JP2876572B2 - 半導体ウエハの面取方法 - Google Patents

半導体ウエハの面取方法

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JP2876572B2
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JP
Japan
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semiconductor wafer
chamfering
grindstone
wafer
polishing
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勝男 本田
良雄 鴨下
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの面取方
法に係り、特に回転する半導体ウエハの周縁に回転する
砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
エハの面取方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スライシングによって切断された半導体
ウエハはその表面はラップ加工されると共に、半導体ウ
エハの周縁もクラック防止及び塵埃の付着並びに発生を
防ぐ為に面取加工がなされる。即ち、図４に示すよう
に、回転している半導体ウエハ１０に、回転する溝付砥
石１２の傾斜面１４を押し当て、半導体ウエハ１０の周
縁１６及び１７を面取加工する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの面取方法はウエハ周縁１６あるいは１７
を展開した図５に示すように、砥粒の運動方向Ａがウエ
ハの周方向のみであるので砥石の部分的切刃により面取
面に筋Ａ´が付き、面取面の粗さ精度が充分でない。こ
のような面取面の粗さ精度が不充分であると、周縁表面
の部分的な割れによるチップが発生し、周縁表面に塵埃
が付着し、及びクラックの間に微粉がかみ込む等の塵埃
の発生要因があるためウエハの後処理工程に悪影響を及
ぼす。この欠点を解消する為に砥石の番手を上げたり、
切込み量を小さくしたり、ドレッシング回数を上げたり
砥石を数個（２段、３段等）取り換えて研磨面の粗さ精
度を高めようとしているが、このような対策は研削効率
が低下する欠点がある。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、面取面の粗さ精度を改善すると共に研摩効率
を低下させない半導体ウエハの面取方法を提案すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、回転する半導体ウエハの周縁に回転する
砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
エハの面取方法に於いて、前記砥石の回転軸を半導体ウ
エハ外周の接線方向に傾けて半導体ウエハの周縁を研磨
することにより、前記砥石の砥粒運動方向を前記半導体
ウエハの研磨面に対して傾斜させることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は、半導体ウエハの回転軸に対して砥石
の回転軸を半導体ウエハの接線方向に傾けて半導体ウエ
ハの周縁を研磨するので、傾斜面においてはウエハの半
径方向にも砥石の動きが加わり、同時に外周面において
はウエハ回転軸方向にも砥石の動きが加わり、半導体ウ
エハ周縁の研磨面は滑らかな面となり、また砥石自体も
研磨面の型くずれが少なくなって砥石の寿命が延びる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係る半導体
ウエハの面取方法の好ましい実施例を詳説する。図１に
示すウエハ２０は、図示しない公知の挟持機構又は吸着
機構により保持され、例えば１〜２r.p.m で回転されて
いる。一方、砥石２２は溝付き砥石として形成され、傾
斜面２４は研磨面として構成される。この砥石２２は、
ウエハ２０と同方向又は逆方向に例えば2500r.p.m で回
転される。
【０００８】図２に示すように、砥石２２の回転軸Ｏ−
Ｏは、ウエハ２０の回転軸Ｐ−Ｐに対してθだけ傾けら
れている。即ち、砥石２２は、ウエハ２０の接線方向に
θだけ傾けられ、この状態でウエハの周縁２６を面取加
工する。このような状態で面取加工すると、砥石２２の
砥粒運動方向Ａは図３に示すように回転軸Ｏ−Ｏに対し
て直角方向になり、ウエハ２０の面取面に対しては傾斜
している。従って砥粒運動方向のＡは、研削方向分力Ａ
1 と直角方向分力Ａ2 とに分けられ、これらが半導体ウ
エハの面取面の研磨に作用する。本発明では回転する丸
い材料において面取りという特殊作業に対し傾斜角度θ
及び砥石角度αを決め定められた角度の面取りを行って
いる。即ち、ウエハの面取り加工に対し砥石を傾斜する
ことにより一般の傾斜研削法と同様の動きが提供できる
ことにある。このような状態で研磨すると作用砥粒数が
増大し、作用砥粒の平均化効果により研磨面の面精度が
向上する。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハの面取方法によれば、半導体ウエハの回転軸に対
して砥石軸を傾斜して研磨することにより精度の良い研
磨面が得られ、また砥石の寿命も延びる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明に係る面取加工方法を示す正面図
【図２】図２は図１の２−２線の矢視図
【図３】図３は本発明に於いて砥粒の運動方向を示す説
明図
【図４】図４は従来の半導体ウエハの面取加工方法を示
す説明図
【図５】図５は従来の半導体ウエハの面取加工方法の砥
粒の運動方向を示す説明図
【符号の説明】
２０…半導体ウエハ ２２…砥石 ２４…傾斜面

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回転する半導体ウエハの周縁に回転する
    砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
    エハの面取方法に於いて、 前記砥石の回転軸を半導体ウエハ外周の接線方向に傾け
    て半導体ウエハの周縁を研磨することにより、前記砥石
    の砥粒運動方向を前記半導体ウエハの研磨面に対して傾
    斜させることを特徴とする半導体ウエハの面取方法。
  2. 【請求項２】 前記砥石の研磨面は、溝付砥石の傾斜面
    及び軸外周である請求項１記載の半導体ウエハの面取方
    法。
JP31475591A 1991-11-28 1991-11-28 半導体ウエハの面取方法 Expired - Lifetime JP2876572B2 (ja)

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KR1019920021023A KR0185234B1 (ko) 1991-11-28 1992-11-10 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법
US07/977,889 US5295331A (en) 1991-11-28 1992-11-18 Method of chamfering semiconductor wafer
DE69208050T DE69208050T2 (de) 1991-11-28 1992-11-25 Verfahren zum Abkanten einer Halbleiterscheibe
EP92120089A EP0544256B1 (en) 1991-11-28 1992-11-25 Method of chamfering semiconductor wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6913526B2 (en) 2000-08-18 2005-07-05 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Polishing machine for polishing periphery of sheet

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JP4144834B2 (ja) * 2000-07-12 2008-09-03 株式会社日平トヤマ 半導体ウェーハのノッチ研削装置
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JP6315579B2 (ja) * 2014-07-28 2018-04-25 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
CN109366286B (zh) * 2018-10-26 2019-10-25 武汉优光科技有限责任公司 一种具有倾斜倒角模的自动倒边机
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