできるだけ円滑に、そし
て両面を平行にするためにも必要となる。切削作業後、
半導体ウェーハの厚みのばらつき、その両面の平面度、
およびその縁部の構造などは、その後の、電子部品を製
造するための半導体ウェーハの処理に要求される規定に
はまだ適合していない。材料除去機械仕上げ工程には、
通常、切削された半導体ウェーハに対する、縁部に丸み
を付ける作業、ラップ仕上げ、エッチング、研摩が含ま
れる。半導体ウェーハの両側を同時に機械加工するラッ
プ仕上げの代わりに、半導体の面を片側ずつ、順に行な
う二度にわたる研削工程で置き換えた方法もすでに提案
されている。米国特許第５，４００，５４８号明細書で
は、このような研削方法について論じられている。研削
中、半導体ウェーハは、ウェーハホルダ（チャック）の
支持体上に置かれる。標準のウェーハホルダは、多孔質
のセラミック材から成る支持体を有している。半導体ウ
ェーハは、真空吸引によってウェーハホルダに固定され
る。半導体ウェーハの、ウェーハホルダ上に横たわって
いる面の反対側の面が研削される。縁部に丸みを付ける
作業では、半導体ウェーハの縁部が研削される。
【０００３】半導体ウェーハの両面を研削することによ
り、両面の平行度が良好になる。一方で、それによって
得られる面の平面度が、規定に適合しないという問題が
生じた。所望の平面度を達成するため、エッチング、研
摩などのような、その後の材料除去機械仕上げ工程を、
さらに不経済な形で行わなければならない。従って、所
望のウェーハ形状を有する半導体ウェーハを製造するた
めに計算に入れなければならない材料除去量が増え、そ
の結果、一定の長さの結晶からのウェーハの生産量が減
る。
り、両面の平行度が良好になる。一方で、それによって
得られる面の平面度が、規定に適合しないという問題が
生じた。所望の平面度を達成するため、エッチング、研
摩などのような、その後の材料除去機械仕上げ工程を、
さらに不経済な形で行わなければならない。従って、所
望のウェーハ形状を有する半導体ウェーハを製造するた
めに計算に入れなければならない材料除去量が増え、そ
の結果、一定の長さの結晶からのウェーハの生産量が減
る。
【０００４】半導体ウェーハの研削中または縁部に丸み
を付ける作業中は、半導体ウェーハの、ウェーハホルダ
と反対側に位置する面に不本意な材料の割れが起きるこ
とが考えられる。これは、専門家の間では、からすの足
跡と呼ばれている。半導体ウェーハの品質を損なうもう
一つの現象として、半導体ウェーハの面上の局所的なく
ぼみ（へこみ傷）があり、これは、両面を研削している
間に起きる可能性がある。機械仕上げを施す半導体ウェ
ーハの、粒子による汚れの程度がひどければひどいほ
ど、からすの足跡やくぼみが起きる危険性も高くなる。
従って、特に、ワイヤソーでのこ引きされた半導体ウェ
ーハは、研削や縁部に丸みを付ける作業の前に、苦心し
て汚れを除去しなければならない。
を付ける作業中は、半導体ウェーハの、ウェーハホルダ
と反対側に位置する面に不本意な材料の割れが起きるこ
とが考えられる。これは、専門家の間では、からすの足
跡と呼ばれている。半導体ウェーハの品質を損なうもう
一つの現象として、半導体ウェーハの面上の局所的なく
ぼみ（へこみ傷）があり、これは、両面を研削している
間に起きる可能性がある。機械仕上げを施す半導体ウェ
ーハの、粒子による汚れの程度がひどければひどいほ
ど、からすの足跡やくぼみが起きる危険性も高くなる。
従って、特に、ワイヤソーでのこ引きされた半導体ウェ
ーハは、研削や縁部に丸みを付ける作業の前に、苦心し
て汚れを除去しなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、半導体ウェーハを、たとえその汚れの除去が粗く、
その表面が未だ目にみえるほど汚れていても、上記のよ
うな苦心をすることなく、研削や縁部に丸みを付ける作
業を行なうことができるような方法を提供することにあ
る。
は、半導体ウェーハを、たとえその汚れの除去が粗く、
その表面が未だ目にみえるほど汚れていても、上記のよ
うな苦心をすることなく、研削や縁部に丸みを付ける作
業を行なうことができるような方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶から半
導体ウェーハを切削し、前記半導体ウェーハをウェーハ
ホルダの支持体上に固定した状態で前記半導体ウェーハ
の両面と縁部を研削することにより、両面が平坦に研削
され、縁部に丸みが付いた半導体ウェーハを製造する方
法において、半導体ウェーハを、第１の面の研削中は、
柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定し、第２
の面を研削中は、固い支持体を有するウェーハホルダ上
に固定することを特徴とする方法、並びに単結晶から半
導体ウェーハを切削し、前記半導体ウェーハをウェーハ
ホルダの支持体上に固定した状態で前記半導体ウェーハ
の両面と縁部を研削することにより、両面が平面に研削
され、縁部に丸みが付いた半導体ウェーハを製造する方
法において、両面の研削が、粗目研削と細目研削から成
り、半導体ウェーハを、両面の粗目研削中には、柔軟な
支持体を有するウェーハホルダ上に固定し、両面の細目
研削中には、固い支持体を有するウェーハホルダ上に固
定することを特徴とする方法に関する。
導体ウェーハを切削し、前記半導体ウェーハをウェーハ
ホルダの支持体上に固定した状態で前記半導体ウェーハ
の両面と縁部を研削することにより、両面が平坦に研削
され、縁部に丸みが付いた半導体ウェーハを製造する方
法において、半導体ウェーハを、第１の面の研削中は、
柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定し、第２
の面を研削中は、固い支持体を有するウェーハホルダ上
に固定することを特徴とする方法、並びに単結晶から半
導体ウェーハを切削し、前記半導体ウェーハをウェーハ
ホルダの支持体上に固定した状態で前記半導体ウェーハ
の両面と縁部を研削することにより、両面が平面に研削
され、縁部に丸みが付いた半導体ウェーハを製造する方
法において、両面の研削が、粗目研削と細目研削から成
り、半導体ウェーハを、両面の粗目研削中には、柔軟な
支持体を有するウェーハホルダ上に固定し、両面の細目
研削中には、固い支持体を有するウェーハホルダ上に固
定することを特徴とする方法に関する。
【０００９】本発明に関連し、支持体は、半導体ウェー
ハの不均一な側を支持体の表面に載せてウェーハホルダ
上に固定した時に、半導体ウェーハが弾性的に変形する
場合には、「固い」と表現される。前記支持体は、無機
質の材料、特にセラミック材から成る。そのような材料
のショアＡ硬度は、９９．５を超えるものが好ましい。
ハの不均一な側を支持体の表面に載せてウェーハホルダ
上に固定した時に、半導体ウェーハが弾性的に変形する
場合には、「固い」と表現される。前記支持体は、無機
質の材料、特にセラミック材から成る。そのような材料
のショアＡ硬度は、９９．５を超えるものが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明およびその利点に関し、図
を参照しながらより詳しく説明する。図２は、半導体ウ
ェーハの両面の研削中に、固い支持体を有する標準ウェ
ーハホルダを使用している状態を図式で表したものであ
る。図１は、半導体ウェーハが本発明に従って研削され
ている状態を同様の図式で表したものである。
を参照しながらより詳しく説明する。図２は、半導体ウ
ェーハの両面の研削中に、固い支持体を有する標準ウェ
ーハホルダを使用している状態を図式で表したものであ
る。図１は、半導体ウェーハが本発明に従って研削され
ている状態を同様の図式で表したものである。
【００１１】まず図２を参照する。図示されている半導
体ウェーハの面の研削中の状態は、先行技術を説明した
ものである。図２（ａ）から推測できるように、結晶か
ら切削された半導体ウェーハ１は、面が平面でもなけれ
ば互いに平行でもない。面は、起伏形状を有しており、
ウェーハの厚みは、ウェーハの直径全体にわたり、ばら
つきがある。以降、半導体ウェーハの片面を、前面２、
そして、その反対の面を裏面５と呼ぶ。半導体ウェーハ
１をウェーハレセプタクル３の固い支持体４の上に置
き、例えば、真空吸引などによりそこに固定した場合
（図２（ｂ））、半導体ウェーハの不均一な裏面５は、
支持体４に押し付けられる。この工程において、半導体
ウェーハは弾性的であり、支持体の表面にぴったり適合
する。裏面の起伏した不均一な領域は、部分的に滑らか
になり、部分的にその幅が狭くなる。支持体と半導体ウ
ェーハとの間に位置する粒子がウェーハを変形させ、そ
の結果、粒子の反対に位置する半導体ウェーハの前面上
の起伏の幅が局所的に広くなる。粒子から発生する圧縮
力がある一定の値を超えると、その部分で材料が欠け、
からすの足跡ができる。この状態は、半導体ウェーハの
面の研削中と、半導体ウェーハの縁部に丸みを付ける作
業中の両方において起きる可能性がある。
体ウェーハの面の研削中の状態は、先行技術を説明した
ものである。図２（ａ）から推測できるように、結晶か
ら切削された半導体ウェーハ１は、面が平面でもなけれ
ば互いに平行でもない。面は、起伏形状を有しており、
ウェーハの厚みは、ウェーハの直径全体にわたり、ばら
つきがある。以降、半導体ウェーハの片面を、前面２、
そして、その反対の面を裏面５と呼ぶ。半導体ウェーハ
１をウェーハレセプタクル３の固い支持体４の上に置
き、例えば、真空吸引などによりそこに固定した場合
（図２（ｂ））、半導体ウェーハの不均一な裏面５は、
支持体４に押し付けられる。この工程において、半導体
ウェーハは弾性的であり、支持体の表面にぴったり適合
する。裏面の起伏した不均一な領域は、部分的に滑らか
になり、部分的にその幅が狭くなる。支持体と半導体ウ
ェーハとの間に位置する粒子がウェーハを変形させ、そ
の結果、粒子の反対に位置する半導体ウェーハの前面上
の起伏の幅が局所的に広くなる。粒子から発生する圧縮
力がある一定の値を超えると、その部分で材料が欠け、
からすの足跡ができる。この状態は、半導体ウェーハの
面の研削中と、半導体ウェーハの縁部に丸みを付ける作
業中の両方において起きる可能性がある。
【００１２】半導体ウェーハの前面を研削すると、始め
は確かに平坦な面ができあがる。しかし、その後は、半
導体ウェーハの固定を取り外すとすぐに起伏を取り戻
し、弾性的に変形された半導体ウェーハ１は弛緩される
（図２（ｃ））。その後の研削工程では、半導体ウェー
ハの前面２をウェーハホルダ３の固い支持体４の上に固
定し、半導体ウェーハの裏面５を研削する。表面の起伏
は、第１の研削工程によって軽減されてはいるが、完全
には取り除かれていない。従って、半導体ウェーハは、
前面２がウェーハホルダ３の支持体４に固定されるとす
ぐに、再び弾性的に変形する（図２（ｄ））。裏面を研
削した後に半導体ウェーハの固定を取り外すと、半導体
ウェーハ１は、所望の平行度を有するが、好ましくない
大きい起伏が依然として残る（図２（ｅ））。
は確かに平坦な面ができあがる。しかし、その後は、半
導体ウェーハの固定を取り外すとすぐに起伏を取り戻
し、弾性的に変形された半導体ウェーハ１は弛緩される
（図２（ｃ））。その後の研削工程では、半導体ウェー
ハの前面２をウェーハホルダ３の固い支持体４の上に固
定し、半導体ウェーハの裏面５を研削する。表面の起伏
は、第１の研削工程によって軽減されてはいるが、完全
には取り除かれていない。従って、半導体ウェーハは、
前面２がウェーハホルダ３の支持体４に固定されるとす
ぐに、再び弾性的に変形する（図２（ｄ））。裏面を研
削した後に半導体ウェーハの固定を取り外すと、半導体
ウェーハ１は、所望の平行度を有するが、好ましくない
大きい起伏が依然として残る（図２（ｅ））。
【００１３】半導体ウェーハの研削中に、粒子が半導体
ウェーハとウェーハホルダの間にあり、半導体ウェーハ
が局所的に変形されていると、その部分だけ多くの材料
を研削しすぎてしまい、半導体ウェーハの面にくぼみ
（へこみ傷）が生成される（図示せず）。
ウェーハとウェーハホルダの間にあり、半導体ウェーハ
が局所的に変形されていると、その部分だけ多くの材料
を研削しすぎてしまい、半導体ウェーハの面にくぼみ
（へこみ傷）が生成される（図示せず）。
【００１４】本発明による方法によれば、第１の面、以
後前面と呼ぶが、を研削する場合は、半導体ウェーハを
柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定する。こ
れは、図１に示している。結晶から切削して得た半導体
ウェーハ１の両面は、平面でなく、互いに平行になって
いない（図１（ａ））。半導体ウェーハは、研削中や縁
部に丸みを付ける作業中に、粒子で簡単に汚れてしまう
が、からすの足跡やへこみを作ることはない。ひどく汚
れたワイヤーソーで切削された半導体ウェーハでも、研
削の前におおざっぱに汚れを除去すればよい。その液体
の構成要素がその工程中に除去される程度に、のこ引き
懸濁液を洗い流せば十分である。ウェーハの洗浄後も半
導体ウェーハと支持体の間に残っている粒子は、半導体
ウェーハ１を、前記半導体ウェーハを変形することな
く、ウェーハホルダ３に固定すると、柔軟な支持体６の
中に押し込まれてしまう。同じように、前面２の研削中
も、半導体ウェーハの裏面５の不均一な領域は、支持体
によって受け入れられる（図１（ｂ））。
後前面と呼ぶが、を研削する場合は、半導体ウェーハを
柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定する。こ
れは、図１に示している。結晶から切削して得た半導体
ウェーハ１の両面は、平面でなく、互いに平行になって
いない（図１（ａ））。半導体ウェーハは、研削中や縁
部に丸みを付ける作業中に、粒子で簡単に汚れてしまう
が、からすの足跡やへこみを作ることはない。ひどく汚
れたワイヤーソーで切削された半導体ウェーハでも、研
削の前におおざっぱに汚れを除去すればよい。その液体
の構成要素がその工程中に除去される程度に、のこ引き
懸濁液を洗い流せば十分である。ウェーハの洗浄後も半
導体ウェーハと支持体の間に残っている粒子は、半導体
ウェーハ１を、前記半導体ウェーハを変形することな
く、ウェーハホルダ３に固定すると、柔軟な支持体６の
中に押し込まれてしまう。同じように、前面２の研削中
も、半導体ウェーハの裏面５の不均一な領域は、支持体
によって受け入れられる（図１（ｂ））。
【００１５】柔軟な支持体は、好ましくは、有機質であ
り、従来使用されてきた剛性のセラミック材より柔軟で
ある。この材料は、半導体ウェーハと、ウェーハホルダ
との間に位置する粒子が、半導体ウェーハの固定中にか
かる圧縮の力によってウェーハホルダの支持体の中に埋
め込まれるだけの柔軟性を持っていなければならない。
さらに、この材料は、半導体ウェーハが変形されること
なく、半導体ウェーハの不均一な面を支持体の表面に向
けて置き、ウェーハホルダに固定した場合に、支持体が
弾力的に変形するような、十分な柔軟性を持っていなけ
ればならない。支持体の材料は、ショアＡ硬度が５から
９９まで、好ましくは５０から９２、そして特に好まし
くは８０から９０までのものがよい。さらに、ウェーハ
ホルダを使用する前に、支持体の表面を研削し、それに
より、表面ができるだけ平面になっているのが好まし
い。この支持体は、好ましくは、多孔構造を有する弾性
有機材料から成るものがよい。特に、例えば、ポリウレ
タンなどのような材料が好ましい。支持体は、例えば、
ウェーハホルダ上に載置しても、糊付けしてもよい。半
導体ウェーハが真空吸引によってウェーハホルダ上に固
定されている場合は、例えば、複数の箇所に穴をあける
ことによって、予め、吸引通路を有する支持体を配設す
るのが都合がよい。また、固い支持体を柔らかい支持体
に置き換えることによって、従来のウェーハホルダを使
用してもよい。ウェーハホルダ上の柔らかい支持体は、
半導体ウェーハを機械加工するためにウェーハホルダを
使用する前に、少なくとも一度表面を研削し、面を均一
にするのが好ましい。また、それぞれのウェーハの機械
加工が終わるたびに、例えばブラシを使用するなどし
て、柔軟な支持体から粒子を掃除するのが好ましい。ま
た、さらに好ましくは、半導体ウェーハをウェーハホル
ダ上に置いた状態で、研削機内で研削した前面を掃除
し、粒子を取り除くことが好ましい。
り、従来使用されてきた剛性のセラミック材より柔軟で
ある。この材料は、半導体ウェーハと、ウェーハホルダ
との間に位置する粒子が、半導体ウェーハの固定中にか
かる圧縮の力によってウェーハホルダの支持体の中に埋
め込まれるだけの柔軟性を持っていなければならない。
さらに、この材料は、半導体ウェーハが変形されること
なく、半導体ウェーハの不均一な面を支持体の表面に向
けて置き、ウェーハホルダに固定した場合に、支持体が
弾力的に変形するような、十分な柔軟性を持っていなけ
ればならない。支持体の材料は、ショアＡ硬度が５から
９９まで、好ましくは５０から９２、そして特に好まし
くは８０から９０までのものがよい。さらに、ウェーハ
ホルダを使用する前に、支持体の表面を研削し、それに
より、表面ができるだけ平面になっているのが好まし
い。この支持体は、好ましくは、多孔構造を有する弾性
有機材料から成るものがよい。特に、例えば、ポリウレ
タンなどのような材料が好ましい。支持体は、例えば、
ウェーハホルダ上に載置しても、糊付けしてもよい。半
導体ウェーハが真空吸引によってウェーハホルダ上に固
定されている場合は、例えば、複数の箇所に穴をあける
ことによって、予め、吸引通路を有する支持体を配設す
るのが都合がよい。また、固い支持体を柔らかい支持体
に置き換えることによって、従来のウェーハホルダを使
用してもよい。ウェーハホルダ上の柔らかい支持体は、
半導体ウェーハを機械加工するためにウェーハホルダを
使用する前に、少なくとも一度表面を研削し、面を均一
にするのが好ましい。また、それぞれのウェーハの機械
加工が終わるたびに、例えばブラシを使用するなどし
て、柔軟な支持体から粒子を掃除するのが好ましい。ま
た、さらに好ましくは、半導体ウェーハをウェーハホル
ダ上に置いた状態で、研削機内で研削した前面を掃除
し、粒子を取り除くことが好ましい。
【００１６】ウェーハホルダ上に固定した半導体ウェー
ハは、弾性的に変形しないため、第１の研削工程を行な
った結果、平坦な前面は、半導体ウェーハ１をウェーハ
ホルダから取りはずした後もそのままの状態で残る（図
１（ｃ））。さらに、本発明においては、半導体ウェー
ハの裏面５を研削する際に、固い支持体４を有するウェ
ーハリセプタクル３を使用する。そのため、片面を研削
した半導体ウェーハを裏返し、すでに研削されて平坦に
なっている前面２をウェーハホルダ３上に固定する。前
面が平坦な基準面であるため、半導体ウェーハはこの状
態においては、もはや弾性的に変形されることはない。
固い支持体４を有するウェーハホルダ３を使用した結
果、半導体ウェーハの裏面５は、前記基準面に平行に、
高い精度で研削することができる（図１（ｄ））。この
作業で研摩された材料は、半導体ウェーハがウェーハホ
ルダ上に置いたまま、研削機内ですすぐことができる。
半導体ウェーハ１は、ウェーハホルダから取り外された
後も、その平坦で平行な研削面を保持することができる
（図１（ｅ））。
ハは、弾性的に変形しないため、第１の研削工程を行な
った結果、平坦な前面は、半導体ウェーハ１をウェーハ
ホルダから取りはずした後もそのままの状態で残る（図
１（ｃ））。さらに、本発明においては、半導体ウェー
ハの裏面５を研削する際に、固い支持体４を有するウェ
ーハリセプタクル３を使用する。そのため、片面を研削
した半導体ウェーハを裏返し、すでに研削されて平坦に
なっている前面２をウェーハホルダ３上に固定する。前
面が平坦な基準面であるため、半導体ウェーハはこの状
態においては、もはや弾性的に変形されることはない。
固い支持体４を有するウェーハホルダ３を使用した結
果、半導体ウェーハの裏面５は、前記基準面に平行に、
高い精度で研削することができる（図１（ｄ））。この
作業で研摩された材料は、半導体ウェーハがウェーハホ
ルダ上に置いたまま、研削機内ですすぐことができる。
半導体ウェーハ１は、ウェーハホルダから取り外された
後も、その平坦で平行な研削面を保持することができる
（図１（ｅ））。
【００１７】半導体ウェーハの縁部は、両面を研削する
前でも、後でも、丸みを付けることができる。両面が研
削される前に縁部に丸みを付け、結果、のこ引きによる
汚れが残っている場合は、半導体ウェーハは、からすの
足跡を形成しないように、柔軟な支持体の付いたウェー
ハホルダ上に固定しなければならない。一方、両面がす
でに研削され、汚れを除去した半導体ウェーハは、縁部
に丸みを付けるために固い支持体を有するウェーハホル
ダ上に固定するのが好ましい。
前でも、後でも、丸みを付けることができる。両面が研
削される前に縁部に丸みを付け、結果、のこ引きによる
汚れが残っている場合は、半導体ウェーハは、からすの
足跡を形成しないように、柔軟な支持体の付いたウェー
ハホルダ上に固定しなければならない。一方、両面がす
でに研削され、汚れを除去した半導体ウェーハは、縁部
に丸みを付けるために固い支持体を有するウェーハホル
ダ上に固定するのが好ましい。
【００１８】また、半導体ウェーハの片面は、二つの異
なった研削ツールを使用する、二つの工程で研削するこ
とができる（二軸研削法）。第１の工程は、面の粗目研
削で、第２の工程は、細目研削である。この方法にも本
発明を利用できるようにするため、まず、半導体ウェー
ハの両面に粗目研削を施し、次に細目研削を施す方法を
提案している。両面の粗目研削中は、半導体ウェーハ
は、柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定す
る。また、両面の細目研削中は、半導体ウェーハは、固
い支持体を有するウェーハホルダ上に固定する。
なった研削ツールを使用する、二つの工程で研削するこ
とができる（二軸研削法）。第１の工程は、面の粗目研
削で、第２の工程は、細目研削である。この方法にも本
発明を利用できるようにするため、まず、半導体ウェー
ハの両面に粗目研削を施し、次に細目研削を施す方法を
提案している。両面の粗目研削中は、半導体ウェーハ
は、柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上に固定す
る。また、両面の細目研削中は、半導体ウェーハは、固
い支持体を有するウェーハホルダ上に固定する。
【００１９】縁部と両面を、本発明に従って機械加工し
た半導体ウェーハは、さらにその表面を円滑にするため
の材料除去処理を受ける。これは、半導体ウェーハのエ
ッチングと研摩から成り、エッチング工程は、オプショ
ンで省くこともできる。研摩工程は、半導体ウェーハの
両面または片面だけを磨く片面研摩または、両面研摩か
ら成るものでもよい。
た半導体ウェーハは、さらにその表面を円滑にするため
の材料除去処理を受ける。これは、半導体ウェーハのエ
ッチングと研摩から成り、エッチング工程は、オプショ
ンで省くこともできる。研摩工程は、半導体ウェーハの
両面または片面だけを磨く片面研摩または、両面研摩か
ら成るものでもよい。
【００２０】例：本方法の効果を、直径が２００ｍｍの
シリコンウェーハでテストした。これに関連し、次のよ
うな製造手順を選んだ：ワイヤソーによるのこ引き−お
おざっぱな洗浄−前面の研削（柔軟な支持体を有するウ
ェーハホルダ使用）−研削機内で前面の洗浄−裏面の研
削（固い支持体を有するウェーハホルダ使用）−研削機
内で裏面の洗浄−縁部に丸みを付ける作業（固い支持体
を有するウェーハホルダ使用）
シリコンウェーハでテストした。これに関連し、次のよ
うな製造手順を選んだ：ワイヤソーによるのこ引き−お
おざっぱな洗浄−前面の研削（柔軟な支持体を有するウ
ェーハホルダ使用）−研削機内で前面の洗浄−裏面の研
削（固い支持体を有するウェーハホルダ使用）−研削機
内で裏面の洗浄−縁部に丸みを付ける作業（固い支持体
を有するウェーハホルダ使用）
【００２１】比較のため、ウェーハを、同じ製造手順
で、ただし、前面の研削は、固い支持体を有するウェー
ハホルダ上で行なって製造した。さらにすべてのシリコ
ンウェーハのエッチングや両側研摩処理を行なった後、
“マジックミラー”をつかって光学検査を行なった。検
査の結果、半導体ウェーハを本発明に従って処理した場
合の方が、のこ引き中に生成された不均一な領域を明ら
かに少ないということが解った。また、検査の結果、本
発明に従って半導体ウェーハを処理すると、おおざっぱ
に汚れを除去した半導体ウェーハは、目にみえるほど粒
子で汚れているが、付着している粒子は、処理結果に悪
い影響は与えないということが解った。
で、ただし、前面の研削は、固い支持体を有するウェー
ハホルダ上で行なって製造した。さらにすべてのシリコ
ンウェーハのエッチングや両側研摩処理を行なった後、
“マジックミラー”をつかって光学検査を行なった。検
査の結果、半導体ウェーハを本発明に従って処理した場
合の方が、のこ引き中に生成された不均一な領域を明ら
かに少ないということが解った。また、検査の結果、本
発明に従って半導体ウェーハを処理すると、おおざっぱ
に汚れを除去した半導体ウェーハは、目にみえるほど粒
子で汚れているが、付着している粒子は、処理結果に悪
い影響は与えないということが解った。
【００２２】以下、本発明の好ましい実施形態を列挙す
る。 （１）単結晶から半導体ウェーハを切削し、前記半導体
ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定した状態で
前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削することによ
り、両面が平坦に研削され、縁部に丸みが付いた半導体
ウェーハを製造する方法において、半導体ウェーハを、
第１の面の研削中は、柔軟な支持体を有するウェーハホ
ルダ上に固定し、第２の面を研削中は、固い支持体を有
するウェーハホルダ上に固定することを特徴とする方
法。 （２）結晶から半導体ウェーハを切削した後に、まず、
半導体ウェーハの縁部に丸みを付け、その作業中は、半
導体ウェーハを柔らかい支持体を有するウェーハホルダ
上に固定することを特徴とする、上記（１）に記載の方
法。 （３）結晶から半導体ウェーハを切削した後、半導体の
両面をまず研削し、次に半導体の縁部に丸みを付け、縁
部に丸みを付けている間は、固い支持体を有するウェー
ハホルダ上に固定することを特徴とする、上記（１）に
記載の方法。 （４）半導体ウェーハを、結晶から切削した後におおざ
っぱに汚れを除去する工程を含む、上記（１）乃至
（３）のいずれか一項に記載の方法。 （５）半導体ウェーハの両面を研削し、縁部に丸みを付
けた後にエッチングと研摩を行なうことを特徴とする、
上記（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の方法。 （６）半導体ウェーハの両面を研削し、縁部に丸みを付
けた後に研摩することを特徴とする、上記（１）乃至
（５）のいずれか一項に記載の方法。 （７）単結晶から半導体ウェーハを切削し、前記半導体
ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定した状態で
前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削することによ
り、両面が平面に研削され、縁部に丸みが付いた半導体
ウェーハを製造する方法において、両面の研削が、粗目
研削と細目研削から成り、半導体ウェーハを、両面の粗
目研削中には、柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上
に固定し、両面の細目研削中には、固い支持体を有する
ウェーハホルダ上に固定することを特徴とする方法。
る。 （１）単結晶から半導体ウェーハを切削し、前記半導体
ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定した状態で
前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削することによ
り、両面が平坦に研削され、縁部に丸みが付いた半導体
ウェーハを製造する方法において、半導体ウェーハを、
第１の面の研削中は、柔軟な支持体を有するウェーハホ
ルダ上に固定し、第２の面を研削中は、固い支持体を有
するウェーハホルダ上に固定することを特徴とする方
法。 （２）結晶から半導体ウェーハを切削した後に、まず、
半導体ウェーハの縁部に丸みを付け、その作業中は、半
導体ウェーハを柔らかい支持体を有するウェーハホルダ
上に固定することを特徴とする、上記（１）に記載の方
法。 （３）結晶から半導体ウェーハを切削した後、半導体の
両面をまず研削し、次に半導体の縁部に丸みを付け、縁
部に丸みを付けている間は、固い支持体を有するウェー
ハホルダ上に固定することを特徴とする、上記（１）に
記載の方法。 （４）半導体ウェーハを、結晶から切削した後におおざ
っぱに汚れを除去する工程を含む、上記（１）乃至
（３）のいずれか一項に記載の方法。 （５）半導体ウェーハの両面を研削し、縁部に丸みを付
けた後にエッチングと研摩を行なうことを特徴とする、
上記（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の方法。 （６）半導体ウェーハの両面を研削し、縁部に丸みを付
けた後に研摩することを特徴とする、上記（１）乃至
（５）のいずれか一項に記載の方法。 （７）単結晶から半導体ウェーハを切削し、前記半導体
ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定した状態で
前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削することによ
り、両面が平面に研削され、縁部に丸みが付いた半導体
ウェーハを製造する方法において、両面の研削が、粗目
研削と細目研削から成り、半導体ウェーハを、両面の粗
目研削中には、柔軟な支持体を有するウェーハホルダ上
に固定し、両面の細目研削中には、固い支持体を有する
ウェーハホルダ上に固定することを特徴とする方法。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハを、たとえその汚れの除去がおおざっぱ
で、その表面がまだ目にみえるほど汚れていても、特別
な苦心をすることなく、研削や縁部に丸みを付ける作業
を行なうことができる。
半導体ウェーハを、たとえその汚れの除去がおおざっぱ
で、その表面がまだ目にみえるほど汚れていても、特別
な苦心をすることなく、研削や縁部に丸みを付ける作業
を行なうことができる。
【図１】本発明に従う半導体ウェーハの処理工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】従来法に従う半導体ウェーハの処理工程を示す
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 １ 半導体ウェーハ ２ 前面 ３ ウェーハレセプタクル ４ 固い支持体 ５ 裏面 ６ 柔軟な支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローベルト・ドレクスラー ドイツ連邦共和国 ヒットゼナウ，ヴァ ルトシュトラーセ 19 (56)参考文献 特開 平７−205019（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 1/00 B24B 37/04 H01L 21/304
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶から半導体ウェーハを切削し、前
記半導体ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定し
た状態で前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削するこ
とにより、両面が平坦に研削され、縁部に丸みが付いた
半導体ウェーハを製造する方法において、 半導体ウェーハを、第１の面の研削中は、柔軟な支持体
を有するウェーハホルダ上に固定し、第２の面を研削中
は、固い支持体を有するウェーハホルダ上に固定するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】 単結晶から半導体ウェーハを切削し、前
記半導体ウェーハをウェーハホルダの支持体上に固定し
た状態で前記半導体ウェーハの両面と縁部を研削するこ
とにより、両面が平面に研削され、縁部に丸みが付いた
半導体ウェーハを製造する方法において、 両面の研削が、粗目研削と細目研削から成り、半導体ウ
ェーハを、両面の粗目研削中には、柔軟な支持体を有す
るウェーハホルダ上に固定し、両面の細目研削中には、
固い支持体を有するウェーハホルダ上に固定することを
特徴とする方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19722679A DE19722679A1 (de) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Scheibenhalter und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE197-22-679-5 | 1997-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110532A JPH1110532A (ja) | 1999-01-19 |
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ID=7830940
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| EP (1) | EP0881038B1 (ja) |
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| KR (1) | KR100284595B1 (ja) |
| DE (2) | DE19722679A1 (ja) |
| SG (1) | SG74052A1 (ja) |
| TW (1) | TW391040B (ja) |
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| DE19956250C1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
| DE10009656B4 (de) * | 2000-02-24 | 2005-12-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| EP1193031A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-03 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement for polishing disk-like objects |
| JP2002355755A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-10 | Nitto Shinko Kk | 被研磨物保持用のバッキング材 |
| JP2004079951A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP4728023B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | ウェハの製造方法 |
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| US20080268223A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Chung-Chih Feng | Composite sheet for mounting a workpiece and the method for making the same |
| US8087975B2 (en) * | 2007-04-30 | 2012-01-03 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Composite sheet for mounting a workpiece and the method for making the same |
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| DE102007049811B4 (de) | 2007-10-17 | 2016-07-28 | Peter Wolters Gmbh | Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
| DE102009018434B4 (de) * | 2009-04-22 | 2023-11-30 | Ev Group Gmbh | Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten |
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| CN117102999B (zh) * | 2023-09-05 | 2024-04-09 | 无锡市昌亿机床制造有限公司 | 一种附带自动对刀卡盘工装的加工设备 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
| JPS6222439A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Toshiba Corp | ウエ−ハ保護テ−プ |
| JP2628424B2 (ja) * | 1992-01-24 | 1997-07-09 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部の研磨方法及び装置 |
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| JP2839801B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1998-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハの製造方法 |
| JP2655975B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1997-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| JP3055401B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2000-06-26 | 信越半導体株式会社 | ワークの平面研削方法及び装置 |
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| JP3134719B2 (ja) * | 1995-06-23 | 2001-02-13 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
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1997
- 1997-05-30 DE DE19722679A patent/DE19722679A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-05-14 EP EP98108756A patent/EP0881038B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 DE DE59800920T patent/DE59800920D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-15 SG SG1998001067A patent/SG74052A1/en unknown
- 1998-05-21 JP JP10139895A patent/JP3097846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1998-05-29 US US09/086,855 patent/US6117776A/en not_active Expired - Lifetime
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