KR100284595B1 - 반도체 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 연삭할 때 반도체 웨이퍼를 고정시키는 지지체를 가진 웨이퍼 홀더(척(water holder : chuck)와 평면 연삭한 두 측면과 둥근에지(rounded edge)를 가진 반도체 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.

그 웨이퍼 홀더는 연질재로 구성된 지지체를 가진다.

그 방법은 제1면을 연삭할 때 연질지지체를 웨이퍼 홀더상에 반도체 웨이퍼를 고정시키고, 제 2 면을 연삭할 때 경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시키는 방법이다.

Description

반도체 웨이퍼의 제조방법

본 발명은 웨이퍼 홀더(wafer holder) 및 그 웨이퍼홀더를 사용한, 연삭면과 둥근에지(rounded edge)를 가진 반도체 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼의 제조는 단결정에서 반도체 웨이퍼의 절삭공정과 일련의 재료 제거 가공공정으로 구성되어 있다.

환상의 리본 및 와이어톱이 절삭공구로서 적합하다.

와이어톱을 사용할 경우, 다수의 반도체 웨이퍼는 단결정에서 동시에 절삭할 수 있다.

와이어톱으로 톱질한 반도체 웨이퍼는 톱질작업을 할 때 톱질 서스펜션(sawing suspension)으로 인하여 절삭작업후에 심하게 오염된다.

그 절삭방법과 관계없이 단결정에서 절삭한 반도체 웨이퍼는 그 다음 재료 제거 가공공정에 의해 제거할 필요가 있는 인접면 영역에서 손상을 가진다.

그 가공공정은 또 가급적 표면이 원활한 둥근에지(rounded edge)와 평행한 양쪽면을 가진 반도체 웨이퍼를 형성하기 위하여 필요하다.

그 절삭작업후 반도체 웨이퍼의 두께변화, 양쪽면의 평면도(flatness) 및 그 에지의 구조는 전자구성부품을 제조하기 위한 반도체 웨이퍼의 후속처리공정에서 설정되어 있는 요건을 아직도 충족하지 않는다.

그 재료제거 가공공정에는 통상적으로 절삭반도체 웨이퍼의 에지라운딩(edge rounding), 래핑(lapping), 에칭(etching) 및 연마 공정이 포함되어 있다.

또, 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 차례로 실시하도록 하는 2회연삭 공정에 의해 동시에 가공하며, 반도체 웨이퍼의 한쪽면을 각각의 경우 연삭하는 래핑의 대치를 제안한바 있다.

특허문헌 USP 5,400,548 에서는 이와같은 연삭방법에 대하여 기재되어 있다.

그 연삭을 할 때, 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 홀더(척)의 지지체상에 설정한다.

기준웨이퍼홀더는 다공성 세라믹재로 된 지지체를 가진다.

그 반도체 웨이퍼는 진공흡입에 의해 그 웨이퍼 홀더에 고정된다.

반도체 홀더에 설정되어 있는 측면과 대향되어 있는 반도체 웨이퍼의 그 측면을 연삭한다.

에지라운링을 할 때, 그 반도체 웨이퍼의 에지는 연삭된다.

그 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 연삭시킴으로서 그 양쪽면의 우수한 평행면을 얻는다.

반면에, 얻어진 그 양쪽면의 평면도(flatness)는 상기 요건을 충족하지 않게 되었다.

바람직한 평면도(flatness)를 얻기 위하여, 에칭 및 연마등 그 다음 반도체 재료 제거 가공공정에서는 코스트가 더 드는 형상을 취한 필요가 있다.

따라서, 바람직한 웨이퍼형상을 가진 반도체웨이퍼를 제조하기 위하여 산출해낸 반도체제거량이 증가하게 되므로 결정길이가 일정한 웨이퍼의 수율이 감소한다.

반도체 웨이퍼를 연삭 또는 에지라운딩을 할 때, 그 웨이퍼 홀더에 대향하여 위치한 반도체 웨이퍼의 한쪽면에는 바람직하지 않은 재료의 파편(splinter)이 예측된다.

이 분야에서 이들의 파편을 크로우피트(crow's feet)(성상부식)라 한다.

반도체웨이퍼의 품질을 손상시키는 또 다른 현상은 그 양쪽면을 연삭할 때 제조할 수 있는 반도체 웨이퍼의 양쪽면에 국부적인 요홈(local depressions)(dimples : 딤플)에 관련되어 있다.

크로우 피트와 요홈이 발생할 우려가 더 높아, 가공한 반도체 웨이퍼가 입자로 오염되는 범위가 더 커진다.

특히 와이어톱질을 한 반도체웨이퍼는 연삭 또는 에지라운딩을 하기전에 번거롭게 세척할 필요가 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 위에서 설명한 예측되는 상기의 기술적인 어려움없이 반도체 웨이퍼를 세척하여 그 반도체웨이퍼표면이 입자로 상당히 오염되어도 반도체 웨이퍼를 연삭할 수 있고 에지라운딩을 할 수 있도록 하는데 있다.

도 1 (도 1a ~ 도 1e)는 경질지지체를 가진 기준 웨이퍼 홀더를 사용할 경우 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 연삭할때의 조작 개략도로서,

도 1a 는 반도체웨이퍼를 나타내며,

도 1b 는 경질지지체상에 고정되고 그 반도체 웨이퍼의 한쪽면을 연삭한 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 1c 는 경질지지체에서 제거한 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 1d 는 반도체 웨이퍼를 거꾸로 뒤집어서 경질지지체상에 고정시키고 반도체 웨이퍼의 다른쪽면을 연삭시킨 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 1e 는 그 다른쪽을 연삭시킨후 경질지지체에서 제거한 반도체 웨이퍼를 나타낸다.

도 2(도 2a ~ 도 2e)는 본 발명에 의해 반도체 웨이퍼를 연삭할때의 조작을 나타낸 것으로,

도 2a 는 양쪽면을 가진 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 2b 는 연질 지지체상에 고정시키고 반도체 웨이퍼의 한쪽면을 연삭한 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 2c 는 연질지지체에서 제거한 반도체 웨이퍼를 나타내며,

도 2d 는 거꾸로 뒤집어 탄성변형이 없는 지지체상에 고정시키고 반도체 웨이퍼의 다른쪽을 연삭시킨 반도체 웨이퍼를 나타내고,

도 2c 는 반도체 웨이퍼의 다른쪽면을 연삭시킨후 지지체에서 제거한 반도체 웨이퍼를 나타내다.

〈도면에 나타낸 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)

2 : 전면(front)

3 : 웨이퍼 리셉타클(wafer receptacle) 또는 웨이퍼 홀더(wafer holder)

4 : 경질지지체(hard support)

5 : 배면(back)

6 : 연질지지체(soft support)

본 발명은 연삭할 때 반도체 웨이퍼를 고정하는 지지체를 가진 웨이퍼홀더(chuck : 척)에 있어서 지지체가 연질재로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 홀더에 관한 것이다.

그 웨이퍼홀더는 그 지지체를 구성하는 재료가 유기질 특성을 가지며, 종래에 사용되는 경질의 세라믹재보다 더 연질인 특성에서 공지의 웨이퍼 홀더와 다르다.

그 재료는 반도체 웨이퍼를 고정할 때 가한 압축력에 의해 웨이퍼 홀더의 지지체에, 그 반도체 웨이퍼와 그 웨이퍼 홀더 사이에 위치한 입자가 매입되도록 하는데 충분한 연질로 할 필요가 있다.

또, 그 재료는 그 반도체 웨이퍼가 변형되지 않도록 하나, 그 반도체 웨이퍼의 불균일한 면을 그 지지체의 표면에 설정시켜 그 웨이퍼 홀더에 고정시켜도 그 지지체가탄성변형을 하기에 충분한 연질일 필요가 있다.

그 지지체의 재료는 쇼어 A 경도 5-99 , 바람직하게는 50-92 , 특히 80-90을 가진다.

또, 웨이퍼 홀더를 사용하기에 앞서, 그 지지체를 표면연삭시켜, 가급적 평탄한 표면을 얻을수 있도록 하는 것이 바람직하다.

그 웨이퍼 홀더의 지지체는 다공성 구조를 가진 탄성 유기재로 구성하는 것이 바람직하다.

특히, 예로서 폴리우레탄 등의 재료가 바람직하다.

그 지지체는 예로서 웨이퍼 홀더상에 스트레칭(stretching)할 수 있거나, 웨이퍼 홀더에 접착시킬수 있다.

그 반도체 웨이퍼가 진공흡인에 의해 웨이퍼 홀더에 고정될 경우, 예로서 다수의 지점에 그 지지체를 천공시킴으로써 흡인채널(suction channel)를 사전에 형성한 지지체를 구성할 수 있다.

또, 본 발명은 웨이퍼 홀더를 사용하는 방법에 관한 것이다.

그 방법은 반도체 웨이퍼를 제1면(first side)을 연삭할 때 연질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시키고, 제2면(second side)을 연마할 때 경질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시키는 방법이다.

본 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼의 불균일한 표면이 지지체 표면상에 설정하여 반도체 웨이퍼가 웨이퍼 홀더상에 고정시킬 때 탄성변형을 할 경우 지지체는 경질이나, 그 지지체는 무기질재, 특히 세라믹재로 구성되어 있다.

이와같은 재료의 경도는 99.5 이상이 바람직하다.

본 발명과 그 효과를 첨부 도면에 따라 아래에 구체적으로 설명한다.

도 1 은 경질지지체를 가진 기준 웨이퍼 홀더를 사용할 경우 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 연삭할 때 개략적인 조작상태를 나타낸다.

도 2 는 본 발명에 의해 반도체 웨이퍼를 연삭할 때 그 작동의 개략도를 나타낸다.

우선 도 1 에 대하여 설명한다.

반도체 웨이퍼의 양쪽면을 연삭할 때 나타낸 작동을 종래기술에 대하여 설명한 것이다.

도 1a에서 나타낸 바와같이, 단결정에서 절삭한 반도체 웨이퍼(1)는 평탄한 면과 평행한 면을 갖고 있지 않다.

그 양쪽면은 하나의 파동 프로파일(undulating profle)를 가지며, 그 웨이퍼 두께는 웨이퍼 직경에 따라 변동된다.

그 반도체 웨이퍼의 한쪽면을 전면(front)(2)으로 아래에 설명하며, 그 전면에 대향하여 위치한 면을 배면(back)(5)으로 아래에 설명한다.

그 반도체 웨이퍼(1)를 웨이퍼 리셉타클(wafer receptacle)(3)의 경질지지체(4)에 설정하여 그 리셉타클상에 고정시킨다.

예로서 진공흡인에 의해 고정시킨다(도 1b).

그 반도체 웨이퍼의 불균일한 이 공정에, 반도체 웨이퍼는 탄성변형되어 그 지지체의 표면에 안정성 있게 피팅(fitting)된다.

그 배면상에서 파동현상의 불균일한 영역(undulating uneven regions)은 부분적으로 평활하게 되며(smooth out), 부분적으로 진폭이 감소된다.

그 지지체와 반도체 웨이퍼 사이에 위치한 입자는, 그 입자에 대향하여 위치한 반도체 웨이퍼 전면상의 파동진폭이 국부적으로 증가된 결과 그 웨이퍼를 변형시킨다.

그 입자에서 개시되는 압축력이 일정치를 초과할 경우, 재료는 이 초과점에서 치핑되어(chipping off)크로우푸트(crow's foot)를 발생한다.

이 상태는 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 연삭할때와 반도체 웨이퍼의 에지를 라운딩할 때 발생할 수 있다.

그 반도체 웨이퍼의 전면 연삭으로 초기에 평탄면(flat side)을 형성한다.

그러나, 그 평탄면은 반도체 웨이퍼(1)의 고정이 제거되는 즉시 다시 파동형상으로 되어 그 탄성변형을 한 반도체 웨이퍼(1)는 완화시킬수 있다(도 1c).

그 다음 연삭공정에서, 반도체 웨이퍼의 배면(5)을 연삭시키고 반도체 웨이퍼의 전면(2)을 웨이퍼 홀더(3)의 경질 지지체(4)상에 고정시킨다.

전면의 파동형상을 제1연마 공정에 의해 감축시켜도 완전히 제거되지 않는다.

따라서, 반도체 웨이퍼는 그 전면(2)이 웨이퍼 홀더(3)의 지지체상에 고정되는 즉시 다시 탄성변형된다(도 1d).

그 배면을 연삭한후 그 반도체 웨이퍼의 고정을 제거할 경우 그 양쪽면이 이미 바라직한 평행을 갖고 있으나, 아직도 바람직하지 아니한 크기가 큰 잔류 파동형상을 가진 반도체 웨이퍼(1)가 얻어진다(도 1e).

반도체 웨이퍼를 연삭할 때 반도체 웨이퍼와 웨이퍼 홀더 사이에 입자가 위치되어 반도체 웨이퍼를 국부변형시킬 경우 이 지점에서 너무 많은 재료가 연삭되어 요홈(딤플)이 반도체 웨이퍼의 그 면에 형성된다.(도시생략)

본 발명에 의한 방법은 아래에서 전면(front)으로 설명되는 제1면을 연삭시키기 위하여 반도체 웨이퍼를 연질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시키는 방법을 제공한다.

이것을 도 2 에 나타낸다.

단결정에서 절삭한 반도체 웨이퍼(1)의 양쪽면을 평탄하지 아니하여 서로 평행하게 설정되지 않는다(도 2a).

그 반도체 웨이퍼는 크로우 피트가 없는 입자는 극히 용이하게 오염시킬수 있어 요홈은 연삭 또는 에지라운딩을 할 때 형성된다.

심하게 오염된 와이어톱질을 한 반도체 웨이퍼라도 연삭전에 세척시킬 필요가 있다.

그 세척성분을 이 처리공정에서 제거시킬수 있는 범위까지 그 톱질 서스펜션(sawing suspension)을 린싱(rinsing)하기에 충분하다.

웨이퍼 세척후라도 반도체 웨이퍼와 지지체 사이에서 위치한 입자는 그 반도체 웨이퍼(1)가 반도체 웨이퍼를 변형시킴이 없이 웨이퍼홀더(3)에 고정될 때 연질지지체(6)내에 들어온다.

동일하게 그 반도체 웨이퍼의 배면(5)상의 불균일한 영역은 그 전면(2)을 연삭할 때 지지체에 의해 들어올린다(liftup)(도 2b).

그 연질지지체는 예로서 통상의 웨이퍼홀더에 접착시키거나 그 웨이퍼 홀더상에 스트레칭(stretching)을 할 수 있다.

경질지지체를 연질지지체로 대치시킨 통상의 웨이퍼 홀더를 역시 사용할 수 있다.

그 웨이퍼 홀더상의 연질지지체는 반도체 웨이퍼를 가공하기 위하여 웨이퍼 홀더를 사용하기 전이라도 최소한 1회 표면 연삭시켜 제조하는 것이 바람직하다.

또, 웨이퍼가공후 입자가 있는 연질지지체를 예로서 브러시에 의해 세척하기가 용이하다.

연마기에서 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 홀더에 설정시켜 실시할 수 있으며, 입자를 제거하기 위하여 사용되는 연삭전면(ground front)의 세척이 더 바람직하다.

그 웨이퍼 홀더상에 고정한 반도체 웨이퍼는 탄성변형 되지 아니하여 1차 연삭공정결과 반도체 웨이퍼(1)를 웨이퍼홀더에서 이탈시킨 후라도 손상되지 않고 그대로 있는 평탄한 전면을 얻는다(도 2c).

본 발명은 또 반도체 웨이퍼의 배면(5)을 연삭할 때 경질 지지체(4)를 가진 웨이퍼 리셉타클(3)을 사용하여 구성한 것이다.

이 사용에 의해, 한쪽면을 연삭한 반도체 웨이퍼를 거꾸로 뒤집어 이미 연삭한 평탄전면을 그 웨이퍼홀더(3)에 고정시킨다.

그 전면이 평편한 기준면이 되므로 반도체 웨이퍼는 이 작업에서 더 이상 탄성변형이 없다.

경질지지체(4)를 가진 웨이퍼 홀더(3)을 사용한 결과, 반도체 웨이퍼의 배면(5)은 정도(precision)가 높은 상기 기준면과 평행하게 연삭시킬수 있다(도 2d).

이 작업에서 발생한 마모물(abrasion)은 연삭기내에서 린싱시켜 제거할 수 있고, 동시에 그 반도체 웨이퍼는 그 웨이퍼 홀더상에 설정시킨다.

그 반도체 웨이퍼(1)은 웨이퍼 홀더에서 이탈된 후라도 평탄하게 평행한 연삭양면을 유지한다(도 2e).

그 반도체 웨이퍼의 에지는 그 양쪽면의 연삭 전후에 라운딩을 할 수 있다.

그 양쪽면이 연삭되고 톱질에 의해 오염되기전에 그 에지를 라운딩시킬수 있고, 크로우피트(crow's feet)의 형성을 피하기 위하여 연질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 반도체 웨이퍼를 고정시킬 필요가 있다.

반면에, 양쪽면을 이미 연삭시켜 세척한 반도체 웨이퍼는 경질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시켜 그 에지를 라운딩하는 것이 바람직하다.

반도체 웨이퍼의 한쪽면은 두 공정으로 연삭할수도 있으며, 그 두 공정에서는 서로 다른 2개의 연삭공구가 사용된다(두-스핀들 연삭방법 : two-spindle grinding method). 제1공정은 거친공정(coarse step)이고 제2공정은 그 면의 정밀연삭공정이다.

이 방법에 본 발명을 이용하기 위하여, 우선 반도체 웨이퍼의 양쪽면에 대하여 거친 연삭을 한 다음, 정밀연삭을 한다.

양쪽면에 대하여 거친연삭을 할 때 그 반도체 웨이퍼는 연질지지체를 가진 웨이퍼홀더상에 고정하도록 한다.

양쪽면을 정밀연마할 때 그 반도체 웨이퍼는 경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시킨다.

그 다음으로, 에지와 양쪽면을 본 발명에 의해 가공한 반도체 웨이퍼는 그 표면을 원활하게 하는 또 다른 재료 제거처리를 한다.

이 처리는 반도체 웨이퍼의 에칭처리(etching)와 연마처리(polishing)로 구성할 수 있으며, 그 에칭처리공정은 선택적으로 제거된다.

이 연마처리공정은 반도체 웨이퍼의 양쪽면 또는 한쪽면만의 단일면 연마처리(single-sided polishing)또는 2중면 연마처리(double-sided polishing)로 구성할 수 있다.

실시예

직경 200mm 의 실리콘웨이퍼상에서 이 방법의 효과를 측정하였다.

이와 관련하여, 다음의 제조순서를 선택하였다.

와이어 톱질 - 거친세척(crude cleaning)-전면의 연삭(연질지지체를 가진 웨이퍼 홀더)-연삭기에서 그 전면의 세척-배면의 연삭(경질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더)-연삭기에서 배면의 연삭-에지라운딩(경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더)

대조하기 위하여, 웨이퍼를 동일한 제조순서를 사용하여 제조하나 경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에서 전면을 연삭하였다.

모든 실리콘웨이퍼를 에칭 및 이중연마에 의한 또 다른 처리를 한후 광조사(optical examinations)를 ″매직미러″(magic mirror)로 실시하였다.

그 조사에 의해, 반도체 웨이퍼를 본 발명에 의해 처리할 경우 톱질할 때 발생한 불균일한 영역을 현저하게 감소시킬수 있음을 나타내었다.

또, 그 조사에서 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 처리에서 부착 입자는, 거친 세척만을 한 반도체 웨이퍼가 상당히 입자로 오염되어 있어도 처리결과 마이너스(-)효과를 갖지 아니 하였다.

Claims (7)

1. 평탄연삭을 한 제 1면(first flat-ground side), 평탄연삭을 한 제 2면(second flat-ground side) 및 라운딩한 에지(rounded edge)를 가진 반도체 웨이퍼의 제조방법에 있어서,

   단결정에서 입자(particles)로 오염시킨 반도체 웨이퍼를 절삭시키고, 연질지지체(soft support)를 가진 웨이퍼 홀더(wafer holder)를 구비하여, 그 웨이퍼 홀더의 연질 지지체를 연삭하여 최소한 1회 평탄하게 연삭하며,

   흡인채널(suction channel)을 가진 그 연질 지지체를 구비한 웨이퍼 홀더상에 그 흡인채널을 통해 그 연질 지지체를 흡인진공시켜 반도체 웨이퍼를 고정하고,

   그 반도체 웨이퍼는 제1면을 연삭하여 평탄하게 연삭한면을 형성하며,

   그 반도체 웨이퍼의 제1면을 연삭한 다음에는 그 입자의 연질 지지체를 세척하고,

   경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 반도체 웨이퍼의 평탄연삭을 한 제 1면을 고정하고 그 반도체 웨이퍼의 제2면을 연삭하여 평탄연삭을 한 제 2면을 형성함을 특징으로 하는 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 그 단결정에서 반도체 웨이퍼를 절삭한 후에는, 그 반도체 웨이퍼의 에지를 우선 라운딩하며, 이 작업중에 반도체 웨이퍼는 연질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시킴을 특징으로 하는 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 그 단결정에서 반도체 웨이퍼를 절삭한 후에는 반도체 웨이퍼의 양쪽면을 우선 연삭시킨다음에 반도체웨이퍼의 에지를 라운딩하고, 그 에지를 라운딩할 때 그 반도체 웨이퍼를 경질지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 고정시킴을 특징으로 하는 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 그 반도체 웨이퍼는 단결정에서 절삭한후에 불충분하게 세척시킴을 특징으로 하는 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서, 그 반도체 웨이퍼는 그 양쪽면의 연삭과 에지의 라운딩을 한 다음에 에칭 및 연마시킴을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.
6. 제 1 항에 있어서, 그 반도체 웨이퍼는 양쪽면의 연삭과 에지의 라운딩을 한 다음에 연마시킴을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.
7. 평탄연삭을 한 두면(two flat-ground side)과 라운딩 에지(rounded edge)를 가진 반도체 웨이퍼를 그 반도체 웨이퍼의 각면(each side)을 거친연삭(coarse grinding)과 정밀연삭(gine grinding)에 의 제조하는 방법에 있어서, 단결정에서 입자로 오염시킨 반도체 웨이퍼를 절삭하고, 연질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더(wafer holder)를 구비하여, 그 웨이퍼 홀더의 연질 지지체를 연삭하여 최소한 1의 평탄하게 연삭하고,

   흡흡인채널(suction channel)을 가진 연질 지지체를 구비한 웨이퍼 홀더상에, 각면(each side)을 거친연삭을 할 때 그 흡인채널을 통하여 연질 지지체를 진공흡인시켜 반도체 웨이퍼를 고정하여,

   각면(each side)을 거친연삭을 한다음에 그 입자의 연질 지지체를 세척하며,

   각면(each side)을 정밀연삭을 할 때 경질 지지체를 가진 웨이퍼 홀더상에 그 반도체 웨이퍼를 고정함을 특징으로 하는 제조방법.