TWM500653U - 硏磨系統及硏磨墊的組合 - Google Patents

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TWM500653U
TWM500653U TW103221747U TW103221747U TWM500653U TW M500653 U TWM500653 U TW M500653U TW 103221747 U TW103221747 U TW 103221747U TW 103221747 U TW103221747 U TW 103221747U TW M500653 U TWM500653 U TW M500653U
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Taiwan
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polishing
polishing pad
pad
abrasive
rate
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TW103221747U
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Inventor
Chang-Cheng Chou
Kun-Che Pai
Original Assignee
Iv Technologies Co Ltd
Taiwan Asahi Diamond Ind Co Ltd
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Description

研磨系統及研磨墊的組合
本案是有關於一種研磨系統及研磨墊的組合,該研磨系統或該組合,係透過不同性質的研磨粒子的配置,使得該研磨系統或該組合中的兩個研磨墊,具有不同的研磨速率。
隨著產業的進步,平坦化製程經常被採用為生產各種元件的製程。在平坦化製程中,化學機械研磨製程經常為產業所使用。一般來說,化學機械研磨製程是藉由供應具有化學品混合物之研磨液於研磨墊上,並對研磨物件施加一壓力以將其壓置於研磨墊上,且讓研磨物件及研磨墊彼此進行相對運動。藉由相對運動所產生的機械摩擦及研磨液的化學作用下,移除部分研磨物件之表層,而使其表面逐漸平坦,來達成平坦化的目的。
圖1是一種習知研磨墊的上視示意圖。在圖1中,研磨墊10上配置有多個溝槽11,這些溝槽11主要是用來容納或排除研磨過程中所產生的殘屑或副產物,並可使研磨物件於研磨程序完成時較容易自研磨墊上移除。在進行研磨時,研磨墊10與研磨物件12(例如為晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等)的表面相接觸,同時研磨墊10沿著旋轉方向13轉動。在研 磨墊10轉動的同時,研磨液持續地供應至研磨墊10上並流經研磨墊10與研磨物件12之間。而當研磨程序完成後,研磨物件12經研磨的表面,相較於其未經研磨時,將較為平坦。
另一方面,現行的基板對稱雙面研磨製程(例如基板的減薄技術),係利用金屬盤面(如鑄鐵盤或銅盤)搭配研磨液(內含碳化硼、碳化矽、或鑽石等粉末)針對基板進行研磨減薄。傳統上研磨減薄程序分成兩階段,第一階段是粗研磨,針對基板之上下兩面同時以大致上相同的速率(較高研磨速率)進行研磨,研磨後的基板上下表面具有大致上相同的粗糙度(較高粗糙度),一般來說基板的其中一面經過粗研磨後所得到的粗糙度未達到標準值;因此這基板接著會再換到另一機台進行第二階段的細研磨,以較低研磨速率進行研磨減薄其中一面,直到表面粗糙度達到標準值為止。如此一來,需要兩階段的研磨減薄程序會使得整體研磨時間拉長。
習知的對稱雙面研磨製程中,囿於兩研磨墊的研磨速率必須相近,但又不宜過低以避免不必要的過度研磨,致使須採取兩階段研磨減薄程序,整體研磨所需時間相對較長。
本創作提供一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,第一研磨粒子具有一第一粒徑;以及一第二研磨墊,包含一第二研磨粒子,第二研磨粒子具有一第二粒徑,且上述第二粒徑與第一粒徑不同。
本創作提供一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,第一研磨粒子在該第一研磨墊中具有一第一含量;以及一第 二研磨墊,包含一第二研磨粒子,第二研磨粒子在第二研磨墊中具有一第二含量,且上述第二含量與第一含量不同。
本創作提供一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,第一研磨粒子具有一第一材質;以及一第二研磨墊,包含一第二研磨粒子,第二研磨粒子具有一第二材質,且上述第二材質與第一材質不同。
本創作提供一種研磨系統,用以研磨一物體,物體具有一第一面及一第二面,研磨系統包括:一第一研磨墊,用以研磨第一面,其中第一研磨墊具有一第一固定研磨粒子及一第一研磨速率;以及一第二研磨墊,用以研磨第二面,其中第二研磨墊具有一第二固定研磨粒子及一第二研磨速率,上述第二研磨速率與第一研磨速率不同。
本創作提供一種研磨系統,用以研磨一物體,物體具有一上表面及一下表面,研磨系統包括:一第一研磨墊,具有一第一研磨粒子,第一研磨墊用以以一第一研磨速率研磨上表面;以及一第二研磨墊,具有一第二研磨粒子,第二研磨墊並用以以一第二研磨速率研磨下表面,其中上述第二研磨速率大於第一研磨速率。
本創作提供一種研磨墊的組合,包括:一第一研磨墊,具有一第一研磨粒子及一第一研磨速率;以及一第二研磨墊,具有一第二研磨粒子及一第二研磨速率,且上述第二研磨速率與第一研磨速率不同。
本說明書所述之「研磨速率」,係指針對研磨物件進行研磨時,減薄其厚度(即自研磨物件之表面向其內部移除一部分)之速率,故又可稱「移除速率」(Removal rate(RR))。
本說明書所述之「非對稱研磨」,係指針對研磨物件進行雙面研磨後,經研磨之兩面具有不同之粗糙度。
本說明書所述之「粗糙度」,係指以一種本技術領域量測物體表面粗糙度之習知技藝量測而得知結果。例如,本所明書所述之「粗糙度」可為中心線平均粗糙度。
本說明書所述之「相對面」,係指一物體之兩表面,且該兩表面不具有共用之邊。
本說明書所述之「相鄰面」,係指一物體之兩表面,且該兩表面至少有一共用之邊。
本創作之研磨系統或研磨墊的組合,係透過不同性質的研磨粒子的配置,使得該研磨系統或該組合中的兩個研磨墊,具有不同的研磨速率,且該兩個研磨墊用以對一物體進行雙面研磨,以達成非對稱研磨的效果。
10、22、23、41、42‧‧‧研磨墊
11、222、232、412、422‧‧‧溝槽
12、30、50‧‧‧研磨物件
13‧‧‧旋轉方向
20‧‧‧研磨系統
21‧‧‧轉軸
221、231、411、421‧‧‧研磨面
圖1是習知之一種研磨墊的上視示意圖。
圖2表示本創作之研磨系統的一實施例示意圖。
圖3表示本創作之研磨系統的一實施例側視剖面示意圖
本案的裝置與方法將可由以下的實例說明而得到充分瞭解,並使得熟習本技藝之人士可以據以完成。然本案之實施型態並不以下列實例為限。
根據本創作之研磨系統或研磨墊的組合,該研磨系統或該組合中具有兩個研磨墊。其中,係透過不同性質的研磨粒子的配置,將可使得該兩個研磨墊具有不同的研磨速率。至於該兩個研磨墊中各自研磨粒子之性質的調整,端看使用需求而定,僅以下列幾個實施例說明之。
請參閱圖2,其表示本創作之研磨系統的一實施例示意圖。在圖2所示之實施例中,研磨系統20包括轉軸21、上研磨墊22及下研磨墊23,上研磨墊22及下研磨墊23則分別具有研磨面221及研磨面231。其中,上研磨墊22及/或下研磨墊23可升降而使得研磨面221及研磨面231與研磨物件30接觸後,再沿著轉軸21旋轉,藉以透過研磨面221及研磨面231研磨研磨物件30的兩面。而研磨面221及研磨面231上,分別具有研磨溝槽222及研磨溝槽232,研磨溝槽222及研磨溝槽232則各自形成特定之表面圖案。該等表面圖案可以彼此相同或不同,當視需求而定,並無特別限制。
在上研磨墊22及下研磨墊23中,各自配置有固定於研磨面221及研磨面231的粒子(以下稱「研磨粒子」)。該等研磨粒子分別配置於研磨面221及研磨面231後,將使得上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨速率,進而使得研磨物件30在經過含有研磨粒子之研磨面221及含有研磨粒子之研磨面231的研磨後,研磨物件30經研磨的兩面,將具有不同的粗糙度(如一面較粗糙,而另一面較平坦)。也就是說,透過上下研磨面之研磨粒子的調整,而使得上下研磨墊具有不同之研磨速率後,對於研磨物件而言,將可以達到具有一細緻表面(較平坦)及一粗糙表面(較粗糙)之非對稱研磨的技術效果。
在一實施例中,研磨面221之研磨粒子與研磨面231之研磨粒 子的材質並不相同,藉以使得上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨速率。舉例來說,研磨面221之研磨粒子的材質為鑽石,而研磨面231之研磨粒子的材質則為碳化矽。但就整體角度而言,所謂材質不相同亦可透過研磨粒子的組成不同、或組成相同但含量不同來達成。例如:研磨面221之研磨粒子為鑽石粒子及碳化矽混合而成,而研磨面231之研磨粒子則為碳化硼粒子及碳化矽粒子混合而成(組成不同);研磨面221之研磨粒子為50%(w/w)的鑽石粒子及50%(w/w)碳化矽粒子混合而成,而研磨面231之研磨粒子則為95%(w/w)的鑽石粒子及5%(w/w)碳化矽粒子混合而成(組成相同但含量不同)。其中,研磨粒子材質,舉例來說,可以為鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯或其任意組合,但當不以此為限。
在一實施例中,研磨面221之研磨粒子與研磨面231之研磨粒子的粒徑並不相同,藉以使得上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨速率。具體來說,當研磨面之研磨粒子的材質為鑽石時,透過調整鑽石粒徑,確實可以使得研磨墊達到不同之研磨速率。詳請參見下表一。
在表一中,目數係指每平方英吋的研磨面被溝槽分割後所形成之方格數。目數愈高,代表研磨面之研磨粒子的粒徑愈小。而透過表一 可知,在針對相同材質的研磨物件而言,研磨粒子(鑽石)的粒徑愈小,研磨速率將愈低,但相對地可將研磨物件研磨出較平坦(細緻)之表面。也就是說,透過調整研磨面221與研磨面231之研磨粒子的粒徑,即可使得各自之研磨墊具有不同的研磨速率。其中,研磨粒子的粒徑之範圍為200μm至0.1μm。
在一實施例中,研磨面221之研磨粒子與研磨面231之研磨粒子的含量並不相同,藉以使得上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨速率。具體而言,當研磨面221與研磨面231上每單位面積所含之研磨粒子的平均數量不相同時,將可以使得各自之研磨墊具有不同之研磨速率。舉例來說,研磨粒子在一研磨墊中的含量體積比可以為5~75%(V/V,研磨粒子體積/研磨墊總體積)。
在一實施例中,研磨面221之研磨粒子與研磨面231之研磨粒子的形狀並不相同,藉以使得上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨速率。其中,研磨粒子的形狀較佳為多銳角型。
透過上述實施例可知,上下研磨墊之不同研磨速率,至少可以透過研磨粒子的材質、粒徑、含量或形狀等性質差異來達成。惟必須說明的是,上下研磨墊之不同研磨速率,並非僅能透過調整研磨粒子的單一性質(例如僅調整研磨粒子之粒徑)來達成。具體來說,當上下研磨墊各自之研磨粒子具有兩種以上之相異性質(例如材質及粒徑均不相同)時,亦可以使得上下研磨墊具有不同研磨速率,進而於研磨時產生非對稱研磨的技術效果。
另在一實施例中,上研磨墊22及下研磨墊23具有不同之研磨 速率。詳言之,上研磨墊22及下研磨墊23其中之一具有較快之研磨速率,另一則具有較慢之研磨速率。而相較於具有較快研磨速率之研磨墊,具有較慢研磨速率之研磨墊,可將研磨物件30之表面研磨地較為平坦(細緻)。而在一具體實施例中,該較快之研磨速率為大於0.5μm/分鐘,該較慢之研磨速率為小於0.5μm/分鐘,該較快及較慢之研磨速率兩者相加,則大於1μm/分鐘。
在另一實施例中,研磨面221與研磨面231分別研磨研磨物件30之第一表面及第二表面。其中,該第一表面及該第二表面為相對面(例如頂表面及相對底表面)或相鄰面(例如頂表面及與其相接之側表面)。
請參閱圖3,其表示本創作之研磨系統的一實施例側視剖面示意圖。在圖3所示之實施例中,上研磨墊41、下研磨墊42及研磨物件50均係水平設置,下研磨墊42較上研磨墊41距地面之垂直距離為近,上研磨墊41具有研磨面411,下研磨墊42具有研磨面421,研磨面411及研磨面421則分別具有研磨溝槽412及研磨溝槽422。其中,上研磨墊41及下研磨墊42具有不同之研磨速率。而同樣如圖2所示,研磨物件50具有上表面51及下表面52,其中上表面51與研磨面411接觸,下表面52則與研磨面421接觸。當上研磨墊41旋轉時,可對上表面51進行研磨,而當下研磨墊42旋轉時,即可對下表面52進行研磨。
在一實施例中,當上研磨墊41及下研磨墊42同時旋轉而對研磨物件50進行研磨時,兩研磨墊具有各自之旋轉方向及轉速。其中,上研磨墊41及下研磨墊42之旋轉方向(同自上研磨墊41往下研磨墊42方向觀察)可以相同或不同,而上研磨墊41及下研磨墊42之轉速亦可相同或不同。
在另一實施例中,上研磨墊41及下研磨墊42中,僅其中之一在旋轉,以對研磨物件50之與該旋轉研磨墊接觸之表面進行研磨。此時,另一未旋轉之研磨墊仍係抵頂於研磨物件50,以提供適當的壓抵支撐力來協助研磨程序的進行。
在另一實施例中,上研磨墊41相較於下研磨墊42,具有較低之研磨速率,因而可以將研磨物件50之上表面51研磨地較下表面52為細緻。更重要的,由於上研磨墊41及下研磨墊42將透過固定於其中的研磨粒子,對研磨物件50進行研磨,其過程中仍需注入液體(如水)於上表面51及下表面52與各研磨墊之間,以進行冷卻、潤滑、及/或將已被磨掉的物質帶離研磨物件50表面的清潔工作。其中被排出的水中,可能會含有剝落之研磨粒子,因此將上研磨墊41配置為研磨速率較低者,其所研磨出來的細緻面,將較不會受到水中剝落之研磨粒子及其他雜質所影響,而提高其粗糙度。
透過上述實施例可知,本創作更提供了一種研磨墊的組合。該研磨墊的組合包括一第一研磨墊及一第二研磨墊,該第一及第二研磨墊均配置了固定於各自研磨面上的研磨粒子。透過調整該第一及第二研磨墊中研磨粒子的性質,將可使得該第一及第二研磨墊具有不同之研磨速率。因此,利用該第一及第二研磨墊對研磨物件進行研磨後,將可使得該研磨物件具有一細緻表面(較平坦)及一粗糙表面(較粗糙),進而達到非對稱研磨的技術效果。其中,所謂調整該第一及第二研磨墊中研磨粒子的性質,至少可以為調整研磨粒子的材質、粒徑、含量及/或形狀等,惟當不限於此。
在一實施例中,一基板係透過上述之研磨系統實施例或研磨 墊的組合實施例進行研磨。詳言之,由於基板在實際應用上,只需將其中之一表面進行至拋光階段,另一面的表面品質要求相對不高,故可利用本創作之研磨系統實施例或研磨墊的組合實施例,進行非對稱研磨之製程,將基板研磨成具有一細緻表面及一較粗糙表面之狀態,其中該細緻表面之粗糙度可達硬拋光後之表面,如此將可有效減少後續拋光製程所需消耗之時間及原料成本。
再者,以本創作之研磨系統實施例或研磨墊的組合實施例,針對研磨物件進行非對稱研磨之製程,將可實現在同一機台上對研磨物件完成非對稱研磨的效果。故本創作之研磨系統或研磨墊的組合,將可改善習知非對稱研磨之製程中,需先將研磨物件之兩面於一機台研磨成較粗糙表面,再將此研磨物件移至另一機台進行單一面的細緻研磨(拋光)之缺點。換言之,本創作之研磨系統或研磨墊的組合,不但降低了習知非對稱研磨製程所需時間及複雜度,更節省了進行單一面細緻研磨機台之成本與空間。
此外,上述各實施例中所述之研磨系統或研磨墊的組合,可應用於製造工業元件之研磨製程,例如是應用於電子產業之元件,可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件,而製作這些元件所使用的研磨物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基板、藍寶石基板、高分子聚合物基板、及玻璃基板等,但並非用以限定本創作之範圍。
惟值得注意,縱使本案已由上述之實例所詳細敘述,而可由在此領域具通常知識者任施匠思而為諸般修飾,然該等修飾皆不脫離如附 實施例所欲保護者。
20‧‧‧研磨系統
21‧‧‧轉軸
22、23‧‧‧研磨墊
221、231‧‧‧研磨面
222、232‧‧‧溝槽
30‧‧‧研磨物件

Claims (45)

  1. 一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,該第一研磨粒子具有一第一粒徑;以及一第二研磨墊,包含一第二研磨粒子,該第二研磨粒子具有一第二粒徑,且該第二粒徑與該第一粒徑不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之研磨系統,其中該第一研磨粒子之材質與該第二研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之研磨系統,其中該第一粒徑與該第二粒徑之範圍皆為200μm至0.1μm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊、該第一研磨粒子、該第二研磨墊及該第二研磨粒子各自具有一體積,該第一研磨粒子之體積佔該第一研磨墊之體積的5~75%,該第二研磨粒子之體積佔該第二研磨墊之體積的5~75%。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨速率,該第二研磨墊具有一第二研磨速率,該第一研磨速率與該第二研磨速率不同。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊及該第二研磨墊用以研磨一物體,該物體具有一第一面及一第二面,該第一研磨墊以一第一研磨速率研磨該第一面,該第二研磨墊以一第二研磨速率研磨該第二面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊研磨該第 一面,同時該第二研磨墊研磨該第二面,該第一面及該第二面為不同面。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之研磨系統,其中經研磨之該第一面及經研磨之該第二面具有不同之粗糙度。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一研磨粒子,用以研磨該物體之該第一面,該第二研磨面包含該第二研磨粒子,用以研磨該物體之該第二面。
  10. 一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,該第一研磨粒子在該第一研磨墊中具有一第一含量;以及一第二研磨墊,包含一第二研磨粒子,該第二研磨粒子在該第二研磨墊中具有一第二含量,且該第二含量與該第一含量不同。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之研磨系統,其中該第一研磨粒子之材質與該第二研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  12. 如申請專利範圍第10或11項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨速率,該第二研磨墊具有一第二研磨速率,該第一研磨速率與該第二研磨速率不同。
  13. 如申請專利範圍第10或11項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊及該第二研磨墊用以研磨一物體,該物體具有一第一面及一第二面,該第一研磨墊以一第一研磨速率研磨該第一面,該第二研磨墊以一第二研磨速率研磨該第二面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊研磨該第一面,同時該第二研磨墊研磨該第二面,該第一面及該第二面為不同面。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之研磨系統,其中經研磨之該第一面及經研磨之該第二面具有不同之粗糙度。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一研磨粒子,用以研磨該物體之該第一面,該第二研磨面包含該第二研磨粒子,用以研磨該物體之該第二面。
  17. 一種研磨系統,包括:一第一研磨墊,包含一第一研磨粒子,該第一研磨粒子具有一第一材質;以及一第二研磨墊,包含一第二研磨粒子,該第二研磨粒子具有一第二材質,且該第二材質與該第一材質不同。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之研磨系統,其中該第一研磨粒子之材質與該第二研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  19. 如申請專利範圍第17或18項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨速率,該第二研磨墊具有一第二研磨速率,該第一研磨速率與該第二研磨速率不同。
  20. 如申請專利範圍第17或18項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊及該第二研磨墊用以研磨一物體,該物體具有一第一面及一第二面,該第一研磨墊以一第一研磨速率研磨該第一面,該第二研磨墊 以一第二研磨速率研磨該第二面。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊研磨該第一面,同時該第二研磨墊研磨該第二面,該第一面及該第二面為不同面。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之研磨系統,其中經研磨之該第一面及經研磨之該第二面具有不同之粗糙度。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一研磨粒子,用以研磨該物體之該第一面,該第二研磨面包含該第二研磨粒子,用以研磨該物體之該第二面。
  24. 一種研磨系統,用以研磨一物體,該物體具有一第一面及一第二面,該研磨系統包括:一第一研磨墊,用以研磨該第一面,其中該第一研磨墊具有一第一固定研磨粒子及一第一研磨速率;以及一第二研磨墊,用以研磨該第二面,其中該第二研磨墊具有一第二固定研磨粒子及一第二研磨速率,該第二研磨速率與該第一研磨速率不同。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之研磨系統,其中該第一固定研磨粒子與該第二固定研磨粒子具有不同之一性質,該性質選自由材質、粒徑、含量、形狀及其組合所組成之群組其中之一。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之研磨系統,其中該第一固定研磨粒子之材質與該第二固定研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  27. 如申請專利範圍第24至26項中任一項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊以該第一研磨速率研磨該第一面,同時該第二研磨墊以該第二研磨速率研磨該第二面,該第一面及該第二面為不同面。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之研磨系統,其中該第一面及該第二面為相對面,且該第一面及該第二面不相鄰。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之研磨系統,其中該第一面及該第二面為相鄰面。
  30. 如申請專利範圍第24至26項中任一項所述之研磨系統,其中經研磨之該第一面及經研磨之該第二面具有不同之粗糙度。
  31. 如申請專利範圍第24至26項中任一項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一固定研磨粒子,用以研磨該物體之該第一面,該第二研磨面包含該第二固定研磨粒子,用以研磨該物體之該第二面。
  32. 一種研磨系統,用以研磨一物體,該物體具有一上表面及一下表面,該研磨系統包括:一第一研磨墊,具有一第一研磨粒子,該第一研磨墊用以以一第一研磨速率研磨該上表面;以及一第二研磨墊,具有一第二研磨粒子,該第二研磨墊並用以以一第二研磨速率研磨該下表面,其中該第二研磨速率大於該第一研磨速率。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之研磨系統,其中該第一研磨粒子與該第二研磨粒子具有不同之一性質,該性質選自由材質、粒徑、含量、形狀及其組合所組成之群組其中之一。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之研磨系統,其中該第一研磨粒子之材質與該第二研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之研磨系統,其中該上表面及該下表面為相對面。
  36. 如申請專利範圍第32至35項中任一項所述之研磨系統,其中經研磨之該上表面及經研磨之該下表面具有不同之粗糙度。
  37. 如申請專利範圍第32至35項中任一項所述之研磨系統,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一研磨粒子,用以研磨該物體之該上表面,該第二研磨面包含該第二研磨粒子,用以研磨該物體之該下表面。
  38. 一種研磨墊的組合,包括:一第一研磨墊,具有一第一研磨粒子及一第一研磨速率;以及一第二研磨墊,具有一第二研磨粒子及一第二研磨速率,且該第二研磨速率與該第一研磨速率不同。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之研磨墊的組合,其中該第一研磨粒子與該第二研磨粒子具有不同之一性質,該性質選自由材質、粒徑、含量、形狀及其組合所組成之群組其中之一。
  40. 如申請專利範圍第38項所述之研磨墊的組合,其中該第一研磨粒子之材質與該第二研磨粒子之材質各自獨立地選自由鑽石、氮化硼、碳化硼、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化矽、氧化鋯及其任意組合所組成的群組其中之一。
  41. 如申請專利範圍第38至40項中任一項所述之研磨墊的組合,其中 該第一研磨墊及該第二研磨墊用以研磨一物體,該物體具有一第一面及一第二面,該第一研磨墊以該第一研磨速率研磨該第一面,同時該第二研磨墊以該第二研磨速率研磨該第二面,該第一面及該第二面為不同面。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之研磨墊的組合,其中該第一面及該第二面為相對面,且該第一面及該第二面不相鄰。
  43. 如申請專利範圍第41項所述之研磨墊的組合,其中該第一面及該第二面為相鄰面。
  44. 如申請專利範圍第41項所述之研磨墊的組合,其中經研磨之該第一面及經研磨之該第二面具有不同之粗糙度。
  45. 如申請專利範圍第41項所述之研磨墊的組合,其中該第一研磨墊具有一第一研磨面,該第二研磨墊具有一第二研磨面,該第一研磨面包含該第一研磨粒子,用以研磨該物體之該第一面,該第二研磨面包含該第二研磨粒子,用以研磨該物體之該第二面。
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