JP5523230B2 - 研削装置 - Google Patents
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Description
(1)半導体ウェーハ
図1(a)の符号1は、一実施形態のワークである円板状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1の表面1Aには、図1(b)に示すようにICやLSIからなる電子回路を有する多数のデバイス2が形成されている。各デバイス2の表面には複数の凸部3が突出して形成されている。これら凸部3は、バンプと呼ばれる電極である。凸部3は、図1(c)に示すウェーハ1における表面1Aの円環状の外側1aを残した円形状の内側1bの領域(二点鎖線の内側)に形成されている(図1(c)ではデバイス2および凸部3を図示略)。
図2および図3により、研削装置10の基本的な構成および動作を説明する。この研削装置10では、ウェーハ1が真空チャック式の保持テーブル21上に裏面1Bを上方に露出した状態で水平に保持され、裏面1Bが加工手段30により研削される。研削のための動作は、制御部25により制御される。
保持テーブル21は、図4に示すように、多孔質セラミックからなる内部吸引部22および内部吸引部22を囲繞する外部吸引部23と、内部吸引部22内の圧力を測定する圧力測定器24とを備えている。内部吸引部22は円板状で、直径はウェーハ1の凸部3が形成された領域である内側1bの直径と同等の寸法である。この内部吸引部22の周囲に、円環状の仕切り211を隔てて円環状の外部吸引部23が配設されている。そして外部吸引部23は、ウェーハ1の直径と同等の直径を有する円環状の外枠体212で囲まれている。
ウェーハ1は、図5に示すように、保持テーブル21の直上に同心状、かつ水平に位置付けられてから矢印のように下ろされて図6に示すように保持テーブル21の上面に設置される。ここで、上述の如く凸部3の影響で保護テープ5におけるウェーハ1の外側1aへの貼着部分の厚みが内側1bへの貼着部分よりも薄くなっていることから、保持テーブル21に設置されたウェーハ1においては図6に示すように、保護テープ5の外側1aへの貼着部分の表面が保持テーブル21に当接せず、上記dに相当する隙間が空くことになる。これに対し保護テープ5の内側1bへの貼着部分の表面は、仕切り211内の内部吸引部22の上面全面に密着した状態となる。保持テーブル21にウェーハ1を設置したら、保持テーブル21は制御部25により以下のように制御される。
1A…ウェーハの表面
1B…ウェーハの裏面
5…保護テープ
10…研削装置
20…保持手段
21…保持テーブル
22…内部吸引部
23…外部吸引部
24…圧力測定器
25…制御部
30…加工手段
Claims (1)
- ワークの表面側に貼着された保護テープを介してワークを吸引保持する保持テーブルと、該保持テーブルを制御する制御部と、を有する保持手段と、
該保持テーブルに保持されたワークの裏面側を研削加工する加工手段と、
を有する研削装置であって、
前記保持テーブルは、
ワークの内側に対応する部分を吸着する内部吸引部と、該内部吸引部を囲繞しワークの外側を吸着する外部吸引部と、該内部吸引部に吸引力を発生させた際の圧力を測定する圧力測定器と、を有し、
前記制御部は、
前記保持テーブルの前記内部吸引部および前記外部吸引部に吸引力を発生させる前に、該内部吸引部に吸引力を発生させて所定の閾値の負圧を検出した際は研削可能と判定し、該所定の閾値の負圧を検出しない場合は研削不能と判定し、
研削可能と判定した際は、該内部吸引部および該外部吸引部に吸引力を発生させて該保持テーブル上のワーク全体を保持し研削を開始する
ことを特徴とする研削装置。
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