TW201524685A - 高品質磨料之化學機械研磨修整器 - Google Patents

高品質磨料之化學機械研磨修整器 Download PDF

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    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
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Abstract

本發明係有關於一種高品質磨料之化學機械研磨修整器，包括：一基板；一結合層，該結合層係設置於該基板上；以及複數個研磨顆粒，該些研磨顆粒係埋設於該結合層，且該些研磨顆粒藉由該結合層以固定於該基板上；其中，該高品質磨料之化學機械研磨修整器係經由一輸送裝置移動通過一水刀裝置及一高壓流體，且該高壓流體透過該水刀裝置作用於該些研磨顆粒，用以去除該些研磨顆粒內所含有之一個或複數個風險鑽石。藉此，本發明可改善習知修整器的風險鑽石殘留問題，並進而提升修整器之研磨性能及使用壽命。

Description

高品質磨料之化學機械研磨修整器
本發明係關於一種高品質磨料之化學機械研磨修整器，尤指一種適用於去除風險鑽石之高品質磨料之化學機械研磨修整器。
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)係為各種產業中常見之研磨製程。利用化學研磨製程可研磨各種物品的表面，包括陶瓷、矽、玻璃、石英、或金屬的晶片等。此外，隨著積體電路發展迅速，因化學機械研磨可達到大面積平坦化之目的，故為半導體製程中常見的晶圓平坦化技術之一。
在半導體之化學機械研磨過程中，係利用研磨墊(Pad)對晶圓(或其它半導體元件)接觸，並視需要搭配使用研磨液，使研磨墊透過化學反應與物理機械利以移除晶圓表面之雜質或不平坦結構；當研磨墊使用一定時間後，由於研磨過程所產生的研磨屑積滯於研磨墊之表面而造成研磨 效果及效率降低，因此，可利用修整器(conditioner)對研磨墊表面磨修，使研磨墊之表面再度粗糙化，並維持在最佳的研磨狀態。然而，在修整器之製備過程中，需要將研磨顆粒及結合層混合形成之研磨層設置於基板表面，並經由硬焊或燒結等硬化方式使研磨層固定結合於基板表面。惟在上述修整器之製作過程中，或是修整器進行拋光墊修整時都有可能會造成鑽石顆粒破裂，即所謂的風險鑽石(Risk Diamond)，使修整器變成為有缺陷的，因此有必要對修整器實施一檢測並去除該風險鑽石以確保後續使用能得到預期的研磨效果。習知檢查拋光墊修整器是否具有風險鑽石之作法大多採用人工以光學顯微鏡(OM)進行視覺觀察，一旦發現有風險鑽石，便利用例如油性筆之標記手段將該位置圈出再拍照，最後再以人工比對研磨前後照片，並藉由手工或機械方式去除該風險鑽石，以避免風險鑽石殘留於修整器上。
已知技術中，如中華民國專利公開號第201102215號，係揭示一種在CMP處理程序期間自一CMP拋光墊的拋光表面上移除污染物以及/或是碎屑的方法與系統。在一方面，一在CMP處理程序期間自一CMP拋光墊的拋光表面上移除碎屑的方法可包含旋轉一具有拋光表面的CMP拋光墊；以及將一CMP拋光墊修整器壓向該CMP拋光墊的拋光表面，其中該CMP拋光墊修整器包含有複數耦合於其上的複數超研磨顆粒，該複數超研磨顆粒並且被定向朝向該CMP拋光墊。該方法可進一步包含以一充足力量噴灑一液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上來驅除該CMP拋光墊 的拋光表面上的碎屑。
此外，另一已知技術的中華民國專利公告號第438650號，係揭示一種在化學機械研磨製程中，回收鑽石輪的方法。堆積在鑽石輪上的二氧化矽，先利用水刀(water jet)以1500~6000psi的高壓噴灑去離子水(DI Water)沖洗其表面，如此可以除去大部分粉屑，再將鑽石輪放在溫度為40℃的加熱平台上，利用溫度為0℃，壓力為800~6000psi高壓的二氧化碳氣體，伴隨乾淨的乾空氣，沖刷鑽石輪的表面，即可除去殘餘的二氧化矽，最後，再將鑽石輪置入超音波水槽中，以去離子水震洗，清除剩餘的雜質。經過這三個步驟，即可以除去鑽石輪表面上大部分的二氧化矽，並且回收重複使用鑽石輪。
然而，上述化學機械研磨修整器之水刀裝置皆是針對用以在研磨過程中，移除修整器或拋光墊表面的碎屑，以維持修整器及拋光墊間的研磨性能，並無法改善在修整器製作過程中的風險鑽石殘留問題。因此，目前急需發展出一種高品質磨料之化學機械研磨修整器，用以去除在修整器表面上的風險鑽石，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
本發明之一目的係在提供一種高品質磨料之化學機械研磨修整器，其藉由一水刀裝置，用以將風險鑽石從該化學機械研磨修整器中去除，進而避免風險鑽石在化學機 械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
在一般化學機械研磨修整器的製作過程中，大都是將金屬合金之焊料粉末及鑽石顆粒鋪設於不鏽鋼基材表面，再進行加熱硬焊，使鑽石顆粒藉由焊料合金以固定於基材表面，即完成化學機械研磨修整器的製作。然而，在化學機械研磨修整器的實際製作過程中，由於部分的鑽石顆粒含有具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之鑽石的風險鑽石，其中，風險鑽石的存在可能是來自於鑽石顆粒本身的原料來源、或是鑽石顆粒在硬焊過程或是修整器後製加工過程中所造成的缺陷，而不同於晶型完整的一般鑽石顆粒可提供優異及穩定的研磨性能，因此，本發明將藉由水刀裝置及高壓流體將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。此外，本發明除了可藉由水刀裝置及高壓流體將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，更可以進一步將晶型完整的鑽石顆粒填補於該風險鑽石去除後所遺留的位置上，以維持原有修整器表面所配置之鑽石顆粒數目及排列圖案。
為達成上述目的，本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器，包括：一基板；一結合層，該結合層設置於該基板上；以及複數個研磨顆粒，該些研磨顆粒埋設於該結合層，且該些研磨顆粒藉由該結合層以固定於該基板上；其中，該高品質磨料之化學機械研磨修整器可經由一輸送裝置移動通過一水刀裝置及一高壓流體，且該高壓流體透過該 水刀裝置作用於該些研磨顆粒，用以去除該些研磨顆粒內所含有之一個或複數個風險鑽石。
於前述本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該風險鑽石可具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之鑽石，其中，風險鑽石的存在可能是來自於鑽石顆粒本身的原料來源、或是鑽石顆粒在硬焊過程或是修整器後製加工過程中所造成的缺陷，而不同於晶型完整的一般鑽石顆粒可提供優異及穩定的研磨性能，由於該些風險鑽石具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之鑽石存在於鑽石顆粒的內部或表面，所以將造成鑽石顆粒的強度及晶型受到破壞，並造成該些風險鑽石的研磨性能變差。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該水刀裝置可包含有1個或複數個噴嘴裝置，該水刀裝置所含有的噴嘴裝置數目可依據使用者需求或對該些鑽石顆粒之品質要求而任意變化，其中，於本發明之一態樣中，該水刀裝置可包含有2個至10個噴嘴裝置；於本發明之另一態樣中，該水刀裝置可包含有3個至5個噴嘴裝置。此外，於前述本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該些噴嘴裝置之噴嘴孔徑可依據使用者需求或對該些研磨顆粒之品質要求而任意變化，其中，於本發明之一態樣中，該些噴嘴裝置可具有相同的噴嘴孔徑；於本發明之另一態樣中，該些噴嘴裝置可具有不同的噴嘴孔徑，本發明並未侷限於此。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該些噴嘴裝置可形成不同的噴射角度，不同於傳統水刀 大多侷限於單一噴嘴及單一角度之清洗功能，本發明之該噴嘴裝置可依據使用者需求或對研磨顆粒之品質要求而任意變化形成各種噴射角度朝向該修整器表面之該些研磨顆粒。此外，於前述本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該水刀裝置可為一固定機構，例如，固定式水刀，使該高壓流體藉由固定之水刀裝置或噴嘴裝置以作用於該些研磨顆粒之固定位置，以去除該些研磨顆粒內所含有之風險鑽石，或者，該水刀裝置可為一旋轉機構，例如，旋轉式水刀，使該高壓流體藉由持續旋轉之水刀裝置或噴嘴裝置以作用於該些研磨顆粒之非固定位置。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該旋轉機構之轉速可視使用需求者需求或對該些研磨顆粒之品質要求而任意變化，其中，該旋轉機構之轉速可為5rpm(轉/分鐘)至2,000rpm；於本發明之一態樣中，該旋轉機構之轉速可為10rpm至1,050rpm。此外，於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力可視使用者需求或對該些研磨顆粒之品質要求而任意變化，其中，該高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力可為300psi(磅/平方英寸)至40,000psi；於本發明之一態樣中，該高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力可為1,000psi至32,000psi。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該高品質磨料之化學機械研磨修整器可經由輸送裝置移動通過水刀裝置及高壓流體，使該高壓流體透過該水刀裝置 作用於該些研磨顆粒，用以去除該些研磨顆粒內所含有之一個或複數個風險鑽石，此外，該輸送裝置之移動速度可視使用者需求或對該些研磨顆粒之品質要求而任意變化，其中，該輸送裝置之移動速度可為10毫米/分鐘至1,000毫米/分鐘。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該水刀裝置可具有一升降機構，用以調整該水刀裝置及該高品質磨料修整器之間距，且同時可在固定的高壓流體壓力下，藉由間距變化以調整該高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力，此外，該水刀裝置及該高品質磨料修整器之間距可視使用者需求或對該些研磨顆粒之品質要求而任意變化，本發明並未侷限於此。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該高壓流體可為能夠移除風險鑽石的任何流體，例如，純水、超純水、非腐蝕性流體、其類似物或其組合，本發明並未侷限於此。其中，前述所指的超純水意指經離子交換樹脂、活性碳、濾膜法去除水中主要不純物質，在25℃時比阻抗值達到18.2MΩ.cm的水，並可減少高壓流體對於修整器表面的結合層造成的腐蝕或破壞。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒可為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼；在本發明之一較佳態樣中，該些研磨顆粒為人造鑽石。另一方面，於本發明之平坦化之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒之粒徑可為30微米至600微米；於本發 明之一態樣中，該些研磨顆粒之粒徑為200微米。
於本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該結合層之組成分或研磨顆粒之組成分或尺寸可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，該結合層之組成可為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料，本發明並未侷限於此。在本發明之一態樣中，該結合層可為一焊料層，該焊料層可至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、銅、及其組合所組成之群組。於本發明之另一態樣中，該高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、酚醛樹脂。此外，於本發明之平坦化之化學機械研磨修整器中，該基板之材質及尺寸可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，其中，該基板之材質可為不鏽鋼、模具鋼、金屬合金、陶瓷材料或高分子材料或其組合等，本發明並未侷限於此。在本發明之一較佳態樣中，該基板之材質可為不鏽鋼基板。
綜上所述，根據本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器，可用以將研磨顆粒中的風險鑽石去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
10,20,30‧‧‧化學機械研磨修整器
11‧‧‧輸送裝置
12,22,32‧‧‧水刀裝置
120,220,320‧‧‧噴嘴裝置
13,23,33‧‧‧高壓流體
14‧‧‧升降機構
101,201,301‧‧‧基板
102,202,302‧‧‧結合層
103,203,303‧‧‧研磨顆粒
104,204,304‧‧‧風險鑽石
圖1A係本發明高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖。
圖1B係本發明實施例1之高品質磨料之化學機械研磨修整 器之示意圖。
圖2係本發明實施例2之高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖。
圖3係本發明實施例3之高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖。
以下係藉由具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。此外，本發明亦可藉由其他不同具體實施例加以施行或應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
實施例1
本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器可用以去除化學機械研磨修整器之風險鑽石，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的括傷及破壞。請參考圖1，圖1A係高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖，圖1B係為本發明實施例1高品質磨料之化學機械研磨修整器之示意圖。如圖1所示，本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器10，包括：一不鏽鋼材質之基板101；一鎳基金屬焊料之結合層102，及複數個研磨顆粒103，藉由加熱硬焊的方式，使該些研磨顆粒103埋設固定於該結合層102，且該些研磨顆粒103藉由該結合層102以固定於該基板101上；其中，該些研磨顆粒103為粒徑200微米之人工鑽 石，且研磨顆粒103的設置方式可以為一般習知的佈鑽技術(例如，模板佈鑽)，並可藉由模板(圖未顯示)控制研磨顆粒103的間距及排列方式，此外，於前述的該些研磨顆粒103內也同時存在著少數具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之風險鑽石104。
如圖1所示，該高品質磨料之化學機械研磨修整器10可經由一輸送裝置11移動通過一水刀裝置12及一高壓流體13，其中，該水刀裝置12包含有4個噴嘴裝置120，該4個噴嘴裝置120均連通同一個母管，此外，該高壓流體13為純水並透過該水刀裝置12作用於該化學機械研磨修整器10表面，且該噴嘴裝置120可控制該高壓流體13以垂直方向或垂直角度朝向該些研磨顆粒103，該些研磨顆粒103會受到來自高壓流體13的應力，致具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之風險鑽石104因與結合層之附著強度較差而脫落，以去除該些研磨顆粒103內所含有之一個或複數個風險鑽石104，此外，於實施例1之高品質磨料之化學機械研磨修整器10中，該高壓流體13作用於該些研磨顆粒103之壓力為1,000psi至32,000psi，該輸送裝置11之移動速度為10毫米/分鐘至1,000mm/min毫米/分鐘。此外，前述之該水刀裝置12更具有一升降機構14，以調整該水刀裝置12及該化學機械研磨修整器10之間距，並藉由間距變化以調整該高壓流體13作用於該些研磨顆粒103之壓力。
如圖1B所示，該高品質磨料之化學機械研磨修整器10係將金屬焊料合金所組成之結合層102及研磨顆粒 103鋪設於不鏽鋼之基材101表面，再進行加熱硬焊，使研磨顆粒103藉由結合層102以固定於基材101表面，即完成高品質磨料之化學機械研磨修整器10的製作。然而，由於研磨顆粒103中含有部分具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低的風險鑽石104，因此，本發明將利用水刀裝置12(請一併參考圖1A)及高壓液體13將風險鑽石104由該化學機械研磨修整器10上去除，進而避免風險鑽石104在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
實施例2
請參考圖2，圖2係本發明實施例2之高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖。實施例2與前述實施例1所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器10之裝置大致相同，其不同之處在於，實施例1之噴嘴裝置120可控制高壓流體13以垂直角度朝向該些研磨顆粒103，而實施例2之噴嘴裝置220可控制高壓流體23以各種角度同時朝向該些研磨顆粒203，更能將具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之風險鑽石204因與結合層202之附著強度較差而脫落，且高壓流體23朝向該些研磨顆粒203的角度可視使用需要而任意變化，不同於傳統水刀裝置中的噴嘴裝置僅設計為單一噴嘴及單一噴射角度，故傳統水刀裝置只具有一般除屑清洗功能，而無法達到本發明所需之移除風險鑽石204的功用。如圖2所示，該水刀裝置22包含有4個噴嘴裝置220，且該噴嘴裝置220可控制該高壓流體23(圖中虛線箭頭表示) 以不同角度同時朝向化學機械研磨修整器20表面之該些研磨顆粒203，因此作用在該些研磨顆粒203上的各點壓力也不同，促使具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之風險鑽石204可從基板201上之結合層202將風險鑽石204移除，以避免風險鑽石204在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
實施例3
請參考圖3，圖3係本發明實施例3之高品質磨料之化學機械研磨修整器之裝置示意圖。實施例3與前述實施例1所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器10之裝置大致相同，其不同之處在於，實施例1之水刀裝置12為一固定式水刀，使該高壓流體13藉由固定之水刀裝置12或噴嘴裝置120以作用於該些研磨顆粒103之固定位置，而實施例3之該水刀裝置32為一旋轉式水刀，使該高壓流體33藉由持續旋轉之水刀裝置32或噴嘴裝置320以作用於該些研磨顆粒303之非固定位置。如圖3所示，該水刀裝置32係為一旋轉式水刀，使該高壓流體33藉由持續旋轉之水刀裝置32或噴嘴裝置320以作用於化學機械研磨修整器30表面之該些研磨顆粒303之非固定位置，其中，該水刀裝置32之轉速為10rpm至1050rpm，並可依據使用者需要而任意變化其轉速。由於高壓流體33作用於該些研磨顆粒303之非固定位置，促使具有雙晶結構、內裂結構或結合層包覆率過低之風險鑽石304更容易由基板301上之結合層302將風險鑽石304去除，以 縮短高壓流體33作用於該些研磨顆粒304的處理時間，並有效地去除化學機械研磨修整器30上之風險鑽石304，進而提高拋光墊的使用壽命。
於前述本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器中，該水刀裝置可依據使用者需求而任意變化，例如，噴嘴裝置之數目、噴嘴裝置之噴嘴孔徑、高壓流體朝向該些研磨顆粒的角度、固定機構或旋轉機構設計、利用升降機構調整水刀裝置及化學機械研磨修整器之間距，此外，更可經由調整旋轉機構之轉速、高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力、及輸送裝置之移動速度等各種參數，以達到符合使用者需求或符合對該些研磨顆粒之品質要求；因此，本發明之高品質磨料之化學機械研磨修整器可有效地用以去除研磨顆粒中的風險鑽石，以避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
10‧‧‧化學機械研磨修整器
11‧‧‧輸送裝置
12‧‧‧水刀裝置
120‧‧‧噴嘴裝置
13‧‧‧高壓流體
14‧‧‧升降機構

Claims (20)

  1. 一種高品質磨料之化學機械研磨修整器，包括：一基板；一結合層，該結合層係設置於該基板上；以及複數個研磨顆粒，該些研磨顆粒係埋設於該結合層，且該些研磨顆粒藉由該結合層以固定於該基板上；其中，該高品質磨料之化學機械研磨修整器係經由一輸送裝置移動通過一水刀裝置及一高壓流體，且該高壓流體透過該水刀裝置作用於該些研磨顆粒，用以去除該些研磨顆粒內所含有之一個或複數個風險鑽石。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該風險鑽石係具有一雙晶結構、一內裂結構、或結合層包覆率過低之鑽石。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該水刀裝置係包含有一個或複數個噴嘴裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該水刀裝置係包含有3個至5個噴嘴裝置。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該些噴嘴裝置係具有相同的噴嘴孔徑。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該些噴嘴裝置係具有不同的噴嘴孔徑。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該些噴嘴裝置係形成不同的噴射角度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該水刀裝置係為一固定機構，使該高壓流體作用於該些研磨顆粒之固定位置。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該水刀裝置係為一旋轉機構，使該高壓流體作用於該些研磨顆粒之非固定位置。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該旋轉機構之轉速為10rpm至1050rpm。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該高壓流體作用於該些研磨顆粒之壓力為1,000psi至32,000psi。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該輸送裝置之移動速度為10毫米/分鐘至1,000毫米/分鐘。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該水刀裝置具有一升降機構，用以調整該水刀裝置及該高品質磨料修整器之間距。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該高壓流體係為純水、超純水、非腐蝕性流體。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒係為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒之粒徑係為30微米至600微米。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該結合層之組成係為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該硬焊材料係至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、酚醛樹脂。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之高品質磨料之化學機械研磨修整器，其中，該基板係為不鏽鋼基板、模具鋼基板、金屬合金基板、陶瓷基板、高分子基板或其組合。
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