CN110281082A - 一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺 - Google Patents

一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺 Download PDF

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王广勇
金文明
李星
石明
张琪
韩鹏飞
褚鑫
王聚安
吕莹
孙晨光
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract

本发明提供了一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，包括如下步骤：步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。本发明所述的通过改善抛光过程中的粗抛光的工艺参数来平衡机械作用及化学作用，改善抛光片表面平整度，相对于现有工艺，可以降低抛光产品的TTV、TIR、STIR及TAPER。

Description

一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺
技术领域
本发明属于硅片抛光技术领域，尤其是涉及一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺。
背景技术
硅片抛光加工过程中，平整度是非常重要的参数，也是抛光过程中较难优化的参数。硅片的抛光是将酸腐蚀或者碱腐蚀后的硅片表面，通过化学作用的腐蚀以及机械作用的研磨得到光滑平整的表面。随着半导体特征尺寸的减小以及集成度的提高，对硅片表面的的平整度要求越来越高，原有的抛光工艺满足不了较高的平整度的要求。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提出一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，以解决原有的抛光工艺平整度不高的问题。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，包括如下步骤：
步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；
步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；
步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。
进一步的，所述粗抛光机的抛光头压力为250±100KPa，大盘转速为30转/min，中心导轮转速为60转/min，抛光液流量为10±1L/min。
进一步的，所述抛光液温度为20±3℃、抛光垫温度为＜35℃。
相对于现有技术，本发明所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺具有以下优势：
本发明所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，通过改善抛光过程中的粗抛光的工艺参数如：增大压力、提高转速、提高抛光液流量及控制抛光液及抛光垫温度，来平衡机械作用及化学作用，改善抛光片表面平整度，相对于现有工艺，可以降低抛光产品的TTV、TIR、STIR及TAPER。
具体实施方式
除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本发明所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
下面结合实施例来详细说明本发明。
实施例1
原料：8寸轻掺酸腐片200片；
要求：抛光后厚度为725±15，TTV要求4μm，TIR要求3μm，STIR(25*25)要求0.5μm；
加工设备：SPM-23抛光机，SCC预清洗机；
测量工具：ADE9600；
辅料：抛光蜡KW-20163，粗抛液6504，中抛液及精抛液3105，粗抛垫SUBA800，中抛垫SUBA400，精抛垫7355-000FE，去蜡剂，氨水，双氧水；
具体操作过程：
抛光加工工艺为有蜡抛光，抛光前测试表面平整度前值，后先将硅片表面涂抛光蜡，之后在高速状态下将抛光蜡甩匀，高温状态下对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却后，分别进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片，硅片抛光后自动铲下后进行ADE9600测试表面平整度。
其中，粗抛光过程中，粗抛机抛光头压力为250KPa，大盘转速为30转/min，中心导轮转速为60转/min，抛光液流量为10L/min，抛光液温度为20℃，抛光垫温度为30℃。
抛光片平整度的检测：通过测试抛光后平整度，可得到TTV＜1.5μm，TIR小于1.5μm，STIR(20*20)＜0.3μm及-1μm＜TAPER＜1μm。
对比例1
原料：8寸轻掺酸腐片200片；
要求：抛光后厚度为725±15，TTV要求4μm，TIR要求3μm，STIR(25*25)要求0.5μm；
加工设备：SPM-23抛光机，SCC预清洗机；
测量工具：ADE9600；
辅料：抛光蜡KW-20163，粗抛液6504，中抛液及精抛液3105，粗抛垫SUBA800，中抛垫SUBA400，精抛垫7355-000FE，去蜡剂，氨水，双氧水；
具体操作过程：
抛光加工工艺为有蜡抛光，抛光前测试表面平整度前值，后先将硅片表面涂蜡，之后在高速状态下将蜡甩匀，高温状态下对蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却后，分别进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片，硅片抛光后自动铲下后进行ADE9600测试表面平整度。
其中，粗抛光过程中，粗抛机抛光头压力为250KPa，大盘转速为25转/min，中心导轮转速为50转/min，抛光液流量为9L/min，抛光液温度为20℃，抛光垫温度为30℃。
抛光片平整度的检测：通过测试抛光后平整度，可得到TTV＜2μm，TIR小于2μm，STIR(20*20)＜0.3μm及-1.5μm＜TAPER＜1.5μm。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；
步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；
步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。
2.根据权利要求1所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：粗抛光机的抛光头压力为250±100KPa，大盘转速为30转/min，中心导轮转速为60转/min，抛光液流量为10±1L/min。
3.根据权利要求2所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：抛光液温度为20±3℃、抛光垫温度为＜35℃。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111730418A (zh) * 2020-05-11 2020-10-02 中环领先半导体材料有限公司 一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺
CN112975578A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 有研半导体材料有限公司 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
CN113001379A (zh) * 2021-03-17 2021-06-22 天津中环领先材料技术有限公司 一种大尺寸硅片双面抛光方法
CN113146451A (zh) * 2021-03-26 2021-07-23 中锗科技有限公司 一种1吋锗加工片的抛光方法
CN113334241A (zh) * 2021-03-08 2021-09-03 中环领先半导体材料有限公司 一种降低大直径抛光片成本的工艺
CN113829221A (zh) * 2021-09-14 2021-12-24 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种改善薄片抛光波纹不良方法
CN113927377A (zh) * 2021-10-21 2022-01-14 中环领先半导体材料有限公司 一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺
CN113977438A (zh) * 2021-10-25 2022-01-28 中环领先半导体材料有限公司 一种提高硅片表面平整度的抛光工艺
CN115446726A (zh) * 2022-08-03 2022-12-09 天津中环领先材料技术有限公司 一种提高硅片平整度的抛光方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733177A (en) * 1995-08-01 1998-03-31 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Process of polishing wafers
CN102490439A (zh) * 2011-12-15 2012-06-13 天津中环领先材料技术有限公司 Igbt用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺
CN103009234A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 天津中环领先材料技术有限公司 一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺
CN103072073A (zh) * 2012-12-13 2013-05-01 天津中环领先材料技术有限公司 一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺
CN107344304A (zh) * 2017-06-30 2017-11-14 天津中环领先材料技术有限公司 一种延长粗抛光液使用寿命的硅片抛光方法
CN107855922A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 天津中环领先材料技术有限公司 一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺
CN109500663A (zh) * 2019-01-08 2019-03-22 天津中环领先材料技术有限公司 一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733177A (en) * 1995-08-01 1998-03-31 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Process of polishing wafers
CN102490439A (zh) * 2011-12-15 2012-06-13 天津中环领先材料技术有限公司 Igbt用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺
CN103009234A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 天津中环领先材料技术有限公司 一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺
CN103072073A (zh) * 2012-12-13 2013-05-01 天津中环领先材料技术有限公司 一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺
CN107344304A (zh) * 2017-06-30 2017-11-14 天津中环领先材料技术有限公司 一种延长粗抛光液使用寿命的硅片抛光方法
CN107855922A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 天津中环领先材料技术有限公司 一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺
CN109500663A (zh) * 2019-01-08 2019-03-22 天津中环领先材料技术有限公司 一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112975578A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 有研半导体材料有限公司 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
CN112975578B (zh) * 2019-12-12 2022-06-24 有研半导体硅材料股份公司 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
CN111730418A (zh) * 2020-05-11 2020-10-02 中环领先半导体材料有限公司 一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺
CN113334241A (zh) * 2021-03-08 2021-09-03 中环领先半导体材料有限公司 一种降低大直径抛光片成本的工艺
CN113001379A (zh) * 2021-03-17 2021-06-22 天津中环领先材料技术有限公司 一种大尺寸硅片双面抛光方法
CN113146451A (zh) * 2021-03-26 2021-07-23 中锗科技有限公司 一种1吋锗加工片的抛光方法
CN113829221A (zh) * 2021-09-14 2021-12-24 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种改善薄片抛光波纹不良方法
CN113927377A (zh) * 2021-10-21 2022-01-14 中环领先半导体材料有限公司 一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺
CN113977438A (zh) * 2021-10-25 2022-01-28 中环领先半导体材料有限公司 一种提高硅片表面平整度的抛光工艺
CN115446726A (zh) * 2022-08-03 2022-12-09 天津中环领先材料技术有限公司 一种提高硅片平整度的抛光方法

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