JP2575489B2 - ウエハー研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
ウエハー研磨方法及び研磨装置Info
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- JP2575489B2 JP2575489B2 JP1114181A JP11418189A JP2575489B2 JP 2575489 B2 JP2575489 B2 JP 2575489B2 JP 1114181 A JP1114181 A JP 1114181A JP 11418189 A JP11418189 A JP 11418189A JP 2575489 B2 JP2575489 B2 JP 2575489B2
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- Japan
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- polishing
- wafer
- peripheral portion
- cloth
- polishing cloth
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はウエハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置
に関するものである。
に関するものである。
（従来の技術） 従来例えば半導体ウエハー等の鏡面研磨方法として
は、両面同時に鏡面にする両面研磨と片面のみ鏡面にす
る片面研磨とがある。
は、両面同時に鏡面にする両面研磨と片面のみ鏡面にす
る片面研磨とがある。
これら両面研磨、片面研磨は、主としてウエハー表面
の平坦度を良くしおおよその鏡面を得る目的で行われる
一次研磨と、その後さらに平坦度を増して鏡面に仕上げ
る二次研磨とからなる。
の平坦度を良くしおおよその鏡面を得る目的で行われる
一次研磨と、その後さらに平坦度を増して鏡面に仕上げ
る二次研磨とからなる。
上記一次研磨用の研磨布としては不織布タイプ硬質研
磨布を用い、二次研磨用としては発泡ウレタンのスエー
ドタイプの研磨布を用いる。
磨布を用い、二次研磨用としては発泡ウレタンのスエー
ドタイプの研磨布を用いる。
（発明が解決しようとする課題） 以上の従来の技術においては、一次研磨用として硬質
の研磨布を用いることにより、平坦度を増している。し
かしながら単に硬質の研磨布を用いるだけで、この研磨
布自体に対する工夫はなされていなかった。
の研磨布を用いることにより、平坦度を増している。し
かしながら単に硬質の研磨布を用いるだけで、この研磨
布自体に対する工夫はなされていなかった。
したがって従来の方法により一次研磨を行ったもので
両面研磨あるいは片面研磨を施したものでは、ウエハー
周辺部が内面部に比較して外周方向によけいに研磨され
る（周辺部が垂れる）傾向にあり、得られる平坦度には
限界があった。これを具体的に説明すると、例えば第３
図に従来の片面研磨の方法を示す。図中７はウエハー、
８はこのウエハーを接着した接着プレート、９は研磨定
盤、10はこの研磨定盤上に取り付けられた研磨布であ
る。図示のようにウエハー７及び研磨布10はそれぞれ稼
動軸11、12により回転させ研磨が行われるが、ウエハー
周辺部は外周部に向かうにつれて内周部に比較してよけ
いに研磨され垂れてしまう。また両面研磨ではウエハー
がキャリヤの中でフリーな状態であるので、ウエハー上
下の周辺部が上下内周部に比較してよけいにかつ均等に
研磨されてしまう。
両面研磨あるいは片面研磨を施したものでは、ウエハー
周辺部が内面部に比較して外周方向によけいに研磨され
る（周辺部が垂れる）傾向にあり、得られる平坦度には
限界があった。これを具体的に説明すると、例えば第３
図に従来の片面研磨の方法を示す。図中７はウエハー、
８はこのウエハーを接着した接着プレート、９は研磨定
盤、10はこの研磨定盤上に取り付けられた研磨布であ
る。図示のようにウエハー７及び研磨布10はそれぞれ稼
動軸11、12により回転させ研磨が行われるが、ウエハー
周辺部は外周部に向かうにつれて内周部に比較してよけ
いに研磨され垂れてしまう。また両面研磨ではウエハー
がキャリヤの中でフリーな状態であるので、ウエハー上
下の周辺部が上下内周部に比較してよけいにかつ均等に
研磨されてしまう。
本発明は一次研磨におけるウエハー周辺部の研磨量を
減らすことによりウエハーの平坦度を高めた研磨が行え
るウエハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置を提供す
る目的でなされたものである。
減らすことによりウエハーの平坦度を高めた研磨が行え
るウエハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置を提供す
る目的でなされたものである。
（課題を解決するための手段） 本発明者等は研磨が研磨液を供給し、研磨布で擦り付
けることで行われるメカノケミカルポリッシングであ
り、機械的作用と化学的作用のバランスが重要である点
に着目して鋭意研究を重ねたところ、ウエハーの平坦度
を向上させるには研磨布の外周部の、ウエハーとの接触
面積を減少させることが有効であることを見出し、この
知見に基づき本発明を完成するに至った。
けることで行われるメカノケミカルポリッシングであ
り、機械的作用と化学的作用のバランスが重要である点
に着目して鋭意研究を重ねたところ、ウエハーの平坦度
を向上させるには研磨布の外周部の、ウエハーとの接触
面積を減少させることが有効であることを見出し、この
知見に基づき本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、（１）回転定盤を用いた研磨機に
よりウエハーを研磨するに当り、研磨布として回転定盤
に取り付けた溝付周辺部を有する研磨布を用い、前記ウ
エハーの外周部が前記研磨布の溝付周辺部に接触するよ
うにすることを特徴とするウエハー研磨方法、及び （２）回転定盤を用いた研磨機において、回転定盤上
に、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてなるこ
とを特徴とするウエハー研磨装置、を提供するものであ
る。
よりウエハーを研磨するに当り、研磨布として回転定盤
に取り付けた溝付周辺部を有する研磨布を用い、前記ウ
エハーの外周部が前記研磨布の溝付周辺部に接触するよ
うにすることを特徴とするウエハー研磨方法、及び （２）回転定盤を用いた研磨機において、回転定盤上
に、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてなるこ
とを特徴とするウエハー研磨装置、を提供するものであ
る。
（実施例） 次に本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明におけるウエハーの研磨状態を示す一
例の断面図である。１はウエハー、２はこのウエハーを
接着した接着プレート、３は稼動軸である。また４は研
磨布、５は研磨布を上面に取り付けた研磨定盤であり、
６は稼動軸である。なお、稼動軸３、６はそれぞれ稼動
源（図示せず）に連結されている。上記研磨布４の外周
部には溝ピッチ8mm、溝幅3mmの溝を設けてあり、これを
溝付周辺部4aとしている。第２図に研磨布４の平面図を
示す。
例の断面図である。１はウエハー、２はこのウエハーを
接着した接着プレート、３は稼動軸である。また４は研
磨布、５は研磨布を上面に取り付けた研磨定盤であり、
６は稼動軸である。なお、稼動軸３、６はそれぞれ稼動
源（図示せず）に連結されている。上記研磨布４の外周
部には溝ピッチ8mm、溝幅3mmの溝を設けてあり、これを
溝付周辺部4aとしている。第２図に研磨布４の平面図を
示す。
次に研磨方法について説明すると、第１図に示すよう
にウエハー１を矢印方向に回転させながら、矢印方向に
回転している研磨布４にその表面を接触させ研磨する。
このときウエハー１の外周部の一部はかならず研磨布４
の溝付周辺部4aに接触するようにして研磨を行う。研磨
の際には研磨液を使用するが、本例ではSiO2微細砥粒を
含むアルカリ溶液を使用した。この研磨液は上記に限定
するものではなく例えばInsec FP（商品名、不二見研磨
材工業（株）製）、Nalco 2360（商品、ロデール・ニッ
タ（株）製）等を好ましく使用することができる。また
溝付周辺部4aの溝は本例では溝ピッチ8mm、溝幅3mmとし
て形成したが、本発明において研磨布に形成する溝付周
辺部の溝の形状等は限定するものではない。溝は例えば
溝ピッチ１〜10mm、溝幅１〜5mmとするのが好ましく、
この溝を付けることで研磨後のウエハー平坦度は、２イ
ンチ径で２μｍ以下、３インチ径で３μｍ以下に仕上げ
ることが可能である。これが第３図の従来法では２イン
チ径で５μｍ、３インチ径で８μｍ程度の平坦度であっ
た。
にウエハー１を矢印方向に回転させながら、矢印方向に
回転している研磨布４にその表面を接触させ研磨する。
このときウエハー１の外周部の一部はかならず研磨布４
の溝付周辺部4aに接触するようにして研磨を行う。研磨
の際には研磨液を使用するが、本例ではSiO2微細砥粒を
含むアルカリ溶液を使用した。この研磨液は上記に限定
するものではなく例えばInsec FP（商品名、不二見研磨
材工業（株）製）、Nalco 2360（商品、ロデール・ニッ
タ（株）製）等を好ましく使用することができる。また
溝付周辺部4aの溝は本例では溝ピッチ8mm、溝幅3mmとし
て形成したが、本発明において研磨布に形成する溝付周
辺部の溝の形状等は限定するものではない。溝は例えば
溝ピッチ１〜10mm、溝幅１〜5mmとするのが好ましく、
この溝を付けることで研磨後のウエハー平坦度は、２イ
ンチ径で２μｍ以下、３インチ径で３μｍ以下に仕上げ
ることが可能である。これが第３図の従来法では２イン
チ径で５μｍ、３インチ径で８μｍ程度の平坦度であっ
た。
なお、上記の研磨の後に仕上げ研磨を行うことによ
り、研磨が完了する。
り、研磨が完了する。
本例は片面研磨についての例であるが両面研磨につい
ても上定盤及び下定盤に同様の研磨布を使用することで
適用できる。
ても上定盤及び下定盤に同様の研磨布を使用することで
適用できる。
（作用） 本発明は研磨布の周辺に溝付周辺部を形成して、この
溝付周辺部を研磨時にウエハー外周部に接触するように
したために、ウエハー外周部の研磨量を内面部と同等と
することができ、ウエハー周辺部の垂れを抑制すること
ができる。
溝付周辺部を研磨時にウエハー外周部に接触するように
したために、ウエハー外周部の研磨量を内面部と同等と
することができ、ウエハー周辺部の垂れを抑制すること
ができる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、ウエハー内面部
と外周部との研磨量を同等とすることができ、研磨完了
後のウエハー平坦度を従来になく向上させ得る。これに
より得られたウエハーへ微細パターンを形成する際には
ピントずれが少なくなる。
と外周部との研磨量を同等とすることができ、研磨完了
後のウエハー平坦度を従来になく向上させ得る。これに
より得られたウエハーへ微細パターンを形成する際には
ピントずれが少なくなる。
第１図は本発明の一実施態様を示す断面図、第２図はそ
れに用いた研磨布の平面図、第３図は従来の研磨態様を
示す断面図である。 符号の説明 1,7……ウエハー、2,8……接着プレート、3,6,11,12…
…稼動軸、4,10……研磨布、4a……溝付周辺部、5,9…
…研磨定盤。
れに用いた研磨布の平面図、第３図は従来の研磨態様を
示す断面図である。 符号の説明 1,7……ウエハー、2,8……接着プレート、3,6,11,12…
…稼動軸、4,10……研磨布、4a……溝付周辺部、5,9…
…研磨定盤。
Claims (2)
- 【請求項１】回転定盤を用いた研磨機によりウエハーを
研磨するに当り、回転定盤に取り付けた、溝付周辺部を
有する研磨布を用い、前記ウエハーの外周部が前記研磨
布の溝付周辺部に接触するようにすることを特徴とする
ウエハー研磨方法。 - 【請求項２】回転定盤を用いた研磨機において、回転定
盤上に、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてな
ることを特徴とするウエハー研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114181A JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114181A JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294032A JPH02294032A (ja) | 1990-12-05 |
| JP2575489B2 true JP2575489B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=14631223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1114181A Expired - Lifetime JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575489B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
| US5873772A (en) * | 1997-04-10 | 1999-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for polishing the top and bottom of a semiconductor wafer simultaneously |
| JP5311731B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2013-10-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
| JP2008221368A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1114181A patent/JP2575489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02294032A (ja) | 1990-12-05 |
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