JPS62263626A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
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- JPS62263626A JPS62263626A JP10629386A JP10629386A JPS62263626A JP S62263626 A JPS62263626 A JP S62263626A JP 10629386 A JP10629386 A JP 10629386A JP 10629386 A JP10629386 A JP 10629386A JP S62263626 A JPS62263626 A JP S62263626A
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- semiconductor wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 244000131360 Morinda citrifolia Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 235000017524 noni Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、半導体ウェハに係わり、特に、周縁部に而取
りが施された半導体ウェハに関するらのである。
りが施された半導体ウェハに関するらのである。
「従来の技術」
一般に、トランジスタやＩＣの製造に用いられる半導体
ウェハにあっては、搬送時や移載時における他の部材と
の衝突等によって欠けが発生することがあり、これを防
止するために、最も欠けが発生しやすい部分である周縁
部に、面取りを施すことが実施されている。
ウェハにあっては、搬送時や移載時における他の部材と
の衝突等によって欠けが発生することがあり、これを防
止するために、最も欠けが発生しやすい部分である周縁
部に、面取りを施すことが実施されている。
そして、このような面取り形状の具体例として、従来に
おいては、特開昭５３−１０９６６号公ｆｆｉや特開＋
ｒｎ ｃｏ −１ｎｎＡすｑＦ、／人４（（＝’５１１
１ｒ）−ｊ＋、ｉ安 −’ｒ ｈ ＋＋’、 Ｉ
＋ ７゜前者は、第２図に示すように、半導体ウェハＳ
の表裏面の周縁角部を全周に亙って切削することにより
、一定の曲率を有する湾曲面１・２を形成し、該湾曲面
ｌ・２と外周端面３とによって面取り面を形成したもの
で、該湾曲面１・２の大きさは、該湾曲面ｌ・２と半導
体ウェハＳの表裏面との接点から前記外周端面３に至る
距離Ａと、該外周端面３の半導体ウェハＳの厚さ方向に
おけろ距ＭＢを、以下の如く設定することにより規制し
たらのである。
おいては、特開昭５３−１０９６６号公ｆｆｉや特開＋
ｒｎ ｃｏ −１ｎｎＡすｑＦ、／人４（（＝’５１１
１ｒ）−ｊ＋、ｉ安 −’ｒ ｈ ＋＋’、 Ｉ
＋ ７゜前者は、第２図に示すように、半導体ウェハＳ
の表裏面の周縁角部を全周に亙って切削することにより
、一定の曲率を有する湾曲面１・２を形成し、該湾曲面
ｌ・２と外周端面３とによって面取り面を形成したもの
で、該湾曲面１・２の大きさは、該湾曲面ｌ・２と半導
体ウェハＳの表裏面との接点から前記外周端面３に至る
距離Ａと、該外周端面３の半導体ウェハＳの厚さ方向に
おけろ距ＭＢを、以下の如く設定することにより規制し
たらのである。
Δ≧０．２ｍｍ Ｂ ＝ ０．１５ｍｍ〜（Ｗ
−０，０８）ｍｍ（［しシ、Ｗは半導体ウェハＳの厚み
を示す。
−０，０８）ｍｍ（［しシ、Ｗは半導体ウェハＳの厚み
を示す。
また、後者は、第３図に示すように、半導体ウェハＳの
周縁部を楕円に近い湾曲面４とすることにより、面取り
面を形成したしので、厚みＷを短径とするとともに、前
記湾曲面４と半導体ウェハＳの表裏面との接点から半導
体ウェハＳの外周端との距離Ｃを設定して長径とし、こ
れによって楕円形状を設定することにより、前記湾曲面
４ずなイつら面取り面の形状を規制した乙のである。
周縁部を楕円に近い湾曲面４とすることにより、面取り
面を形成したしので、厚みＷを短径とするとともに、前
記湾曲面４と半導体ウェハＳの表裏面との接点から半導
体ウェハＳの外周端との距離Ｃを設定して長径とし、こ
れによって楕円形状を設定することにより、前記湾曲面
４ずなイつら面取り面の形状を規制した乙のである。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明は、前述した従来の技術における次のような問題
点を解決Ｕ°んとするらのてある。
点を解決Ｕ°んとするらのてある。
すなイつち、前述したように面取りが施されたいずれの
１（導体ウェハＳにおいて乙、その表裏面とほぼ直交す
る方向に沿った外力に対しては、その面取りの作用によ
り、周縁部における欠（上等の発生を抑制することがで
きろが、前記表裏面に沿う方向の外力に対しては、前述
した面取りによる欠は防止作用が低下してしまうといっ
た問題点である。
１（導体ウェハＳにおいて乙、その表裏面とほぼ直交す
る方向に沿った外力に対しては、その面取りの作用によ
り、周縁部における欠（上等の発生を抑制することがで
きろが、前記表裏面に沿う方向の外力に対しては、前述
した面取りによる欠は防止作用が低下してしまうといっ
た問題点である。
このような問題点は、半導体ウェハＳを表裏面方向に沿
って搬送するとと乙に、半導体ウェハＳの周端部を搬送
方向と直交する面に当接させることによって該半導体ウ
ェハＳの停ｆや位置決めを行なう試験を実施した際に知
見したものである。
って搬送するとと乙に、半導体ウェハＳの周端部を搬送
方向と直交する面に当接させることによって該半導体ウ
ェハＳの停ｆや位置決めを行なう試験を実施した際に知
見したものである。
その発生原因として、前者においては、湾曲面Ｉ・２と
外周端面３との連続部に角部が形成されているとともに
、該内部に半導体ウェハＳの停止時の外力が大きく加わ
ってしまうこと、また、後者においては、面取り部の曲
率が小さく、これによって、前述した外力が加わった場
合に、面取り部に集中荷重が発生してしまうこと等が考
えられろ。
外周端面３との連続部に角部が形成されているとともに
、該内部に半導体ウェハＳの停止時の外力が大きく加わ
ってしまうこと、また、後者においては、面取り部の曲
率が小さく、これによって、前述した外力が加わった場
合に、面取り部に集中荷重が発生してしまうこと等が考
えられろ。
そして、半導体ウェハＳの素子化工程の自動化や超ＬＳ
Ｉ化に伴う製造装置の複雑化により、前述したような半
導体ウェハＳの搬送および停止方法を採用する箇所が増
加する傾向にあり、これによって欠けの発生する確率が
高められるとともに、該欠けによって発生さ仕られる微
少欠片が、半導体ウェハＳへの表面に付着してその機能
を阻害し、ｌ・ランノスタやＩＣの歩留りを低下させて
しまうことか想定されることから、その対策が要望され
ている。
Ｉ化に伴う製造装置の複雑化により、前述したような半
導体ウェハＳの搬送および停止方法を採用する箇所が増
加する傾向にあり、これによって欠けの発生する確率が
高められるとともに、該欠けによって発生さ仕られる微
少欠片が、半導体ウェハＳへの表面に付着してその機能
を阻害し、ｌ・ランノスタやＩＣの歩留りを低下させて
しまうことか想定されることから、その対策が要望され
ている。
「問題点を解決ずろための手段」
本発明は、前述した従来の技術における問題点を（Ｔ効
に解消し得ろ半導体ウェハを提供せんとず取りが施され
た半導体ウェハであって、前記面取りの形状が、半導体
ウェハの表裏面に、半径方向外方にいくにしたがい漸次
厚さ方向内方へ向かうように形成された一対の傾斜面と
、これらの各傾斜面の外方端部間を連絡ずろ湾曲面とに
よって形成され、かつ、該湾曲面が、前記厚さ方向中心
部から半導体ウェハの表裏面に向かって延びる第１の湾
曲面と、該第１の湾曲面を０７１記各傾斜面へ滑らかに
連絡ずろ第２の湾曲面とを備え、ｎり記第１の湾曲面の
曲率半径が第２の湾曲面の曲率半径よりら大きく形成さ
れていることを特徴とずろ。
に解消し得ろ半導体ウェハを提供せんとず取りが施され
た半導体ウェハであって、前記面取りの形状が、半導体
ウェハの表裏面に、半径方向外方にいくにしたがい漸次
厚さ方向内方へ向かうように形成された一対の傾斜面と
、これらの各傾斜面の外方端部間を連絡ずろ湾曲面とに
よって形成され、かつ、該湾曲面が、前記厚さ方向中心
部から半導体ウェハの表裏面に向かって延びる第１の湾
曲面と、該第１の湾曲面を０７１記各傾斜面へ滑らかに
連絡ずろ第２の湾曲面とを備え、ｎり記第１の湾曲面の
曲率半径が第２の湾曲面の曲率半径よりら大きく形成さ
れていることを特徴とずろ。
「作用」
本発明に係わる半導体ウェハは、大きな曲率半径の第１
の湾曲面によって、半導体ウェハの面方向の外力を受け
て該外力の分散を図り、また、第２の湾曲面によって、
前記外力の作用点近傍における半導体ウェハの外周面を
円滑な曲面とな（”乙のである。
の湾曲面によって、半導体ウェハの面方向の外力を受け
て該外力の分散を図り、また、第２の湾曲面によって、
前記外力の作用点近傍における半導体ウェハの外周面を
円滑な曲面とな（”乙のである。
ニー実施例」
る。
第１図は、本実施例の要部を示すもので、図中符号５は
半導体ウェハである。
半導体ウェハである。
該半導体ウェハ５は、直径りかＬ ２５ ｍ ｍ ｚ厚
さＷか０．６２５ｍ１ｌの円板形状であっ・て、その表
裏面６・７の周縁部に、半径方向外方にいくにしたがい
漸次厚さ方向内方へ向かうように一対の傾斜面８・９を
形成するとともに、これらの各傾斜面８・９の外方端部
間を連絡する湾曲面ｌＯとを形成し、かつ、該湾曲面１
０を、前記厚さ方向中心部から半導体ウェハ５の表裏面
に向かって延びる第１の湾曲面１１と、該第１の湾曲面
１１を前記各傾斜面８・９へ滑らかに連絡する第２の湾
曲面１２とによって形成し、前記第１の湾曲面１１の曲
率半径Ｒ５を第２の湾曲面１２の曲率半径Ｒ９よりも大
きく形成した概略溝数となっている。
さＷか０．６２５ｍ１ｌの円板形状であっ・て、その表
裏面６・７の周縁部に、半径方向外方にいくにしたがい
漸次厚さ方向内方へ向かうように一対の傾斜面８・９を
形成するとともに、これらの各傾斜面８・９の外方端部
間を連絡する湾曲面ｌＯとを形成し、かつ、該湾曲面１
０を、前記厚さ方向中心部から半導体ウェハ５の表裏面
に向かって延びる第１の湾曲面１１と、該第１の湾曲面
１１を前記各傾斜面８・９へ滑らかに連絡する第２の湾
曲面１２とによって形成し、前記第１の湾曲面１１の曲
率半径Ｒ５を第２の湾曲面１２の曲率半径Ｒ９よりも大
きく形成した概略溝数となっている。
次いてこれらの詳細について説明すれば、前記傾斜面８
・９は、その延長線と半導体ウェハ５の表裏面６・７と
によって形成される挟角（θ）が約１１ となるように
形成されている。この角度は、バイポーラＩＣ用に設定
されたもので、ＭＯＳ・Ｉｃ用では、２２°が採用され
る。
・９は、その延長線と半導体ウェハ５の表裏面６・７と
によって形成される挟角（θ）が約１１ となるように
形成されている。この角度は、バイポーラＩＣ用に設定
されたもので、ＭＯＳ・Ｉｃ用では、２２°が採用され
る。
前記第１の湾曲面ｌＯの曲率半径Ｒ，は、半導体ウェハ
５の１７さＷのｌ／３倍〜【、５倍の範囲内で設定する
ことが好ましく、本実施例では０．５ｍｍに設定されて
おり、その中心か半導体ウェハ５の厚さ方向の中間部に
設定されている。
５の１７さＷのｌ／３倍〜【、５倍の範囲内で設定する
ことが好ましく、本実施例では０．５ｍｍに設定されて
おり、その中心か半導体ウェハ５の厚さ方向の中間部に
設定されている。
前記第２の湾曲商工２の曲率半径Ｒ７は、０．１ｍｍ〜
０．３１の範囲内で設定ずろことが好ましく、本実施例
では、０．２ｍｍないし０．２１ｍｍに設定されており
、その中心は、前記曲率半径Ｒ，によって形成される湾
曲面１２が、前記第１の湾曲□面１１および傾斜面８・
９に連続するような位置に設けられている。
０．３１の範囲内で設定ずろことが好ましく、本実施例
では、０．２ｍｍないし０．２１ｍｍに設定されており
、その中心は、前記曲率半径Ｒ，によって形成される湾
曲面１２が、前記第１の湾曲□面１１および傾斜面８・
９に連続するような位置に設けられている。
そして、前述したような半導体ウェハ５は、砥石によっ
て前記傾斜面８・９を切削したのちに、第１の湾曲面１
１を切削し、次いで、第２の湾曲面１２を切削すること
によって形成される。
て前記傾斜面８・９を切削したのちに、第１の湾曲面１
１を切削し、次いで、第２の湾曲面１２を切削すること
によって形成される。
このように形成された本実施例の半導体ウェハ５の強度
について、従来の半導体ウェハＳとの比較を行なったと
ころ、表−１に示１結果が得られた。
について、従来の半導体ウェハＳとの比較を行なったと
ころ、表−１に示１結果が得られた。
ａ）試験条件
半導体ウェハ５（Ｓ）を垂直に保持しておき、該半導体
ウェハ５（Ｓ）の直上から重りを落下させて、半導体ウ
ェハ５（Ｓ）の周縁部に衝突さＵ゛、半導体ウェハ５（
Ｓ）に欠けが発生ずるまでの衝突回数に。
ウェハ５（Ｓ）の直上から重りを落下させて、半導体ウ
ェハ５（Ｓ）の周縁部に衝突さＵ゛、半導体ウェハ５（
Ｓ）に欠けが発生ずるまでの衝突回数に。
よって比較した。
また、前記重りは、縦×横×高さが２．８ｍｍＸ ７ｍ
ｍＸ １２ｍｍで、ｆｆ１ｆｆｉを２９とし、さらに、
半導体ウェハ５との衝突面に半円筒状の超硬チップを埋
め込んだ溝数のものを用いた。
ｍＸ １２ｍｍで、ｆｆ１ｆｆｉを２９とし、さらに、
半導体ウェハ５との衝突面に半円筒状の超硬チップを埋
め込んだ溝数のものを用いた。
ｂ）比較例−１
第２図の従来例に対応して、直径１２５ｍｍ、厚さ０．
６２５ｍｍの円板の表裏面周縁部に、曲率半径０．１６
ｍｍないし０．２０ｍｍの湾曲面！・２を形成して面取
りを行なった半導体ウェハ５０ Ｃ）比較例−２ 比較例−１の湾曲面！・２の曲率半径を０．２５ｍｍな
いし０．２７ｍｍとした半導体ウェハＳ０第３図の従来
例に対応して、直径１２５ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍの
円板の周縁部を楕円形状に形成するに際し、長径部の最
小曲率半径を０．２５ｍｍとしｆコ半導体ウェハ。
６２５ｍｍの円板の表裏面周縁部に、曲率半径０．１６
ｍｍないし０．２０ｍｍの湾曲面！・２を形成して面取
りを行なった半導体ウェハ５０ Ｃ）比較例−２ 比較例−１の湾曲面！・２の曲率半径を０．２５ｍｍな
いし０．２７ｍｍとした半導体ウェハＳ０第３図の従来
例に対応して、直径１２５ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍの
円板の周縁部を楕円形状に形成するに際し、長径部の最
小曲率半径を０．２５ｍｍとしｆコ半導体ウェハ。
表−１
以上の結果から明らかなように、本実施例の半導体ウェ
ハ５においては、従来の半導体ウェハＳに比べてほぼ２
倍以上の衝撃強度が得られノニ。
ハ５においては、従来の半導体ウェハＳに比べてほぼ２
倍以上の衝撃強度が得られノニ。
このように耐衝撃性能の向上か図れるのは、下。
導体ウェハ５の面方向の外力に対４−ろ受［Ｅ ｒ（ｉ
ｉとして働く第１の湾曲面Ｕが大きな曲率半径によって
形成されて、受圧面積が拡大されていること、まｆこ、
第２の湾曲面１２および傾斜面８・９の作用に１−ｉ）
６１ＴｒＷ’ｙ″’＞ ｔｉｅ Ｊ？ ４％ ７’１１
久ｆｆ＋ ｉＷ ／Ｊぐ１．ｓ ４’−六ｉ１．７ Ｌ
１７ととらに、第１の受圧面１１に加わった外力が円
滑に分散されること等による乙のと考えられる。
ｉとして働く第１の湾曲面Ｕが大きな曲率半径によって
形成されて、受圧面積が拡大されていること、まｆこ、
第２の湾曲面１２および傾斜面８・９の作用に１−ｉ）
６１ＴｒＷ’ｙ″’＞ ｔｉｅ Ｊ？ ４％ ７’１１
久ｆｆ＋ ｉＷ ／Ｊぐ１．ｓ ４’−六ｉ１．７ Ｌ
１７ととらに、第１の受圧面１１に加わった外力が円
滑に分散されること等による乙のと考えられる。
なお、前記実施例において示した細部の寸法は一例であ
って、設計要求等に基づき種々変更可能である。
って、設計要求等に基づき種々変更可能である。
［発明の効果」
以上説明したように、本発明に係わる半導体ウェハは、
周縁部に面取りが施された半導体ウエノ＼であって、館
記面取りの形状が、半導体ウェハの表裏面に、半径方向
外方にいくにしたがい漸次厚さ方向内方へ向かうように
形成された一対の傾斜面と、これらの各傾斜面の外方端
部間を連絡する湾曲面とによって形成され、かつ、該湾
曲面が、１’＋ｒｉ記厚さ方向中心部から半導体ウェハ
の表裏面に向かって延びる第１の湾曲面と、該第１の湾
曲面を面記各傾斜面へ滑らかに連絡する第２の湾曲面と
を備え、前記第１の湾曲面の曲率半径が第２の湾曲面の
曲率半径よりも大きく形成されていることを特徴とする
しので、大きな曲率半径の第１の湾曲面によって、半導
体ウェハ周端部に作用する面方向の外力を受けて該外力
の分散を図り、また、第２の湾曲面によって、前記外力
の作用点近傍における゛１′導体ウェハの外周面を円滑
な曲面となすととしに、第１の湾曲面に作用オろ前記外
力を、第２の湾曲面および傾斜面を介して円滑に分散さ
ｄ・て、耐衝撃性能を大幅に向−１ニさせろことができ
る等の浸れた効果を奏する。
周縁部に面取りが施された半導体ウエノ＼であって、館
記面取りの形状が、半導体ウェハの表裏面に、半径方向
外方にいくにしたがい漸次厚さ方向内方へ向かうように
形成された一対の傾斜面と、これらの各傾斜面の外方端
部間を連絡する湾曲面とによって形成され、かつ、該湾
曲面が、１’＋ｒｉ記厚さ方向中心部から半導体ウェハ
の表裏面に向かって延びる第１の湾曲面と、該第１の湾
曲面を面記各傾斜面へ滑らかに連絡する第２の湾曲面と
を備え、前記第１の湾曲面の曲率半径が第２の湾曲面の
曲率半径よりも大きく形成されていることを特徴とする
しので、大きな曲率半径の第１の湾曲面によって、半導
体ウェハ周端部に作用する面方向の外力を受けて該外力
の分散を図り、また、第２の湾曲面によって、前記外力
の作用点近傍における゛１′導体ウェハの外周面を円滑
な曲面となすととしに、第１の湾曲面に作用オろ前記外
力を、第２の湾曲面および傾斜面を介して円滑に分散さ
ｄ・て、耐衝撃性能を大幅に向−１ニさせろことができ
る等の浸れた効果を奏する。
図面中、第１図は本発明の一実施例を示す要；Ｅ（＜の
縦断面図、第２図および第３図はそれぞれ従来の半導体
ウェハを示す縦断面図である。 ５・・・・・半導体ウェハ、６・・・・・・表面、７・
・・・裏面、 ８・９・・・・・傾斜面、１０
−・・・・湾曲面、 ［１・・・・・・第１の湾曲
面、１２・・・第２の湾曲面。
縦断面図、第２図および第３図はそれぞれ従来の半導体
ウェハを示す縦断面図である。 ５・・・・・半導体ウェハ、６・・・・・・表面、７・
・・・裏面、 ８・９・・・・・傾斜面、１０
−・・・・湾曲面、 ［１・・・・・・第１の湾曲
面、１２・・・第２の湾曲面。
Claims (3)
- （１）周縁部に面取りが施された半導体ウェハであって
、前記面取りの形状が、半導体ウェハの表裏面に、半径
方向外方にいくにしたがい漸次厚さ方向内方へ向かうよ
うに形成された一対の傾斜面と、これらの各傾斜面の外
方端部間を連絡する湾曲面とによって形成され、かつ、
該湾曲面が、前記厚さ方向中心部から半導体ウェハの表
裏面に向かって延びる第１の湾曲面と、該第１の湾曲面
を前記各傾斜面へ滑らかに連絡する第２の湾曲面とを備
え、前記第１の湾曲面の曲率半径が第２の湾曲面の曲率
半径よりも大きく形成されていることを特徴とする半導
体ウェハ。 - （２）前記第１の湾曲面は、その曲率半径が、前記半導
体ウェハの厚さの３分の１ないし１．５倍の範囲内で設
定されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体ウェハ。 - （３）前記第２の湾曲面は、その曲率半径が０．１ｍｍ
ないし０．３ｍｍの範囲内で設定されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106293A JPH079873B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106293A JPH079873B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウエハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62263626A true JPS62263626A (ja) | 1987-11-16 |
| JPH079873B2 JPH079873B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=14430004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106293A Expired - Fee Related JPH079873B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079873B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102906160A (zh) * | 2010-05-19 | 2013-01-30 | 株式会社吴羽 | 聚芳撑硫醚的制造方法及聚芳撑硫醚 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155968A (en) * | 1976-06-19 | 1977-12-24 | Fujitsu Ltd | Semiconductor wafer and its production |
| JPS58100432A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Hitachi Ltd | ウエハの面取り加工方法 |
| JPS5980934A (ja) * | 1983-09-16 | 1984-05-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59107520A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61106293A patent/JPH079873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079873B2 (ja) | 1995-02-01 |
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