WO2020012951A1 - 加工装置、加工方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

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WO2020012951A1
WO2020012951A1 PCT/JP2019/025153 JP2019025153W WO2020012951A1 WO 2020012951 A1 WO2020012951 A1 WO 2020012951A1 JP 2019025153 W JP2019025153 W JP 2019025153W WO 2020012951 A1 WO2020012951 A1 WO 2020012951A1
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unit
grinding
processing
substrate
wafer
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PCT/JP2019/025153
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知広 金子
松本　武志
信貴 福永
正和 鎗光
秀二郎 龍
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東京エレクトロン株式会社
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Priority to CN201980043873.1A priority patent/CN112352303B/zh
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping

Definitions

  • the present disclosure relates to a processing device, a processing method, and a computer storage medium.
  • Patent Document 1 discloses a method of operating a grinding device for grinding the back surface of a wafer.
  • the grinding device includes a positioning unit that performs centering of a wafer, a chuck table that suctions and holds the wafer, a grinding unit that grinds the wafer held on the chuck table, and a cleaning unit that cleans the wafer.
  • the control unit executes an automatic grinding program, thereby moving the wafer in the order of the positioning unit, the chuck table, and the cleaning unit, and performing each processing on the wafer. Further, when the control means receives a signal for stopping the automatic grinding program during execution of the automatic grinding program, it determines whether or not the wafer has been subjected to the grinding processing.
  • the wafer is moved along the same path as the automatic grinding program and stored in the cassette. On the other hand, if it is determined that the grinding process has not been performed, the wafer is moved along the reverse path of the automatic grinding program and stored in the cassette.
  • the technology according to the present disclosure performs appropriate processing on the substrate before the processing apparatus is stopped after the processing apparatus for the substrate is stopped and restarted during operation.
  • One embodiment of the present disclosure is a processing apparatus that processes a substrate, a holding unit that holds the substrate, a grinding unit that grinds a processing surface of the substrate held by the holding unit, and a substrate that is mounted on the holding unit. And a control unit that controls the holding unit, the grinding unit, and the transfer unit. The control unit stops while the processing device is operating, and restarts the processing device. After performing the initialization of the holding unit, the initialization of the grinding unit and the initialization of the transport unit, and to detect the substrate in the holding unit, and for the detected substrate, the grinding unit The holding unit, the grinding unit, and the transport unit so as to execute the specification of the necessity of grinding by the method and the grinding of the processing surface of the substrate designated as needing grinding by the grinding unit. Control.
  • a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) having a plurality of devices such as electronic circuits formed on a surface thereof is subjected to a grinding process on a back surface of the wafer to thin the wafer. Has been done.
  • the grinding of the back surface of the wafer is performed by, for example, a grinding device disclosed in Patent Document 1.
  • the control unit when the control unit receives the signal for stopping the automatic grinding program as described above, it determines whether or not grinding is being performed on the wafer, and according to the determination result, transfers the wafer to the cassette of the wafer. Is determined.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the processing apparatus 1.
  • the wafer W as a substrate is thinned.
  • the wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer.
  • a device (not shown) is formed on a surface (hereinafter, referred to as a non-processed surface Wn) of the wafer W, and a protective material for protecting the device, for example, a protective tape (not shown) is formed on the non-processed surface Wn. Zu) is pasted.
  • predetermined processing such as grinding is performed on the back surface of the wafer W (hereinafter, referred to as a processing surface Wg), and the wafer W is thinned.
  • the processing apparatus 1 includes, for example, a loading / unloading station 2 for loading / unloading a cassette C capable of accommodating a plurality of wafers W with the outside, and a processing station 3 for performing a predetermined process on the wafer W. And are integrally connected.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are arranged side by side in the Y-axis direction.
  • the cassette loading table 10 is provided at the loading / unloading station 2.
  • a plurality of, for example, four cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 10 in a line in the X-axis direction.
  • the carry-in / out station 2 is provided with, for example, a wafer transfer area 20 adjacent to the cassette mounting table 10 in the positive Y-axis direction.
  • the wafer transfer area 20 is provided with a wafer transfer device 22 movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction.
  • the wafer transfer device 22 has a transfer fork 23 and a transfer pad 24 that hold the wafer W.
  • the transfer fork 23 has a tip branched into two, and sucks and holds the wafer W.
  • the transfer fork 23 transfers, for example, the wafer W before the grinding process.
  • the transport pad 24 has a circular shape having a diameter longer than the diameter of the wafer W in a plan view, and holds the wafer W by suction.
  • the transfer pad 24 transfers, for example, the wafer W after the grinding process.
  • the transport fork 23 and the transport pad 24 are configured to be movable in a horizontal direction, a vertical direction, around a horizontal axis, and around a vertical axis, respectively.
  • the processing station 3 processing such as grinding and cleaning is continuously performed on the wafer W.
  • the processing station 3 includes a rotary table 30, a transport unit 40 as a transport unit, an alignment unit 50, a first cleaning unit 60, a second cleaning unit 70, a third cleaning unit 80, and a coarse grinding unit 90 as a grinding unit.
  • a middle grinding unit 100 as a grinding unit
  • a finish grinding unit 110 as a grinding unit
  • an inspection unit 120 an inspection unit
  • the rotary table 30 is configured to be rotatable by a rotary mechanism (not shown).
  • a rotary mechanism (not shown).
  • four chucks 31 are provided as holding units for holding the wafer W by suction.
  • the chucks 31 are evenly arranged on the same circumference as the rotary table 30, that is, are arranged at every 90 degrees.
  • the four chucks 31 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 30.
  • a porous chuck vacuum chuck
  • a suction source 33 for evacuating the wafer W is connected via a suction pipe 32 as shown in FIG.
  • the chuck 31 is held by a chuck base (not shown) and is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the turntable 30, and the third cleaning unit 80 is disposed.
  • the second cleaning unit 70, the alignment unit 50, and the first cleaning unit 60 are arranged side by side.
  • the alignment unit 50 and the first cleaning unit 60 are stacked and arranged in this order from above.
  • the first processing position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the turntable 30, and the rough grinding unit 90 is disposed.
  • the second processing position A2 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis positive direction side of the turntable 30, and the medium grinding unit 100 is arranged.
  • the third processing position A3 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis negative direction side of the turntable 30, and the finish grinding unit 110 is arranged.
  • the transport unit 40 is an articulated robot having a plurality of, for example, three arms 41. Each of the three arms 41 is configured to be pivotable. A transfer pad 42 for holding the wafer W by suction is attached to the arm 41 at the distal end. The base arm 41 is attached to an elevating mechanism 43 that raises and lowers the arm 41 in the vertical direction. Then, the transfer unit 40 having such a configuration can transfer the wafer W to the delivery position A0, the alignment unit 50, the first cleaning unit 60, and the second cleaning unit 70.
  • the horizontal direction of the wafer W before the grinding process is adjusted.
  • a detection unit detects the position of the notch portion of the wafer W, thereby adjusting the position of the notch portion and adjusting the position of the notch portion. Adjust the horizontal orientation of W.
  • the processed surface Wg of the wafer W after the grinding process is cleaned, and more specifically, spin-cleaned.
  • the second cleaning unit 70 cleans the non-processed surface Wn of the wafer W in a state where the wafer W after the grinding process is held on the transfer pad 42, and also cleans the transfer pad 42.
  • the third cleaning unit 80 cleans the processing surface Wg of the wafer W after the grinding process and also cleans the chuck 31.
  • the rough grinding unit 90 roughly grinds the processing surface Wg of the wafer W.
  • the coarse grinding unit 90 has a coarse grinding section 91 provided with a rotatable coarse grinding wheel (not shown) having an annular shape.
  • the rough grinding section 91 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the column 92. Then, while the processing surface Wg of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the rough grinding wheel, the chuck 31 and the rough grinding wheel are respectively rotated, and the rough grinding wheel is further lowered, whereby the wafer W The processing surface Wg is roughly ground.
  • the medium grinding unit 100 performs medium grinding on the processing surface Wg of the wafer W.
  • the middle grinding unit 100 has a middle grinding unit 101 provided with an annular and rotatable middle grinding wheel (not shown).
  • the middle grinding unit 101 is configured to be movable in the vertical and horizontal directions along the column 102.
  • the grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the coarse grinding wheel. Then, while the processing surface Wg of the wafer W held by the chuck 31 is in contact with the medium grinding wheel, the chuck 31 and the medium grinding wheel are respectively rotated, and the medium grinding wheel is further lowered. Medium grinding.
  • the finish grinding unit 110 finish-grinds the processing surface Wg of the wafer W.
  • the finish grinding unit 110 includes a finish grinding unit 111 having a ring-shaped rotatable finish grinding wheel (not shown). Further, the finish grinding section 111 is configured to be movable in the vertical and horizontal directions along the column 112. The grain size of the abrasive grains of the finish grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel. Then, with the processing surface Wg of the wafer W held by the chuck 31 being in contact with the finishing grinding wheel, the chuck 31 and the finishing grinding wheel are respectively rotated, and the finishing grinding wheel is further lowered, whereby the processing surface Wg is lowered. Finish grinding.
  • the inspection unit 120 is provided at each of the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3. Further, as shown in FIG. 2, the inspection unit 120 has a pressure sensor 121 as a detection unit.
  • the pressure sensor 121 is provided in the suction pipe 32 and measures the suction pressure of the suction source 33.
  • the inspection unit 120 can detect the presence or absence of the wafer W based on the suction pressure measured by the pressure sensor 121.
  • the inspection unit 120 has a first height gauge 122 for measuring the height of the processing surface Wg of the wafer W, and a second height gauge 123 for measuring the height of the surface 31a of the chuck 31.
  • the first height gauge 122 includes a sensor 124, and measures the height position of the processing surface Wg by the tip of the sensor 124 abutting on the processing surface Wg of the wafer W.
  • the second height gauge 123 includes a sensor 125, and measures the height position of the surface 31 a when the tip of the sensor 125 contacts the surface 31 a of the chuck 31. Then, the inspection unit 120 can measure the thickness of the wafer W.
  • the configuration of the inspection unit 120 is not limited to the present embodiment, and any configuration may be used as long as it detects the wafer W.
  • the inspection unit may detect the wafer W using a non-contact sensor.
  • the processing device 1 is provided with a control unit 130.
  • the control unit 130 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • a program for controlling the processing of the wafer W in the processing apparatus 1 is stored.
  • the program storage unit also stores a program for controlling the operation of a drive system such as the above-described various processing units and the transfer device, so as to realize a later-described processing in the processing apparatus 1.
  • the program may be recorded on a storage medium H that can be read by a computer, and may be installed in the control unit 130 from the storage medium H.
  • the cassette C containing a plurality of wafers W is mounted on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • the cassette W accommodates the wafer W such that the non-processed surface Wn of the wafer W faces upward.
  • the wafer W in the cassette C is taken out by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22 and transferred to the processing station 3.
  • the front and back surfaces are inverted by the transfer fork 23 so that the processing surface Wg of the wafer W faces upward.
  • the wafer W transferred to the processing station 3 is transferred to the alignment unit 50. Then, in the alignment unit 50, the horizontal direction of the wafer W is adjusted (Step S1 in FIG. 3).
  • the wafer W is transferred from the alignment unit 50 to the transfer position A0 by the transfer unit 40, and transferred to the chuck 31 at the transfer position A0. Thereafter, the chuck 31 is moved to the first processing position A1. Then, the processed surface Wg of the wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 90 (Step S2 in FIG. 3).
  • the chuck 31 is moved to the second processing position A2. Then, the processed surface Wg of the wafer W is subjected to medium grinding by the medium grinding unit 100 (Step S3 in FIG. 3).
  • the chuck 31 is moved to the third processing position A3. Then, the finished surface Wg of the wafer W is finish-ground by the finish grinding unit 110 (Step S4 in FIG. 3).
  • the chuck 31 is moved to the delivery position A0.
  • the processing surface Wg of the wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid by the third cleaning unit 80 (Step S5 in FIG. 3).
  • cleaning is performed to remove stains on the processing surface Wg to some extent.
  • the wafer W is transferred from the delivery position A0 to the second cleaning unit 70 by the transfer unit 40. Then, in the second cleaning unit 70, the non-processed surface Wn of the wafer W is cleaned and dried while the wafer W is held on the transfer pad 42 (Step S6 in FIG. 3).
  • the wafer W is transferred from the second cleaning unit 70 to the first cleaning unit 60 by the transfer unit 40.
  • the processed surface Wg of the wafer W is finish-cleaned by the cleaning liquid (Step S7 in FIG. 3).
  • the processed surface Wg is washed to a desired degree of cleanliness and dried.
  • the wafer W having been subjected to all the processes is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 10 by the transfer pad 24 of the wafer transfer device 22.
  • a series of processing in the processing apparatus 1 ends.
  • an abnormality may occur in, for example, one unit of the processing apparatus 1 during the processing.
  • the processing apparatus 1 is stopped and shut down (step T1 in FIG. 4).
  • the control unit 130 stores the state of the wafer W when the processing apparatus 1 shuts down, for example, the position of the wafer W and the processing progress state. For example, in the rotary table 30, it is detected whether or not the wafer W is held by the chuck 31 at each of the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3, and stored in the control unit 130. When the wafer W is held on the chucks 31 at the processing positions A1 to A3, the control unit 130 also stores the grinding recipe performed on the wafer W. This grinding recipe is for when the processing apparatus 1 is shut down, in other words, it is used before the shutdown.
  • the position of the wafer W and the processing progress state are stored in the control unit 130.
  • the wafer W on the chuck 31 of the rotary table 30 may be referred to as a wafer Wa
  • the wafer W on the alignment unit 50 may be referred to as a wafer Wb.
  • step T2 in FIG. 4 the processing apparatus 1 is restarted.
  • each unit is initialized in the processing apparatus 1 (step T3 in FIG. 4).
  • initialization is sequentially performed according to the function of each unit.
  • the initialization is to return each unit to the origin, and to put the unit in an operable state.
  • the horizontal axis indicates time
  • the arrow of each unit indicates the start timing of initialization at the base end (left end) and the end timing of initialization at the tip (right end).
  • Initialization of the loading / unloading station 2 will be described.
  • initialization of the wafer transfer device 22 is started.
  • the horizontal axes of the transport fork 23 and the transport pad 24 are initialized.
  • the processing apparatus 1 shuts down with the transport fork 23 entering the cassette C or the alignment unit 50
  • the transport fork 23 is withdrawn from the cassette C or the alignment unit 50, returned to the original position, and initialized.
  • the initialization of the cassette mounting table 10 is started next. Specifically, the cassette mounting table 10 is returned to the original state, for example, by returning a shutter (not shown) provided in the cassette C to the original position.
  • the initialization of the transfer unit 40 is started together with the start of the initialization of the wafer transfer device 22 described above. Specifically, the horizontal axis of the transport pad 42 is initialized. For example, when the processing apparatus 1 shuts down while the transport pad 42 has entered a unit that can be accessed (for example, the alignment unit 50), the transport pad 42 is withdrawn from the alignment unit 50, returned to the original position, and initialized.
  • the processing apparatus 1 shuts down while the transport pad 42 has entered a unit that can be accessed (for example, the alignment unit 50)
  • the transport pad 42 is withdrawn from the alignment unit 50, returned to the original position, and initialized.
  • the alignment unit 50 and the cleaning unit are initialized in parallel with the initialization of the third cleaning unit 80 and the grinding units 90, 100, and 110.
  • Initialization of 70 and 80 is started. Since the wafer transfer device 22 and the transfer unit 40 access the alignment unit 50 and the first cleaning unit 60, all of the transfer fork 23, the transfer pad 24, and the transfer pad 42 need to be retracted.
  • the wafer Wa on the chuck 31 of the turntable 30 is detected (step T4 in FIG. 4).
  • the detection of the wafer Wa in step T4 may be performed after the restart in step T2, and may be performed in parallel with the initialization of the processing apparatus 1 in step T3 as in the present embodiment, or It may be performed during the initialization or after the initialization is completed.
  • step T4 the wafer Wa on the chuck 31 is detected by using the inspection unit 120 (pressure sensor 121) at the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3. Then, based on the wafer Wa detected by the inspection unit 120 and the state of the wafer Wa stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down in step T1, the presence or absence of the wafer Wa in the chuck 31 is confirmed.
  • the control unit 130 stores the wafer Wa as “present”, and the inspection unit 120 also detects that the wafer Wa is “present”. to decide. Then, the wafer Wa is subjected to grinding or collection after restart described later.
  • grinding after restart refers to performing grinding after restarting the wafer Wa remaining in the processing apparatus 1 before shutdown.
  • the post-restart grinding includes re-grinding the wafer Wa shut down during the grinding, and grinding the wafer Wa shut down before or after the grinding.
  • control unit 130 stores the wafer Wa as “present”, if the inspection unit 120 detects that the wafer Wa is “absent”, it checks whether or not the wafer Wa is actually held on the chuck 31. For example, when there is no wafer Wa on the chuck 31 such as when the operator has already collected the wafer Wa, it is determined that there is no wafer Wa and the subsequent processing is not performed. On the other hand, when the wafer Wa remains on the chuck 31 for some reason, the operator collects the wafer Wa after retracting the grinding units 91, 101, and 111 in the vertical direction.
  • control unit 130 stores “was” for the wafer Wa
  • the inspection unit 120 detects “was” for the wafer Wa
  • the operator collects the wafer Wa.
  • the post-restart grinding of the wafer Wa is performed based on the grinding recipe performed on the wafer Wa before the processing apparatus 1 is shut down.
  • the grinding recipe is stored in the control unit 130. It has not been. If grinding is performed on the wafer Wa after restarting the processing apparatus 1 in this state, the wafer Wa may not be properly ground. In such a case, the operator may collect the wafer Wa here because there is a possibility that the processing apparatus 1 may be damaged.
  • control unit 130 determines that the chuck 31 does not hold the wafer Wa. In such a case, when the initialization in step T3 is completed, the chuck 31 becomes usable.
  • step T4 since the presence or absence of the wafer Wa is detected using both the control unit 130 and the inspection unit 120, the detection accuracy can be improved, and the subsequent processing can be appropriately performed. .
  • step T4 when it is determined in step T4 that the wafer Wa is held on the chuck 31, it is designated whether the wafer Wa is to be subjected to grinding after restart or to be collected without grinding after restart. (Step T5 in FIG. 4).
  • the necessity of the post-restart grinding of the wafer Wa may be automatically specified by the control unit 130 or may be manually specified by the operator.
  • step T5 when it is specified that the grinding of the wafer Wa is not necessary after the restart, the wafer Wa is transferred to the cassette C and collected.
  • the thickness may vary depending on the state of the wafer Wa. Therefore, in order to stabilize the transfer of the wafer Wa, it is preferable to measure the thickness (height) of the wafer Wa held by the chuck 31 using the inspection unit 120 (height gauges 122 and 123). Alternatively, the wafer Wa may be collected by an operator.
  • Step T6 when it is specified in Step T5 that the wafer Wa needs to be ground after the restart, it is specified whether or not to perform the warm-up (the first preparation processing in the present disclosure) of the processing apparatus 1 (Step in FIG. 4). T6).
  • the warm-up is performed for each of the processing positions A1 to A3 where the grinding is performed after the restart.
  • this warm-up may be referred to as “single warm-up”.
  • the necessity of independent warm-up may be automatically specified by the control unit 130 or may be manually specified by an operator. If it is specified in step T6 that the independent warm-up is unnecessary, the independent warm-up is skipped, and the grinding is performed after the restart in step T8 described later.
  • step T7 in FIG. 4 when it is specified in step T6 that the individual warm-up is required, the individual warm-up is performed (step T7 in FIG. 4).
  • the independent warm-up the temperature of the chuck 31 and the grinding units 91, 101, 111 is stabilized by rotating the chuck 31 and the grinding units 91, 101, 111 while flowing water, for example.
  • the independent warm-up is performed according to a warm-up recipe that defines the flow rate and the number of rotations of water, for example.
  • the flow of the post-restart grinding differs depending on the position and the state of the wafer Wa.
  • the position of the wafer Wa is a position where the wafer Wa exists, and is one of the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3.
  • the state of the wafer Wa indicates a final processing state of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • patterns 1 to 7 will be described separately.
  • Pattern 1 is a case where the position of the wafer Wa is the delivery position A0 and the state of the wafer Wa is not ground.
  • step S2 rough grinding at first processing position A1
  • step S3 medium grinding at second processing position A2
  • step S4 finish grinding at third processing position A3
  • step S5 transfer grinding at transfer position A0
  • step S5 The processing surface rough cleaning
  • Pattern 2 is a case where the position of the wafer Wa is the first processing position A1 and the state of the wafer Wa is in the middle of rough grinding.
  • the pattern 2 also includes a case where the wafer Wa is not ground at the first processing position A1.
  • a grinding process subsequent to the rough grinding is performed at the first processing position A1.
  • the processing surface Wg of the wafer Wa is ground based on the processing progress state of the wafer Wa and the grinding recipe stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down in the above-described step T1.
  • the target height of the rough grinding of the wafer Wa is determined in the grinding recipe, and the processed surface Wg of the wafer Wa is ground to the target height, and the rough grinding ends (step S2).
  • step S3 medium grinding at the second processing position A2 (step S3), finish grinding at the third processing position A3 (step S4), and rough cleaning of the processed surface at the delivery position A0 (step S5) are sequentially performed. Thereafter, the wafer Wa is returned to the first processing position A1, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • the wafer Wa is directly collected in the cassette C after the processing surface cleaning at the delivery position A0 is completed.
  • the wafer Wa for which the rough grinding has been temporarily stopped and the grinding has been performed after the restart has not been performed for the normal grinding, and the quality cannot be guaranteed. Therefore, it is preferable that the wafer Wa be returned to the position (first processing position A1) at the time of shutdown of the processing apparatus 1 and then collected in the cassette C. Further, it is basically preferable to transport the wafers Wa in the order in which they are loaded into the processing apparatus 1, and from this viewpoint, it is preferable to return the wafer Wa to the first processing position A1.
  • Pattern 3 is a case where the position of the wafer Wa is the first processing position A1 and the state of the wafer Wa is a state where the rough grinding has been completed.
  • the wafer Wa is moved to the second processing position A2, and medium grinding (step S3) is performed.
  • finish grinding at the third processing position A3 (step S4) and rough cleaning of the processed surface at the delivery position A0 (step S5) are sequentially performed.
  • the wafer Wa is returned to the first processing position A1, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • Pattern 4 is a case where the position of the wafer Wa is the second processing position A2 and the state of the wafer Wa is in the middle of the middle grinding.
  • the pattern 4 also includes a case where the wafer Wa is not ground at the second processing position A2.
  • a grinding process following the middle grinding is performed.
  • the processing surface Wg of the wafer Wa is ground based on the processing progress of the wafer Wa in the grinding recipe and the grinding recipe stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down in step T1, and the medium grinding is performed. Ends (step S3).
  • finish grinding at the third processing position A3 step S4
  • rough cleaning of the processed surface at the delivery position A0 step S5 are sequentially performed.
  • the wafer Wa is returned to the second processing position A2, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • Pattern 5 is a case where the position of the wafer Wa is the second processing position A2 and the state of the wafer Wa is a state where the middle grinding has been completed.
  • the wafer Wa is moved to the third processing position A3, and finish grinding (Step S4) is performed.
  • a rough cleaning of the processed surface at the delivery position A0 (Step S5) is performed.
  • the wafer Wa is returned to the second processing position A2, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • Pattern 6 is a case where the position of the wafer Wa is the third processing position A3 and the state of the wafer Wa is in the middle of finish grinding.
  • the pattern 6 also includes a case where the wafer Wa is not ground at the third processing position A3.
  • a grinding process subsequent to the finish grinding is performed at the third processing position A3.
  • the processing surface Wg of the wafer Wa is ground based on the processing progress state of the wafer Wa in the grinding recipe and the grinding recipe stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down in step T1, and the finish grinding is performed. Ends (step S4).
  • a rough cleaning of the processed surface at the delivery position A0 (Step S5) is performed.
  • the wafer Wa is returned to the third processing position A3, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • Pattern 7 is a case where the position of the wafer Wa is the third processing position A3 and the state of the wafer Wa is a state where the finish grinding has been completed.
  • the wafer Wa is moved to the delivery position A0, and the processed surface is cleaned (step S5). Thereafter, the wafer Wa is returned to the third processing position A3, that is, the position of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down.
  • the patterns 1 to 7 are individually described. For example, when there are a plurality of wafers Wa at the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3, it is determined from which position the wafer Wa is to be subjected to the grinding after the restart.
  • the control unit 130 may make the determination. Specifically, based on the final processing progress of the wafer Wa when the processing apparatus 1 is shut down, the control unit 130 automatically sets the order of grinding after the restart of the wafer Wa.
  • any one of the patterns may be performed in parallel. In other words, the grinding after the restart of the wafer Wa may be performed on one wafer, or may be performed in parallel at a plurality of processing positions A1 to A3.
  • Step T9 when the grinding after the restart of the processing surface Wg of the wafer Wa in step T8 is completed, the wafer Wa that has been ground after the restart is transported to the cassette C and collected (FIG. 4). Step T9). At this time, before the wafer Wa is transferred to the cassette C, the non-processed surface cleaning in the second cleaning unit 70 (Step S6) and the processed surface finish cleaning in the first cleaning unit 60 (Step S7) are sequentially performed. Is In step T9, when the wafer Wa is collected and the wafer Wa held by the chuck 31 is exhausted, a normal warm-up (the second warming-up in the present disclosure) is performed in order to perform grinding after restarting the wafer Wb in step T11 described later. Preparation process).
  • a normal warm-up the second warming-up in the present disclosure
  • Step T10 when it is stored in the control unit 130 that the wafer Wb is present in the alignment unit 50 in step T1, it is determined whether the wafer Wb is to be subjected to the grinding after the restart or to be collected without the grinding after the restart. Specify (Step T10 in FIG. 4). Whether or not the post-restart grinding of the wafer Wb is necessary may be automatically specified by the control unit 130 or may be manually specified by an operator. Then, in step T10, when it is specified that the grinding after the restart of the wafer Wb is unnecessary, the wafer Wb is transferred to the cassette C and collected. Alternatively, the wafer Wb may be collected by an operator. Step T10 may be performed before step T9.
  • the post-restart grinding is performed on the wafer Wb for which the post-restart grinding is specified in step T10 (step T11 in FIG. 4). Specifically, first, in the alignment unit 50, the horizontal direction of the wafer Wb is readjusted (Step S1). Subsequently, for the wafer Wb, rough grinding at the first processing position A1 (step S2), medium grinding at the second processing position A2 (step S3), and finish grinding at the third processing position A3 (step S4). Then, the processing surface rough cleaning at the delivery position A0 (step S5) is sequentially performed.
  • the post-restart grinding of the wafer Wb in step T11 may be performed in parallel with the recovery of the wafer Wa in step T9.
  • step S6 the non-processed surface cleaning in the second cleaning unit 70
  • step S7 the processed surface finish cleaning in the first cleaning unit 60
  • step T13 in FIG. 4 when all the wafers W in the processing apparatus 1 are collected, whether or not to perform normal warm-up (second preparation processing in the present disclosure) of the processing apparatus 1 is designated (step T13 in FIG. 4).
  • the necessity of the warm-up may be automatically specified by the control unit 130 or manually by an operator. If it is specified in step T13 that warm-up is unnecessary, warm-up is skipped, and preparation for performing normal operation of the processing apparatus 1 is completed.
  • step T14 the warm-up is performed (step T14 in FIG. 4).
  • the chuck 31 and the grinding units 91, 101, and 111 are rotated while flowing water to stabilize the temperatures of the chuck 31 and the grinding units 91, 101, and 111.
  • water or gas flows from the chuck 31, and the height of the chuck 31 is also adjusted.
  • the post-restart grinding is performed in step T8 on the wafer Wa detected in step T4 and specified to require post-restart grinding in step T5. . Further, in step T11, post-restart grinding is performed on the wafer Wb designated to require post-restart grinding. For this reason, the wafers Wa and Wb remaining inside when the processing apparatus 1 is shut down can be effectively used without wasting.
  • step T8 the processing surface Wg of the wafer Wa is subjected to grinding after restarting, for example, by dividing the pattern into patterns 1 to 7 according to the position and the state of the wafer Wa. At this time, the processing surface Wg of the wafer Wa is ground based on the processing progress state of the wafer Wa in the grinding recipe and the grinding recipe stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down. Can be done properly.
  • step T8 after the processing surface Wg of the wafer Wa is restarted and ground, the wafer Wa is returned to the position at the time of shutdown of the processing apparatus 1. For this reason, based on the recipe before the shutdown of the processing apparatus 1, the wafer Wa can be collected smoothly.
  • Step T7 Since the individual warm-up is performed in Step T7, the temperatures of the chuck 31 and the grinding units 91, 101, and 111 are stabilized. As a result, the post-restart grinding in step T8 can be performed stably.
  • step T4 the wafer Wa in the chuck 31 is detected based on the wafer Wa detected by the inspection unit 120 and the state of the wafer Wa stored in the control unit 130 when the processing apparatus 1 is shut down in step T1. Since the presence / absence of the wafer Wa is detected by using both the control unit 130 and the inspection unit 120 as described above, subsequent processing can be appropriately performed. Specifically, the processing conditions for the subsequent processing can be made appropriate, and unnecessary movement such as performing the processing even when there is no wafer Wa can be eliminated.
  • step T2 initialization is sequentially performed in the processing apparatus 1 according to the function of each unit. Therefore, each unit can be properly initialized.

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Abstract

加工装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板の加工面を研削する研削部と、前記保持部に対して基板を搬送する搬送部と、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記加工装置が稼働中に停止しさらに当該加工装置を再起動させた後、前記保持部の初期化、前記研削部の初期化及び前記搬送部の初期化を行うことと、前記保持部における基板を検出することと、検出された基板に対し、前記研削部による研削の要否を指定することと、研削が必要と指定された基板の加工面を、前記研削部によって研削することと、を実行するように、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する。

Description

加工装置、加工方法及びコンピュータ記憶媒体
　本開示は、加工装置、加工方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　特許文献１には、ウェハの裏面を研削する研削装置の運転方法が開示されている。研削装置は、ウェハの中心合わせを実施する位置合わせ手段と、ウェハを吸引保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウェハを研削する研削手段と、ウェハを洗浄する洗浄手段と、を有する。研削装置では、制御手段が自動研削プログラムを実行することにより、位置合わせ手段、チャックテーブル、洗浄手段の順にウェハを移動させて、当該ウェハに各処理が行われる。また、自動研削プログラム実行中に制御手段が自動研削プログラムを中止する信号を受信すると、ウェハに研削加工が実施されているか否かを判断する。そして、研削加工が実施されていると判断した場合には、当該ウェハを自動研削プログラムと同じ経路で移動させてカセットに収容する。一方、研削加工が実施されていないと判断した場合には、当該ウェハを自動研削プログラムと逆の経路で移動させてカセットに収容する。
特開２０１１－２１８４７２号公報
　本開示にかかる技術は、基板の加工装置が稼働中に停止しさらに再起動した後、当該加工装置の停止前の基板に適切な処理を行う。
　本開示の一態様は、基板を加工する加工装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板の加工面を研削する研削部と、前記保持部に対して基板を搬送する搬送部と、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記加工装置が稼働中に停止しさらに当該加工装置を再起動させた後、前記保持部の初期化、前記研削部の初期化及び前記搬送部の初期化を行うことと、前記保持部における基板を検出することと、検出された基板に対し、前記研削部による研削の要否を指定することと、研削が必要と指定された基板の加工面を、前記研削部によって研削することと、を実行するように、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する。
　本開示によれば、基板の加工装置が稼働中に停止しさらに再起動した後、当該加工装置の停止前の基板に適切な処理を行うことができる。
本実施形態にかかる加工装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 検査ユニットの構成の概略を示す側面図である。 加工処理の主な工程を示すフローチャートである。 加工処理の運転準備の主な工程を示すフローチャートである。 加工装置の各ユニットの初期化するタイミングを示す説明図である。 ウェハの再起動後研削のフローを示す説明図である。
　半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削加工して、ウェハを薄化することが行われている。
　ウェハの裏面の研削加工は、例えば特許文献１に開示された研削装置で行われる。この研削装置では、上述したように制御手段が自動研削プログラムを中止する信号を受信すると、ウェハに研削加工が実施されているか否かを判断し、判断結果に応じて、ウェハのカセットへ搬送経路を決定している。
　特許文献１に開示の研削装置ではこのように、研削中止の指令が出された場合に効率よくウェハを回収することは考慮されている。しかしながら、その後、研削装置を再起動させてから通常運転が行われるまでに、当該研削装置の停止後に残っているウェハを適切に行うことまでは考慮されていない。
　そこで、本開示にかかる技術は、加工装置が停止しさらに再起動した後、当該加工装置の運転準備を適切に行う。以下、本実施形態にかかる加工装置及び加工方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　先ず、本実施形態にかかる加工装置の構成について説明する。図１は、加工装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。
　本実施形態の加工装置１では、基板としてのウェハＷを薄化する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハＷの表面（以下、非加工面Ｗｎという）にはデバイス（図示せず）が形成されており、さらに当該非加工面Ｗｎにはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープ（図示せず）が貼り付けられている。そして、ウェハＷの裏面（以下、加工面Ｗｇという）に対して研削などの所定の加工処理が行われ、当該ウェハＷが薄化される。
　図１に示すように加工装置１は、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション２と、ウェハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｙ軸方向に並べて配置されている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
　また、搬入出ステーション２には、例えばカセット載置台１０のＹ軸正方向に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、ウェハＷを保持する、搬送フォーク２３と搬送パッド２４を有している。搬送フォーク２３は、その先端が２本に分岐し、ウェハＷを吸着保持する。搬送フォーク２３は、例えば研削処理前のウェハＷを搬送する。搬送パッド２４は、平面視においてウェハＷの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハＷを吸着保持する。搬送パッド２４は、例えば研削処理後のウェハＷを搬送する。そして、これら搬送フォーク２３と搬送パッド２４はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
　処理ステーション３では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が連続して行われる。処理ステーション３は、回転テーブル３０、搬送部としての搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、第２の洗浄ユニット７０、第３の洗浄ユニット８０、研削部としての粗研削ユニット９０、研削部としての中研削ユニット１００、研削部としての仕上研削ユニット１１０、及び検査ユニット１２０を有している。
　回転テーブル３０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル３０上には、ウェハＷを吸着保持する保持部としてのチャック３１が４つ設けられている。チャック３１は、回転テーブル３０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック３１は、回転テーブル３０が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。なお、チャック３１には例えばポーラスチャック（真空チャック）が用いられ、図２に示すように吸引管３２を介して、ウェハＷを真空引きする吸引源３３が接続されている。また、チャック３１はチャックベース（図示せず）に保持され、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　図１に示すように本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、第３の洗浄ユニット８０が配置される。受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット７０、アライメントユニット５０及び第１の洗浄ユニット６０が並べて配置される。アライメントユニット５０と第１の洗浄ユニット６０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット９０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１００が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１１０が配置される。
　搬送ユニット４０は、複数、例えば３つのアーム４１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム４１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム４１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド４２が取り付けられている。また、基端のアーム４１は、アーム４１を鉛直方向に昇降させる昇降機構４３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット４０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、及び第２の洗浄ユニット７０に対して、ウェハＷを搬送できる。
　アライメントユニット５０では、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、検出部（図示せず）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの水平方向の向きを調節する。
　第１の洗浄ユニット６０では、研削処理後のウェハＷの加工面Ｗｇを洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。
　第２の洗浄ユニット７０では、研削処理後のウェハＷが搬送パッド４２に保持された状態のウェハＷの非加工面Ｗｎを洗浄するとともに、搬送パッド４２を洗浄する。
　第３の洗浄ユニット８０では、研削処理後のウェハＷの加工面Ｗｇを洗浄するとともに、チャック３１を洗浄する。
　粗研削ユニット９０では、ウェハＷの加工面Ｗｇを粗研削する。粗研削ユニット９０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部９１を有している。また、粗研削部９１は、支柱９２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの加工面Ｗｇを粗研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と粗研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに粗研削砥石を下降させることによって、ウェハＷの加工面Ｗｇを粗研削する。
　中研削ユニット１００では、ウェハＷの加工面Ｗｇを中研削する。中研削ユニット１００は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１０１を有している。また、中研削部１０１は、支柱１０２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの加工面Ｗｇを中研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と中研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに中研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗｇを中研削する。
　仕上研削ユニット１１０では、ウェハＷの加工面Ｗｇを仕上研削する。仕上研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１１１を有している。また、仕上研削部１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの加工面Ｗｇを仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに仕上研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗｇを仕上研削する。
　検査ユニット１２０は、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３のそれぞれに設けられる。また、図２に示すように検査ユニット１２０は、検出部としての圧力センサ１２１を有している。圧力センサ１２１は吸引管３２に設けられ、吸引源３３による吸引圧力を測定する。そして、検査ユニット１２０では、圧力センサ１２１で測定される吸引圧力により、ウェハＷの有無を検出することができる。
　また、検査ユニット１２０は、ウェハＷの加工面Ｗｇの高さを計測する第１のハイトゲージ１２２と、チャック３１の表面３１ａの高さを計測する第２のハイトゲージ１２３とを有している。第１のハイトゲージ１２２はセンサ１２４を備え、センサ１２４の先端がウェハＷの加工面Ｗｇに当接することで、当該加工面Ｗｇの高さ位置を計測する。第２のハイトゲージ１２３はセンサ１２５を備え、センサ１２５の先端がチャック３１の表面３１ａに当接することで、当該表面３１ａの高さ位置を計測する。そして、検査ユニット１２０では、ウェハＷの厚みを測定できる。なお、検査ユニット１２０の構成は、本実施形態に限定されず、ウェハＷを検出するものであれば任意の構成を取り得る。例えば検査ユニットは、非接触式のセンサを用いてウェハＷを検出してもよい。
　図１に示すように加工装置１には、制御部１３０が設けられている。制御部１３０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、加工装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、加工装置１における後述の加工処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１３０にインストールされたものであってもよい。
　次に、以上のように構成された加工装置１を用いて行われる加工処理について説明する。
　先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、保護テープが変形するのを抑制するため、ウェハＷの非加工面Ｗｎが上側を向くようにウェハＷが収納されている。
　次に、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によりカセットＣ内のウェハＷが取り出され、処理ステーション３に搬送される。この際、搬送フォーク２３によりウェハＷの加工面Ｗｇが上側に向くように、表裏面が反転される。
　処理ステーション３に搬送されたウェハＷは、アライメントユニット５０に受け渡される。そして、アライメントユニット５０において、ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図３のステップＳ１）。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット４０により、アライメントユニット５０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック３１に受け渡される。その後、チャック３１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット９０によって、ウェハＷの加工面Ｗｇが粗研削される（図３のステップＳ２）。
　次に、チャック３１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１００によって、ウェハＷの加工面Ｗｇが中研削される（図３のステップＳ３）。
　次に、チャック３１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１１０によって、ウェハＷの加工面Ｗｇが仕上研削される（図３のステップＳ４）。
　次に、チャック３１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、第３の洗浄ユニット８０によって、ウェハＷの加工面Ｗｇが洗浄液によって粗洗浄される（図３のステップＳ５）。この工程では、加工面Ｗｇの汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット４０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット７０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット７０では、ウェハＷが搬送パッド４２に保持された状態で、ウェハＷの非加工面Ｗｎが洗浄し、乾燥される（図３のステップＳ６）。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット４０によって、第２の洗浄ユニット７０から第１の洗浄ユニット６０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット６０では、ウェハＷの加工面Ｗｇが洗浄液によって仕上洗浄される（図３のステップＳ７）。この工程では、加工面Ｗｇが所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
　その後、すべての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置２２の搬送パッド２４によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、加工装置１における一連の加工処理が終了する。
　次に、稼働中の加工装置１の停止後、さらに加工装置１を再起動させた後、通常運転が行われるまでの、当該加工装置１の運転準備方法について説明する。
　先ず、上述したように加工装置１でウェハＷの加工処理を行うと、その加工処理中に、例えば加工装置１の一のユニットに異常が生じる場合がある。かかる場合、加工装置１を停止してシャットダウンする（図４のステップＴ１）。
　このステップＴ１では、加工装置１の内部にウェハＷが残存する場合がある。そこで制御部１３０では、加工装置１がシャットダウンした際のウェハＷの状態、例えばウェハＷの位置や処理進行状態を記憶する。例えば回転テーブル３０では、受渡位置Ａ０、加工位置Ａ１～Ａ３の各位置のチャック３１に、ウェハＷが保持されているか否かが検出され、制御部１３０に記憶される。また、加工位置Ａ１～Ａ３のチャック３１にウェハＷが保持されている場合、当該ウェハＷに対して行われていた研削レシピも併せて、制御部１３０に記憶される。この研削レシピは、加工装置１のシャットダウン時のものであるが、換言すれば、シャットダウン以前に用いられていたものである。さらに、ウェハＷが他のユニット、例えばアライメントユニット５０にある場合も、そのウェハＷの位置と処理進行状態が、制御部１３０に記憶される。なお、以下においては、説明の都合上、回転テーブル３０のチャック３１にあるウェハＷをウェハＷａといい、アライメントユニット５０にあるウェハＷをウェハＷｂという場合がある。
　次に、加工装置１を再起動する（図４のステップＴ２）。
　次に、加工装置１において各ユニットを初期化する（図４のステップＴ３）。図５に示すように加工装置１では、各ユニットの機能に応じて順次、初期化を行う。初期化は、各ユニットを原点復帰させることであり、当該ユニットを動作可能な状態にすることをいう。なお、図５の横軸は時間であり、各ユニットの矢印は、その基端（左端）が初期化の開始タイミングを示し、先端（右端）が初期化の終了タイミングを示している。
　搬入出ステーション２の初期化について説明する。この搬入出ステーション２では先ず、ウェハ搬送装置２２の初期化を開始する。具体的には、搬送フォーク２３と搬送パッド２４の水平方向軸を初期化する。例えば搬送フォーク２３がカセットＣやアライメントユニット５０に進入した状態で、加工装置１がシャットダウンした場合、搬送フォーク２３をカセットＣやアライメントユニット５０から退出させ、元の位置に戻して初期化する。
　ウェハ搬送装置２２の初期化において、搬送フォーク２３と搬送パッド２４がカセットＣから退避すると、次にカセット載置台１０の初期化を開始する。具体的には、例えばカセットＣに設けられたシャッタ（図示せず）を元の位置に戻すなど、カセット載置台１０を元の状態に戻す。
　次に、処理ステーション３の初期化について説明する。この処理ステーション３では先ず、上述したウェハ搬送装置２２の初期化の開始と共に、搬送ユニット４０の初期化を開始する。具体的には、搬送パッド４２の水平方向軸を初期化する。例えば搬送パッド４２がアクセス可能なユニット（例えばアライメントユニット５０）に進入した状態で、加工装置１がシャットダウンした場合、搬送パッド４２をアライメントユニット５０から退出させ、元の位置に戻して初期化する。
　搬送ユニット４０の初期化において、搬送パッド４２が各ユニットから退避すると、次に第３の洗浄ユニット８０及び研削ユニット９０、１００、１１０の初期化を開始する。すなわち、回転テーブル３０の上方に設けられた各ユニットの初期化を行う。具体的には、第３の洗浄ユニット８０を洗浄位置から鉛直上方に退避させ、さらに第３の洗浄ユニット８０自体を初期化する。また、研削部９１、１０１、１１１のそれぞれを研削位置から鉛直上方に退避させ、さらに研削ユニット９０、１００、１１０自体を初期化する。
　第３の洗浄ユニット８０及び研削部９１、１０１、１１１のすべてが退避すると、次に４つのチャック３１の初期化を行う。さらに、４つのチャック３１の初期化が終了すると、回転テーブル３０の初期化を行う。
　また、上述した搬送ユニット４０の初期化において、搬送パッド４２が各ユニットから退避すると、第３の洗浄ユニット８０及び研削ユニット９０、１００、１１０の初期化に並行して、アライメントユニット５０及び洗浄ユニット７０、８０の初期化を開始する。なお、アライメントユニット５０と第１の洗浄ユニット６０には、ウェハ搬送装置２２と搬送ユニット４０がアクセスするため、搬送フォーク２３、搬送パッド２４及び搬送パッド４２のすべてが退避している必要がある。
　以上の加工装置１の各ユニットの初期化と並行して、回転テーブル３０のチャック３１におけるウェハＷａを検出する（図４のステップＴ４）。なお、このステップＴ４のウェハＷａの検出は、ステップＴ２の再起動後であればよく、本実施形態のようにステップＴ３の加工装置１の初期化と並行して行ってもよいし、あるいは当該初期化の途中又は初期化終了後に行ってもよい。
　ステップＴ４では、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３において、検査ユニット１２０（圧力センサ１２１）を用いてチャック３１におけるウェハＷａを検出する。そして、この検査ユニット１２０で検出したウェハＷａと、ステップＴ１の加工装置１のシャットダウン時に制御部１３０に記憶されたウェハＷａの状態とに基づいて、チャック３１におけるウェハＷａの有無を確認する。
　例えば一のチャック３１に対して、制御部１３０ではウェハＷａが「有り」と記憶され、検査ユニット１２０でもウェハＷａが「有り」と検出される場合、チャック３１にウェハＷａが保持されていると判断する。そして、当該ウェハＷａに対して、後述する再起動後研削又は回収がされる。なお、本実施形態において再起動後研削とは、シャットダウン前の加工装置１に残っているウェハＷａに対して、再起動後に研削を行うことをいう。例えば再起動後研削には、研削途中にシャットダウンしたウェハＷａを再研削する場合や、研削前又は研削後にシャットダウンしたウェハＷａを研削する場合が含まれる。
　制御部１３０ではウェハＷａが「有り」と記憶されているが、検査ユニット１２０によりウェハＷａが「無し」と検出される場合、実際にチャック３１にウェハＷａが保持されているかどうかを確認する。例えばすでにオペレータがウェハＷａを回収している場合など、チャック３１にウェハＷａが無い場合、ウェハＷａはないものとして、その後の処理を行わない。一方、何らかの要因でチャック３１にウェハＷａが残っている場合、研削部９１、１０１、１１１を鉛直方向に退避させた後、オペレータがウェハＷａを回収する。
　制御部１３０ではウェハＷａが「無し」と記憶されているが、検査ユニット１２０によりウェハＷａが「有り」と検出される場合、オペレータがウェハＷａを回収する。後述するようにウェハＷａの再起動後研削は、加工装置１のシャットダウン前に当該ウェハＷａに行われていた研削レシピに基づいて行われるが、上記の場合、制御部１３０にこの研削レシピが記憶されていない。この状態で加工装置１の再起動後にウェハＷａに再起動後研削を行うと、当該ウェハＷａが適切に研削されない場合がある。かかる場合、加工装置１にダメージを与えるおそれもあるため、ここではオペレータがウェハＷａを回収する。
　制御部１３０ではウェハＷａが「無い」と記憶され、検査ユニット１２０でもウェハＷａが「無し」と検出される場合、チャック３１にウェハＷａが保持されていないと判断する。かかる場合、ステップＴ３の初期化が終了すれば、当該チャック３１は使用可能になる。
　以上のようにステップＴ４では、制御部１３０と検査ユニット１２０の両方を用いてウェハＷａの有無を検出しているので、検出精度を向上させることができ、その後の処理を適切に行うことができる。
　次に、ステップＴ４においてチャック３１にウェハＷａが保持されていると判断されると、当該ウェハＷａに対して再起動後研削を行うか、あるいは再起動後研削をせずに回収するかを指定する（図４のステップＴ５）。このウェハＷａに対する再起動後研削の要否は、制御部１３０が自動で指定してもよいし、オペレータがマニュアルで指定してもよい。
　そして、ステップＴ５において、ウェハＷａの再起動後研削が不要と指定された場合、当該ウェハＷａは、カセットＣに搬送されて回収される。このようにウェハＷａの再起動後研削を行わずにカセットＣに回収する場合、ウェハＷａの状態によってはその厚みがばらつく場合がある。そこで、ウェハＷａの搬送を安定させるため、チャック３１に保持されたウェハＷａの厚み（高さ）を、検査ユニット１２０（ハイトゲージ１２２、１２３）によって測定しておくのが好ましい。あるいは、当該ウェハＷａは、オペレータが回収してもよい。
　次に、ステップＴ５においてウェハＷａの再起動後研削が必要と指定されると、加工装置１のウォームアップ（本開示における第１の準備処理）を行うか否かを指定する（図４のステップＴ６）。ウォームアップは、再起動後研削が行われる加工位置Ａ１～Ａ３毎に行われる。以下においては、このウォームアップを「単独ウォームアップ」という場合がある。なお、単独ウォームアップの要否は、制御部１３０が自動で指定してもよいし、オペレータがマニュアルで指定してもよい。そして、ステップＴ６において単独ウォームアップが不要と指定された場合、単独ウォームアップがスキップされ、後述するステップＴ８の再起動後研削が行われる。
　次に、ステップＴ６において単独ウォームアップが必要と指定されると、当該単独ウォームアップが行われる（図４のステップＴ７）。単独ウォームアップは、例えばチャック３１上に向けてと研削部９１、１０１、１１１に水を流しながら回転させて、当該チャック３１と研削部９１、１０１、１１１の温度を安定させる。また、単独ウォームアップは、例えば水の流量や回転数を規定したウォームアップレシピに従って行われる。そして、このように単独ウォームアップを行うことで、チャック３１や研削部９１、１０１、１１１の温度を一定にして、後述するステップＴ８における再起動後研削を安定して行うことができる。
　次に、ウェハＷａの加工面Ｗｇの再起動後研削が行われる（図４のステップＴ８）。この再起動後研削は、ウェハＷａの位置と状態によって、そのフローが異なる。ウェハＷａの位置は、ウェハＷａが存在する位置であり、受渡位置Ａ０、加工位置Ａ１～Ａ３のいずれかである。ウェハＷａの状態は、加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの最終的な処理進行状態を指す。以下、図６に示すようにパターン１～７に場合分けして説明する。
　パターン１は、ウェハＷａの位置が受渡位置Ａ０であって、ウェハＷａの状態が未研削の場合である。パターン１では、第１の加工位置Ａ１における粗研削（ステップＳ２）、第２の加工位置Ａ２における中研削（ステップＳ３）、第３の加工位置Ａ３における仕上研削（ステップＳ４）、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を順次行う。
　パターン２は、ウェハＷａの位置が第１の加工位置Ａ１であって、ウェハＷａの状態が粗研削の途中の状態の場合である。また、パターン２には、ウェハＷａが第１の加工位置Ａ１において未研削の場合も含まれる。パターン２では、先ず第１の加工位置Ａ１において、粗研削の続きの研削処理が行われる。この際、上述したステップＴ１において加工装置１がシャットダウンした際に制御部１３０に記憶された、研削レシピにおけるウェハＷａの処理進行状態と研削レシピに基づいて、ウェハＷａの加工面Ｗｇを研削する。例えば研削レシピにはウェハＷａの粗研削の目標高さが決められており、ウェハＷａの加工面Ｗｇはこの目標高さまで研削され、粗研削が終了する（ステップＳ２）。続いて、第２の加工位置Ａ２における中研削（ステップＳ３）、第３の加工位置Ａ３における仕上研削（ステップＳ４）、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を順次行う。その後、ウェハＷａを第１の加工位置Ａ１、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　なお、パターン２において、受渡位置Ａ０における加工面洗浄が終了した後、そのままウェハＷａをカセットＣに回収することも考えられる。但し、粗研削を一旦途中で止めて、再起動後研削を行ったウェハＷａは、通常の研削処理が行われたものではなく、品質が保証できない。そこで、加工装置１のシャットダウン時の位置（第１の加工位置Ａ１）にウェハＷａを戻してから、カセットＣに回収するのが好ましい。また、基本的には加工装置１に搬入した順番にウェハＷａを搬送するのが好ましく、かかる観点からも、ウェハＷａを第１の加工位置Ａ１に戻すのが好ましい。
　パターン３は、ウェハＷａの位置が第１の加工位置Ａ１であって、ウェハＷａの状態が粗研削が終了した状態の場合である。パターン３では、ウェハＷａを第２の加工位置Ａ２に移動させ、中研削（ステップＳ３）を行う。続いて、第３の加工位置Ａ３における仕上研削（ステップＳ４）、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を順次行う。その後、ウェハＷａを第１の加工位置Ａ１、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　パターン４は、ウェハＷａの位置が第２の加工位置Ａ２であって、ウェハＷａの状態が中研削の途中の状態の場合である。また、パターン４には、ウェハＷａが第２の加工位置Ａ２において未研削の場合も含まれる。パターン４では、先ず第２の加工位置Ａ２において、中研削の続きの研削処理が行われる。この際、ステップＴ１において加工装置１がシャットダウンした際に制御部１３０に記憶された、研削レシピにおけるウェハＷａの処理進行状態と研削レシピに基づいて、ウェハＷａの加工面Ｗｇを研削し、中研削が終了する（ステップＳ３）。続いて、第３の加工位置Ａ３における仕上研削（ステップＳ４）、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を順次行う。その後、ウェハＷａを第２の加工位置Ａ２、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　パターン５は、ウェハＷａの位置が第２の加工位置Ａ２であって、ウェハＷａの状態が中研削が終了した状態の場合である。パターン５では、ウェハＷａを第３の加工位置Ａ３に移動させ、仕上研削（ステップＳ４）を行う。続いて、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を行う。その後、ウェハＷａを第２の加工位置Ａ２、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　パターン６は、ウェハＷａの位置が第３の加工位置Ａ３であって、ウェハＷａの状態が仕上研削の途中の状態の場合である。また、パターン６には、ウェハＷａが第３の加工位置Ａ３において未研削の場合も含まれる。パターン６では、先ず第３の加工位置Ａ３において、仕上研削の続きの研削処理が行われる。この際、ステップＴ１において加工装置１がシャットダウンした際に制御部１３０に記憶された、研削レシピにおけるウェハＷａの処理進行状態と研削レシピに基づいて、ウェハＷａの加工面Ｗｇを研削し、仕上研削が終了する（ステップＳ４）。続いて、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を行う。その後、ウェハＷａを第３の加工位置Ａ３、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　パターン７は、ウェハＷａの位置が第３の加工位置Ａ３であって、ウェハＷａの状態が仕上研削が終了した状態の場合である。パターン５では、ウェハＷａを受渡位置Ａ０に移動させ、加工面洗浄（ステップＳ５）を行う。その後、ウェハＷａを第３の加工位置Ａ３、すなわち加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの位置に戻す。
　なお、上記例においてはパターン１～７を個別に説明したが、例えば受渡位置Ａ０、加工位置Ａ１～Ａ３においてウェハＷａが複数ある場合、どの位置のウェハＷａから再起動後研削を行うかは、制御部１３０が判断してもよい。具体的には、加工装置１のシャットダウン時のウェハＷａの最終的な処理進行状態に基づいて、制御部１３０がウェハＷａの再起動後研削の順番を自動で設定する。また、このようにウェハＷａが複数ある場合、いずれかのパターンが並行して行われてもよい。換言すれば、ウェハＷａの再起動後研削は１枚で行ってもよいし、複数の加工位置Ａ１～Ａ３で並行して行ってもよい。
　以上のように、ステップＴ８におけるウェハＷａの加工面Ｗｇの再起動後研削が終了すると、次に、再起動後研削が終了したウェハＷａは、カセットＣに搬送されて回収される（図４のステップＴ９）。この際、ウェハＷａにはカセットＣに搬送される前に、第２の洗浄ユニット７０における非加工面洗浄（ステップＳ６）と第１の洗浄ユニット６０における加工面仕上洗浄（ステップＳ７）が順次行われる。なお、ステップＴ９では、ウェハＷａを回収し、チャック３１に保持されるウェハＷａがなくなると、後述するステップＴ１１のウェハＷｂの再起動後研削を行うため、通常のウォームアップ（本開示における第２の準備処理）を行ってもよい。このウォームアップでは、上述した単独ウォームアップに加えて、チャック３１から水やガスを流したり、チャック３１の高さも調整する。また、加工装置１に研削加工後の後続処理を行う装置（例えばマウンタ等）が連結されている場合、ウェハＷａを当該後続処理を行う装置に移動させてもよい。
　一方、ステップＴ１においてアライメントユニット５０にウェハＷｂがあると制御部１３０に記憶された場合、当該ウェハＷｂに対して再起動後研削を行うか、あるいは再起動後研削をせずに回収するかを指定する（図４のステップＴ１０）。このウェハＷｂに対する再起動後研削の要否は、制御部１３０が自動で指定してもよいし、オペレータがマニュアルで指定してもよい。そして、ステップＴ１０において、ウェハＷｂの再起動後研削が不要と指定された場合、当該ウェハＷｂは、カセットＣに搬送されて回収される。あるいは、当該ウェハＷｂは、オペレータが回収してもよい。なお、ステップＴ１０はステップＴ９の前に行われてもよい。
　次に、ステップＴ１０において再起動後研削が指定されたウェハＷｂに対して、再起動後研削が行われる（図４のステップＴ１１）。具体的には、先ず、アライメントユニット５０において、ウェハＷｂの水平方向の向きを再調節する（ステップＳ１）。続いて、ウェハＷｂに対して、第１の加工位置Ａ１における粗研削（ステップＳ２）、第２の加工位置Ａ２における中研削（ステップＳ３）、第３の加工位置Ａ３における仕上研削（ステップＳ４）、受渡位置Ａ０における加工面粗洗浄（ステップＳ５）を順次行う。なお、このステップＴ１１におけるウェハＷｂの再起動後研削は、ステップＴ９におけるウェハＷａの回収と並行して行ってもよい。
　次に、ステップＴ１１で再起動後研削が終了したウェハＷｂは、カセットＣに搬送されて回収される（図４のステップＴ１２）。この際、ウェハＷｂにはカセットＣに搬送される前に、第２の洗浄ユニット７０における非加工面洗浄（ステップＳ６）と第１の洗浄ユニット６０における加工面仕上洗浄（ステップＳ７）が順次行われる。
　次に、加工装置１内のすべてのウェハＷを回収すると、加工装置１の通常のウォームアップ（本開示における第２の準備処理）を行うか否かを指定する（図４のステップＴ１３）。このウォームアップの要否は、制御部１３０が自動で指定してもよいし、オペレータがマニュアルで指定してもよい。そして、ステップＴ１３においてウォームアップが不要と指定された場合、ウォームアップがスキップされ、加工装置１の通常運転を行うための準備が完了する。
　次に、ステップＴ１３においてウォームアップが必要と指定されると、当該ウォームアップが行われる（図４のステップＴ１４）。このウォームアップでは、ステップＴ７の単独ウォームアップと同様に、チャック３１と研削部９１、１０１、１１１に水を流しながら回転させて、当該チャック３１と研削部９１、１０１、１１１の温度を安定させる。加えて、チャック３１から水やガスを流したり、チャック３１の高さも調整する。そしてウォームアップが終了すると、加工装置１の通常運転を行うための準備が完了する。
　以上の実施形態によれば、加工装置１を再起動した後、ステップＴ４で検出され、ステップＴ５で再起動後研削が必要と指定されたウェハＷａに対し、ステップＴ８で再起動後研削を行う。さらに、ステップＴ１０で再起動後研削が必要と指定されたウェハＷｂに対し、ステップＴ１１で再起動後研削を行う。このため、加工装置１のシャットダウン時に内部に残存するウェハＷａ、Ｗｂを無駄にすることがなく、有効利用することができる。
　また、ステップＴ８では、ウェハＷａの位置と状態に応じて、例えばパターン１～７に分けてウェハＷａの加工面Ｗｇの再起動後研削を行う。この際、加工装置１のシャットダウン時に制御部１３０に記憶された、研削レシピにおけるウェハＷａの処理進行状態と研削レシピに基づいて、ウェハＷａの加工面Ｗｇを研削するので、当該再起動後研削を適切に行うことができる。
　さらに、ステップＴ８では、ウェハＷａの加工面Ｗｇを再起動後研削した後、当該ウェハＷａを加工装置１のシャットダウン時の位置に戻す。このため、加工装置１のシャットダウン前のレシピに基づいて、ウェハＷａを円滑に回収することができる。
　また、ステップＴ７で単独ウォームアップを行うので、チャック３１と研削部９１、１０１、１１１の温度が安定する。その結果、ステップＴ８における再起動後研削を安定して行うことができる。
　また、ステップＴ４では、検査ユニット１２０で検出したウェハＷａと、ステップＴ１の加工装置１のシャットダウン時に制御部１３０に記憶されたウェハＷａの状態とに基づいて、チャック３１におけるウェハＷａを検出する。このように制御部１３０と検査ユニット１２０の両方を用いてウェハＷａの有無を検出しているので、その後の処理を適切に行うことができる。具体的には、その後の処理の加工条件を適切にすることができ、またウェハＷａが無いにも関わらず処理を行うといった無駄な動きをなくすことができる。
　また、ステップＴ２では、加工装置１において各ユニットの機能に応じて順次、初期化を行う。したがって、各ユニットの初期化を適切に行うことができる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　加工装置
　　３１　チャック
　　４０　搬送ユニット
　　９０　粗研削ユニット
　　１００　中研削ユニット
　　１１０　仕上研削ユニット
　　１３０　制御部
　　Ｗ、Ｗａ、Ｗｂ　ウェハ

Claims (17)

  1. 基板を加工する加工装置であって、
    基板を保持する保持部と、
    前記保持部に保持された基板の加工面を研削する研削部と、
    前記保持部に対して基板を搬送する搬送部と、
    前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記加工装置が稼働中に停止しさらに当該加工装置を再起動させた後、前記保持部の初期化、前記研削部の初期化及び前記搬送部の初期化を行うことと、
    前記保持部における基板を検出することと、
    検出された基板に対し、前記研削部による研削の要否を指定することと、
    研削が必要と指定された基板の加工面を、前記研削部によって研削することと、を実行するように、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部を制御する、加工装置。
  2. 前記保持部に保持された基板を検出する検出部を有し、
    前記制御部は、
    前記加工装置が停止した際の、前記保持部における基板の状態を記憶し、
    前記保持部における基板の検出において、前記制御部に記憶された加工装置停止時の基板の状態と、前記検出部による検出結果とに基づいて、前記保持部における基板を検出し、研削の要否を指定する、請求項１に記載の加工装置。
  3. 前記制御部は、
    前記加工装置が停止した際の、前記保持部における基板の状態を記憶し、
    前記保持部において基板を検出した場合、前記制御部に記憶された加工装置停止時の基板の状態に基づいて、当該基板の研削を必要と指定する、請求項１又は２に記載の加工装置。
  4. 前記保持部を複数保持し、当該保持部を複数の加工位置に配置すべく回転自在の回転テーブルを有し、
    前記研削部は、前記複数の加工位置のそれぞれに設けられて基板の加工面を研削し、
    前記制御部は、前記加工面の研削において、前記複数の加工位置で前記研削部によって基板の加工面を連続して研削し、一の前記加工位置の次に他の前記加工位置で基板の加工面を研削した後、前記回転テーブルによって前記一の加工位置に基板を移動させるように、前記研削部と前記回転テーブルを制御する、請求項１～３のいずれか一項に記載の加工装置。
  5. 前記制御部は、前記研削の要否の指定の後であって前記加工面の研削の前に、前記保持部の第１の準備処理と前記研削部の第１の準備処理を行うように、前記保持部と前記研削部を制御する、請求項１～４のいずれか一項に記載の加工装置。
  6. 前記制御部は、前記加工面の研削の後に、前記保持部の第２の準備処理と前記研削部の第２の準備処理を行うように、前記保持部と前記研削部を制御する、請求項１～５のいずれか一項に記載の加工装置。
  7. 前記保持部に保持される前の基板の水平方向の向きを調節するアライメント部を有し、
    前記制御部は、前記加工面の研削の後に、前記アライメント部にある基板を前記搬送部によって前記保持部に搬送し、当該保持部に保持された基板の加工面を前記研削部によって研削するように、前記アライメント部、前記搬送部、前記保持部及び前記研削部を制御する、請求項１～６のいずれか一項に記載の加工装置。
  8. 前記制御部は、前記保持部、前記研削部及び前記搬送部の初期化において、前記搬送部の初期化、前記研削部の初期化及び保持部の初期化をこの順で行うように、前記搬送部、前記研削部及び前記保持部を制御する、請求項１～７のいずれか一項に記載の加工装置。
  9. 加工装置を用いた基板の加工方法であって、
    前記加工装置は、
    基板を保持する保持部と、
    前記保持部に保持された基板の加工面を研削する研削部と、
    前記保持部に対して基板を搬送する搬送部と、を有し、
    前記加工方法は、
    前記加工装置が稼働中に停止しさらに当該加工装置を再起動させた後、前記保持部の初期化、前記研削部の初期化及び前記搬送部の初期化を行うことと、
    前記保持部における基板を検出することと、
    検出された基板に対し、前記研削部による研削の要否を指定することと、
    研削が必要と指定された基板の加工面を、前記研削部によって研削することと、を有する、加工方法。
  10. 前記加工装置は、前記保持部に保持された基板を検出する検出部を有し、
    前記保持部、前記研削部及び前記搬送部の初期化の前に、前記加工装置が停止した際の、前記保持部における基板の状態を記憶し、
    前記保持部における基板の検出において、前記記憶された加工装置停止時の基板の状態と、前記検出部による検出結果とに基づいて、前記保持部における基板を検出し、研削の要否を指定する、請求項９に記載の加工方法。
  11. 前記保持部、前記研削部及び前記搬送部の初期化の前に、前記加工装置が停止した際の、前記保持部における基板の状態を記憶し、
    前記保持部における基板の検出において前記保持部における基板を検出した場合、前記記憶された加工装置停止時の基板の状態に基づいて、当該基板の研削を必要と指定する、請求項９又は１０に記載の加工方法。
  12. 前記加工装置は、前記保持部を複数保持し、当該保持部を複数の加工位置に配置すべく回転自在の回転テーブルを有し、
    前記研削部は、前記複数の加工位置のそれぞれに設けられて基板の加工面を研削し、
    前記加工面の研削において、前記複数の加工位置で前記研削部によって基板の加工面を連続して研削し、一の前記加工位置の次に他の前記加工位置で基板の加工面を研削した後、前記回転テーブルによって前記一の加工位置に基板を移動させる、請求項９～１１のいずれか一項に記載の加工方法。
  13. 前記研削の要否の指定の後であって前記加工面の研削の前に、前記保持部の第１の準備処理と前記研削部の第１の準備処理を行う、請求項９～１２のいずれか一項に記載の加工方法。
  14. 前記加工面の研削の後に、前記保持部の第２の準備処理と前記研削部の第２の準備処理を行う、請求項９～１３のいずれか一項に記載の加工方法。
  15. 前記加工装置は、前記保持部に保持される前の基板の水平方向の向きを調節するアライメント部を有し、
    前記加工面の研削の後に、前記アライメント部にある基板を前記搬送部によって前記保持部に搬送し、当該保持部に保持された基板の加工面を前記研削部によって研削する、請求項９～１４のいずれか一項に記載の加工方法。
  16. 前記保持部、前記研削部及び前記搬送部の初期化において、前記搬送部の初期化、前記研削部の初期化及び保持部の初期化をこの順で行う、請求項９～１５のいずれか一項に記載の加工方法。
  17. 請求項９～１６のいずれか一項に記載の加工方法を加工装置によって実行させるように、当該加工装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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