JP2009302409A5 - - Google Patents
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- 結晶性インゴットから薄円板状の半導体ウェーハを切り出すスライス工程と、
前記半導体ウェーハを、固定砥粒を有するパッドをそれぞれ具える１対の上下定盤間に挟み込み、前記半導体ウェーハの両面を同時に研削する固定砥粒研削工程と、
前記固定砥粒研削工程の前後に、前記半導体ウェーハの端面を研削または研磨により面取りする面取り工程と
を具えることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 前記固定砥粒研削工程は、前記半導体ウェーハを、互いに近接した位置関係で設けられた複数個の丸穴を有するキャリアの前記丸穴に嵌めこんだ後、固定砥粒を有するパッドをそれぞれ具える１対の上下定盤間に、前記キャリアを挟み込み、該キャリアを同一水平面内で揺動運動させながら、前記上下定盤を回転させて、前記半導体ウェーハの両面を同時に粗研削から仕上げ研削まで加工する工程であり、
前記面取り工程は、
前記固定砥粒研削工程の前に、切り出された前記半導体ウェーハの端面を、研削により面取りする第１面取り工程と、
前記固定砥粒研削工程の後に、研削された前記半導体ウェーハの端面を、研磨により仕上げ面取りする第２面取り工程と、を含み、
仕上げ面取りした前記半導体ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程をさらに具える請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 前記半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである請求項１または２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
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