KR960043006A - 웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치 - Google Patents

웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960043006A
KR960043006A KR1019960019606A KR19960019606A KR960043006A KR 960043006 A KR960043006 A KR 960043006A KR 1019960019606 A KR1019960019606 A KR 1019960019606A KR 19960019606 A KR19960019606 A KR 19960019606A KR 960043006 A KR960043006 A KR 960043006A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
wafer
tape
notch
mirror
Prior art date
Application number
KR1019960019606A
Other languages
English (en)
Inventor
후미히코 하세가와
야스요시 구로다
시니치 엔도우
마사요시 세키자와
Original Assignee
이가라시 스구루
신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
고토우 가즈오
나오에쯔 일렉트로닉스 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이가라시 스구루, 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤, 고토우 가즈오, 나오에쯔 일렉트로닉스 고교 가부시키가이샤 filed Critical 이가라시 스구루
Publication of KR960043006A publication Critical patent/KR960043006A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 외주부를 경면 연마하기 위한 방법과 이것의 장치에 관한 것이다. 상기 방법은 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부를 연마하기 위한 제1연마단계와, 그 다음 연마제를 가지고 버프를 사용하여 상기 웨이퍼의 외주부를 연마하기 위한 제2연마단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 경면연마 장치(mirror-polishing apparatus)의 평면도.

Claims (23)

  1. 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법에 있어서, 연마제를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부를 연마하기 위한 제1연마단계와; 그 다음 연마제를 가진 버프를 사용하여 웨이퍼의 외주부를 연마제를 연마하기 위한 제2연마단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1연마단계는 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부에 형성된 노치를 연마하기 위한 제1노치 연마단계와, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 노치부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제1외주 연마단계를 포함하고; 상기 제2연마단계는 버프를 사용하여 노치부를 연마하기 위한 제2노치 연마단계와, 버프를 사용하여 상기 노치와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제2외주 연마단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1노치 연마단계는 테이프 지지부재에 의하여 노치부에 대하여 상대적으로 이동될 수 있는 연마입자를 가진 테이프부를 가압함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼는 제1 및 제2노치 연마단계중 하나 이상의 단계중에서 소정의 작은 각도내의 웨이퍼 중심주위에서 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1외주 연마단계는 회전드럼의 외주주위에 감기고 웨이퍼의 외주부에 대하여 이동 될 수 있는 연마입자를 가진 테이프부를 상기 웨이퍼의 외주부에 대하여 가압함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 테이프는 테이프의 접촉점과 웨이퍼의 외주부를 통과하는 축주위에서 회전되고, 상기 제1연마단계 도중에 소정의 각도내에서 웨이퍼에 대하여 상기 웨이퍼의 주요면에 평행한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제2노치 연마단계는 연마제를 공급하면서 상기 웨이퍼의 노치부에 대하여 디스크형상의 버프를 가압함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1연마단계는 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부에 형성된 배향 평면부를 연마하기 위한 제1배향 평면 연마단계와, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 배향 평면부와는 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제1외주 연마단계를 포함하고; 상기 제2연마단계는 버프를 사용하여 배향 평면부를 연마하기 위한 제2배향 평면 연마단계와, 버프를 사용하여 상기 배향 평면부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제2외주 연마단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2배향 평면 연마단계는 웨이퍼의 배향 평면부를 수용하는 총형홈을 가진 기둥형 회전버프를 상기 배향 평면부에 대하여 가압함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2외주 연마단계는 실린더형 버프의 내주면에서 상기 웨이퍼의 외주부를 수용하는 총형홈을 가진 원통형 회전 버프를 웨이퍼의 외주부에 대하여 가압함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 실리콘 단결정 웨이퍼이고, 알칼리 에칭이 상기 제1연마단계 이전에 챔퍼된 외주를 가진 웨이퍼에 대하여 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 방법.
  12. 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치에 있어서, 연마제를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부를 연마하기 위한 제1연마섹션과; 그 다음 연마제를 가진 버프를 사용하여 웨이퍼의 외주부를 연마하기 위한 제2연마섹션을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1연마섹션은 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 웨이퍼의 외주부내에 형성된 노치부를 연마하기 위한 제1노치 연마부분과, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 노치부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제1외주 연마부분을 포함하고; 상기 제2연마부분은 버프를 사용하여 상기 노치부를 연마하기 위한 제2노치 연마부분과, 버프를 사용하여 상기 노치부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제2외주 연마부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1연마섹션은 다수의 웨이퍼를 포함하는 컨테이너를 하나씩 외부로 취출하는 웨이퍼 위치용의 제1웨이퍼 위치부분을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1노치 연마부분은 테이프에 대한 외주방향으로 운동을 부여하기 위하여 연마입자를 가진 테이프가 감겨진 회전드럼과, 테이프 부분을 유지하고 웨이퍼의 노치부에 대하여 테이프의 유지부를 가압하기 위한 테이프 지지부재를 포함하는 것을 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 웨이퍼는 제1 및 제2 노치 연마부분중 하나 이상에 의하여 연마되면서 소정의 작은 각도내의 중심주위에서 회전될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1외주 연마부분은 테이프에 대한 외주방향으로 운동을 부여하기 위하여 연마입자를 가진 테이프가 주위에 감겨진 회전드럼을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  18. 제12항에 있어서, 상기 제1연마섹션은 소정의 각도내에서 테이프가 웨이퍼의 외주부와 테이프의 접촉점을 통과하는 축주위에서 회전될 수 있고, 상기 웨이퍼의 주표면에 평행할 수 있도록 기구를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  19. 제12항에 있어서, 상기 제2노치 연마부분은 연마제를 공급하면서 웨이퍼의 노치부에 대하여 디스크형 버프를 가압하기 위한 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  20. 제12항에 있어서, 상기 제1연마섹션은 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부에 형성된 배향 평면부를 연마하기 위한 제1배향 평면 연마부분과, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 배향 평면부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제1외주 연마부분을 포함하고;상기 제2연마부분은 버프를 사용하여 배향 평면부를 연마하기 위한 제2배향 평면 연마부분과, 버프를 사용하여 상기 배향 평면부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제2외주 연마부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제2배향 평면 연마부분은 웨이퍼의 배향 평면부를 수용하는 총형홈을 가진 기둥형 회전 버프를 상기 배향 평면부에 대하여 가압하기 위한 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  22. 제12항에 있어서, 상기 제2외주 연마부분은 원통형 버프의 내주면에서 상기 웨이퍼의 외주부를 수용하는 총형홈을 가진 원통형 회전 버프를 상기 웨이퍼의 외주부에 대하여 가압하기 위한 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
  23. 제12항에 있어서, 상기 제1연마섹션은 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 웨이퍼의 외주부에 형성된 노치부를 연마하기 위한 제1노치 연마부분과, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 상기 웨이퍼의 외주부에 형성된 배향 평면부를 연마하기 위한 제1배향 평면 연마부분과, 연마입자를 가진 테이프를 사용하여 배향 평면부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제1외주 연마부분을 포함하고, 상기 제2연마부분은 버프를 사용하여 상기 노치부를 연마하기 위한 제2노치 연마부분과, 버프를 사용하여 배향 평면부를 연마하기 위한제2배향 평면 연마부분 및, 버프를 사용하여 상기 배향 평면부와 다른 웨이퍼의 외주부를 주로 연마하기 위한 제2외주 연마부분을 포함하는 것을 웨이퍼 외주부의 경면연마 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019606A 1995-05-29 1996-05-28 웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치 KR960043006A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15381395 1995-05-29
JP95-153813 1995-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960043006A true KR960043006A (ko) 1996-12-21

Family

ID=15570671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960019606A KR960043006A (ko) 1995-05-29 1996-05-28 웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0745456B1 (ko)
KR (1) KR960043006A (ko)
DE (1) DE69615273T2 (ko)
TW (1) TW303487B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
JP2001007064A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体ウエーハの研削方法
JP4034096B2 (ja) * 2002-03-19 2008-01-16 日本碍子株式会社 半導体支持装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57184662A (en) * 1981-05-09 1982-11-13 Hitachi Ltd Chamfering method and device of wafer
JP3027882B2 (ja) * 1992-07-31 2000-04-04 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部研磨装置
JP2798347B2 (ja) * 1993-07-08 1998-09-17 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JP2832138B2 (ja) * 1993-09-30 1998-12-02 信越半導体株式会社 ウェーハ外周部の研磨装置
JP2832142B2 (ja) * 1993-10-29 1998-12-02 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JPH07171749A (ja) * 1993-12-20 1995-07-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ外周部の研磨装置
JPH08168946A (ja) * 1994-12-13 1996-07-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ外周部の研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0745456A1 (en) 1996-12-04
EP0745456B1 (en) 2001-09-19
DE69615273T2 (de) 2002-06-27
TW303487B (ko) 1997-04-21
DE69615273D1 (de) 2001-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910020806A (ko) 반도체기판의 제조방법 및 그 기판으로구성된 반도체장치의 제조방법
US5601474A (en) Polishing disc of spherical surface polishing device for optical fiber end surface and method for polishing spherical surface of optical fiber end surface
KR950027995A (ko) 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치
JPH081493A (ja) ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
JP2001508597A (ja) エピタキシャル成長用炭化珪素ウェーハ製造方法
KR0158005B1 (ko) 경면 폴리싱 장치
JP2001232544A (ja) 研削・研磨加工用の光学素子保持具
WO2001028739A8 (fr) Dispositif de polissage pour bord peripherique exterieur de tranche de semi-conducteur
KR960043006A (ko) 웨이퍼 외주부의 경면 연마방법 및 경면 연마장치
JPH0740213A (ja) エッジポリッシャ
JPH09277163A (ja) 研磨方法と研磨装置
JPH1199471A (ja) 研磨治具およびこれを搭載する研磨装置
JPH1170450A (ja) 半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法
JPS58100432A (ja) ウエハの面取り加工方法
JP2916028B2 (ja) ワークエッジの鏡面研磨方法及び装置
JPH0319336A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JPH03184756A (ja) ウエーハの研削加工方法
JP2001009710A (ja) ウエーハ研磨装置
JP3821944B2 (ja) ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置
JP2944176B2 (ja) ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置
KR19990072242A (ko) 연마장치의캐리어
JPH09155728A (ja) 平面研磨方法
JP2007331034A (ja) ワークキャリア及び両面研磨機
JPH02178927A (ja) 板面体の研磨方法
JPH04240071A (ja) 環状砥石の研磨方法とその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee