CN113829221A - 一种改善薄片抛光波纹不良方法 - Google Patents
一种改善薄片抛光波纹不良方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113829221A CN113829221A CN202111073911.3A CN202111073911A CN113829221A CN 113829221 A CN113829221 A CN 113829221A CN 202111073911 A CN202111073911 A CN 202111073911A CN 113829221 A CN113829221 A CN 113829221A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- silicon wafer
- improving
- corrugation
- sucker
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004018 waxing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，括如下步骤；步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；所述硅片的厚度为300um以下；步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；步骤四，硅片进行抛光。本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。
Description
技术领域
本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种改善薄片抛光波纹不良方法。
背景技术
在硅片抛光领域对于薄片(300um以下厚度的硅片)，在抛光中易造成波纹不良。主要原因是硅片自身厚度比常规产品要薄，在抛光各工序的加工过程中容易受到外力过大造成产品形变，形变后在抛光完成后就会造成产品的波纹不良。
波纹不良是指波纹终检目视时，硅片平放在检查台三角支架上，身体前后移动目视观察硅片局部位置发生表面波纹(硅片局部轻微连续高低起伏)。
发明内容
本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，已解决以上至少一个技术问题。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；
步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；
步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；
所述硅片的厚度为300um以下；
步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；
步骤四，硅片进行抛光。
本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。
通过控制吸盘的吸力减少在贴付反转吸头吸力过大造成薄片形变。
涂蜡量将传统的0.9ml/枚更改为0.7ml/枚。主要防止硅片比较薄涂蜡量较多蜡膜不均匀抛光中发生形变造成波纹不良。
进一步优选地，步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。
进一步优选地，粗抛参数压力为3-4Kg/cm2，抛光头转速为50-60rpm，抛光液PH值为10-11，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为32-50℃，去除量为14-16um，时间为20-40分钟。
进一步优选地，中抛参数压力为1.0-1.5Kg/cm2，抛光头转速为40-45rpm；
首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为27-35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟；中抛时，去除量为1-2um。
进一步优选地，精抛参数压力为01-1.5Kg/cm2，抛光头转速40-45rpm，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为0.5-0.7L/min，抛光时定盘的温度为30-40℃，去除量无，抛光时间10分钟。
步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37-38mm，吸盘翻转，吸盘加速下降，吸盘减速加压2s后，吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。
吸盘减速加压设定为2s，将吸盘吸附时间从原设定的2.5s更改为2.0s，最大程度上保证在硅片贴付中接触到陶瓷板的瞬间进行放气完成，防止接触的陶瓷板后放气不及时造成硅片形变。
进一步优选地，步骤二中，吸盘的上升速度为3000mm/min。
进一步优选地，吸盘减速加压的速度为50-60mm/min。
进一步优选地，步骤一，涂蜡时，硅片放置在研磨盘上，将0.7ml/枚蜡滴在硅片表面且距离硅片中心为5～7mm。涂蜡时蜡首先滴在硅片距离中心偏离5～7mm，通过旋转使蜡均匀分布在整个硅片面上，为后续硅片贴付在陶瓷板上做准备。若是滴在硅片的中心，旋转时便会缺少离心力导致中心部的蜡膜的厚度太厚，抛光后发生中心凹陷。通过调整涂覆的旋转速度来控制蜡膜厚度其均一性，从而保证硅片平整度。
进一步优选地，所述研磨盘的上方安装有用于对硅片外边缘进行定位的硅片边缘定位机构。便于对硅片摆放位置的限位。
附图说明
图1为本发明的流程图；
图2为本发明的硅片边缘定位机构的一种俯视图；
图3为本发明的硅片边缘定位机构的图2结构的仰视图。
具体实施方式
下面结合本发明的附图和实施例对本发明的实施作详细说明，以下实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
参见图1，一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；
步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml；
步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；
所述硅片的厚度为300um以下；
步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；
步骤四，硅片进行抛光。
步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。
粗抛参数压力为3-4Kg/cm2，抛光头转速为50-60rpm，抛光液PH值为10-11，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为32-50℃，去除量为14-16um，时间为20-40分钟。
中抛参数压力为1.0-1.5Kg/cm2，抛光头转速为40-45rpm；
首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为27-35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟
中抛时，去除量为1-2um。
精抛参数压力为01-1.5Kg/cm2，抛光头转速为40-45rpm，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为0.5-0.7L/min，抛光时定盘的温度为30-40℃，去除量无，抛光时间10分钟。
本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。
通过控制吸盘的吸力减少在贴付反转吸头吸力过大造成薄片形变。
涂蜡量将传统的0.9ml/枚更改为0.7ml/枚。主要防止硅片比较薄涂蜡量较多蜡膜不均匀抛光中发生形变造成波纹不良。
步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37-38mm，吸盘的上升速度为3000mm/min。
吸盘翻转，吸盘加速下降，吸盘减速加压2s后，吸盘减速加压的速度为50-60mm/min。
吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。
吸盘减速加压设定为2s，将吸盘吸附时间从原设定的2.5s更改为2.0s，最大程度上保证在硅片贴付中接触到陶瓷板的瞬间进行放气完成，防止接触的陶瓷板后放气不及时造成硅片形变。
步骤一，涂蜡时，硅片放置在研磨盘上，将0.7ml/枚蜡滴在硅片表面且距离硅片中心为5～7mm。
研磨盘的上方安装有一滴蜡嘴，滴蜡嘴用于将蜡滴设在硅片上，滴蜡嘴安装在移动支架上；滴蜡嘴的滴蜡方向朝下，且与硅片中心的横向距离为5-7mm。通过移动支架可以将滴蜡嘴上下升降。或者，三维运动。移动支架可以是三维直线滑台机构。便于实现滴蜡嘴位置的调整。
移动支架的活动部上还安装有硅片边缘定位机构。
参见图2以及图3，硅片边缘定位机构包括定位盘，定位盘固定在一中心块的外围，中心块的中央安装有第一红外激光发射头10，中心块上安装有滴蜡嘴；硅片边缘定位机构还包括旋转盘11，旋转盘11与中心块通过轴承转动连接；定位盘13上开设有三个周向排布的一字槽14。一字槽的长度方向为径向。一字槽14内滑动连接有外围红外激光发射头5；旋转盘上开设有用于滑动连接外围红外激光发射头5的弧形引导槽12；旋转盘的外壁上设有用于带动旋转盘旋转的把手；外围红外激光发射头5包括圆柱形的外壳，外壳上螺纹连接有上压环以及下压环，上压环与下压环夹持在旋转盘以及定位盘13之间。便于通过旋转盘的旋转，进而实现外围激光发射头5距离中央距离的调整，进而实现不同的外径的硅片的定位。定位盘位于旋转盘的上方。定位盘13的一子槽14旁设有刻度线，刻度线的长度方向与一字槽的长度方向平行。外围激光发射头实现对硅片边缘的定位。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；
步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；
步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；
所述硅片的厚度为300um以下；
步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；
步骤四，硅片进行抛光。
2.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。
3.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：粗抛参数压力为3-4Kg/cm2，抛光头转速为50-60rpm，抛光液PH值为10-11，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为32-50℃，去除量为14-16um，时间为20-40分钟。
4.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：中抛参数压力为1.0-1.5Kg/cm2，抛光头转速为40-45rpm；
首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为27-35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟；
中抛时，去除量为1-2um。
5.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：精抛参数压力为01-1.5Kg/cm2，抛光头转速为40-45rpm，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为0.5-0.7L/min，抛光时定盘的温度为30-40℃，去除量无，抛光时间10分钟。
6.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37-38mm，吸盘翻转，吸盘加速下降，吸盘减速加压2s后，吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。
7.根据权利要求6所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤二中，吸盘的上升速度为3000mm/min。
8.根据权利要求6所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：吸盘减速加压的速度为50-60mm/min。
9.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤一，涂蜡时，硅片放置在研磨盘上，将0.7ml/枚蜡滴在硅片表面且距离硅片中心为5～7mm。
10.根据权利要求9所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：所述研磨盘的上方安装有用于对硅片外边缘进行定位的硅片边缘定位机构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111073911.3A CN113829221A (zh) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 一种改善薄片抛光波纹不良方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111073911.3A CN113829221A (zh) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 一种改善薄片抛光波纹不良方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113829221A true CN113829221A (zh) | 2021-12-24 |
Family
ID=78959233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111073911.3A Pending CN113829221A (zh) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 一种改善薄片抛光波纹不良方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113829221A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237085A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ接着方法およびその装置 |
| CN102490439A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-06-13 | 天津中环领先材料技术有限公司 | Igbt用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN103909465A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-09 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 |
| CN204027566U (zh) * | 2014-06-23 | 2014-12-17 | 润峰电力有限公司 | 一种太阳能组件接线盒激光定位装置 |
| CN109500663A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-22 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺 |
| CN109968191A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-07-05 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底贴片方法 |
| CN110281082A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-27 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺 |
| CN210392738U (zh) * | 2019-08-14 | 2020-04-24 | 常州科沛达清洗技术股份有限公司 | 晶圆片翻转贴片机构 |
| CN111730418A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-10-02 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺 |
| CN112171506A (zh) * | 2019-07-03 | 2021-01-05 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 一种适用于半导体晶片单面抛光加工的环状陶瓷载盘 |
-
2021
- 2021-09-14 CN CN202111073911.3A patent/CN113829221A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237085A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ接着方法およびその装置 |
| CN102490439A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-06-13 | 天津中环领先材料技术有限公司 | Igbt用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN103909465A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-09 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法 |
| CN204027566U (zh) * | 2014-06-23 | 2014-12-17 | 润峰电力有限公司 | 一种太阳能组件接线盒激光定位装置 |
| CN109968191A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-07-05 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底贴片方法 |
| CN109500663A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-22 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺 |
| CN110281082A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-27 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺 |
| CN112171506A (zh) * | 2019-07-03 | 2021-01-05 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 一种适用于半导体晶片单面抛光加工的环状陶瓷载盘 |
| CN210392738U (zh) * | 2019-08-14 | 2020-04-24 | 常州科沛达清洗技术股份有限公司 | 晶圆片翻转贴片机构 |
| CN111730418A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-10-02 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5964653A (en) | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system | |
| US20090247050A1 (en) | Grinding method for grinding back-surface of semiconductor wafer and grinding apparatus for grinding back-surface of semiconductor wafer used in same | |
| JP3026780B2 (ja) | 平坦化装置及びその使用方法 | |
| JPH10217112A (ja) | Ｃｍｐ装置 | |
| KR101059009B1 (ko) | 기판접합방법 및 그 장치 | |
| CN104858773B (zh) | 可调节晶片研磨平面度的修正盘和蓝宝石晶片研磨方法 | |
| JP2013012654A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
| US8323075B2 (en) | Polishing head, polishing apparatus and method for demounting workpiece | |
| EP1870926A1 (en) | Film adhesion device and film adhesion method | |
| EP1582294B1 (en) | Wafer polishing method. | |
| CN113829221A (zh) | 一种改善薄片抛光波纹不良方法 | |
| US20120088439A1 (en) | Dynamic action abrasive lapping workholder | |
| CN210499749U (zh) | 一种化学机械抛光装置 | |
| US6015337A (en) | Polishing apparatus | |
| JP2007221030A (ja) | 基板の加工方法 | |
| JP3845215B2 (ja) | 平面研削されたウェーハに対する鏡面研磨方法 | |
| JPH09262763A (ja) | バッキングパッドの製造方法および装置 | |
| JP2007044786A (ja) | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 | |
| JP2008153248A (ja) | ＧａＡｓウエハへのワックス塗布方法 | |
| CN210232507U (zh) | 一种镜片板材的研磨抛光机 | |
| JP2021181157A (ja) | Ｃｍｐ装置及び方法 | |
| CN219424807U (zh) | 一种直径可调式匀胶机承片盘 | |
| JPH05147744A (ja) | タイヤビード用セパレータ，タイヤビードの移載方法及びその装置 | |
| CN218048711U (zh) | 一种匀胶装置及半导体加工设备 | |
| JP3625724B2 (ja) | ポリッシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |