RU2015114097A - Модифицированный процесс микрошлифования - Google Patents
Модифицированный процесс микрошлифования Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015114097A RU2015114097A RU2015114097A RU2015114097A RU2015114097A RU 2015114097 A RU2015114097 A RU 2015114097A RU 2015114097 A RU2015114097 A RU 2015114097A RU 2015114097 A RU2015114097 A RU 2015114097A RU 2015114097 A RU2015114097 A RU 2015114097A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- abrasive
- grinding
- microns
- bonded
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/10—Single-purpose machines or devices
- B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
- B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
1. Способ механической обработки пластины, имеющей первую и вторую противоположные основные поверхности, включающий:шлифование первой основной поверхности пластины с использованием первого связанного абразива; ишлифование второй основной поверхности с использованием второго связанного абразива, при этом второй связанный абразив имеет размер зерна более грубый, чем размер зерна первого связанного абразива, причем по меньшей мере часть шлифования первой и второй основных поверхностей пластины происходит одновременно.2. Способ по п. 1, в котором пластина является сапфировой подложкой.3. Способ по п. 1, в котором:первый связанный абразив имеет средний размер частиц абразива не более чем 5 микрон, не более чем 20 микрон, не более чем 35 микрон или не более чем 75 микрон; ивторой связанный абразив имеет средний размер частиц абразива по меньшей мере 60 микрон, по меньшей мере 80 микрон, по меньшей мере 100 микрон или по меньшей мере 200 микрон.4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором разность между средним размером частиц абразива в верхнем диске со связанным абразивом и средним размером частиц абразива в нижнем диске со связанным абразивом по меньшей мере 20 микрон, по меньшей мере 50 микрон или по меньшей мере 100 микрон.5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором шлифование первой основной поверхности пластины и шлифование второй основной поверхности пластины содержит шлифование этой пластины между плитой с первым абразивом и плитой со вторым абразивом, плита со вторым абразивом имеет более грубый абразив, чем плита с первым абразивом, причем плита с первым абразивом шлифует первую основную поверхность пластины, а плита со вторым абразивом шлифует вторую
Claims (15)
1. Способ механической обработки пластины, имеющей первую и вторую противоположные основные поверхности, включающий:
шлифование первой основной поверхности пластины с использованием первого связанного абразива; и
шлифование второй основной поверхности с использованием второго связанного абразива, при этом второй связанный абразив имеет размер зерна более грубый, чем размер зерна первого связанного абразива, причем по меньшей мере часть шлифования первой и второй основных поверхностей пластины происходит одновременно.
2. Способ по п. 1, в котором пластина является сапфировой подложкой.
3. Способ по п. 1, в котором:
первый связанный абразив имеет средний размер частиц абразива не более чем 5 микрон, не более чем 20 микрон, не более чем 35 микрон или не более чем 75 микрон; и
второй связанный абразив имеет средний размер частиц абразива по меньшей мере 60 микрон, по меньшей мере 80 микрон, по меньшей мере 100 микрон или по меньшей мере 200 микрон.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором разность между средним размером частиц абразива в верхнем диске со связанным абразивом и средним размером частиц абразива в нижнем диске со связанным абразивом по меньшей мере 20 микрон, по меньшей мере 50 микрон или по меньшей мере 100 микрон.
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором шлифование первой основной поверхности пластины и шлифование второй основной поверхности пластины содержит шлифование этой пластины между плитой с первым абразивом и плитой со вторым абразивом, плита со вторым абразивом имеет более грубый абразив, чем плита с первым абразивом, причем плита с первым абразивом шлифует первую основную поверхность пластины, а плита со вторым абразивом шлифует вторую основную поверхность пластины.
6. Способ по п. 5, в котором плита со вторым абразивом расположена под плитой с первым абразивом таким образом, что плита со вторым абразивом шлифует нижнюю поверхность пластины, а плита с первым абразивом шлифует верхнюю поверхность пластины.
7. Способ по любому из пп. 1-3, в котором шлифование первой основной поверхности и шлифование второй основной поверхности пластины содержит:
помещение пластины между плитой с первым абразивом и плитой со вторым абразивом таким образом, что верхняя грань пластины находится в плоском контакте со шлифующей поверхностью плиты с первым абразивом, а нижняя грань пластины находится в плоском контакте со шлифующей поверхностью плиты со вторым абразивом; и
вращение указанных абразивных плит, пластины или любой их комбинации для шлифования верхней и нижней граней сапфировой пластины.
8. Способ по любому из пп. 1-3, в котором шлифование первой основной поверхности и шлифование второй основной поверхности пластины содержит:
размещение по меньшей мере одной пластины в круглом держателе, расположенном между плитой с первым абразивом и плитой со вторым абразивом;
приведение верхней грани пластины в плоский контакт со шлифующей поверхностью плиты с первым абразивом, а нижней грани пластины в плоский контакт со шлифующей поверхностью плиты со вторым абразивом;
вращение абразивных плит; и
вращение держателя для вращения пластины между вращающимися абразивными плитами.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно включающий применение шлифовальной жидкости для охлаждения шлифующих поверхностей и для удаления свободного абразивного материала или стружки.
10. Способ по п.9, дополнительно включающий повторную циркуляцию шлифовальной жидкости после того, как она была использована для охлаждения шлифовальных поверхностей и для удаления свободного абразивного материала или стружки, и фильтрацию использованной шлифовальной жидкости перед ее повторным введением для предотвращения повреждения поверхности пластины свободными грубыми абразивными частицами в повторно циркулирующей шлифовальной жидкости во время шлифования.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором, когда шлифовальный процесс завершен, шероховатость поверхности на стороне пластины, обработанной при помощи второго связанного абразива, будет по меньшей мере 4000 Å, по меньшей мере 5000 Å или по меньшей мере 7000 Å.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором, когда шлифовальный процесс завершен, шероховатость поверхности на стороне пластины, обработанной при помощи первого связанного абразива, будет не более чем 1000 Å, не более чем 500 Å или не более чем 100 Å.
13. Устройство для двустороннего шлифования плоской подложки, содержащее:
верхнюю и нижнюю шлифовальные плиты, при этом указанные две шлифовальные плиты установлены коаксиально таким образом, что между ними может быть расположена подложка, а шлифовальные плиты выполнены с возможностью вращения вокруг их коаксиальной центральной оси при помощи механизма привода шлифовальных плит;
держатель подложки, расположенный между этими двумя шлифовальными плитами и содержащий механизм привода держателя для вращения этого держателя вокруг его собственной центральной оси и вокруг коаксиальной центральной оси верхней и нижней шлифовальных плит; и
верхний диск со связанным абразивом, установленный на внутренней поверхности верхней шлифовальной плиты, и нижний диск со связанным абразивом, установленный на внутренней поверхности нижней шлифовальной плиты, причем нижний диск со связанным абразивом имеет более грубое зерно, чем верхний диск со связанным абразивом, таким образом, что двустороннее шлифование подложки удаляет материал с противоположных поверхностей подложки с различными скоростями, и что двустороннее шлифование подложки создает противоположные поверхности подложки, имеющие различные шероховатости поверхности.
14. Устройство по п. 13, в котором разность между средним размером частиц абразива в верхнем диске со связанным абразивом и средним размером частиц абразива в нижнем диске со связанным абразивом по меньшей мере 20 микрон, по меньшей мере 50 микрон или по меньшей мере 100 микрон.
15. Устройство по п. 13 или 14, в котором верхний диск со связанным абразивом, нижний диск со связанным абразивом содержат связанный абразив со связующим.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261707528P | 2012-09-28 | 2012-09-28 | |
US61/707,528 | 2012-09-28 | ||
PCT/US2013/060442 WO2014052130A1 (en) | 2012-09-28 | 2013-09-18 | Modified microgrinding process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2015114097A true RU2015114097A (ru) | 2016-11-20 |
Family
ID=50385635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015114097A RU2015114097A (ru) | 2012-09-28 | 2013-09-18 | Модифицированный процесс микрошлифования |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140094094A1 (ru) |
JP (1) | JP6120974B2 (ru) |
KR (1) | KR20150056633A (ru) |
CN (1) | CN104813448A (ru) |
IN (1) | IN2015DN03023A (ru) |
RU (1) | RU2015114097A (ru) |
TW (1) | TWI494981B (ru) |
WO (1) | WO2014052130A1 (ru) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI553723B (zh) * | 2014-05-27 | 2016-10-11 | Crystalwise Technology | Sapphire wafer processing methods and their processing in the process of intermediates |
CN104015122A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石面板的双面铜盘研磨工艺 |
US20170069791A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Epistar Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing thereof |
CN105290904B (zh) * | 2015-10-12 | 2017-08-18 | 中国建筑材料科学研究总院 | 消除光学玻璃亚表面裂纹的方法 |
JP6323515B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-05-16 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハのラッピング方法および半導体ウェーハ |
JP7085323B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2022-06-16 | 東洋鋼鈑株式会社 | 研磨用または研削用のキャリアおよびそれを用いた磁気ディスク用アルミ基板の製造方法 |
JP2019141974A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 株式会社ミズホ | 両面ラップ盤とそれを用いた薄肉ファインセラミックスの研削方法 |
CN109012918B (zh) * | 2018-10-12 | 2024-01-12 | 河南先导机械力化学研究院有限公司 | 行星球磨机 |
CN111098224B (zh) * | 2018-10-26 | 2022-08-26 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体基板及其表面研磨方法 |
US11342256B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications |
CN110018028B (zh) * | 2019-04-17 | 2023-01-13 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法 |
IT201900006740A1 (it) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di strutturazione di substrati |
IT201900006736A1 (it) | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di fabbricazione di package |
US11931855B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Planarization methods for packaging substrates |
JP7236970B2 (ja) * | 2019-09-23 | 2023-03-10 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ及びグロープラグ |
US11862546B2 (en) | 2019-11-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Package core assembly and fabrication methods |
CN110900342B (zh) * | 2019-11-29 | 2020-12-08 | 上海磐盟电子材料有限公司 | 一种磨片机 |
US11257790B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | High connectivity device stacking |
US11454884B2 (en) | 2020-04-15 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Fluoropolymer stamp fabrication method |
US11400545B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation for package fabrication |
CN111761505B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-07-27 | 浙江中晶科技股份有限公司 | 一种硅片双面磨削设备及其生产工艺 |
US11232951B1 (en) | 2020-07-14 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for laser drilling blind vias |
US11676832B2 (en) | 2020-07-24 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation system for package fabrication |
US11521937B2 (en) | 2020-11-16 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Package structures with built-in EMI shielding |
US11404318B2 (en) | 2020-11-20 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging |
JP7240013B2 (ja) * | 2021-03-19 | 2023-03-15 | 大昌精機株式会社 | 立型研削盤 |
US11705365B2 (en) | 2021-05-18 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods of micro-via formation for advanced packaging |
CN115070512B (zh) * | 2022-03-11 | 2024-04-26 | 北京爱瑞思光学仪器有限公司 | 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片 |
CN114800109A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 双面抛光机及其抛光方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4593495A (en) * | 1983-11-25 | 1986-06-10 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Polishing machine |
US4974370A (en) * | 1988-12-07 | 1990-12-04 | General Signal Corp. | Lapping and polishing machine |
DE3929484A1 (de) * | 1989-09-05 | 1991-03-14 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum zweiseitigen chemomechanischen polieren von halbleiterscheiben, sowie vorrichtung zu seiner durchfuehrung und dadurch erhaeltliche halbleiterscheiben |
JPH04261768A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-17 | Toshiba Corp | 両面ラップ加工装置 |
JPH0592363A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-04-16 | Hitachi Ltd | 基板の両面同時研磨加工方法と加工装置及びそれを用いた磁気デイスク基板の研磨加工方法と磁気デイスクの製造方法並びに磁気デイスク |
US6099394A (en) * | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
US5389579A (en) * | 1993-04-05 | 1995-02-14 | Motorola, Inc. | Method for single sided polishing of a semiconductor wafer |
US5595529A (en) * | 1994-03-28 | 1997-01-21 | Speedfam Corporation | Dual column abrading machine |
US5643405A (en) * | 1995-07-31 | 1997-07-01 | Motorola, Inc. | Method for polishing a semiconductor substrate |
JPH10166259A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | サファイア基板研削研磨方法および装置 |
US5873772A (en) * | 1997-04-10 | 1999-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for polishing the top and bottom of a semiconductor wafer simultaneously |
JP2984263B1 (ja) * | 1998-10-23 | 1999-11-29 | システム精工株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
US6746309B2 (en) * | 1999-05-27 | 2004-06-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
JP3791302B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2006-06-28 | 株式会社Sumco | 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法 |
JP2003145412A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の研磨方法及び情報記録媒体用ガラス基板 |
JP3935757B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-06-27 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法 |
KR100932741B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2009-12-21 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 웨이퍼의 양면연마장치 및 양면연마방법 |
JP2004200526A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハ研削装置及び研削方法 |
US20040176017A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-09-09 | Aleksander Zelenski | Apparatus and methods for abrading a work piece |
KR100550491B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-02-09 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 가공 방법 |
JP4198607B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2008-12-17 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
DE102004005702A1 (de) * | 2004-02-05 | 2005-09-01 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
JP4818613B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2011-11-16 | アイオン株式会社 | 両面平面研磨装置 |
JP4751115B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-17 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 角形状基板の両面研削装置および両面研削方法 |
JP2009289925A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法、研削用定盤および研削装置 |
JP2010264537A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | キャリアプレート |
US9550264B2 (en) * | 2009-06-04 | 2017-01-24 | Sumco Corporation | Fixed abrasive-grain processing device, method of fixed abrasive-grain processing, and method for producing semiconductor wafer |
DE102009025242B4 (de) * | 2009-06-17 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe |
DE102009030292B4 (de) * | 2009-06-24 | 2011-12-01 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102010013520B4 (de) * | 2010-03-31 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
-
2013
- 2013-09-18 KR KR1020157009892A patent/KR20150056633A/ko active Search and Examination
- 2013-09-18 IN IN3023DEN2015 patent/IN2015DN03023A/en unknown
- 2013-09-18 WO PCT/US2013/060442 patent/WO2014052130A1/en active Application Filing
- 2013-09-18 US US14/030,843 patent/US20140094094A1/en not_active Abandoned
- 2013-09-18 JP JP2015534558A patent/JP6120974B2/ja active Active
- 2013-09-18 RU RU2015114097A patent/RU2015114097A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-09-18 CN CN201380058733.4A patent/CN104813448A/zh active Pending
- 2013-09-23 TW TW102134178A patent/TWI494981B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015531318A (ja) | 2015-11-02 |
IN2015DN03023A (ru) | 2015-10-02 |
KR20150056633A (ko) | 2015-05-26 |
TW201413809A (zh) | 2014-04-01 |
WO2014052130A1 (en) | 2014-04-03 |
US20140094094A1 (en) | 2014-04-03 |
CN104813448A (zh) | 2015-07-29 |
JP6120974B2 (ja) | 2017-04-26 |
TWI494981B (zh) | 2015-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2015114097A (ru) | Модифицированный процесс микрошлифования | |
JP2010283371A5 (ru) | ||
JP2017094487A (ja) | 研磨装置 | |
ATE516923T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beidseitigen polieren von halbleiterscheiben | |
CN103909465A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 | |
SG165292A1 (en) | Method of manufacturing a substrate for a magnetic disk | |
WO2015025469A1 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP2013202715A (ja) | 表面加工方法 | |
JP2012081623A (ja) | スクライビングホイール及びその製造方法 | |
JP2015104771A5 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア | |
JP2006198701A (ja) | 両面平面研磨装置 | |
TWI577502B (zh) | The method of dressing the elastic stone | |
TWM500653U (zh) | 硏磨系統及硏磨墊的組合 | |
JP2014217935A (ja) | ドレッシング工具 | |
JP5982427B2 (ja) | 両面加工装置に用いられるキャリアプレート | |
JP5613723B2 (ja) | キャリアプレートおよび円盤状基板の製造方法、円盤状基板の両面加工装置 | |
CN104526497A (zh) | 一种蓝宝石片边沿抛光方法 | |
CN104761136A (zh) | 玻璃基板的切割方法以及磁记录介质用玻璃基板的制造方法 | |
JP2014002818A5 (ru) | ||
JP6616171B2 (ja) | 研磨装置および研磨加工方法 | |
JP6231334B2 (ja) | 薄板基板の研削加工方法およびそれに用いる研削加工装置 | |
CN108735591A (zh) | 晶圆表面平坦化方法 | |
Ebina et al. | Study on grinding processing of sapphire wafer | |
CN207724098U (zh) | 卡环结构件以及化学机械研磨装置 | |
CN212095829U (zh) | 一种抛光治具装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20170418 |