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角柱状シリコンインゴットの一辺の長さが５０ｍｍから１２５ｍｍ、１５６ｍｍ、２００ｍｍ、２４０ｍｍと長くなるに連れて、一辺が１５６ｍｍ乃至２４０ｍｍの角柱状シリコンインゴットをワイヤーカットソウで一度にスライスして厚み２００〜３３０μｍの太陽電池用シリコン基板を多量生産する際に前述したように角柱状シリコンインゴットのＲコーナー部分でチッピングが発生することが往々にあり、シリコン基板の生産ロス率を高めていることが基板加工メーカーより指摘されている。前記特許文献３、特許文献６のように研磨工具で側面を平坦研磨加工したのち、ワイヤーソウカッティングする対処方法や特開２００２−２５２１８８号公報（特許文献８）に記載されるように研磨ブラシで研磨加工する方法、あるいはエッチング処理方法で前記ウエハに切断する際のチッピング現象が生じることを防いでいる。
これら特許文献９乃至特許文献１２に開示される横形の円筒研削装置は、減速機構を介してサーボモータによりセンター軸を回転させる主軸台と左右方向に移動可能な心押台の一対よりなるクランプ機構と、このクランプ機構の主軸台センターと心押台センターとによって円柱状シリコンインゴットの軸芯が水平（横）方向に、かつ、回転可能に支持された円柱状インゴットの円周上面部に円板状平砥石の円形平面が向くように砥石軸に軸承した研削ヘッドを昇降させる昇降機構と、前記研削ヘッドを円柱状インゴットの前記軸芯に対し平行に左右直線移動させる移動機構よりなる。
本願特許出願人は、ワイヤーカッティングする際のチッピングが生じない角柱状シリコンインゴットブロックを短時間で製造できるワークローディング／アンローディングステージ、ワークの側面粗研削ステージ、ワークの側面仕上げ研削ステージおよびワーク四隅Ｒ仕上げ研削ステージを有する面取り加工装置にワークローダーを付属させた複合面取り加工装置を特願２００９−２９６６０２号明細書（特許文献１３）で提案した。
しかしながら、カップホイール型砥石による四隅Ｒコーナー部の面取り加工でカップホイール型砥石の砥石刃の外周縁部の磨耗によりカップホイール型砥石の交換時期が早いことが判明した。また、特許文献２が記載するようにワイヤーソウによるインゴットブロックのスライスカット時のチッピングや割れ防止にはインゴットブロックの表面平滑度Ｒｙが８μｍ以下であれば良く、半導体基板のシリコン基盤面のカップホイール型砥石による裏面研削では表面平滑度Ｒｙが０．５〜２μｍのシリコン基盤面が得られていることから四隅Ｒコーナー部の面取り加工する砥石車の代りにカップホイール型砥石を用いることで装置のフットプリントをより小さくできることが推量される。
２２）．前記クランプ機構７を搭載するワークテーブル４を右方向に送り速度２１０〜２４０ｍｍ／分で移動させて前記回転しているカップホイール型砥石の砥石刃１０ｇｓ，１０ｇｓに角柱状インゴットブロックの両側面を当接させて仕上げ研削加工を開始しつつワークテーブルの右方向移動を続行し、クランプ機構に支架されている角柱状インゴットブロックの左端が前記一対のカップホイール型仕上げ研削砥石１０ｇ，１０ｇの右端位置を越えたら両側面仕上げ面取り加工｛インゴットブロックの前後面を同時に同期制御精密仕上げ研削加工（０．０５〜０．１ｍｍ量の面取りを行う作業）｝を行う。この仕上げ側面取り加工の際、角柱状インゴットブロックとカップホイール型仕上げ研削砥石１０ｇ，１０ｇが当接する加工作業点に向けて研削液が５０〜１，０００ｃｃ／分の供給量で供給される。加工終了後、前記一対のカップホイール型仕上げ研削砥石１０ｇ，１０ｇを軸承する砥石軸１０ａ，１０ａを後退させる。(図４ｇ参照)
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