JPH1170450A - 半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法Info
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- JPH1170450A JPH1170450A JP23525297A JP23525297A JPH1170450A JP H1170450 A JPH1170450 A JP H1170450A JP 23525297 A JP23525297 A JP 23525297A JP 23525297 A JP23525297 A JP 23525297A JP H1170450 A JPH1170450 A JP H1170450A
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- semiconductor wafer
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの面取り部の研磨効率を高め
ることができ、しかも良好な品質で面取り部を研磨する
ことができる装置及び方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 半導体ウェーハｗの周縁に形成された面
取り部２に研磨液を供給すると共に、研磨布８を押圧状
態に摺動させて、面取り部２を研磨する半導体ウェーハ
ｗの面取り部研磨装置４において、一定の曲率半径から
なる凹部状の湾曲面７が形成されて、湾曲面７に研磨布
８が設けられると共に、湾曲面７に直交する軸線回りに
回転駆動される研磨部５と、研磨部５の湾曲面７に対向
して配設され、半導体ウェーハｗを保持すると共に、半
導体ウェーハｗの表面と直交する軸線回りに回転駆動さ
れるウェーハ保持部６とが備えられる構成とした。
ることができ、しかも良好な品質で面取り部を研磨する
ことができる装置及び方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 半導体ウェーハｗの周縁に形成された面
取り部２に研磨液を供給すると共に、研磨布８を押圧状
態に摺動させて、面取り部２を研磨する半導体ウェーハ
ｗの面取り部研磨装置４において、一定の曲率半径から
なる凹部状の湾曲面７が形成されて、湾曲面７に研磨布
８が設けられると共に、湾曲面７に直交する軸線回りに
回転駆動される研磨部５と、研磨部５の湾曲面７に対向
して配設され、半導体ウェーハｗを保持すると共に、半
導体ウェーハｗの表面と直交する軸線回りに回転駆動さ
れるウェーハ保持部６とが備えられる構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り部を研磨する半導体ウェーハの
面取り部研磨装置及びその研磨方法に関するものであ
る。
周縁に形成された面取り部を研磨する半導体ウェーハの
面取り部研磨装置及びその研磨方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り部を食刻加工（エッチング）す
る技術として、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅ
ｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣ
ＣＲ加工を施した場合、面取り部と半導体ウェーハ裏面
との境界部分に突起が形成される。この突起は微小であ
るが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容したと
き、これがカセットに接触してカセットを削り、微小な
削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハの
性能を劣化させる原因となることは言うまでもない。
周縁に形成された面取り部を食刻加工（エッチング）す
る技術として、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅ
ｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣ
ＣＲ加工を施した場合、面取り部と半導体ウェーハ裏面
との境界部分に突起が形成される。この突起は微小であ
るが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容したと
き、これがカセットに接触してカセットを削り、微小な
削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハの
性能を劣化させる原因となることは言うまでもない。
【０００３】そこで、ＣＣＲ加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り部にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り部に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術である。従来、このＣＭＰ加工を実施する装置
としては、研磨布が巻回された研磨ドラムを、その軸線
が半導体ウェーハの回転軸に対して傾斜した状態で回転
可能に支持し、この研磨ドラムを回転させながら半導体
ウェーハの面取り部に押し付けることによって研磨を行
うものがある。また、複数のドラム間を研磨ベルトで巻
回し、ドラムの回転によりこの研磨ベルトを循環駆動さ
せる装置もある。この装置では、ドラム間の研磨ベルト
の進行方向に対して、半導体ウェーハの回転軸を平行に
配置しておき、半導体ウェーハの面取り部を、循環駆動
している研磨ベルトに押し付けることにより研磨を行
う。
ハの面取り部にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り部に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術である。従来、このＣＭＰ加工を実施する装置
としては、研磨布が巻回された研磨ドラムを、その軸線
が半導体ウェーハの回転軸に対して傾斜した状態で回転
可能に支持し、この研磨ドラムを回転させながら半導体
ウェーハの面取り部に押し付けることによって研磨を行
うものがある。また、複数のドラム間を研磨ベルトで巻
回し、ドラムの回転によりこの研磨ベルトを循環駆動さ
せる装置もある。この装置では、ドラム間の研磨ベルト
の進行方向に対して、半導体ウェーハの回転軸を平行に
配置しておき、半導体ウェーハの面取り部を、循環駆動
している研磨ベルトに押し付けることにより研磨を行
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のＣＭ
Ｐ加工装置を用いても、研磨ドラムや研磨ベルトと半導
体ウェーハの面取り部との接触は点や線であり、わずか
な接触箇所で研磨を行わねばならないことから、研磨効
率が悪いということが問題となっている。また、研磨ド
ラムや研磨ベルトの進行方向は常に一定であり、このよ
うな研磨ドラムや研磨ベルトに半導体ウェーハを押し付
けるので半導体ウェーハの面取り部に研磨条痕が残って
しまうという問題が生じる。本発明は、上記の事情に鑑
みてなされたもので、半導体ウェーハの面取り部の研磨
効率を高めることができ、しかも良好な品質で半導体ウ
ェーハを研磨することができる半導体ウェーハの面取り
部研磨装置及びその研磨方法を提供することを目的とす
る。
Ｐ加工装置を用いても、研磨ドラムや研磨ベルトと半導
体ウェーハの面取り部との接触は点や線であり、わずか
な接触箇所で研磨を行わねばならないことから、研磨効
率が悪いということが問題となっている。また、研磨ド
ラムや研磨ベルトの進行方向は常に一定であり、このよ
うな研磨ドラムや研磨ベルトに半導体ウェーハを押し付
けるので半導体ウェーハの面取り部に研磨条痕が残って
しまうという問題が生じる。本発明は、上記の事情に鑑
みてなされたもので、半導体ウェーハの面取り部の研磨
効率を高めることができ、しかも良好な品質で半導体ウ
ェーハを研磨することができる半導体ウェーハの面取り
部研磨装置及びその研磨方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
の面取り部研磨装置及びその研磨方法では、上記課題を
解決するため、以下の手段を採用した。すなわち、請求
項１記載の半導体ウェーハの面取り部研磨装置によれ
ば、半導体ウェーハの周縁に形成された面取り部に研磨
液を供給すると共に、研磨布を押圧状態に摺動させて、
前記面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨
装置において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面
が形成されて、該湾曲面に研磨布が設けられると共に、
前記湾曲面に直交する軸線回りに回転駆動される研磨部
と、該研磨部の前記湾曲面に対向して配設され、前記半
導体ウェーハを保持すると共に、該半導体ウェーハの表
面と直交する軸線回りに回転駆動されるウェーハ保持部
とが備えられていることを特徴とする。
の面取り部研磨装置及びその研磨方法では、上記課題を
解決するため、以下の手段を採用した。すなわち、請求
項１記載の半導体ウェーハの面取り部研磨装置によれ
ば、半導体ウェーハの周縁に形成された面取り部に研磨
液を供給すると共に、研磨布を押圧状態に摺動させて、
前記面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨
装置において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面
が形成されて、該湾曲面に研磨布が設けられると共に、
前記湾曲面に直交する軸線回りに回転駆動される研磨部
と、該研磨部の前記湾曲面に対向して配設され、前記半
導体ウェーハを保持すると共に、該半導体ウェーハの表
面と直交する軸線回りに回転駆動されるウェーハ保持部
とが備えられていることを特徴とする。
【０００６】この半導体ウェーハの面取り部研磨装置に
おいては、回転する半導体ウェーハの面取り部の略全周
が回転する研磨部の湾曲面に当接し、半導体ウェーハが
回転する間に面取り部の研磨される方向が回転する。
おいては、回転する半導体ウェーハの面取り部の略全周
が回転する研磨部の湾曲面に当接し、半導体ウェーハが
回転する間に面取り部の研磨される方向が回転する。
【０００７】請求項２記載の半導体ウェーハの面取り部
研磨装置によれば、前記湾曲面の曲率半径Ｒが、前記半
導体ウェーハの半径をｒとし、前記面取り部の面取角度
をθとしたときに、Ｒ＝ｒ／ｓｉｎθであることを特徴
とする。この半導体ウェーハの面取り部研磨装置におい
ては、面取り部の全周が湾曲面上に当接し研磨される。
研磨装置によれば、前記湾曲面の曲率半径Ｒが、前記半
導体ウェーハの半径をｒとし、前記面取り部の面取角度
をθとしたときに、Ｒ＝ｒ／ｓｉｎθであることを特徴
とする。この半導体ウェーハの面取り部研磨装置におい
ては、面取り部の全周が湾曲面上に当接し研磨される。
【０００８】請求項３記載の半導体ウェーハの面取り部
研磨装置によれば、前記研磨部は、前記ウェーハ保持部
に保持された前記半導体ウェーハの外周部の一部が前記
研磨部の外方に突出するよう形成され、前記研磨部から
外方に突出した前記半導体ウェーハの外周面と対向する
位置に、該外周面を研磨する外周研磨機構が設けられて
いることを特徴とする。この半導体ウェーハの面取り部
研磨装置においては、面取り部の一部が常に研磨部の外
方へ突出しており、この突出した外周面は外周研磨部に
より研磨されると共に、研磨部の内方に位置する面取り
部は湾曲面と当接して研磨される。
研磨装置によれば、前記研磨部は、前記ウェーハ保持部
に保持された前記半導体ウェーハの外周部の一部が前記
研磨部の外方に突出するよう形成され、前記研磨部から
外方に突出した前記半導体ウェーハの外周面と対向する
位置に、該外周面を研磨する外周研磨機構が設けられて
いることを特徴とする。この半導体ウェーハの面取り部
研磨装置においては、面取り部の一部が常に研磨部の外
方へ突出しており、この突出した外周面は外周研磨部に
より研磨されると共に、研磨部の内方に位置する面取り
部は湾曲面と当接して研磨される。
【０００９】ところで、前記研磨部と前記半導体ウェー
ハの回転方向を同方向とし、前記研磨部と前記半導体ウ
ェーハの回転数を同じであるようにしてもよい。更に、
前記研磨部又は前記ウェーハ保持部には、前記湾曲面又
は前記半導体ウェーハを傾斜自在とする傾斜機構を形成
してもよい。
ハの回転方向を同方向とし、前記研磨部と前記半導体ウ
ェーハの回転数を同じであるようにしてもよい。更に、
前記研磨部又は前記ウェーハ保持部には、前記湾曲面又
は前記半導体ウェーハを傾斜自在とする傾斜機構を形成
してもよい。
【００１０】請求項４記載の半導体ウェーハの面取り部
研磨方法によれば、半導体ウェーハの周縁に形成された
面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法
において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研
磨布を設けた研磨部を静止させ、前記半導体ウェーハを
その周方向に回転させつつ、前記研磨部の前記湾曲面に
押圧状態で当接させて、該半導体ウェーハの前記面取り
部の略全周を研磨することを特徴とする。この半導体ウ
ェーハの面取り部研磨方法においては、半導体ウェーハ
を回転させ、この半導体ウェーハの面取り部を静止させ
た研磨部の湾曲面に当接させて研磨する。
研磨方法によれば、半導体ウェーハの周縁に形成された
面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法
において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研
磨布を設けた研磨部を静止させ、前記半導体ウェーハを
その周方向に回転させつつ、前記研磨部の前記湾曲面に
押圧状態で当接させて、該半導体ウェーハの前記面取り
部の略全周を研磨することを特徴とする。この半導体ウ
ェーハの面取り部研磨方法においては、半導体ウェーハ
を回転させ、この半導体ウェーハの面取り部を静止させ
た研磨部の湾曲面に当接させて研磨する。
【００１１】請求項５記載の半導体ウェーハの面取り部
研磨方法によれば、半導体ウェーハの周縁に形成された
面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法
において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研
磨布を設けた研磨部を回転させると共に、前記半導体ウ
ェーハをその周方向に回転させつつ、前記研磨部の前記
湾曲面に押圧状態で当接させて、前記半導体ウェーハの
面取り部を研磨することを特徴とする。この半導体ウェ
ーハの面取り部研磨方法においては、研磨部を回転させ
ると共に半導体ウェーハをも回転させ、半導体ウェーハ
の面取り部を研磨部の湾曲面に当接させて研磨する。
研磨方法によれば、半導体ウェーハの周縁に形成された
面取り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法
において、一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研
磨布を設けた研磨部を回転させると共に、前記半導体ウ
ェーハをその周方向に回転させつつ、前記研磨部の前記
湾曲面に押圧状態で当接させて、前記半導体ウェーハの
面取り部を研磨することを特徴とする。この半導体ウェ
ーハの面取り部研磨方法においては、研磨部を回転させ
ると共に半導体ウェーハをも回転させ、半導体ウェーハ
の面取り部を研磨部の湾曲面に当接させて研磨する。
【００１２】請求項６記載の半導体ウェーハの面取り部
研磨方法によれば、前記半導体ウェーハの外周部の一部
を前記研磨部から外方に突出させて、他の外周部を前記
研磨部に押し付けると共に、前記研磨部から突出した前
記半導体ウェーハの外周面を前記研磨部の外方に備えた
外周研磨手段で研磨することを特徴とする。この半導体
ウェーハの面取り部研磨方法においては、半導体ウェー
ハを研磨部の湾曲面に当接させて研磨すると共に、研磨
部から外方に突出させた半導体ウェーハの外周面の一部
を外周研磨手段により研磨する。
研磨方法によれば、前記半導体ウェーハの外周部の一部
を前記研磨部から外方に突出させて、他の外周部を前記
研磨部に押し付けると共に、前記研磨部から突出した前
記半導体ウェーハの外周面を前記研磨部の外方に備えた
外周研磨手段で研磨することを特徴とする。この半導体
ウェーハの面取り部研磨方法においては、半導体ウェー
ハを研磨部の湾曲面に当接させて研磨すると共に、研磨
部から外方に突出させた半導体ウェーハの外周面の一部
を外周研磨手段により研磨する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１から図４を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）
は、本発明の第一の実施の形態を示す図であり、この図
において、符号ｗは研磨すべき半導体ウェーハ、１は半
導体ウェーハｗの周縁を示す外周部、２は半導体ウェー
ハｗの周縁に位置する研磨すべき面取り部、３は半導体
ウェーハｗの外周面、４は半導体ウェーハｗの面取り部
を研磨するための面取り部研磨装置をそれぞれ示してい
る。この面取り部研磨装置４は、研磨部５とウェーハ保
持部６とから概略構成されている。
１から図４を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）
は、本発明の第一の実施の形態を示す図であり、この図
において、符号ｗは研磨すべき半導体ウェーハ、１は半
導体ウェーハｗの周縁を示す外周部、２は半導体ウェー
ハｗの周縁に位置する研磨すべき面取り部、３は半導体
ウェーハｗの外周面、４は半導体ウェーハｗの面取り部
を研磨するための面取り部研磨装置をそれぞれ示してい
る。この面取り部研磨装置４は、研磨部５とウェーハ保
持部６とから概略構成されている。
【００１４】研磨部５は、その上面側に凹部状の湾曲面
７が形成されている。この湾曲面７は、一定の曲率半径
で形成されたもので、ここではその曲率半径Ｒが、半導
体ウェーハｗの半径をｒとし、面取り部２の面取角度を
θとしたときに、Ｒ＝ｒ／ｓｉｎθとなるように設定さ
れている。湾曲面７の曲率半径をこのように設定するこ
とにより、半導体ウェーハｗを湾曲面７に当接させたと
きに、その全周を湾曲面７に同時に当接させることがで
きるようになっている。また、この湾曲面７には、その
全面に沿って研磨布８が配設されている。
７が形成されている。この湾曲面７は、一定の曲率半径
で形成されたもので、ここではその曲率半径Ｒが、半導
体ウェーハｗの半径をｒとし、面取り部２の面取角度を
θとしたときに、Ｒ＝ｒ／ｓｉｎθとなるように設定さ
れている。湾曲面７の曲率半径をこのように設定するこ
とにより、半導体ウェーハｗを湾曲面７に当接させたと
きに、その全周を湾曲面７に同時に当接させることがで
きるようになっている。また、この湾曲面７には、その
全面に沿って研磨布８が配設されている。
【００１５】この研磨部５には、その下面側に湾曲面７
に直交する向きに回転軸９が一体に設けられている。研
磨部５は、この回転軸９を図示しない駆動機構で回転さ
せることによって、この回転軸９を中心として所定の回
転方向・回転数で回転駆動されるようになっている。
に直交する向きに回転軸９が一体に設けられている。研
磨部５は、この回転軸９を図示しない駆動機構で回転さ
せることによって、この回転軸９を中心として所定の回
転方向・回転数で回転駆動されるようになっている。
【００１６】ウェーハ保持部６には、研磨部５の湾曲面
７と対向した位置に半導体ウェーハｗを保持する保持部
材１０が配置され、この保持部材１０には、保持する半
導体ウェーハｗに直交する方向に延在する回転軸１１が
備えられている。この回転軸１１を図示しない駆動機構
で回転させることによって、保持部材１０を所定の回転
方向・回転数で回転駆動できるようになっている。ま
た、この回転軸１１は、図示しないシリンダ機構等によ
って、その軸線方向に保持部材１０を進退できるように
なっており、これによって保持した半導体ウェーハｗを
湾曲面７に向けて進退させることができるようになって
いる。
７と対向した位置に半導体ウェーハｗを保持する保持部
材１０が配置され、この保持部材１０には、保持する半
導体ウェーハｗに直交する方向に延在する回転軸１１が
備えられている。この回転軸１１を図示しない駆動機構
で回転させることによって、保持部材１０を所定の回転
方向・回転数で回転駆動できるようになっている。ま
た、この回転軸１１は、図示しないシリンダ機構等によ
って、その軸線方向に保持部材１０を進退できるように
なっており、これによって保持した半導体ウェーハｗを
湾曲面７に向けて進退させることができるようになって
いる。
【００１７】保持部材１０には、先端部に図示しない吸
引手段に接続された複数の吸着孔（図示せず）が形成さ
れている。保持部材１０は、これら吸着孔により半導体
ウェーハｗを吸着して支持するものである。
引手段に接続された複数の吸着孔（図示せず）が形成さ
れている。保持部材１０は、これら吸着孔により半導体
ウェーハｗを吸着して支持するものである。
【００１８】次に、本発明に係る面取り部研磨装置４の
第一の実施の形態における半導体ウェーハの面取り部研
磨方法について説明する。上記の面取り部研磨装置４で
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨するには、まず、
ウェーハ保持部６の保持部材１０に半導体ウェーハｗを
保持させ、周方向に回転させると共に、研磨部５を回転
軸９を中心として回転させる。
第一の実施の形態における半導体ウェーハの面取り部研
磨方法について説明する。上記の面取り部研磨装置４で
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨するには、まず、
ウェーハ保持部６の保持部材１０に半導体ウェーハｗを
保持させ、周方向に回転させると共に、研磨部５を回転
軸９を中心として回転させる。
【００１９】次いで、ウェーハ保持部６の回転軸１１を
研磨部５に向けて前進させることによって、ウェーハ保
持部６で保持した半導体ウェーハｗを研磨部５の湾曲面
７に押圧状態で当接させる。すると、半導体ウェーハｗ
の面取り部２は、湾曲面７の研磨布８に当接し、これに
よって面取り部２が研磨させる。
研磨部５に向けて前進させることによって、ウェーハ保
持部６で保持した半導体ウェーハｗを研磨部５の湾曲面
７に押圧状態で当接させる。すると、半導体ウェーハｗ
の面取り部２は、湾曲面７の研磨布８に当接し、これに
よって面取り部２が研磨させる。
【００２０】ところで、半導体ウェーハｗの面取り部２
の一点に注目してみると、図２に示すように、半導体ウ
ェーハｗが１回転する間に、研磨部５が半導体ウェーハ
ｗを研磨する方向が、半導体ウェーハｗの研磨部５に当
接する位置によって矢印ａ、ｂ、ｃ、ｄと回転する。す
なわち、図２において、符号Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで示した位
置での研磨方向をそれぞれ見てみると、半導体ウェーハ
ｗは、符号Ａの位置では図３（ａ）に示すように矢印ｇ
１方向に研磨される。同様に、Ｂの位置では図３（ｂ）
に示す矢印ｇ２方向に研磨され、Ｃの位置では図３
（ｃ）に示す矢印ｇ３方向に研磨され、Ｄの位置では図
３（ｄ）に示す矢印ｇ４方向に研磨される。
の一点に注目してみると、図２に示すように、半導体ウ
ェーハｗが１回転する間に、研磨部５が半導体ウェーハ
ｗを研磨する方向が、半導体ウェーハｗの研磨部５に当
接する位置によって矢印ａ、ｂ、ｃ、ｄと回転する。す
なわち、図２において、符号Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで示した位
置での研磨方向をそれぞれ見てみると、半導体ウェーハ
ｗは、符号Ａの位置では図３（ａ）に示すように矢印ｇ
１方向に研磨される。同様に、Ｂの位置では図３（ｂ）
に示す矢印ｇ２方向に研磨され、Ｃの位置では図３
（ｃ）に示す矢印ｇ３方向に研磨され、Ｄの位置では図
３（ｄ）に示す矢印ｇ４方向に研磨される。
【００２１】上記の面取り部研磨装置４によれば、半導
体ウェーハｗの面取り部２の全周を湾曲面７に当接させ
ることで湾曲面７と面取り部２との接触は面となり、し
かも、面取り部２の全周を同時に研磨することができる
ので、面取り部２の研磨効率を高めることができる。ま
た、半導体ウェーハｗが回転する間に面取り部２の研磨
される方向が回転することから、常に一定方向を研磨す
る装置とは異なり面取り部２に研磨条痕が残らず、良好
な品質で半導体ウェーハｗを研磨することができる。
体ウェーハｗの面取り部２の全周を湾曲面７に当接させ
ることで湾曲面７と面取り部２との接触は面となり、し
かも、面取り部２の全周を同時に研磨することができる
ので、面取り部２の研磨効率を高めることができる。ま
た、半導体ウェーハｗが回転する間に面取り部２の研磨
される方向が回転することから、常に一定方向を研磨す
る装置とは異なり面取り部２に研磨条痕が残らず、良好
な品質で半導体ウェーハｗを研磨することができる。
【００２２】図４（ａ）、（ｂ）は本発明の第二の実施
の形態を示す図であり、図１（ａ）、（ｂ）と同一構成
要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図４（ａ）、（ｂ）において、符号１６は、面取り部研
磨装置であり、面取り部研磨装置１６は、研磨部１７と
ウェーハ保持部６と外周研磨機構（外周研磨手段）１８
とから構成されている。
の形態を示す図であり、図１（ａ）、（ｂ）と同一構成
要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図４（ａ）、（ｂ）において、符号１６は、面取り部研
磨装置であり、面取り部研磨装置１６は、研磨部１７と
ウェーハ保持部６と外周研磨機構（外周研磨手段）１８
とから構成されている。
【００２３】研磨部１７は、その上面側に凹部状の湾曲
面１９が形成され、その中央には有底筒状の溝２０が設
けられている。また、研磨部１７は、ウェーハ保持部６
に保持された半導体ウェーハｗの外周部１の一部が、研
磨部１７の外方に突出するように形成されると共に、外
周部１の他の一部が、溝２０上に突出するように形成さ
れている。研磨部１７の湾曲面１９は、一定の曲率半径
Ｒで形成され、半導体ウェーハｗの半径をｒ、面取り部
２の面取角度をθとしたときにＲ＝ｒ／ｓｉｎθとなる
ように設定されている。また、この湾曲面１９には、溝
２０を除く全面に沿って研磨布２１が配設されている。
面１９が形成され、その中央には有底筒状の溝２０が設
けられている。また、研磨部１７は、ウェーハ保持部６
に保持された半導体ウェーハｗの外周部１の一部が、研
磨部１７の外方に突出するように形成されると共に、外
周部１の他の一部が、溝２０上に突出するように形成さ
れている。研磨部１７の湾曲面１９は、一定の曲率半径
Ｒで形成され、半導体ウェーハｗの半径をｒ、面取り部
２の面取角度をθとしたときにＲ＝ｒ／ｓｉｎθとなる
ように設定されている。また、この湾曲面１９には、溝
２０を除く全面に沿って研磨布２１が配設されている。
【００２４】この研磨部１７には、その下面側に湾曲面
１９に直交する向きに回転軸９が一体に設けられ、この
回転軸９を中心として所定の回転方向・回転数で回転駆
動されるようになっている。
１９に直交する向きに回転軸９が一体に設けられ、この
回転軸９を中心として所定の回転方向・回転数で回転駆
動されるようになっている。
【００２５】ウェーハ保持部６には、研磨部１７の湾曲
面１９と対向した位置に半導体ウェーハｗを保持する保
持部材１０、この保持部材１０の半導体ウェーハｗの表
面と直交する方向に延在する回転軸１１が備えられてい
る。ウェーハ保持部６は、この回転軸１１を中心として
所定の回転方向・回転数で回転駆動できるようになって
いる。また、この回転軸１１には、図示しないシリンダ
機構等により、半導体ウェーハｗを湾曲面１９に向けて
進退させることができる。保持部材１０は、半導体ウェ
ーハｗを吸着して支持するものである。
面１９と対向した位置に半導体ウェーハｗを保持する保
持部材１０、この保持部材１０の半導体ウェーハｗの表
面と直交する方向に延在する回転軸１１が備えられてい
る。ウェーハ保持部６は、この回転軸１１を中心として
所定の回転方向・回転数で回転駆動できるようになって
いる。また、この回転軸１１には、図示しないシリンダ
機構等により、半導体ウェーハｗを湾曲面１９に向けて
進退させることができる。保持部材１０は、半導体ウェ
ーハｗを吸着して支持するものである。
【００２６】外周研磨機構１８には、研磨部１７から外
方に突出した半導体ウェーハｗの外周面３と対向する位
置に外周面３を研磨する研磨ドラム２２が配置され、こ
の研磨ドラム２２には、その下方側に半導体ウェーハｗ
に直交する方向に延在する回転軸２３が備えられてい
る。また、外周研磨機構１８は、この回転軸２３を図示
しない駆動機構で回転させることにより、この回転軸２
３を中心として回転駆動されるようになっている。
方に突出した半導体ウェーハｗの外周面３と対向する位
置に外周面３を研磨する研磨ドラム２２が配置され、こ
の研磨ドラム２２には、その下方側に半導体ウェーハｗ
に直交する方向に延在する回転軸２３が備えられてい
る。また、外周研磨機構１８は、この回転軸２３を図示
しない駆動機構で回転させることにより、この回転軸２
３を中心として回転駆動されるようになっている。
【００２７】次に、本発明の面取り部研磨装置１６の第
二の実施の形態における半導体ウェーハの面取り部研磨
方法について説明する。上記の面取り部研磨装置１６で
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨するには、まず、
ウェーハ保持部６の保持部材１０に半導体ウェーハｗを
保持させ、周方向に回転させると共に、研磨部１７を回
転軸９を中心として回転させる。
二の実施の形態における半導体ウェーハの面取り部研磨
方法について説明する。上記の面取り部研磨装置１６で
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨するには、まず、
ウェーハ保持部６の保持部材１０に半導体ウェーハｗを
保持させ、周方向に回転させると共に、研磨部１７を回
転軸９を中心として回転させる。
【００２８】次いで、ウェーハ保持部６の回転軸１１を
研磨部１７に向けて前進させ、ウェーハ保持部６で保持
した半導体ウェーハｗの外周面３を研磨ドラム２２に当
接させると共に、研磨部１７の湾曲面１９に押圧状態で
当接させる。
研磨部１７に向けて前進させ、ウェーハ保持部６で保持
した半導体ウェーハｗの外周面３を研磨ドラム２２に当
接させると共に、研磨部１７の湾曲面１９に押圧状態で
当接させる。
【００２９】この場合においても、半導体ウェーハｗの
面取り部２の一点に注目してみると、ウェーハ保持部６
によって半導体ウェーハｗが回転する間に、研磨部１７
が半導体ウェーハｗを研磨する方向が、半導体ウェーハ
ｗの研磨部１７に当接する位置によって回転する。ま
た、研磨ドラム２２により、半導体ウェーハｗの外周面
３が研磨される。
面取り部２の一点に注目してみると、ウェーハ保持部６
によって半導体ウェーハｗが回転する間に、研磨部１７
が半導体ウェーハｗを研磨する方向が、半導体ウェーハ
ｗの研磨部１７に当接する位置によって回転する。ま
た、研磨ドラム２２により、半導体ウェーハｗの外周面
３が研磨される。
【００３０】上記の面取り部研磨装置１６においても、
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨部１７の湾曲面１
９に当接させることで、湾曲面１９と面取り部２との接
触は面となり、しかも、面取り部２の略全周を同時に研
磨することができるので、研磨効率を高めることができ
る。また、半導体ウェーハｗの面取り部２だけでなく、
同時に研磨ドラム２２により外周面３も研磨されるの
で、外周部１を研磨する時間をより短くすることがで
き、より研磨効率が向上する。更に、半導体ウェーハｗ
が回転する間に面取り部２に対する研磨方向が回転する
ことから、面取り部２に研磨条痕が残らず、良好な品質
で半導体ウェーハｗを研磨することができる。
半導体ウェーハｗの面取り部２を研磨部１７の湾曲面１
９に当接させることで、湾曲面１９と面取り部２との接
触は面となり、しかも、面取り部２の略全周を同時に研
磨することができるので、研磨効率を高めることができ
る。また、半導体ウェーハｗの面取り部２だけでなく、
同時に研磨ドラム２２により外周面３も研磨されるの
で、外周部１を研磨する時間をより短くすることがで
き、より研磨効率が向上する。更に、半導体ウェーハｗ
が回転する間に面取り部２に対する研磨方向が回転する
ことから、面取り部２に研磨条痕が残らず、良好な品質
で半導体ウェーハｗを研磨することができる。
【００３１】なお、上述した第一及び第二の実施の形態
において、研磨部５、１７、ウェーハ保持部６の回転方
向、回転数については、何等限定するものではない。し
かし、研磨部５、１７と半導体ウェーハｗの回転方向を
同方向とし、また、研磨部５、１７と半導体ウェーハｗ
の回転数を同じに設定すれば、半導体ウェーハｗの面取
り部２の品質をより良好にすることができる。
において、研磨部５、１７、ウェーハ保持部６の回転方
向、回転数については、何等限定するものではない。し
かし、研磨部５、１７と半導体ウェーハｗの回転方向を
同方向とし、また、研磨部５、１７と半導体ウェーハｗ
の回転数を同じに設定すれば、半導体ウェーハｗの面取
り部２の品質をより良好にすることができる。
【００３２】また、研磨部５、１７については、回転軸
９を中心として回転駆動させたが、この構成に代えて、
研磨部５、１７を静止させ、回転駆動された半導体ウェ
ーハｗを研磨部５、１７の湾曲面７、１９に押圧状態で
当接させて、半導体ウェーハの面取り部２を研磨する構
成としてもよい。この研磨部５、１７を静止状態として
研磨する場合、研磨部５、１７の特定の箇所だけが使用
されることがないように、研磨部５、１７を移動させ
て、その研磨位置を変えるようにしてもよい。例えば、
図１（ａ）に示す配置の場合は、研磨部５を間欠的に回
転させればよく、静止状態といっても、上記の範囲内で
の回転は含むものとする。
９を中心として回転駆動させたが、この構成に代えて、
研磨部５、１７を静止させ、回転駆動された半導体ウェ
ーハｗを研磨部５、１７の湾曲面７、１９に押圧状態で
当接させて、半導体ウェーハの面取り部２を研磨する構
成としてもよい。この研磨部５、１７を静止状態として
研磨する場合、研磨部５、１７の特定の箇所だけが使用
されることがないように、研磨部５、１７を移動させ
て、その研磨位置を変えるようにしてもよい。例えば、
図１（ａ）に示す配置の場合は、研磨部５を間欠的に回
転させればよく、静止状態といっても、上記の範囲内で
の回転は含むものとする。
【００３３】更に、ウェーハ保持部６の保持部材１０
に、半導体ウェーハｗを湾曲面７、１９に押圧状態で当
接させるため、例えばシリンダ機構を用いたが、更に、
半導体ウェーハｗの面取り部２の全周又は略全周が、湾
曲面７、１９に均一に押圧されるために、傾斜機構を備
えることも可能である。この傾斜機構として、例えば、
ボールジョイントやダイヤフラムを用いてもよい。この
ようなボールジョイントやダイヤフラムを用いることに
より、研磨部５、１７の湾曲面７、１９に半導体ウェー
ハｗが当接する際に、半導体ウェーハｗの面取り部２が
常に湾曲面７、１９に均一に押圧されるので、面取り部
２が良好な品質となる。なお、傾斜機構は研磨部５、１
７側に配設することも可能である。
に、半導体ウェーハｗを湾曲面７、１９に押圧状態で当
接させるため、例えばシリンダ機構を用いたが、更に、
半導体ウェーハｗの面取り部２の全周又は略全周が、湾
曲面７、１９に均一に押圧されるために、傾斜機構を備
えることも可能である。この傾斜機構として、例えば、
ボールジョイントやダイヤフラムを用いてもよい。この
ようなボールジョイントやダイヤフラムを用いることに
より、研磨部５、１７の湾曲面７、１９に半導体ウェー
ハｗが当接する際に、半導体ウェーハｗの面取り部２が
常に湾曲面７、１９に均一に押圧されるので、面取り部
２が良好な品質となる。なお、傾斜機構は研磨部５、１
７側に配設することも可能である。
【００３４】また更に、上述した第２の実施の形態にお
いては、外周研磨機構１８として研磨ドラム２２を半導
体ウェーハｗの外周面３に押圧して研磨するようにした
が、この構成に代えて、半導体ウェーハｗの外周面３に
研磨ベルトや研磨盤を押圧して研磨するように構成して
もよい。
いては、外周研磨機構１８として研磨ドラム２２を半導
体ウェーハｗの外周面３に押圧して研磨するようにした
が、この構成に代えて、半導体ウェーハｗの外周面３に
研磨ベルトや研磨盤を押圧して研磨するように構成して
もよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
ェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法によれば、
半導体ウェーハの面取り部の略全周を湾曲面に当接する
ことができ、湾曲面と面取り部との接触が面となり、し
かも面取り部の略全周を同時に研磨することができるこ
とから、研磨効率を高めることができる。また、半導体
ウェーハが回転するにつれて、面取り部の研磨される方
向が回転することから、常に方向を変えて研磨すること
に等しく、面取り部に研磨条痕が残らず、良好な品質で
半導体ウェーハを研磨することができる。更に、外周研
磨機構により、半導体ウェーハの面取り部だけでなく、
外周面も研磨することができるので、外周部に対する研
磨効率を向上させることができる。
ェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法によれば、
半導体ウェーハの面取り部の略全周を湾曲面に当接する
ことができ、湾曲面と面取り部との接触が面となり、し
かも面取り部の略全周を同時に研磨することができるこ
とから、研磨効率を高めることができる。また、半導体
ウェーハが回転するにつれて、面取り部の研磨される方
向が回転することから、常に方向を変えて研磨すること
に等しく、面取り部に研磨条痕が残らず、良好な品質で
半導体ウェーハを研磨することができる。更に、外周研
磨機構により、半導体ウェーハの面取り部だけでなく、
外周面も研磨することができるので、外周部に対する研
磨効率を向上させることができる。
【図１】 本発明の第一の実施の形態を示す図であり、
（ａ）は研磨部を一部断面視した半導体ウェーハの面取
り部研磨装置の側断面図である。（ｂ）は、（ａ）の要
部拡大図である。
（ａ）は研磨部を一部断面視した半導体ウェーハの面取
り部研磨装置の側断面図である。（ｂ）は、（ａ）の要
部拡大図である。
【図２】 図１に示す半導体ウェーハの面取り部研磨装
置の要部の平面図である。
置の要部の平面図である。
【図３】 図２に示す半導体ウェーハのある一点におけ
る研磨部の各位置での研磨方向を示す図であり、（ａ）
は、図２のＡの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｂ）は図２のＢの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｃ）は図２のＣの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｄ）は図２のＤの位置での研磨方向を示す図である。
る研磨部の各位置での研磨方向を示す図であり、（ａ）
は、図２のＡの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｂ）は図２のＢの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｃ）は図２のＣの位置での研磨方向を示す図であり、
（ｄ）は図２のＤの位置での研磨方向を示す図である。
【図４】 本発明の第二の実施の形態を示す図であり、
（ａ）は研磨部を一部断面視した半導体ウェーハの面取
り部研磨装置の側断面図である。（ｂ）は、（ａ）の要
部拡大図である。
（ａ）は研磨部を一部断面視した半導体ウェーハの面取
り部研磨装置の側断面図である。（ｂ）は、（ａ）の要
部拡大図である。
１ 外周部 ２ 面取り部 ３ 外周面 ４、１６ 面取り部研磨装置 ５、１７ 研磨部 ６ ウェーハ保持部 ７、１９ 湾曲面 ８、２１ 研磨布 １８ 外周研磨機構（外周研磨手段） ｗ 半導体ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 定信 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地１ 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り部に研磨液を供給すると共に、研磨布を押圧状態に摺
動させて、前記面取り部を研磨する半導体ウェーハの面
取り部研磨装置において、 一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面が形成されて、
該湾曲面に研磨布が設けられると共に、前記湾曲面に直
交する軸線回りに回転駆動される研磨部と、 該研磨部の前記湾曲面に対向して配設され、前記半導体
ウェーハを保持すると共に、該半導体ウェーハの表面と
直交する軸線回りに回転駆動されるウェーハ保持部とが
備えられていることを特徴とする半導体ウェーハの面取
り部研磨装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの面取り
部研磨装置において、前記湾曲面の曲率半径Ｒが、前記
半導体ウェーハの半径をｒとし、前記面取り部の面取角
度をθとしたときに、Ｒ＝ｒ／ｓｉｎθであることを特
徴とする半導体ウェーハの面取り部研磨装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体ウェーハの
面取り部研磨装置において、 前記研磨部は、前記ウェーハ保持部に保持された前記半
導体ウェーハの外周部の一部が前記研磨部の外方に突出
するよう形成され、 前記研磨部から外方に突出した前記半導体ウェーハの外
周面と対向する位置に、該外周面を研磨する外周研磨機
構が設けられていることを特徴とする半導体ウェーハの
面取り部研磨装置。 - 【請求項４】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法にお
いて、 一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研磨布を設け
た研磨部を静止させ、 前記半導体ウェーハをその周方向に回転させつつ、前記
研磨部の前記湾曲面に押圧状態で当接させて、該半導体
ウェーハの前記面取り部の略全周を研磨することを特徴
とする半導体ウェーハの面取り部研磨方法。 - 【請求項５】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り部を研磨する半導体ウェーハの面取り部研磨方法にお
いて、 一定の曲率半径からなる凹部状の湾曲面に研磨布を設け
た研磨部を回転させると共に、 前記半導体ウェーハをその周方向に回転させつつ、前記
研磨部の前記湾曲面に押圧状態で当接させて、該半導体
ウェーハの前記面取り部の略全周を研磨することを特徴
とする半導体ウェーハの面取り部研磨方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体ウェーハの面取り
部研磨方法において、 前記半導体ウェーハの外周部の一部を前記研磨部から外
方に突出させて、他の外周部を前記研磨部に押し付ける
と共に、 前記研磨部から突出した前記半導体ウェーハの外周面を
前記研磨部の外方に備えた外周研磨手段で研磨すること
を特徴とする半導体ウェーハの面取り部研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23525297A JPH1170450A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23525297A JPH1170450A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1170450A true JPH1170450A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16983334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23525297A Withdrawn JPH1170450A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体ウェーハの面取り部研磨装置及びその研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1170450A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| JP2008080482A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および製造装置、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクの製造方法、ならびに磁気ディスク |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| US9821429B2 (en) | 2012-05-14 | 2017-11-21 | Ebara Corporation | Polishing pad and chemical mechanical polishing apparatus for polishing a workpiece, and method of polishing a workpiece using the chemical mechanical polishing apparatus |
| CN109176217A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-01-11 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种晶片倒边装置及倒边方法 |
| CN109333221A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-15 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种自动倒边机 |
| CN109366286A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种具有倾斜倒角模的自动倒边机 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23525297A patent/JPH1170450A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| JP2008080482A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および製造装置、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクの製造方法、ならびに磁気ディスク |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| US9821429B2 (en) | 2012-05-14 | 2017-11-21 | Ebara Corporation | Polishing pad and chemical mechanical polishing apparatus for polishing a workpiece, and method of polishing a workpiece using the chemical mechanical polishing apparatus |
| CN109333221A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-15 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种自动倒边机 |
| CN109366286A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种具有倾斜倒角模的自动倒边机 |
| CN109333221B (zh) * | 2018-10-26 | 2019-11-22 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种自动倒边机 |
| CN109176217A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-01-11 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种晶片倒边装置及倒边方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |