CN110018028B - 一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，通过采用对蓝宝石样品的切割、研磨、抛光磨料组合，能提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面磨抛效率，按不同目数类型的顺序组合进行磨抛工序设计，可制备得到良好金相切片样品表面质量且达到高效磨抛材料选择及相关工序的设计，可有效节省蓝宝石基材电子组件金相切片样品制备中磨抛材料的损耗，并可同时提升金相样品观察效果。

Description

一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法
【技术领域】
本发明属于金相切片分析技术领域，具体涉及一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的制备方法。
【背景技术】
蓝宝石单晶主要成分是三氧化二铝，硬度仅次于金刚石，其莫氏硬度可达到9级。蓝宝石单晶具有耐划伤、耐冲击、熔点高、透明性好，电绝缘性优良、化学性能稳定等特点，被广泛用于工业、国防、科研等领域。常规金相切片分析时，采用普通磨料的磨抛材料，磨料一般为碳化硅，可用于玻璃材质的电子元器件金相切片分析。但是蓝宝石由于硬度大且脆性高，在金相切片做截面分析时，切割、研磨、抛光等机械加工难度大。
尤其是因磨料硬度匹配差异，磨抛材料的耗损过大且最终金相切片样品无法达到最佳的观察效果，因此寻找适合蓝宝石基材的磨抛材料及相关工序的设计显得尤为重要。
【发明内容】
为克服现有蓝宝石基材电子组件金相切片样品制备中磨抛材料的损耗较大的技术问题，本发明提供一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法。
本发明为解决上述技术问题，提供技术方案如下：一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其包括以下步骤：将待处理蓝宝石样品进行切割获得待研磨样品，选择目数类型由粗至细的磨盘对切割后的待研磨样品进行研磨，以使获得初研磨蓝宝石样品；及利用目数类型为小于2μm的抛光液于初研磨蓝宝石样品之上进行研磨，以进行抛光处理，获取所需金相切片样品。
优选地，所述利用由粗至细的目数类型的磨盘对切割后的样品进行初研磨具体包括以下步骤：粗研磨：依次利用由粗至细的目数类型为70μm-9μm的磨盘与待研磨样品进行研磨工序，以去除不平整处；及细研磨：依次利用由粗至细目数类型为9μm-3μm磨盘与待研磨样品进行研磨工序，进行细加工以获得初研磨蓝宝石样品。
优选地，在所述粗研磨、所述细研磨步骤中，所述研磨时间为2min-10min，磨盘转速为100rpm-500rpm。
优选地，所述磨盘是由目数类型为70μm-3μm的金刚石微粉与树脂粘合而形成。
优选地，选用部分中间目数类型的磨盘与待研磨样品进行研磨工序。
优选地，利用目数类型为小于2μm的抛光液于样品之上进行研磨工序，以对样品表面进行抛光处理具体包括：利用由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的抛光液于抛光布上与初研磨蓝宝石样品进行研磨工序，在预设时间内初研磨蓝宝石样品往复变换方向研磨，以进行抛光处理。
优选地，在上述研磨工序中，对应的研磨时间为2min-10min，磨抛转速为50rpm-200rpm。
优选地，所述抛光液中包括金刚石微粒，所述抛光液中金刚石微粒粒径90wt％以上微粒分布在由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的范围内；或所述抛光液包括目数类型为0.05μm的氧化铝微粒。
优选地，所述金刚石微粒为聚晶金刚石。
优选地，在进行切割之前，还包括将待观测蓝宝石样品镶埋处理：待观测蓝宝石样品置入样品模具中固定时，置入树脂及添加剂的混合物，待其硬化后获得待处理蓝宝石样品。
与现有技术相比，本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法具有如下的有益效果：
本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，可制备得到良好金相切片样品表面质量且达到高效磨抛材料选择及相关工序的设计，可有效节省蓝宝石基材电子组件金相切片样品制备中磨抛材料的损耗，并可同时提升金相样品观察效果。
通过采用对蓝宝石样品的切割、研磨、抛光磨料，能提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面磨抛效率，按不同目数类型的磨盘及抛光液的顺序组合进行磨抛工序设计，可以得到良好的表面效果，还可以得到更为清晰的柔性覆层，从而可便于对电子组件的柔性覆层进行下一步分析，尤其适合用在基于蓝宝石基材且同步分析电子组件柔性覆层的相关工艺中。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例中所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法的基本流程示意图。
图2是图1中所示步骤S1的具体流程步骤示意图。
图3A是目数类型为70μm金刚石材质磨盘示意图。
图3B是目数类型为45μm金刚石材质磨盘示意图。
图3C是目数类型为30μm金刚石材质磨盘示意图。
图3D是目数类型为15μm金刚石材质磨盘示意图。
图3E是目数类型为9μm金刚石材质磨盘示意图。
图3F是目数类型为6μm金刚石材质磨盘示意图。
图3G是目数类型为3μm金刚石材质磨盘示意图。
图4A为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至70μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4B为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至45μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4C为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至30μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4D为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至15μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4E为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至9μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4F为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至6μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4G为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至3μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的照片；
图4H为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至0.25μm金刚石材质抛光液后，在金相显微镜下的照片；
图4I为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至0.05μm金刚石材质抛光液后，在金相显微镜下的照片。
图5A为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至70μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5B为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至45μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5C为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至30μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5D为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至15μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5E为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至9μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5F为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至6μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5G为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至3μm金刚石材质磨盘后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5H为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至0.25μm金刚石材质抛光液后，在金相显微镜下的柔性覆层照片；
图5I为采用实施例的蓝宝石磨抛组合体系至0.05μm金刚石材质抛光液后，在金相显微镜下的柔性覆层照片。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明中，所述蓝宝石基材电子组件是指以蓝宝石作为基材的电子组件，其中，所述蓝宝石基材电子组件具体包括如智能手机触控镜面、摄像头保护镜片、指纹识别保护镜片、智能穿戴设备防护屏等消费类电子产品和配件，以及应用于军工特种窗口及光电功能材料等。由于蓝宝石基材硬度大且脆性高的特点，在金相切片做截面分析时，加工难度大，其中，增加柔性覆层的蓝宝石基材电子组件切片分析则更复杂。
请参阅图1，为了解决上述问题，本发明的第一实施例提供一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其包括不同目数类型的金刚石磨盘和金刚石抛光液，目数类型选择按照由粗至细的目数类型，确保得到良好的表面质量。
所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法具体包括以下步骤：
步骤S1，将待处理蓝宝石样品进行切割获得待研磨样品，选择目数类型由粗至细的磨盘对切割后的待研磨样品进行初研磨，以使获得初研磨蓝宝石样品；及
步骤S2，利用目数类型为小于2μm的抛光液于初研磨蓝宝石样品之上进行研磨，以进行抛光处理，获取所需金相切片样品。
在本发明中，为了实现更好的蓝宝石样品处理，在进行切割之前，还包括将待观测蓝宝石样品镶埋处理。具体地：将待观测蓝宝石样品置入样品模具中固定后，置入树脂及添加剂的混合物，待其硬化后获得待处理蓝宝石样品。
具体地，欲观测样品水平置入样品模具并利用样品夹固定，倒入已调配均匀树脂及硬化剂高于样品表面，待其硬化。
其中，所述树脂可包括但不受限于环氧树脂、丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂等中任一种或几种的组合。
所述添加剂包括引发剂、固化剂、消泡剂、流平剂、润湿剂、消光剂、阻聚剂等中任一种。
其中，所述硬化剂可包括碱性类固化剂、酸性类固化剂、加成型固化剂、催化型固化剂、潜在型固化剂等中的一种或几种的组合。
在本实施例中，将硬化后样品置入切割机中固定，利用特殊材质切割刀具以对应转速及进刀速率进行切割工序。其中，所述特殊材质切割工具为金刚石切割刀具，设定刀轮速率为2000rpm-3000rpm，所述进刀率为1.0mm/min-3.0mm/min进行切割。
请参阅图2，所述利用由粗至细变化的目数类型的磨盘对切割后的样品进行研磨具体包括以下步骤：
步骤S11，粗研磨：依次利用由粗至细的目数类型为70μm-9μm的磨盘与待研磨样品进行研磨工序，以去除不平整处；
步骤S12，细研磨：依次利用由粗至细目数类型为9μm-3μm磨盘与待研磨样品进行研磨工序，进行细加工以获得初研磨蓝宝石样品。具体地，在粗研磨及细研磨步骤中，以研磨料接触待研磨样品开始磨抛的开始时刻为t1，以研磨料与待研磨样品分离停止磨抛的停止时刻为t2，研磨时间是指t1与t2之间的时间差t。
具体地，在所述粗研磨及所述细研磨步骤中，所述研磨时间t为2min-10min，磨盘转速为100rpm-500rpm。更进一步地，所述研磨时间t还可为2min-5min、3min-6min或5min-10min等。所述磨盘转速还可为100rpm-200rpm、150rpm-300rpm、200rpm-400rpm或200rpm-500rpm。
在对应的粗研磨、细研磨步骤中，所述研磨时间和所述磨盘转速可相同或者不同。
更进一步地，为了获得更优的研磨效果，磨盘与待研磨样品垂直进行研磨工序，固定预设时间将待研磨样品变换一定角度后往复进行研磨，具体地，所述预设时间可基于具体研磨精度要求调整为20s、30s、50s、1min或2min，其变换角度可为90°、60°、45°等等。
为了获得更优的研磨效果，所述磨盘可由目数类型为70μm-3μm的金刚石微粉与磨盘树脂粘合而形成。在本发明中，优先选择粒度分布集中，能够提供极好的边缘保持度。
在本实施例中，所述磨盘树脂可包括但不受限于：酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯醇树脂等中的任一种或几种的组合。
具体地，如图3A-图3G中所示，所述磨盘可对应为目数类型为70μm金刚石材质磨盘(如图3A)、目数类型为45μm金刚石材质磨盘(如图3B)、目数类型为30μm金刚石材质磨盘(如图3C)、目数类型为15μm金刚石材质磨盘(如图3D)、目数类型为9μm金刚石材质磨盘(如图3E)、目数类型为6μm金刚石材质磨盘(如图3F)及目数类型为3μm金刚石材质磨盘(如图3G)。其中，上述粗研磨对应的磨盘目数类型为70μm、45μm、30μm及15μm；上述细研磨对应的磨盘目数类型为9μm、6μm及3μm。
在一些具体的实施方式中，可选用部分中间目数类型的磨盘与待研磨样品进行研磨工序。其中，所述中间目数类型的磨盘是指除了目数类型为70μm及3μm之外的磨盘。例如，为了进一步节省研磨过程中，具体可地，依次利用目数类型为70μm、45μm、15μm的磨盘进行粗研磨，依次利用目数类型为9μm、6μm、3μm的磨盘进行细研磨。
针对中间目数类型的磨盘及抛光液的删减，可节省实际研磨时间，提升研磨效率，且不会直接影响最终的磨抛平整度。
请继续参阅图1中所示，上述步骤S2中，利用目数类型为小于2μm的抛光液于样品之上进行研磨工序，以对样品表面进行抛光处理具体包括：
利用由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的抛光液于抛光布上与初研磨蓝宝石样品进行研磨工序，在预设时间内初研磨蓝宝石样品往复变换方向研磨，以进行抛光处理。
具体地，在上述研磨工序中，所述抛光布与初研磨蓝宝石样品垂直进行研磨工序。
在上述利用抛光液进行抛光的步骤中，以研磨料接触待研磨样品开始磨抛的开始时刻为q1，以研磨料与待研磨样品分离停止磨抛的停止时刻为q2，研磨时间是指q1与q2之间的时间差q。
所述研磨时间q为2min-10min，磨抛转速为50rpm-200rpm。更进一步地，
所述研磨时间q还可为2min-5min、3min-6min、5min-10min或7min-10min等。所述磨抛转速还可为50rpm-100rpm、100rpm-150rpm或150rpm-200rpm。
所述抛光液中包括金刚石微粒，所述抛光液中金刚石微粒粒径90wt％以上微粒分布在由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的范围内。
所述金刚石微粒为聚晶金刚石(Polycrystalline Diamond，PCD)。利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。
在本发明的第二实施例提供一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其与上述第一实施例的区别在于：所述抛光液可包括目数类型为0.05μm的氧化铝微粒，当对所述抛光液的目数类型为0.05μm时，可采用氧化铝抛光液替代所述金刚石抛光液，也可达到相同的抛光效果。
为了更好地对本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法的效果做进一步的说明，提供如下的具体实施例：
第一具体实施例：
所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法是基于应用于产品代号为B的智能穿戴设备防护屏上的导电线路结构分析，并按以下仪器及参数条件进行：
采用型号为BuehlerIso
Figure BDA0002030128120000091
5000的精密切割机，设定刀轮速率为2500rpm，进刀率为1.5mm/min进行切割。
采用型号为BuehlerPHOENIXBETA+VECTOR的研磨抛光机，设定磨盘转速为300rpm，依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘，每个目数类型对应研磨各5min。
采用型号为BuehlerPHOENIXBETA+VECTOR的研磨抛光机，设定磨盘转速为150rpm，依次更换目数类型为0.25μm，0.05μm的金刚石抛光液，进行抛光5min。
采用市售型号为OLYMPUSMX61L的光学显微镜，选择100倍物镜，调节至明场，进行研磨过程及最终抛光后的截面观察，并进一步量测导电线路的结构厚度。
最终结果显示可以得到良好的截面效果，且同步准确量测导电线路的结构厚度。
第二具体实施例:
其与上述第一具体实施例的区别在于：磨盘转速为300rpm，依次更换目数类型为70μm、30μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘。
第三具体实施例：
其与上述第一具体实施例的区别在于：依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘，目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm的磨盘各研磨3min、目数类型为9μm、6μm或3μm的磨盘各研磨7min。
第四具体实施例：
其与上述第一具体实施例的区别在于：依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘，目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm的磨盘各研磨7min、目数类型为9μm、6μm或3μm的磨盘各研磨3min。
第五具体实施例：
其与上述第一具体实施例的区别在于：依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm或3μm的金刚石磨盘，每个目数类型对应研磨各5min。
第六具体实施例：
其与上述第一具体实施例的区别在于：设定磨盘转速为150rpm，依次更换目数类型为0.25μm，0.05μm的金刚石抛光液，每种目数类型的金刚石抛光液进行抛光5min。
第七具体实施例：
其与上述第一具体实施例的区别在于：设定磨盘转速为150rpm，依次更换目数类型为0.25μm金刚石抛光液，及目数类型为0.05μm的氧化铝抛光液，每种目数类型的抛光液进行抛光5min。
以其中上述第一具体实施例为例，所述依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘进行研磨，以及依次更换目数类型为0.25μm，0.05μm的金刚石抛光液，进行抛光之后，在金相显微镜之下的照片如图4A-图4I中所示，可知，通过采用硬度更高的金刚石磨料，能提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面磨抛效率，进一步按照不同目数类型的顺序组合进行磨抛，可以得到良好的表面效果。
基于上述的具体实施例还可获知不同磨盘及抛光液，能达到的抛光程度不同，会对磨抛平整度的差异影响，这种影响可能会直接导致量测结果差异。
进一步地，对应目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm或3μm的金刚石磨盘进行研磨，以及依次更换目数类型为0.25μm，0.05μm的金刚石抛光液进行抛光后所得到的如图5A-图5I中所示可体现出柔性覆层的显微照片。由图5A-图5I中可知，通过采用硬度更高的金刚石磨料，能提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面清除效率，按不同目数类型的顺序组合进行磨抛，从而可得到清晰的柔性覆层。
在本发明中所指的柔性覆层是可为聚酰亚胺(Polyimide，PI)及在其上的金属层，所述柔性覆层覆在蓝宝石基材之上。所述柔性覆层相对于蓝宝石基材具有更强的变形能力，因此，在研磨的过程中，会在待研磨样品表面形成台阶，从而影响研磨效果。采用如上述实验组1中所提供的制备方法，可对具有柔性覆层的蓝宝石基材电子组件进行有效研磨，从而可获得符合观测要求的金相切片样品。
与现有技术相比，本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法具有如下的有益效果：
本发明所提供蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，该方法是由下述不同目数类型的金刚石磨盘和抛光液组成：按使用由粗至细的目数类型的磨盘，再经过由粗至细的目数类型的抛光液。在本发明中，基于良好表面质量且达到高效的磨抛材料选择及应用，可在研磨抛光过程保证较高切削效率的同时，还可减少所述研磨操作对样品划伤。
特殊材质抛光液由优质微粉、复合分散剂和分散介质组成。利用聚晶特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。
在本发明中，设置粗研磨与细研磨两个步骤，并提供不同依次从粗至细采用不同目数类型的磨盘进行研磨，可使所述蓝宝石基材电子组件的切割面可逐渐被研磨而均匀精细化，而不会出现由于研磨不均匀的问题，而导致表面效果不佳的问题。
在本发明中，为了获得更好的研磨效果，在所述粗研磨、所述细研磨步骤中，对应的研磨时间为2min-10min，磨盘转速为100rpm-500rpm。对于研磨时间与磨盘转速的限定，可进一步提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面磨抛效率，从而可进一步保证金相切片样品的表面效果。
在本发明中，所述磨盘是由目数类型为70μm-3μm的金刚石微粉与树脂粘合而形成，基于磨盘的具体结构的限定，可提高蓝宝石基材电子组件切割面的研磨效率、提高成品率及表面质量。
在本发明中，利用目数类型为小于2μm的抛光液于样品之上进行研磨工序，以对样品表面进行抛光处理具体包括：利用目数类型为0.5μm-0.05μm的抛光液于抛光布上与初研磨蓝宝石样品进行研磨工序，在预设时间内将初研磨蓝宝石样品往复变换方向以进行研磨，以进行抛光处理。抛光液的选欧阳，可以保证在研磨抛光过程中，保持高切削效率的同时，不对工件产生划伤，从而可大大提高成品率。
在本发明中，所述研磨时间为2min-10min，磨抛转速为50rpm-200rpm。对于研磨时间的限制，可进一步提高所述抛光液进行抛光处理的有效性，从而可获得更优的磨抛效果。
在本发明中，所述抛光液中包括金刚石微粒，所述抛光液中金刚石微粒粒径90wt％以上微粒分布在由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的范围内。有关抛光液具体的限定，可提高所述磨抛材料的稳定性，而且可以保证高效的去除效率。抛光液的选择在针对柔性覆层的进行抛光处理时，其作用尤其明显。
在本发明中所述金刚石微粒为聚晶金刚石，利用聚晶金刚石的特性，采用聚晶金刚石在研磨抛光过程中，可以保持高切削效率的同时不易对工件产生割伤。
针对中间目数类型的磨盘及抛光液的删减，可节省实际研磨时间，提升研磨效率，且不会直接影响最终的磨抛平整度。
在本发明中，在进行切割之前，还包括将待观测蓝宝石样品镶埋处理：将待观测蓝宝石样品置入样品模具中固定后，置入树脂及添加剂的混合物，待其硬化后获得待处理蓝宝石样品。对待观测蓝宝石进行镶埋处理的操作可提高所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其特征在于：所述的蓝宝石基材电子组件包括蓝宝石基材和柔性覆层；其中，所述的柔性覆层是聚酰亚胺及在其上的金属层；所述的制备方法包括以下步骤：将待处理蓝宝石基材电子组件样品以精密切割机设定刀轮速率为2500rpm，进刀率为1.5mm/min进行切割获得待研磨样品；将研磨抛光机设定磨盘转速为300rpm，依次更换目数类型为70μm、40μm、30μm、15μm、9μm、6μm、3μm的金刚石磨盘，每个目数类型对应研磨各5min；接著，将研磨抛光机设定磨盘转速为150rpm，依次更换目数类型为0.25μm、0.05μm的金刚石抛光液，进行抛光5min，获取所需金相切片样品；使用光学显微镜选择100倍物镜，调节至明场，进行研磨过程及最终抛光后的截面观察，并进一步量测导电线路的结构厚度。
2.如权利要求1中所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其特征在于：所述金刚石抛光液中包括金刚石微粒，所述金刚石抛光液中金刚石微粒粒径90wt％以上微粒分布在由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的范围内。
3.如权利要求2中所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其特征在于：所述金刚石微粒为聚晶金刚石。
4.如权利要求1-3中任一项所述蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其特征在于：在进行切割之前，还包括将待观测蓝宝石样品镶埋处理：将所述待观测蓝宝石样品置入样品模具中固定后，置入树脂及添加剂的混合物，待其硬化后获得所述待处理蓝宝石基材电子组件样品。
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