JPH10100050A - ウェーハ面取り部の加工方法及び加工装置 - Google Patents

ウェーハ面取り部の加工方法及び加工装置

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JPH10100050A
JPH10100050A JP25685896A JP25685896A JPH10100050A JP H10100050 A JPH10100050 A JP H10100050A JP 25685896 A JP25685896 A JP 25685896A JP 25685896 A JP25685896 A JP 25685896A JP H10100050 A JPH10100050 A JP H10100050A
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JP
Japan
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wafer
outer peripheral
polishing
corner
pressing force
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JP25685896A
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English (en)
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Fumihiko Hasegawa
文彦 長谷川
Yasuyoshi Kuroda
泰嘉 黒田
Masayuki Yamada
正幸 山田
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B33/00Honing machines or devices; Accessories therefor
    • B24B33/04Honing machines or devices; Accessories therefor designed for working external surfaces of revolution

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨時間の短縮が図れると共に、半導体集積
回路の高集積化に適したウェーハ面取り部の加工方法お
よび加工装置を提供する。 【解決手段】 円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り
部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハ
とを互いに回転させながら所定の押付カで押接させ、軟
研削位置がオリフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウ
ェーハの回転速度を変えつつ、前記ウェーハのオリフラ
部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削するようにした後
に、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれ
ぞれ研磨するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ
(以下、単に「ウェーハ」という。)の面取り部を軟研
削するための軟研削工程や軟研削装置を備えるウェーハ
面取り部の加工方法および加工装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェーハの加工方法として、ウェ
ーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、ウェー
ハの厚さバラツキをなくすためのラツピング工程、破砕
層および汚染した部分をなくすためのエッチング工程、
ウェーハの面取り部および主面の研磨工程を順次に行う
ものが知られている。また、1994年2月28日に日
刊工業新聞社から発行された「半導体材料基礎工学」に
記載の方法のように、前記方法において、ラッピング工
程と面取り工程とを逆にしたものも知られている。しか
し、後者の方法では、ラッピング時のウェーハの外周は
角のままとなっているため、ラッピング時にウェーハの
外周の欠けが生じ、Si屑によリウェーハの主面が傷付
いてしまう危険性があった。そのため、現在では、前者
の方法のように、面取り工程の後にラッピング工程を行
うのが主流になっている。なお、前者の方法の変形とし
て、前記面取り工程において、粒度の大きな砥石(例え
ば800番)で研削をしてウェーハの外周を丸めて面取
りした直後に、粒度の小さな砥石(例えば1500番)
でもってその面取り部を研削するものもあり、この方法
では、後のエッチング工程で面取り部の平滑度が多少劣
化はするものの、粒度の大きな砥石だけの場合に比べ
て、エッチング工程後の平滑度が高いため、後に行われ
る面取り部の研磨工程での作業が容易となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン単
結晶からなるウェーハの場合、ラツピング工程の直後に
行われるエッチング工程では、従来、フッ酸、硝酸およ
び酢酸の混合液にウェーハを浸す、いわゆる酸エッチン
グが行われていたが、この酸エッチングでは、ラッピン
グ後のウェーハの平坦度保持が困難であること、使用後
のエッチング液の廃液処理にコストがかかることから、
最近では、酸エッチングに代わり、水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムの液にウェーハを浸す、いわゆる
アルカリエッチングが主流になってきている。しかし、
アルカリエッチングは異方性エッチングであり、等方性
エッチングである酸エッチングとは異なるので、ウェー
ハの裏面や面取り部が荒れてその平滑度が劣化し、裏面
や面取り部の処理が必要となり、特に後者の面取り部処
理では、面の粗さを所定の粗さ以下にして目標の平滑度
とするための研磨時間が酸エッチングに比べて数倍大き
くなってしまうという問題があった。また、アルカリエ
ッチングの場合、ウェーハの裏面の平滑度を向上するた
め、面研磨工程において、ウェーハをキャリアにセット
し、上下に配された定盤に張られたバフによってウェー
ハの表裏面を同時に研磨することも行われているが、こ
のようにしてウェーハの表裏面を研磨すると、キャリア
の内壁によってウェーハの面取り部が削られ、面取り部
の断面形状の崩れが発生し、後のデバイス製造における
フォトリソグラフィ工程でのレジストの切れが悪くなっ
たりし、高集積化の阻害原因となっていた。
【0004】本発明の主たる目的は、かかる点に鑑みな
されたものであり、研磨時間の短縮が図れると共に、半
導体集積回路の高集積化に適したウェーハ面取り部の加
工方法および加工装置を提供することにある。また、他
の目的は、面取り部を均一に軟研削することができるウ
ェーハ面取り部の加工方法および加工装置を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の方法は、
円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り部がオリフラ
部、外周部及び角部で構成されたウェーハとを互いに回
転させながら所定の押付カで押接させ、軟研削位置がオ
リフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウェーハの回転
速度を変えつつ、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及
び角部をそれぞれ軟研削するようにした後に、前記ウェ
ーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨する
ようにしたことを特徴とする。
【0006】この方法によれば、ウェーハ面取り部の軟
研削によって、面取り部の平滑度のある程度の向上と、
面取り部断面形状のある程度の回復とを迅速に図ること
ができるので、その後に行われる研磨工程への負担が軽
減され、全体的な加工時間が短くて済むことになる。
【0007】また、軟研削位置がオリフラ部、外周部、
角部かに応じて前記ウェーハの回転速度を変えているの
で、面取り部全体に亘って均一な軟研削が可能となる。
この場合、オリフラ部、外周部、角部を軟研削するとき
のウェーハ回転速度をそれぞれNS1、NS2、NS3とした
場合、このNS1、NS2、NS3との間に、NS3>NS2>N
S1の関係が成立するようにウェーハ回転速度を制御する
ことが好ましい。この点について次に説明する。
【0008】ウェーハ面取り部の加工(研磨や軟研削
等)能力Cは、一般に、近似式として、 C=a1pVbT の関係式で表せる。ここで、 a1 :定数(以下a2、・・・an同じ) p :接触圧力 Vb :相対速度∞Nb(Nb:バフ回転速度) T :接触時間∞1/Ns(Ns=ウェーハ回転速度) ∴C=a2pNb/Ns また、ウェーハ円と砥石円の2円接触で近似すれば、 p=a3{F(1/R1+1/R2)}1/2(F:押付力)・・・(1) ∴C=a4b{F(1/R1+1/R2)}1/2/Ns ここでa4、Nb、Fが一定であるとすると、 C=a5(1/R1+1/R21/2/Ns という関係式が成立する。この場合、R1(砥石径)は
一定であり、R2(ウェーハ径)は変化するものとすれ
ば、一定の軟研削能力Cを得るには、R2が小であるな
ら、ウェーハ回転速度を遅く、また、R2が大であるな
ら、ウェーハ回転速度を速くしなければならないことに
なる。つまり、図1に示すように面取り部がオリフラ
部、外周部及び角部で構成されたウェーハWの面取り部
全体に亘って均一な軟研削を行うには、オリフラ部、外
周部及び角部で表1のようにウェーハ回転速度を変えれ
ば良いことが分かる。
【0009】
【表1】
【0010】また、請求項2記載の方法は、円筒状ある
いは円柱状の砥石と、面取り部がオリフラ部、外周部及
び角部で構成されたウェーハとを互いに回転させながら
所定の押付力で押接させ、軟研削位置がオリフラ部、外
周部、角部かに応じて該押付力を変えつつ、前記ウェー
ハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削する
ようにした後に、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及
び角部をそれぞれ研磨するようにしたことを特徴とす
る。
【0011】この方法によれば、ウェーハ面取り部の軟
研削によって、面取り部の平滑度のある程度の向上と、
面取り部断面形状のある程度の回復とを迅速に図ること
ができるので、その後の研磨工程への負担が軽減され、
全体的な加工時間が短くてすむことになる。
【0012】また、軟研削位置がオリフラ部、外周部、
角部かに応じて押付力を変えているので、面取り部全体
に亘って均一な軟研削が可能となる。この場合、前記ウ
ェーハのオリフラ部、外周部、角部を軟研削するときの
押付カをそれぞれF1、F2、F3とした場合、このF1
2、F3との間に、F1>F2>F3の関係が成立するよ
うに押付力を制御することが好ましい。この点について
次に説明する。
【0013】前記式(1)において、砥石径R1が一定
で、ウェーハ径R2は変化するものとすれば、同じ接触
圧力pひいては面取り部全体に亘って均一な軟研削を得
るには、1/R2が小であるなら、押付力を大きく、ま
た、1/R2が大であるなら、押付カを小さくしなけれ
ばならないことになる。つまり、図1に示すように面取
り部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェー
ハWの面取り部全体に亘って均一な軟研削を行うには、
オリフラ部、外周部及び角部の押付カをそれぞれF1
2、F3とした場合、このF1、F2、F3との問に、F1
>F2>F3の関係が成立するようにすれば良いことが分
かる。
【0014】また、請求項3記載の方法は、請求項1ま
たは請求項2記載の方法において、前記ウェーハのオリ
フラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨するにあたり、
円筒状あるいは円柱状のバフと、前記ウェーハとを互い
に回転させながら所定の押付カで押接させ、研磨位置が
オリフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウェーハの回
転速度を変えるようにしたことを特徴とする。
【0015】この方法によれば、研磨位置がオリフラ
部、外周部、角部かに応じて前記ウェーハの回転速度を
変えているので、面取り部全体に亘って均一な研磨が可
能となる。この場合、オリフラ部、外周部、角部を研磨
するときのウェーハ回転速度をそれぞれNs1、Ns2、N
s3とした場合、このNs1、Ns2、Ns3との間に、Ns3
s2>Ns1の関係が成立するようにウェーハ回転速度を
制御することが好ましい。その理由は、請求項1で、軟
研削時にウェーハ回転速度を変えた理由と同じである。
【0016】また、請求項4記載の方法は、請求項1ま
たは請求項2記載の方法において、前記ウェーハのオリ
フラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨するにあたり、
円筒状あるいは円柱状のバフと、前記ウェーハとを互い
に回転させながら所定の押付カで押接させ、研磨位置が
オリフラ部、外周部、角部かに応じて該押付カを変える
ようにしたことを特徴とする。
【0017】この方法によれば、研磨位置がオリフラ
部、外周部、角部かに応じて押付カを変えているので、
面取り部全体に亘って均一な研磨が可能となる。この場
合、前記ウェーハのオリフラ部、外周部、角部を研磨す
るときの前記押付カをそれぞれF1、F2、F3とした場
合、このF1、F2、F3との間に、F1>F2>F3の関係
が成立するように押付力を制御することが好ましい。そ
の理由は、請求項2で、軟研削時に押付カを変えた理由
と同じである。
【0018】また、請求項5記載の装置は、回転駆動さ
れる円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り部がオリフ
ラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハを支持して
これを回転駆動するウェーハ回転駆動手段と、このウェ
ーハ回転駆動手段に支持された前記ウェーハと前記砥石
とを所定の押付カで互いに押接させる抑圧手段とを備
え、前記砥石によって前記ウェーハのオリフラ部、外周
部及び角部をそれぞれ軟研削するように構成された軟研
削装置を有するウェーハ面取り部の加工装置において、
前記ウェーハの軟研削位置を検知するための軟研削位置
検知手段と、この軟研削位置検知手段による検知結果に
基づいて前記ウェーハ回転駆動手段による前記ウエーハ
の回転速度を変化させる回転速度制御手段とが設けられ
ていることを特徴とする。
【0019】この装置によれば、研磨時間の短縮が図れ
ると共に、半導体集積回路の高集積化に適したウェーハ
面取り部の加工ができる。
【0020】また、請求項6記載の装置は、回転駆動さ
れる円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り部がオリフ
ラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハを支持して
これを回転駆動するウェーハ回転駆動手段と、このウェ
ーハ回転駆動手段に支持された前記ウェーハと前記砥石
とを所定の押付カで互いに押接させる押圧手段とを備
え、前記砥石によって前記ウェーハのオリフラ部、外周
部及び角部をそれぞれ軟研削するように構成された軟研
削装置を有するウェーハ面取り部の加工装置において、
前記ウェーハの軟研削位置を検知するための軟研削位置
検知手段と、この軟研削位置検知手段による検知結果に
基づいて前記押圧手段による押付カを変化させる押付力
制御手段とが設けられていることを特徴とする。
【0021】この装置によっても、研磨時間の短縮が図
れると共に、半導体集積回路の高集積化に適したウェー
ハ面取り部の加工ができる。
【0022】また、請求項7記載の装置は、請求項5ま
たは請求項6記載の装置において、前記軟研削された前
記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研
磨する研磨装置を備え、この研磨装置は、回転駆動され
る円筒状あるいは円柱状のバフと、前記ウェーハを支持
してこれを回転駆動する他のウェーハ回転駆動手段と、
このウェーハ回転駆動手段に支持された前記ウェーハと
前記バフとを所定の押付カで互いに押接させる他の押圧
手段と、前記ウェーハの研磨位置を検知するための他の
研磨位置検知手段と、この研磨位置検知手段による検知
結果に基づいて前記他のウェーハ回転駆動手段による前
記ウェーハの回転速度を変化させる他の回転速度制御手
段とを有することを特徴とする。
【0023】この装置によれば、請求項5または請求項
6記載の装置による効果に加えて、面取り部全体に亘っ
て均一な研磨が可能となる。
【0024】また、請求項8記載の装置は、請求項5ま
たは請求項6記載の装置において、前記軟研削された前
記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研
磨する研磨装置を備え、この研磨装置は、回転駆動され
る円筒状あるいは円柱状のバフと、前記ウェーハを支持
してこれを回転駆動する他のウェーハ回転駆動手段と、
このウェーハ回転駆動手段に支持された前記ウェーハと
前記バフとを所定の押付カで互いに押接させる他の押圧
手段と、前記ウェーハの研磨位置を検知するための他の
研磨位置検知手段と、この研磨位置検知手段による検知
結果に基づいて前記他の押圧手段による押付カを変化さ
せる他の押付力制御手段とを有することを特徴とする。
【0025】この装置によれば、請求項5または請求項
6記載の装置による効果に加えて、面取り部全体に亘っ
て均一な研磨が可能となる。
【0026】
【発明の実施の形態】 A.実施形態のウェーハの加工方法は、図2に示すよう
に、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、両
面研磨工程、面取り部軟研削・研磨工程および表面研磨
工程とを順に行うものである。
【0027】(1)面取り工程 インゴットを内周刃あるいはワイヤソーでスライスして
得られたウェーハの外周を研削液を供給しつつ砥石によ
って丸く削り取る。ウェーハの外周が角のままだと工程
途中で欠けたりSi屑が発生し、集積回路の不良の原因
となるからである。この面取りに使用される砥石の粒度
は特に制限はされないが300〜800番程度である。
また、この場合の砥石の結合剤としては特に制限はされ
ないがメタル・ボンドが用いられる。
【0028】(2)ラッピング工程 面取り工程の終了したウェーハに圧力を加え、シリカ
(SiO2)、ジルコニア(ZrO2)やアルミナ(Al
23)等の砥粒と脂肪酸塩等を添加物として加えたスラ
リーを用い、ウェーハの片面あるいは両面をラップす
る。内周刃あるいはワイヤソーでのインゴットの切断に
よって、ウェーハの厚さと平行度が決まるが、必ずばら
つきがあるので、それを補正するためである。
【0029】(3)エッチング工程 水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの液にウェー
ハを浸すことによリウェーハの表面のエッチングを行
う。ラッピング工程等を経て得られたウェーハの表面に
は、破砕層(砕けて荒れた部分)や汚染した部分(砥粒
が食い込んだ部分)が存在するので、これらを除去する
ためである。
【0030】(4)両面研磨工程 ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定盤に
張られたバフによって研磨液を供給しつつウェーハの表
裏面を同時に研磨する。この両面研磨を行うのは、ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上させたり、裏面の平滑度を向
上させてSi屑の発生を防止したりするためである。
【0031】(5)面取り部軟研削・研磨工程 ウェーハの面取り部の全体を研削液を供給しつつ砥石に
所定荷重を加えて加工する軟研削(ホーニング)を施
す。ラッピング、エッチング工程および両面研磨工程に
よって面取り部の平滑度および断面形状が損なわれるの
で、面取り部の平滑度および断面形状をある程度向上さ
せるためである。この場合の砥石の結合剤としては、特
に制限はされないが、窯業原料系のビトリファイド等の
結合剤や、メタル結合剤、レジン結合剤、メタル−レジ
ン混合結合剤又はゴムを用いる。この場合は、表面平滑
度向上に加えて、ラッピングおよびエッチングで崩れた
面取り部断面形状の修正の能力が向上する。その後、ウ
ェーハの面取り部の全体を研磨液を供給しつつバフ等に
よって研磨する。軟研削による極く表層の残留歪除去
と、平滑化によリデバイス工程途中のSi屑やSi微粉
の発生を防止し、かつ、レジストの切れ具合を向上する
ためである。
【0032】(6)表面研磨工程 ウェーハの表面を研磨液を供給しつつバフによって研磨
する。
【0033】B.面取り部加工装置 図3には面取り部の軟研削と研磨とを行う加工装置の一
例が示されている。この加工装置1は面取り部軟研削装
置2と面取り部研磨装置3とを備え、オリエンテーショ
ンフラット(以下「オリフラ」乃至「OF」という)が
形成されたウェーハW(図1参照)の面取り部の軟研削
と研磨とを連続的に行えるようになっている。
【0034】このうち面取り部軟研削装置2は、ウェー
ハWを収納したカセット4を取り付けるためのカセット
取付け部(イ)と、カセット4から取り出されたウェー
ハWのセンタリングやオリフラ位置出しを行う位置決め
部(ロ)と、ウェーハWの面取り部を軟研削するための
面取り部軟研削部(ハ)とを有している。また、面取り
部研磨装置3は、ウェーハWの面取り部を研磨するため
の面取り部研磨部(ニ)と、ウェーハWの洗浄部(ホ)
と、ウェーハWを収納するためのカセット4を取り付け
るためのカセット取付け部(へ)とを有している。そし
て、この加工装置1においては、カセット取付け部
(イ)にローダ20が、位置決め部(ロ)には図示しな
い位置決め装置が、面取り部軟研削部(ハ)には面取り
部軟研削機21が、面取り部研磨部(ニ)には面取り部
研磨機31が、洗浄部(ホ)には図示しない洗浄装置
が、カセット取付け部(へ)にはアンローダ30がそれ
ぞれ設けられている。また、この加工装置1には搬送装
置40(図5参照)が設けられている。この搬送装置4
0は、ローダ20によって位置決め部(ロ)に送られて
位置決めされたウェーハWを、面取り部軟研削部
(ハ)、面取り部研磨部(ニ)、および洗浄部(ホ)に
搬送するためのものである。
【0035】(1)ローダ20 ローダ20は、図4に示すように、多数のウェーハWを
積層状態に保持可能なカセット4を昇降させる昇降装置
(図示せず)と、このカセット4からウェーハWを1枚
ずつ取り出すベルトコンペア20aとを備え、カセット
4の下側に保持されているウェーハWから順にベルトコ
ンベア20aによって1枚ずつウェーハWを取り出し、
位置決め部(ロ)に送れるようになっている。
【0036】(2)搬送装置40 搬送装置40は、図5に示すように、アーム40aを備
えており、このアーム40aは位置決め部(ロ)、面取
り部軟研削部(ハ)、面取り部研磨部(ニ)、および洗
浄部(ホ)の配列方向に往復移動可能となっている。ま
た、アーム40aの先端部下側には吸着盤40bが設け
られている。この吸着部40bは、図示しない空気管
(図示せず)を通じて、同じく図示しない吸引ポンプに
連結されている。また、このアーム40aは図示しない
昇降装置によって上下動可能となっている。
【0037】(3)面取り部軟研削機21 面取り部軟研削機21は、図3、図6及び図7に示すよ
うに、総形溝を有する円柱状の砥石21aを備えてい
る。この面取り部軟研削機21では、砥石21aはモー
タ21bによって回転駆動されるようになっており、砥
石21aの総形溝にウェーハWの面取り部が押し当てら
れ、ウェーハWをゆっくり回転させることによって、ウ
ェーハWの面取り部が軟研削される。この軟研削を行う
ため、この面取り部軟研削機21では、砥石21aに対
してウェーハWが接近離反できるようにされ、軟研削
中、砥石21aに対して所定の荷重でウェーハWの面取
り部が押し付けられている。すなわち、この軟研削機2
1は空気圧シリンダ21dを備えており、この空気圧シ
リンダ21dは、切換弁21eからの作動空気により作
動せしめられ、これのピストンロッド21fの一端が、
支軸21gを中心に回動するアーム21hの端面に当接
せしめられている。この結果、アーム21hは支軸21
gを中心として図7のY方向に回転せしめられ、砥石2
1aとウェーハWとの間にFなる押付力が発生する。
【0038】また、図6及び図7において符号21iは
吸着盤であってウェーハ回転軸21jに固着されてい
る。この吸着盤21iにはウェーハWが吸着支持され
る。さらに、ウェーハ回転軸21jの近傍にはウェーハ
回転速度検出器21kが設けられている。このウェーハ
回転速度検出器21kはウェーハ回転軸21jの回転速
度Ns(ステッピングモータ21cの回転速度)を検出
するためのものである。一方、砥石21aの砥石回転軸
21lの近傍には砥石回転速度検出器21mが設けられ
ている。この砥石回転速度検出器21mは砥石回転軸2
1lの回転速度を検出するためのものである。
【0039】さらに、符号23はウェーハ軟研削位置検
出器であり、このウェーハ軟研削位置検出器23はフォ
トセンサで構成されている。このフォトセンサはウェー
ハWのOF部、外周部、角部を検出するためのものであ
る。このフォトセンサにおいては、例えば該フォトセン
サを外周部W2が通過しているときには発光部23aか
らの光は外周部W2により遮られて受光部23bに到達
しないが、ウェーハ1のOF部W1が通過するときに
は、発光部23aからの光は受光部23bに到達するた
めウェーハ軟研削位置検出器23のフォトセンサは発光
部23bの受光によってOF部W1を検知する。また、
角部W3は上記遮光から受光に切り換わる部位として検
知する。
【0040】また、符号21oは押付力検出器であっ
て、この押付力検出器21oは空気圧シリンダ21d内
の作動空気圧即ち砥石21aとウェーハWとの間の押付
カを検出するためのものである。またさらに、符号22
は制御装置であって、この制御装置22には、前記押付
力検出器21oからの空気圧シリンダ21dの作動空気
圧(即ちウェーハWと砥石21aとの間の押付力F)、
砥石回転速度検出器21mからの砥石回転速度Nb、ウ
ェーハ回転速度検出器21kからのステッピングモータ
21cの回転速度(即ちウェーハ回転速度Ns)、ウェ
ーハ軟研削位置検出器23からの軟研削中のウェーハW
の位置がそれぞれ入力され、ステッピングモータ21c
の適切な回転速度を演算し、該ステッピングモータ21
cに出力する。
【0041】次に本発明に係るウェーハ回転速度制御手
段について説明する。図8は前記制御装置22の制御ブ
ロック図であり、該制御装置22は軟研削位置判別器2
2a、ウェーハ回転速度設定器22b、回転速度比較器
22c及びウェーハ回転速度演算器22dを備えてい
る。
【0042】ここで、ウェーハ回転速度設定器22b
は、押付力検出器21oにて検出されたウェーハWと砥
石21aとの間の押付カFと砥石回転速度検出器21m
にて検出された砥石回転速度Nbからウェーハ基準回転
速度(ウェーハ外周の回転速度)Noを設定するもので
ある。また、回転速度比較器22cは、前記ウェーハ基
準回転速度NoとウェーハWの検出回転速度Nwとの偏差
△Nを算出するものであり、ウェーハ軟研削位置判別器
22aは、前記ウェーハ軟研削位置検出器23から入力
される検出信号Xwにより軟研削位置を算出し、軟研削
位置がOF部、外周部、角部であるかを判別し、該軟研
削位置に基づく対応する判別信号(OF部と外周部、角
部)をウェーハ回転速度演算器22dに送出するもので
ある。さらに、ウェーハ回転速度演算器22dは、予め
定められた補正値が格納されたメモリ22eが内蔵され
ており、前記判別信号(OF部Sw1、外周部Sw2、角部
w3)に基づいてメモリより補正値Swを取り出し、例
えば下記式に基づいて、その補正回転速度Nsを演算
し、ステッピングモータ21cに出力するものである。 Ns=No(1+Sw)・・・(2) Sw:Sw1=−0.3、 Sw2=0、 Sw3=+0.7
【0043】次に、前記のように構成されたウェーハ面
取り部の軟研削装置2の動作につき説明する。押付力検
出器21oにおいては、空気圧シリンダ21d内の作動
空気圧p3を検出して、アーム21hのアーム比、空気
圧シリンダ21dの断面積等からウェーハWと砥石21
aとの間の押付力Fに換算し、ウェーハ回転速度設定器
22bに入力する。
【0044】前記(2)式における基準となるウェーハ
基準回転速度Noは、 No=a6b1/2/C・・・(3) したがって、ウェーハ回転速度設定器22bにおいて
は、これに入力される押付カF及び砥石回転速度Nb
対応するウェーハ基準回転速度Noを算出して回転速度
比較器22cに入力する。
【0045】回転速度比較器22cにおいては、前記所
要のウェーハ基準回転速度Noとウェーハ回転速度検出
器21kから入力されるウェーハ回転速度Nwとの偏差
△N:(No−Nw)を算出しウェーハ回転速度演算器2
2dに入力する。また、ウェーハ位置データXwは、ウ
ェーハ軟研削位置判別器22aを介してウェーハ回転速
度演算器22dに入力する。
【0046】ウェーハ回転速度演算器22dにおいて
は、OF部Sw1、外周部Sw2、角部Sw3の判別信号に基
づいてメモリ22eより補正値を取リ出し、該補正値に
基づいてウェーハ回転速度Nsが前記の式(2)のNs=
o(1+Sw)に基づいて演算される。この場合、Sw
を例えばSw1=−0.3、Sw2=0、Sw3=+0.7と設
定することにより、このウェーハ位置の検出信号(軟研
削位置)がOF部W1のときにはウェーハ回転速度Ns1
が0.7Noとなり、外周部W2のときにはウェーハ回転
速度Ns2がNo、角部W3のときにはウェーハ回転速度N
s3が1.7Noと最も大きくなるように補正される。こ
のように補正することにより、図9(A)に対応するウ
ェーハ回転速度信号が出力され、ステッピングモータ2
1cはこの回転速度Nsにより運転せしめられる。
【0047】図10には軟研削装置1の他の実施形態が
示されている。同図において符号24aはアームであっ
て、このアーム24aはその中間部を支軸24bで回転
自在に枢着されている。このアーム24aの一端には円
柱状の砥石24cが回転軸24dによって軸支されてい
る。なお、砥石24cの外周には総形溝が全周に亘って
形成されている。
【0048】また、図11及び図12に示すように、前
記回転軸24dのアーム24aの上方に突出する上端部
にはプーリ24eが結着されている。他方、前記アーム
24aの他端上には、モータ24fが固設されており、
該モータ24fの出力軸に結着されたプーリ24gと前
記プーリ24eの間にはベルト24hが巻装されてい
る。
【0049】さらに、アーム24aの他端の側方には押
圧手段である空気圧シリンダ24iが設置されており、
該空気圧シリンダ24iのシリンダ24j内はピストン
24kにて室S1とS2とに区画されており、ピストン2
4kに連結されたロツド24lの先部は図示のようにア
ーム24aの側部に当接している。
【0050】また、砥石24cの近傍には吸着盤24m
が水平回転自在に設置されており、該吸着盤24mの上
面にはウェーハWが真空吸着されてセットされている。
なお、吸着盤24mは図示しない駆動手段によって回転
駆動される。
【0051】さらに、吸着盤24mの近傍には、ウェー
ハWのOF部W2を検知するためのウェーハ軟研削位置
検出器25が設けられている。このウェーハ軟研削位置
検出器25はフォトセンサで構成され、このフォトセン
サは、図11に示すように、ウェーハWの上下に配され
る一対の発光部25aと受光部25bとで構成されてお
り、発光部25aからの光が受光部25bで受けられる
と、この光はその強度に比例する値の電圧に変換され
る。すなわち、フォトセンサでは、ウェーハWの外周部
2が通過しているときには、発光部25aからの光は
ウェーハWの外周部W2によって遮られて受光部25b
に到達しないが、ウェーハWのOF部W1が通過すると
きには、発光部25aからの光は発光部25bに到達す
るため、フォトセンサは発光部25bの受光によってウ
ェーハWのOF部W1を検知することができる。そし
て、このフォトセンサからの検知信号はコントローラ
(CPU)26に入力され、コントローラ26では、フ
ォトセンサから入力される電圧値のピーク点からウェー
ハWのOF部W1の中心位置が求められる。そして、こ
のOF部W1の中心位置が求められると、OF部W1のデ
ィメンジョンは既知であるため、OF部W1の他、外周
部W2と角部W3の位置を求めることができる。
【0052】また、この軟研削装置2には、フォトセン
サの検知結果に基づいて、空気圧シリンダ24iへの供
給圧力をP1、P2、P3(P2>P1>P3)の3段階に切
り換えるための制御手段が設けられている。この制御手
段は図10に示す空気圧制御回路27及びコントローラ
26を含んで構成される。
【0053】このうち空気圧制御回路27の構成を図1
0に基づいて説明する。図示の空気圧制御回路27にお
いて、Loは図示しないエアコンプレッサ等の高圧供給
源に接続された元圧ラインであって、該元圧ラインLo
には圧力制御弁V1、V2、V3と電磁弁MV1、MV2、M
3がそれぞれ並列に接続されている。なお、圧力制御
弁V1、V2、V3は元圧ラインLoから供給される元圧P
oをそれぞれP1、P2、P3(P1>P2>P3)に減圧す
る弁である。又、電磁弁MV1、MV2、MV3は前記コ
ントローラ26によってその位置が図示のa、b、c位
置にそれぞれ切り換えられる弁であって、これらがa位
置に切り換えられると、圧力P1、P2、P3に減圧され
た圧縮空気が減圧ラインL1、L2、L3を経て空気圧シ
リンダ24iの室S2内に供給され、b位置(中立位
置)に切り換えられると、空気圧シリンダ24iの室S
2内の空気が大気中に排出される。一方、空気圧シリン
ダ24iの室S1には圧力ラインL4が接続されてお
り、該圧力ラインL4の途中には電磁弁MV4が接続され
ている。なお、この電磁弁MV4もコントローラ26に
よってその位置が図示のa、b位置に切り換え制御さ
れ、これがa位置に切り換えられると、元圧ラインLo
からの圧力Poが空気圧シリンダ24iの室S1に供給
され、b位置に切り換えられると、室S1内の空気が大
気中に排出される。
【0054】この軟研削装置1によれば、ウェーハWの
OF部W1、外周部W2、角部W3の軟研削においてアー
ム1を押圧する力F1、F2、F3の大きさが、図13に
示すように、オリフラ部W1、外周部W2、角部W3の曲
率半径R1(=∞)、R2、R3に応じて、F1>F2
3に設定され、接触圧力σ1、σ2、σ3の値を略等しく
(σ1≒σ2≒σ3)することができ、この結果、特に角
部W3での過大な接触圧力の発生が防がれ、ウェーハW
のバフ3への食い込みが効果的に防がれる。ちなみに、
半径150mmの砥石24cを用いて直径8″のウェー
ハWの面取り部を軟研削する場合、ウェーハWのオリフ
ラ部W1、外周部W2、角部W3の曲率半径R1、R2、R3
をそれぞれR1=∞、R2=100mm、R3=5mmと
するとき、オリフラ部W1、外周部W2、角部W3の軟研
削においてアーム24aを押圧する力F1、F2、F3
大きさの比を、F1:F2:F3=30:13:1に設定
することによって、前述のように接触圧力σ1、σ2、σ
3の値を略等しく(σ1≒σ2≒σ3)することができる。
【0055】(4)面取り部研磨機31 面取り部研磨機31としては、前記軟研削機21におけ
る砥石21aまたは24aをバフに置き換えたものが使
用される。その作用・効果は軟研削機21におけると同
様である。 (5)アンローダ30 アンローダ30は、図14に示すように、多数のウェー
ハWを積層状態に保持可能なカセット4を昇降させる昇
降装置(図示せず)と、このカセット4にウェーハWを
1枚ずつ収納するベルトコンペア31aとを備え、カセ
ット4の上側から順にウェーハWをベルトコンペア31
aによって1枚ずつ収納することができるようになって
いる。
【0056】以上に説明したウェーハの加工方法および
加工装置によれば、面取り部の研磨前に面取り部を軟研
削するようにしているため、面取り部の研磨工程におい
て所望の粗さ以下の平滑度にするまでの時間が著しく短
縮化されることになり、かつ、前工程で崩れた断面形状
を修正できることになる。ちなみに、P−V値で50n
m程度の粗さにするのに、軟研削を行わないものに比べ
て、20%程度の時間で済むことになった。また、OF
部W1、外周部W2、及び角部W3を含むウェーハWの全
周に亘って均一な研磨が可能となり、最適な研磨精度を
ウェーハWの全周に亘って確保することができ、これに
よって生産性向上を図ることができた。
【0057】なお、以上の実施形態に係るウェーハ面取
り部加工装置では、砥石あるいはバフをウェーハWに押
圧する構成としたが、逆にウェーハWを砥石あるいはバ
フに押圧する構成を採用しても良いことは勿論である。
【0058】
【発明の効果】本発明によれば、面取り部の研磨工程に
おいて所望の粗さ以下の平滑度にするまでの時間が著し
く短縮化されることになり、かつ、前工程で崩れた断面
形状を修正できることになる。また、OF部、外周部、
及び角部を含むウェーハWの全周に亘って均一な研磨が
可能となり、最適な研磨精度をウェーハWの全周に亘っ
て確保することができ、これによって生産性向上を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウェーハの平面図である。
【図2】本発明に係る加工方法の工程図である。
【図3】加工装置の平面図である。
【図4】ローダの側面図である。
【図5】搬送装置の斜視図である。
【図6】面取り部軟研削装置の全体構成図である。
【図7】図6のZ線矢視図である。
【図8】ステッピングモータの制御ブロック図である。
【図9】ウェーハの軟研削状態の経時変化を示す図であ
る。
【図10】他の面取り部軟研削装置の全体構成図であ
る。
【図11】図10の面取り部軟研削装置の一部を示す図
である。
【図12】図10の面取り部軟研削装置の一部を示す図
である。
【図13】図10の軟研削装置の制御方法を示す図であ
る。
【図14】アンローダの側面図である。
【符号の説明】
1 加工装置 2 面取り部軟研削装置 3 面取り部研磨装置 21 面取り部軟研削機 31 面取り部研磨機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 正幸 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り
    部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハ
    とを互いに回転させながら所定の押付カで押接させ、軟
    研削位置がオリフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウ
    ェーハの回転速度を変えつつ、前記ウェーハのオリフラ
    部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削するようにした後
    に、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれ
    ぞれ研磨するようにしたことを特徴とするウェーハ面取
    り部の加工方法。
  2. 【請求項2】 円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り
    部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハ
    とを互いに回転させながら所定の押付力で押接させ、軟
    研削位置がオリフラ部、外周部、角部かに応じて該押付
    カを変えつつ、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び
    角部をそれぞれ軟研削するようにした後に、前記ウェー
    ハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨するよ
    うにしたことを特徴とするウェーハ面取り部の加工方
    法。
  3. 【請求項3】 前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び
    角部をそれぞれ研磨するにあたり、円筒状あるいは円柱
    状のバフと、前記ウェーハとを互いに回転させながら所
    定の押付カで押接させ、研磨位置がオリフラ部、外周
    部、角部かに応じて前記ウェーハの回転速度を変えるよ
    うにしたことを特徴とする請求項1または請求項2記載
    のウェーハ面取り部の加工方法。
  4. 【請求項4】 前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び
    角部をそれぞれ研磨するにあたり、円筒状あるいは円柱
    状のバフと、前記ウェーハとを互いに回転させながら所
    定の押付力で押接させ、研磨位置がオリフラ部、外周
    部、角部かに応じて該押付カを変えるようにしたことを
    特徴とする請求項1または請求項2記載のウェーハ面取
    り部の加工方法。
  5. 【請求項5】 回転駆動される円筒状あるいは円柱状の
    砥石と、面取り部がオリフラ部、外周部及び角部で構成
    されたウェーハを支持してこれを回転駆動するウェーハ
    回転駆動手段と、このウェーハ回転駆動手段に支持され
    た前記ウェーハと前記砥石とを所定の押付カで互いに押
    接させる押圧手段とを備え、前記砥石によって前記ウェ
    ーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削す
    るように構成された軟研削装置を有するウェーハ面取り
    部の加工装置において、前記ウェーハの軟研削位置を検
    知するための軟研削位置検知手段と、この軟研削位置検
    知手段による検知結果に基づいて前記ウェーハ回転駆動
    手段による前記ウェーハの回転速度を変化させる回転速
    度制御手段とが設けられていることを特徴とするウェー
    ハ面取り部の加工装置。
  6. 【請求項6】 回転駆動される円筒状あるいは円柱状の
    砥石と、面取り部がオリフラ部、外周部及び角部で構成
    されたウェーハを支持してこれを回転駆動するウェーハ
    回転駆動手段と、このウェーハ回転駆動手段に支持され
    た前記ウェーハと前記砥石とを所定の押付力で互いに押
    接させる押圧手段とを備え、前記砥石によって前記ウェ
    ーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削す
    るように構成された軟研削装置を有するウェーハ面取り
    部の加工装置において、前記ウェーハの軟研削位置を検
    知するための軟研削位置検知手段と、この軟研削位置検
    知手段による検知結果に基づいて前記押圧手段による押
    付カを変化させる押付力制御手段とが設けられているこ
    とを特徴とするウェーハ面取り部の加工装置。
  7. 【請求項7】 前記軟研削された前記ウェーハのオリフ
    ラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨する研磨装置を備
    え、この研磨装置は、回転駆動される円筒状あるいは円
    柱状のバフと、前記ウェーハを支持してこれを回転駆動
    する他のウェーハ回転駆動手段と、このウェーハ回転駆
    動手段に支持された前記ウェーハと前記バフとを所定の
    押付力で互いに押接させる他の押圧手段と、前記ウェー
    ハの研磨位置を検知するための他の研磨位置検知手段
    と、この研磨位置検知手段による検知結果に基づいて前
    記他のウェーハ回転駆動手段による前記ウェーハの回転
    速度を変化させる他の回転速度制御手段とを有すること
    を特徴とする請求項5または請求項6記載のウェーハ面
    取り部の加工装置。
  8. 【請求項8】 前記軟研削された前記ウェーハのオリフ
    ラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨する研磨装置を備
    え、この研磨装置は、回転駆動される円筒状あるいは円
    柱状のバフと、前記ウェーハを支持してこれを回転駆動
    する他のウェーハ回転駆動手段と、このウェーハ回転駆
    動手段に支持された前記ウェーハと前記バフとを所定の
    押付カで互いに押接させる他の押圧手段と、前記ウェー
    ハの研磨位置を検知するための他の研磨位置検知手段
    と、この研磨位置検知手段による検知結果に基づいて前
    記他の押圧手段による押付カを変化させる他の押付力制
    御手段とを有することを特徴とする請求項5または請求
    項6記載のウェーハ面取り部の加工装置。
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