CN103909465B - 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 - Google Patents
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- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000004018 waxing Methods 0.000 claims description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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Abstract
本发明涉及一种大尺寸蓝宝石衬底片的单面研磨抛光的方法,包括使用液态蜡将蓝宝石衬底片贴付于直径为576mm的陶瓷盘上;使用铜盘研磨机进行研磨,铜盘研磨机磨盘直径为1440mm,材质为延压纯铜,通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差;使用抛光机进行抛光,抛光机磨盘直径为1440mm,磨盘上贴有抛光布,通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差。本发明有效解决大尺寸蓝宝石衬底片在大型设备上加工时内外去除速率不一致的问题,加工后蓝宝石衬底片厚度差在≤3μm,LTV(7mm×7mm)<2μm。
Description
技术领域
本发明属于半导体照明技术领域,特别是涉及一种大尺寸蓝宝石衬底片的单面研磨抛光的方法。
技术背景
蓝宝石材料是氮化物半导体衬底、集成电路衬底的首选材料,随着半导体照明产业的飞速发展,对蓝宝石衬底片的品质要求越来越高,尺寸需求越来越大,由原来的2英寸蓝宝石衬底逐步向4英寸、6英寸,甚至8英寸发展。
通常蓝宝石衬底的减薄主要包括粘片、铜盘研磨、抛光、去蜡、清洗等步骤,其中铜盘研磨过程中,由于盘面变形,晶片内外圈去除速度不一致,只能使用小型研磨设备进行加工,加工大尺寸蓝宝石衬底时产能低、晶片厚度差较差,大批量、高品质的大尺寸蓝宝石衬底生产仍面临诸多挑战。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的蓝宝石衬底片研磨抛光工艺方法,该加工方法可有效解决大尺寸蓝宝石减薄过程的厚度差问题及平坦度问题,且加工一致性好,工艺简单,能有效延长耗材使用寿命及降低成本,实现大尺寸蓝宝石衬底片的大批量生产。
为实现上述目的,本发明的技术方案是:一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,依次包括上蜡贴片、铜盘研磨和抛光步骤,其中:
⑴上蜡贴片:使用液态蜡将蓝宝石衬底片贴付于直径为576mm的陶瓷盘上;
⑵铜盘研磨:使用铜盘研磨机进行研磨,所述铜盘研磨机磨盘直径为1440mm,材质为延压纯铜,所述铜盘研磨机磨头具有对应于整体加压和中心加压的双气缸结构;通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差;
⑶抛光:使用抛光机进行抛光,所述抛光机磨盘直径为1440mm,磨盘上贴有抛光布,所述抛光机磨头具有对应于整体加压和中心加压的双气缸结构;通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差。
所述上蜡贴片步骤中,对于4寸蓝宝石晶片,贴付18片;对于6寸蓝宝石晶片,贴付7片;对于8寸蓝宝石晶片,贴付5片。
所述上蜡贴片步骤中,所述贴付是使用液态蜡进行全自动贴片,甩蜡时转速为1000~3000rpm,贴片后蜡层厚度<2μm。
所述铜盘研磨步骤中,采用粒径为3~6μm的钻石研磨液,磨盘转速为30~50rpm,研磨温度为30~40℃。
所述铜盘研磨步骤中,整体压力为300~500g/cm2,中心加压为0~400g/cm2。
所述抛光步骤中,采用粒径为60~120nm的二氧化硅抛光液,磨盘转速为30~50rpm,抛光温度为30~45℃。
所述抛光步骤中,整体压力为300~400g/cm2,中心加压为0~400g/cm2。
本发明使用的铜盘研磨机磨头具有双气缸加压功能,通过调整整体压力控制研磨速度,通过增加中心压力值增加蓝宝石衬底片在陶瓷盘内圈的压力,加快蓝宝石衬底片内圈去除速度,使蓝宝石衬底片内外圈去除量基本一致,确保加工后蓝宝石衬底片厚度差。同样地,本发明使用的抛光机磨头具有双气缸加压功能,通过调整整体压力控制抛光速度,通过增加中心压力值增加蓝宝石衬底片在陶瓷盘内圈的压力,加快蓝宝石衬底片内圈去除速度,使蓝宝石衬底片内外圈去除量基本一致,确保加工后蓝宝石衬底片厚度差。
本发明的有益效果是,在本发明的蓝宝石石衬底片单面研磨抛光过程中,采用了磨头双气缸加压方式,通过中心压力值的调整,有效解决大尺寸蓝宝石衬底片在大型设备上加工时内外去除速率不一致的问题,加工后蓝宝石衬底片厚度差在≤3um,LTV(7mm×7mm)<2μm。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明蓝宝石衬底片的研磨抛光工艺作进一步描述:
实施例1:
⑴上蜡贴片:使用液态蜡将蓝宝石衬底片贴付于直径576mm的陶瓷盘上,甩蜡时转速为2000rpm,加工4块陶瓷盘共72片4英寸蓝宝石衬底片。
⑵铜盘研磨:将4块陶瓷盘上的72片蓝宝石衬底片投入磨盘直径为1440mm的铜盘研磨机进行加工,采用粒径为3μm的钻石研磨液,研磨过程中磨盘转速为45rpm,整体压力为400g/cm2,中心加压为250g/cm2,研磨温度为35℃。加工后单片蓝宝石衬底片厚度差为2μm,所有72枚4寸蓝宝石衬底片厚度差为5μm。
⑶抛光:使用粒径为80nm的二氧化硅抛光液对72枚经铜盘研磨后的蓝宝石衬底片进行加工,抛光机磨盘直径为1440mm,磨盘上贴有抛光布,抛光过程中磨盘转速为45rpm,整体压力为300g/cm2,中心加压为150g/cm2,抛光温度为37℃。加工后单片蓝宝石衬底片厚度差为1μm,LTV(7mm×7mm)为1.1μm,所有72枚4寸蓝宝石衬底片厚度差为5μm。
实施例2:
⑴上蜡贴片:使用液态蜡将蓝宝石衬底片贴付于直径576mm的陶瓷盘上,甩蜡时转速为3000rpm,加工4块陶瓷盘共28片6英寸蓝宝石衬底片。
⑵铜盘研磨:将4块陶瓷盘上的28片蓝宝石衬底片投入磨盘直径为1440mm的铜盘研磨机进行加工,采用粒径为3μm的钻石研磨液,研磨过程中磨盘转速为45rpm,整体压力为400g/cm2,中心加压为300g/cm2,研磨温度为37℃。加工后单片蓝宝石衬底片厚度差为3μm,所有28枚6寸蓝宝石衬底片厚度差为4μm。
⑶抛光:使用粒径为80nm的二氧化硅抛光液对72枚经铜盘研磨后的蓝宝石衬底片进行加工,抛光机磨盘直径为1440mm,磨盘上贴有抛光布,抛光过程中磨盘转速为45rpm,整体压力为300g/cm2,中心加压为250g/cm2,抛光温度为38℃。加工后单片蓝宝石衬底片厚度差为3μm,LTV(7mm×7mm)为1.3μm,所有28枚6寸蓝宝石衬底片厚度差为5μm。
Claims (7)
1.一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,依次包括上蜡贴片、铜盘研磨和抛光步骤,其特征在于,其中:
⑴上蜡贴片:使用液态蜡将蓝宝石衬底片贴付于直径为576mm的陶瓷盘上;
⑵铜盘研磨:使用铜盘研磨机进行研磨,所述铜盘研磨机磨盘直径为1440mm,材质为延压纯铜,所述铜盘研磨机磨头具有对应于整体加压和中心加压的双气缸结构;通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差;
⑶抛光:使用抛光机进行抛光,所述抛光机磨盘直径为1440mm,磨盘上贴有抛光布,所述抛光机磨头具有对应于整体加压和中心加压的双气缸结构;通过调整整体压力和中心加压控制蓝宝石衬底片厚度差。
2.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述上蜡贴片步骤中,对于4寸蓝宝石晶片,贴付18片;对于6寸蓝宝石晶片,贴付7片;对于8寸蓝宝石晶片,贴付5片。
3.根据权利要求1或2所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述上蜡贴片步骤中,所述贴付是使用液态蜡进行全自动贴片,甩蜡时转速为1000~3000rpm,贴片后蜡层厚度<2μm。
4.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述铜盘研磨步骤中,采用粒径为3~6μm的钻石研磨液,磨盘转速为30~50rpm,研磨温度为30~40℃。
5.根据权利要求1或4所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述铜盘研磨步骤中,整体压力为300~500g/cm2,中心加压为0~400g/cm2。
6.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述抛光步骤中,采用粒径为60~120nm的二氧化硅抛光液,磨盘转速为30~50rpm,抛光温度为30~45℃。
7.根据权利要求1或6所述的大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法,其特征在于:所述抛光步骤中,整体压力为300~400g/cm2,中心加压为0~400g/cm2。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410130284.6A CN103909465B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410130284.6A CN103909465B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103909465A CN103909465A (zh) | 2014-07-09 |
CN103909465B true CN103909465B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=51035632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410130284.6A Active CN103909465B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103909465B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104015122A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石面板的双面铜盘研磨工艺 |
CN105128158A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-12-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石晶片的贴片方法 |
CN106737130A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 苏州爱彼光电材料有限公司 | 蓝宝石基板研磨装置 |
CN110153872B (zh) * | 2018-02-14 | 2021-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 研磨系统、晶片夹持装置及晶片的研磨方法 |
CN109732462A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-10 | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 | 一种大尺寸晶片的加工方法 |
CN110434681B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-09-07 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大口径蓝宝石窗口元件的双面高精度抛光方法 |
CN111211040A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-05-29 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 圆片减薄的方法、治具及上蜡装置 |
CN114378645A (zh) * | 2020-10-16 | 2022-04-22 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种高平坦度抛光片的制备工艺 |
CN113275956A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-08-20 | 南京超晶光电新材料科技研究院有限公司 | 一种非球面超硬材料研磨抛光方法 |
CN113829221A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-24 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 | 一种改善薄片抛光波纹不良方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1569396A (zh) * | 2003-07-16 | 2005-01-26 | 上海新华霞实业有限公司 | 光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺 |
CN101327575A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | 华邦电子股份有限公司 | 研磨头 |
CN101722469A (zh) * | 2008-10-13 | 2010-06-09 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7071106B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for CMP removal rate compensation |
-
2014
- 2014-04-02 CN CN201410130284.6A patent/CN103909465B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103909465A (zh) | 2014-07-09 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |