CN204748298U - 研磨系统及研磨垫的组合件 - Google Patents

研磨系统及研磨垫的组合件 Download PDF

Info

Publication number
CN204748298U
CN204748298U CN201520401968.5U CN201520401968U CN204748298U CN 204748298 U CN204748298 U CN 204748298U CN 201520401968 U CN201520401968 U CN 201520401968U CN 204748298 U CN204748298 U CN 204748298U
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
pad
polishing particles
rate
grinding pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520401968.5U
Other languages
English (en)
Inventor
周章诚
白昆哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Asahi Diamond Industrial Co ltd
IV Technologies Co Ltd
Original Assignee
Taiwan Asahi Diamond Industrial Co ltd
IV Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Asahi Diamond Industrial Co ltd, IV Technologies Co Ltd filed Critical Taiwan Asahi Diamond Industrial Co ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN204748298U publication Critical patent/CN204748298U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本实用新型涉及一种研磨系统,包括:第一研磨垫,包含第一研磨粒子,该第一研磨粒子具有第一粒径;以及第二研磨垫,包含第二研磨粒子,该第二研磨粒子具有第二粒径,且该第二粒径与该第一粒径不同。还涉及一种研磨垫的组合件,包括:具有第一研磨粒子及第一研磨速率的第一研磨垫;以及具有第二研磨粒子及不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。本实用新型的研磨系统和研磨垫的组合件克服了现有技术中对称双面研磨制程中,须采取两阶段研磨减薄程序从而整体研磨所需时间相对较长的缺陷,缩短了整体研磨所需时间。

Description

研磨系统及研磨垫的组合件
技术领域
本实用新型涉及一种研磨系统及研磨垫的组合件,该研磨系统或该组合件通过不同性质的研磨粒子的配置,使得该研磨系统或该组合件中的两个研磨垫具有不同的研磨速率。
背景技术
随着产业的进步,平坦化制程经常被采用为生产各种组件的制程。在平坦化制程中,化学机械研磨制程经常为产业所使用。一般来说,化学机械研磨制程是借助于供应具有化学品混合物的研磨液于研磨垫上,并对研磨物件施加一压力以将其压置于研磨垫上,且让研磨对象及研磨垫彼此进行相对运动。借助于相对运动所产生的机械摩擦及研磨液的化学作用下,移除部分研磨对象的表层,而使其表面逐渐平坦,来达成平坦化的目的。
图1是一种熟知的研磨垫的上视示意图。在图1中,研磨垫10上配置有多个沟槽11,这些沟槽11主要是用来容纳或排除研磨过程中所产生的残屑或副产物,并可使研磨对象于研磨程序完成时较容易自研磨垫上移除。在进行研磨时,研磨垫10与研磨对象12(例如为晶圆、玻璃基板、蓝宝石基板等)的表面相接触,同时研磨垫10沿着旋转方向13转动。在研磨垫10转动的同时,研磨液持续地供应至研磨垫10上并流经研磨垫10与研磨对象12之间。而当研磨程序完成后,研磨对象12经研磨的表面,相较于其未经研磨时,将较为平坦。
另一方面,现行的基板对称双面研磨制程(例如基板的减薄技术),利用金属盘面(如铸铁盘或铜盘)搭配研磨液(内含碳化硼、碳化硅、或钻石等粉末)针对基板进行研磨减薄。传统上研磨减薄程序分成两阶段,第一阶段是粗研磨,针对基板的上下两面同时以大致上相同的速率(较高研磨速率)进行研磨,研磨后的基板上下表面具有大致上相同的粗糙度(较高粗糙度),一般来说基板的其中一面经过粗研磨后所得到的粗糙度未达到标准值;因此这基板接着会再换到另一机台进行第二阶段的细研磨,以较低研磨速率进行研磨减薄其中一面,直到表面粗糙度达到标准值为止。如此一来,需要两阶段的研磨减薄程序会使得整体研磨时间拉长。
实用新型内容
熟知的对称双面研磨制程中,限于两研磨垫的研磨速率必须相近,但又不宜过低以避免不必要的过度研磨,致使须采取两阶段研磨减薄程序,整体研磨所需时间相对较长。本实用新型通过提供研磨系统和研磨垫的组合件来克服现有技术中的缺陷。
本实用新型提供一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含第一研磨粒子,该第一研磨粒子具有第一粒径;以及
第二研磨垫,包含第二研磨粒子,该第二研磨粒子具有第二粒径,且该第二粒径与该第一粒径不同。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一粒径与该第二粒径的范围皆为200μm至0.1μm。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫、该第一研磨粒子、该第二研磨垫及该第二研磨粒子各自具有体积,该第一研磨粒子的体积占该第一研磨垫的体积的5~75%,该第二研磨粒子的体积占该第二研磨垫的体积的5~75%。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
本实用新型提供一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含在该第一研磨垫中具有第一体积含量的第一研磨粒子;以及
第二研磨垫,包含在该第二研磨垫中具有不同于第一体积含量的第二体积含量第二研磨粒子。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
本实用新型提供一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含具有第一材料的第一研磨粒子;以及
第二研磨垫,包含具有不同于该第一材料的第二材料的第二研磨粒子。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
本实用新型提供一种用以研磨物体的研磨系统,该物体具有第一面及第二面,其特征在于,该研磨系统包括:
用以研磨该第一面的第一研磨垫,其中该第一研磨垫具有第一固定研磨粒子及第一研磨速率;以及
用以研磨该第二面的第二研磨垫,其中该第二研磨垫具有第二固定研磨粒子及不同于该第一研磨速率的第二研磨速率。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括彼此具有不同性质的第一固定研磨粒子与第二固定研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一固定研磨粒子的材料与该第二固定研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括以该第一研磨速率研磨该第一面的第一研磨垫,以及同时以该第二研磨速率研磨该第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一面及该第二面为相对面,且该第一面及该第二面不相邻。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一面及该第二面为相邻面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以研磨该第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以研磨该第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一固定研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二固定研磨粒子。
本实用新型提供一种用以研磨物体的研磨系统,该物体具有上表面及下表面,其特征在于,该研磨系统包括:
用以以第一研磨速率研磨该上表面的第一研磨垫,该第一研磨垫具有第一研磨粒子;以及
用以以大于该第一研磨速率的第二研磨速率研磨该下表面的第二研磨垫,该第二研磨垫具有第二研磨粒子。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括彼此具有不同的性质第一研磨粒子和第二研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该上表面及该下表面为相对面。
特别是,上述研磨系统其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨该上表面以使得经研磨的该上表面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨该下表面以使得经研磨的该下表面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
特别是,上述研磨系统其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该上表面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该下表面的该第二研磨粒子。
本实用新型提供一种研磨垫的组合件,其特征在于,包括:
具有第一研磨粒子及第一研磨速率的第一研磨垫;以及
具有第二研磨粒子及不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,包括彼此具有不同的性质的该第一研磨粒子与该第二研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,包括用以以该第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以该第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,该第一面及该第二面为相对面,且该第一面及该第二面不相邻。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,该第一面及该第二面为相邻面。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,包括用以以该第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以同时以该第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
特别是,上述研磨垫的组合件其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
本说明书所述的「研磨速率」,是指针对研磨对象进行研磨时,减薄其厚度(即自研磨对象的表面向其内部移除一部分)的速率,故又可称「移除速率」(Removalrate(RR))。
本说明书所述的「非对称研磨」,是指针对研磨对象进行双面研磨后,经研磨的两面具有不同的粗糙度。
本说明书所述的「粗糙度」,是指以一种本技术领域量测物体表面粗糙度的熟知技艺量测而得知结果。例如,本所明书所述的「粗糙度」可为中心线平均粗糙度。
本说明书所述的「相对面」,是指物体的两表面,且该两表面不具有共享的边。
本说明书所述的「相邻面」,是指物体的两表面,且该两表面至少有一共享的边。
本实用新型的研磨系统或研磨垫的组合件通过不同性质的研磨粒子的配置,使得该研磨系统或该组合件中的两个研磨垫,具有不同的研磨速率,且该两个研磨垫用以对物体进行双面研磨,以达成非对称研磨的效果。
附图说明
图1是熟知的一种研磨垫的上视示意图。
图2表示本实用新型的研磨系统的一实施例示意图。
图3表示本实用新型的研磨系统的一实施例侧视剖面示意图。
具体实施方式
本实用新型的装置与方法将可由以下的实例说明而得到充分了解,并使得熟习本技艺的人士可以据以完成。然本实用新型的实施方式并不以下列实例为限。
根据本实用新型的研磨系统或研磨垫的组合件,该研磨系统或该组合件中具有两个研磨垫。其中,通过不同性质的研磨粒子的配置,将可使得该两个研磨垫具有不同的研磨速率。至于该两个研磨垫中各自研磨粒子的性质的调整,端看使用需求而定,仅以下列几个实施例说明之。
请参阅图2,其表示本实用新型的研磨系统的一实施例示意图。在图2所示的实施例中,研磨系统20包括转轴21、上研磨垫22及下研磨垫23,上研磨垫22及下研磨垫23则分别具有研磨面221及研磨面231。其中,上研磨垫22及/或下研磨垫23可升降而使得研磨面221及研磨面231与研磨对象30接触后,再沿着转轴21旋转,借以通过研磨面221及研磨面231研磨研磨物件30的两面。而在研磨面221及研磨面231上,分别具有研磨沟槽222及研磨沟槽232,研磨沟槽222及研磨沟槽232则各自形成特定的表面图案。所述表面图案可以彼此相同或不同,当视需求而定,并无特别限制。
在上研磨垫22及下研磨垫23中,各自配置有固定于研磨面221及研磨面231的粒子(以下称「研磨粒子」)。所述研磨粒子分别配置于研磨面221及研磨面231后,将使得上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率,进而使得研磨对象30在经过含有研磨粒子的研磨面221及含有研磨粒子的研磨面231的研磨后,研磨对象30经研磨的两面,将具有不同的粗糙度(如一面较粗糙,而另一面较平坦)。也就是说,通过上下研磨面的研磨粒子的调整,而使得上下研磨垫具有不同的研磨速率后,对于研磨对象而言,将可以达到具有一细致表面(较平坦)及一粗糙表面(较粗糙)的非对称研磨的技术效果。
在一实施例中,研磨面221的研磨粒子与研磨面231的研磨粒子的材质并不相同,借以使得上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率。举例来说,研磨面221的研磨粒子的材料为钻石,而研磨面231的研磨粒子的材料则为碳化硅。但就整体角度而言,所谓材质不相同亦可通过研磨粒子的组成不同、或组成相同但含量不同来达成。例如:研磨面221的研磨粒子为钻石粒子及碳化硅混合而成,而研磨面231的研磨粒子则为碳化硼粒子及碳化硅粒子混合而成(组成不同);研磨面221的研磨粒子为50%(w/w)的钻石粒子及50%(w/w)碳化硅粒子混合而成,而研磨面231的研磨粒子则为95%(w/w)的钻石粒子及5%(w/w)碳化硅粒子混合而成(组成相同但含量不同)。其中,研磨粒子材料,举例来说,可以为钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆或其任意组合,但当不以此为限。
在一实施例中,研磨面221的研磨粒子与研磨面231的研磨粒子的粒径并不相同,借以使得上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率。具体来说,当研磨面的研磨粒子的材料为钻石时,通过调整钻石粒径,确实可以使得研磨垫达到不同的研磨速率。详请参见下表一。
表一
在表一中,目数是指每平方英寸的研磨面被沟槽分割后所形成的方格数。目数愈高,代表研磨面的研磨粒子的粒径愈小。而通过表一可知,在针对相同材料的研磨对象而言,研磨粒子(钻石)的粒径愈小,研磨速率将愈低,但相对地可将研磨对象研磨出较平坦(细致)的表面。也就是说,通过调整研磨面221与研磨面231的研磨粒子的粒径,即可使得各自的研磨垫具有不同的研磨速率。其中,研磨粒子的粒径的范围为200μm至0.1μm。
在一实施例中,研磨面221的研磨粒子与研磨面231的研磨粒子的含量并不相同,借以使得上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率。具体而言,当研磨面221与研磨面231上每单位面积所含的研磨粒子的平均数量不相同时,将可以使得各自的研磨垫具有不同的研磨速率。举例来说,研磨粒子在一研磨垫中的含量体积比可以为5~75%(V/V,研磨粒子体积/研磨垫总体积)。
在一实施例中,研磨面221的研磨粒子与研磨面231的研磨粒子的形状并不相同,借以使得上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率。其中,研磨粒子的形状较佳为多锐角型。
通过上述实施例可知,上下研磨垫的不同研磨速率,至少可以通过研磨粒子的材质、粒径、含量或形状等性质差异来达成。惟必须说明的是,上下研磨垫的不同研磨速率,并非仅能通过调整研磨粒子的单一性质(例如仅调整研磨粒子的粒径)来达成。具体来说,当上下研磨垫各自的研磨粒子具有两种以上的相异性质(例如材质及粒径均不相同)时,亦可以使得上下研磨垫具有不同研磨速率,进而于研磨时产生非对称研磨的技术效果。
另在一实施例中,上研磨垫22及下研磨垫23具有不同的研磨速率。详言之,上研磨垫22及下研磨垫23其中之一具有较快的研磨速率,另一则具有较慢的研磨速率。而相较于具有较快研磨速率的研磨垫,具有较慢研磨速率的研磨垫,可将研磨对象30的表面研磨地较为平坦(细致)。而在一具体实施例中,该较快的研磨速率为大于0.5μm/分钟,该较慢的研磨速率为小于0.5μm/分钟,该较快及较慢的研磨速率两者相加,则大于1μm/分钟。
在另一实施例中,研磨面221与研磨面231分别研磨研磨对象30的第一表面及第二表面。其中,该第一表面及该第二表面为相对面(例如顶表面及相对底表面)或相邻面(例如顶表面及与其相接的侧表面)。
请参阅图3,其表示本实用新型的研磨系统的一实施例侧视剖面示意图。在图3所示的实施例中,上研磨垫41、下研磨垫42及研磨对象50均为水平设置,下研磨垫42较上研磨垫41距地面的垂直距离为近,上研磨垫41具有研磨面411,下研磨垫42具有研磨面421,研磨面411及研磨面421则分别具有研磨沟槽412及研磨沟槽422。其中,上研磨垫41及下研磨垫42具有不同的研磨速率。而同样如图2所示,研磨对象50具有上表面51及下表面52,其中上表面51与研磨面411接触,下表面52则与研磨面421接触。当上研磨垫41旋转时,可对上表面51进行研磨,而当下研磨垫42旋转时,即可对下表面52进行研磨。
在一实施例中,当上研磨垫41及下研磨垫42同时旋转而对研磨对象50进行研磨时,两研磨垫具有各自的旋转方向及转速。其中,上研磨垫41及下研磨垫42的旋转方向(同自上研磨垫41往下研磨垫42方向观察)可以相同或不同,而上研磨垫41及下研磨垫42的转速亦可相同或不同。
在另一实施例中,上研磨垫41及下研磨垫42中,仅其中之一在旋转,以对研磨对象50的与该旋转研磨垫接触的表面进行研磨。此时,另一未旋转的研磨垫仍抵顶于研磨对象50,以提供适当的压抵支撑力来协助研磨程序的进行。
在另一实施例中,上研磨垫41相较于下研磨垫42,具有较低的研磨速率,因而可以将研磨对象50的上表面51研磨地较下表面52为细致。更重要的,由于上研磨垫41及下研磨垫42将通过固定于其中的研磨粒子,对研磨对象50进行研磨,其过程中仍需注入液体(如水)于上表面51及下表面52与各研磨垫之间,以进行冷却、润滑、及/或将已被磨掉的物质带离研磨对象50表面的清洁工作。其中被排出的水中,可能会含有剥落的研磨粒子,因此将上研磨垫41配置为研磨速率较低者,其所研磨出来的细致面,将较不会受到水中剥落的研磨粒子及其他杂质所影响,而提高其粗糙度。
通过上述实施例可知,本实用新型更提供了一种研磨垫的组合件。该研磨垫的组合件包括第一研磨垫及第二研磨垫,该第一及第二研磨垫均配置了固定于各自研磨面上的研磨粒子。通过调整该第一及第二研磨垫中研磨粒子的性质,将可使得该第一及第二研磨垫具有不同的研磨速率。因此,利用该第一及第二研磨垫对研磨对象进行研磨后,将可使得该研磨对象具有一细致表面(较平坦)及一粗糙表面(较粗糙),进而达到非对称研磨的技术效果。其中,所谓调整该第一及第二研磨垫中研磨粒子的性质,至少可以为调整研磨粒子的材质、粒径、含量及/或形状等,惟当不限于此。
在一实施例中,一基板系通过上述的研磨系统实施例或研磨垫的组合件实施例进行研磨。详言之,由于基板在实际应用上,只需将其中之一表面进行至抛光阶段,另一面的表面质量要求相对不高,故可利用本实用新型的研磨系统实施例或研磨垫的组合件实施例,进行非对称研磨的制程,将基板研磨成具有一细致表面及一较粗糙表面的状态,其中该细致表面的粗糙度可达硬抛光后的表面,如此将可有效减少后续抛光制程所需消耗的时间及原料成本。
再者,以本实用新型的研磨系统实施例或研磨垫的组合件实施例,针对研磨对象进行非对称研磨的制程,将可实现在同一机台上对研磨对象完成非对称研磨的效果。故本实用新型的研磨系统或研磨垫的组合件,将可改善熟知非对称研磨的制程中,需先将研磨物件的两面于一机台研磨成较粗糙表面,再将此研磨对象移至另一机台进行单一面的细致研磨(抛光)的缺点。换言之,本实用新型的研磨系统或研磨垫的组合件,不但降低了熟知非对称研磨制程所需时间及复杂度,更节省了进行单一面细致研磨机台的成本与空间。
此外,上述各实施例中所述的研磨系统或研磨垫的组合件,可应用于制造工业组件的研磨制程,例如是应用于电子产业的组件,可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、储存盘片、及显示器等组件,而制作这些组件所使用的研磨对象可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、储存组件载体、陶瓷基板、蓝宝石基板、高分子聚合物基板、及玻璃基板等,但并非用以限定本实用新型的范围。
惟值得注意,纵使本实用新型已由上述的实例所详细叙述,而可由在此领域具通常知识者任施匠思而为诸般修饰,然所述修饰皆不脱离如附实施例所欲保护者。
附图标记说明
10、22、23、41、42研磨垫
11、222、232、412、422沟槽
12、30、50研磨物件
13旋转方向
20研磨系统
21转轴
221、231、411、421研磨面。

Claims (45)

1.一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含第一研磨粒子,该第一研磨粒子具有第一粒径;以及
第二研磨垫,包含第二研磨粒子,该第二研磨粒子具有第二粒径,且该第二粒径与该第一粒径不同。
2.如权利要求1所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
3.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,该第一粒径与该第二粒径的范围皆为200μm至0.1μm。
4.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫、该第一研磨粒子、该第二研磨垫及该第二研磨粒子各自具有体积,该第一研磨粒子的体积占该第一研磨垫的体积的5~75%,该第二研磨粒子的体积占该第二研磨垫的体积的5~75%。
5.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
6.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
7.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
8.如权利要求1或2所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
9.如权利要求6所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
10.一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含在该第一研磨垫中具有第一体积含量的第一研磨粒子;以及
第二研磨垫,包含在该第二研磨垫中具有不同于第一体积含量的第二体积含量的第二研磨粒子。
11.如权利要求10所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
12.如权利要求10或11所述的研磨系统,其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
13.如权利要求10或11所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
14.如权利要求10或11所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
15.如权利要求10或11所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
16.如权利要求13所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
17.一种研磨系统,其特征在于,包括:
第一研磨垫,包含具有第一材料的第一研磨粒子;以及
第二研磨垫,包含具有不同于该第一材料的第二材料的第二研磨粒子。
18.如权利要求17所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
19.如权利要求17或18所述的研磨系统,其特征在于,包括具有第一研磨速率的第一研磨垫,和具有不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
20.如权利要求17或18所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫。
21.如权利要求17或18所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
22.如权利要求17或18所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
23.如权利要求20所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
24.一种用以研磨物体的研磨系统,该物体具有第一面及第二面,其特征在于,该研磨系统包括:
用以研磨该第一面的第一研磨垫,其中该第一研磨垫具有第一固定研磨粒子及第一研磨速率;以及
用以研磨该第二面的第二研磨垫,其中该第二研磨垫具有第二固定研磨粒子及不同于该第一研磨速率的第二研磨速率。
25.如权利要求24所述的研磨系统,其特征在于,包括彼此具有不同性质的第一固定研磨粒子与第二固定研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
26.如权利要求24所述的研磨系统,其特征在于,该第一固定研磨粒子的材料与该第二固定研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
27.如权利要求24至26中任一项所述的研磨系统,其特征在于,包括以该第一研磨速率研磨该第一面的第一研磨垫,以及同时以该第二研磨速率研磨该第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
28.如权利要求27所述的研磨系统,其特征在于,该第一面及该第二面为相对面,且该第一面及该第二面不相邻。
29.如权利要求27所述的研磨系统,其特征在于,该第一面及该第二面为相邻面。
30.如权利要求24至26中任一项所述的研磨系统,其特征在于,包括用以研磨该第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以研磨该第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
31.如权利要求24至26中任一项所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一固定研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二固定研磨粒子。
32.一种用以研磨物体的研磨系统,该物体具有上表面及下表面,其特征在于,该研磨系统包括:
用以以第一研磨速率研磨该上表面的第一研磨垫,该第一研磨垫具有第一研磨粒子;以及
用以以大于该第一研磨速率的第二研磨速率研磨该下表面的第二研磨垫,该第二研磨垫具有第二研磨粒子。
33.如权利要求32所述的研磨系统,其特征在于,包括彼此具有不同的性质第一研磨粒子和第二研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
34.如权利要求32所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
35.如权利要求32所述的研磨系统,其特征在于,该上表面及该下表面为相对面。
36.如权利要求32至35中任一项所述的研磨系统,其特征在于,包括用以以第一研磨速率研磨该上表面以使得经研磨的该上表面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以以第二研磨速率研磨该下表面以使得经研磨的该下表面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫。
37.如权利要求32至35中任一项所述的研磨系统,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该上表面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该下表面的该第二研磨粒子。
38.一种研磨垫的组合件,其特征在于,包括:
具有第一研磨粒子及第一研磨速率的第一研磨垫;以及
具有第二研磨粒子及不同于该第一研磨速率的第二研磨速率的第二研磨垫。
39.如权利要求38所述的研磨垫的组合件,其特征在于,包括彼此具有不同的性质的该第一研磨粒子与该第二研磨粒子,该性质选自由材料、粒径、重量含量、形状及其组合所组成的群组其中之一。
40.如权利要求38所述的研磨垫的组合件,其特征在于,该第一研磨粒子的材料与该第二研磨粒子的材料各自独立地选自由钻石、氮化硼、碳化硼、氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化锆所组成的群组其中之一。
41.如权利要求38至40中任一项所述的研磨垫的组合件,其特征在于,包括用以以该第一研磨速率研磨物体的第一面的第一研磨垫,以及用以同时以该第二研磨速率研磨物体的第二面的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
42.如权利要求41所述的研磨垫的组合件,其特征在于,该第一面及该第二面为相对面,且该第一面及该第二面不相邻。
43.如权利要求41所述的研磨垫的组合件,其特征在于,该第一面及该第二面为相邻面。
44.如权利要求38至40中任一项所述的研磨垫的组合件,其特征在于,包括用以以该第一研磨速率研磨物体的第一面以使得经研磨的该第一面具有第一粗糙度的第一研磨垫,以及用以同时以该第二研磨速率研磨物体的第二面以使得经研磨的该第二面具有不同于第一粗糙度的第二粗糙度的第二研磨垫,该第一面及该第二面为不同面。
45.如权利要求41所述的研磨垫的组合件,其特征在于,该第一研磨垫具有第一研磨面,该第二研磨垫具有第二研磨面,该第一研磨面包含用以研磨该物体的该第一面的该第一研磨粒子,该第二研磨面包含用以研磨该物体的该第二面的该第二研磨粒子。
CN201520401968.5U 2014-12-08 2015-06-12 研磨系统及研磨垫的组合件 Active CN204748298U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103221747U TWM500653U (zh) 2014-12-08 2014-12-08 硏磨系統及硏磨墊的組合
TW103221747 2014-12-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204748298U true CN204748298U (zh) 2015-11-11

Family

ID=53722437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520401968.5U Active CN204748298U (zh) 2014-12-08 2015-06-12 研磨系统及研磨垫的组合件

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN204748298U (zh)
TW (1) TWM500653U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106363528A (zh) * 2016-08-30 2017-02-01 天通银厦新材料有限公司 一种针对蓝宝石的固结磨料及研磨工艺
CN115179186A (zh) * 2022-07-20 2022-10-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件的制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI602646B (zh) * 2017-02-23 2017-10-21 國立勤益科技大學 嵌入式陶瓷磨削裝置及其製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106363528A (zh) * 2016-08-30 2017-02-01 天通银厦新材料有限公司 一种针对蓝宝石的固结磨料及研磨工艺
CN115179186A (zh) * 2022-07-20 2022-10-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件的制作方法
CN115179186B (zh) * 2022-07-20 2024-02-02 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWM500653U (zh) 2015-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104999365B (zh) 蓝宝石晶片研磨抛光方法
JP4326587B2 (ja) 研磨パッド
KR102382812B1 (ko) 실리콘웨이퍼의 연마방법
CN105038607B (zh) 高效蓝宝石精磨方法及精磨液
CN103909465B (zh) 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法
CN204748298U (zh) 研磨系统及研磨垫的组合件
CN106634836A (zh) 一种金刚石研磨膏及其制备方法与应用
CN105817976A (zh) 一种纳米深度损伤层高效超精密磨削方法
CN105922125A (zh) 一种磁流变流体动压复合抛光装置及其抛光方法
CN106041741B (zh) 一种含有多孔结构的cmp抛光垫修整器
KR102362022B1 (ko) 연마체 및 그 제조 방법
KR20150065722A (ko) 탄성 지석의 드레싱 방법
CN107627226A (zh) 一种弹性固结磨料及其制备方法和应用
CN112658974A (zh) Yag晶片的研磨加工方法
JP2001156030A (ja) 半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
KR20180115260A (ko) 양면연마방법 및 양면연마장치
JP2006080329A (ja) 化学的機械的研磨装置
CN106346317A (zh) 加工制备蓝宝石晶片的方法
CN106737130A (zh) 蓝宝石基板研磨装置
CN206436115U (zh) 蓝宝石基板研磨装置
JPH10329032A (ja) Lsi酸化膜研磨用砥石およびlsi酸化膜研磨方法
CN100581731C (zh) 一种白宝石晶体的表面加工方法
CN102626896A (zh) 一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法
CN104128879A (zh) 硬质材料减薄抛光的工艺方法
CN102101263A (zh) 一种化学机械抛光方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant