JPH06295891A - 半導体ウエーハの外周面加工装置 - Google Patents
半導体ウエーハの外周面加工装置Info
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- JPH06295891A JPH06295891A JP31191192A JP31191192A JPH06295891A JP H06295891 A JPH06295891 A JP H06295891A JP 31191192 A JP31191192 A JP 31191192A JP 31191192 A JP31191192 A JP 31191192A JP H06295891 A JPH06295891 A JP H06295891A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な外周面加工を可能とし、次工程での加
工を確実とするためにウエーハの厚み測定や分類を正確
にできるようにする。 【構成】 半導体ウエーハの外周面を研削・研磨する加
工部と、外周面の加工前に半導体ウエーハの厚みを複数
点測定する厚み測定部と、加工後の半導体ウエーハを厚
み又は精度毎に分類する分類部とを備え、上記厚み測定
部により測定された複数の測定値を平均化処理する演算
処理部と、この演算処理部からの平均化処理値に基づい
て上記加工部を駆動制御する加工制御部と、上記演算処
理部からの平均化処理値又は最小値に基づいて上記分類
部を駆動制御する分類制御部と、を備えた半導体ウエー
ハの外周面加工装置。
工を確実とするためにウエーハの厚み測定や分類を正確
にできるようにする。 【構成】 半導体ウエーハの外周面を研削・研磨する加
工部と、外周面の加工前に半導体ウエーハの厚みを複数
点測定する厚み測定部と、加工後の半導体ウエーハを厚
み又は精度毎に分類する分類部とを備え、上記厚み測定
部により測定された複数の測定値を平均化処理する演算
処理部と、この演算処理部からの平均化処理値に基づい
て上記加工部を駆動制御する加工制御部と、上記演算処
理部からの平均化処理値又は最小値に基づいて上記分類
部を駆動制御する分類制御部と、を備えた半導体ウエー
ハの外周面加工装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハの厚み
を測定し、この測定値に基づいてウエーハ外周の面取り
加工を行なったり、また上記測定値に基づき加工後の半
導体ウエーハを分類する半導体ウエーハの外周面加工装
置に関する。
を測定し、この測定値に基づいてウエーハ外周の面取り
加工を行なったり、また上記測定値に基づき加工後の半
導体ウエーハを分類する半導体ウエーハの外周面加工装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエーハの外周面を加工す
る外周面加工装置としては、例えば、半導体ウエーハの
外周を面取りするベベリング機や、面取りした半導体ウ
エーハの外周面を鏡面研磨する鏡面ポリッシュ機などが
ある。 この種の外周面加工装置においては、加工前の
半導体ウエーハの中心厚みを１点測定により測定し、外
周の上面側面幅（外周上面面取り加工量）と、外周の下
面側面幅（外周下面面取り加工量）とを均一にするため
に、上記測定値に基づいて、砥石軸と半導体ウエーハと
の上下関係の相対位置補正、すなわちバーチカル方向移
動量補正を行なって外周面の加工が行なわれる。
る外周面加工装置としては、例えば、半導体ウエーハの
外周を面取りするベベリング機や、面取りした半導体ウ
エーハの外周面を鏡面研磨する鏡面ポリッシュ機などが
ある。 この種の外周面加工装置においては、加工前の
半導体ウエーハの中心厚みを１点測定により測定し、外
周の上面側面幅（外周上面面取り加工量）と、外周の下
面側面幅（外周下面面取り加工量）とを均一にするため
に、上記測定値に基づいて、砥石軸と半導体ウエーハと
の上下関係の相対位置補正、すなわちバーチカル方向移
動量補正を行なって外周面の加工が行なわれる。
【０００３】更に、外周面の加工が終了後には、次行程
のウエーハ面の研削・研磨する加工行程のために、アン
ローダ部において上記厚みの測定値に基づいて半導体ウ
エーハの厚み毎や精度毎に分類し、次行程において各ウ
エーハの厚みに応じて加工を行なうようにしている。
のウエーハ面の研削・研磨する加工行程のために、アン
ローダ部において上記厚みの測定値に基づいて半導体ウ
エーハの厚み毎や精度毎に分類し、次行程において各ウ
エーハの厚みに応じて加工を行なうようにしている。
【０００４】また、一般に、半導体ウエーハの厚みを測
定するには、公知の接触式（センサマグネスケール等）
や、非接触式センサ（静電容量式センサ等）が用いられ
ている。
定するには、公知の接触式（センサマグネスケール等）
や、非接触式センサ（静電容量式センサ等）が用いられ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般に、半
導体ウエーハの厚みは、均一ではなく、殆んどが数μｍ
〜数十μｍのバラツキを有しており、面内形状でも、テ
ーパ、凹、凸等の形状を有しているため、上述した従来
のような半導体ウエーハの中心１点の厚み測定値を用い
た加工においては、外周の上下面幅を補正しても、ウエ
ーハ面内形状のバラツキにより、均一には加工できない
という不具合があった。
導体ウエーハの厚みは、均一ではなく、殆んどが数μｍ
〜数十μｍのバラツキを有しており、面内形状でも、テ
ーパ、凹、凸等の形状を有しているため、上述した従来
のような半導体ウエーハの中心１点の厚み測定値を用い
た加工においては、外周の上下面幅を補正しても、ウエ
ーハ面内形状のバラツキにより、均一には加工できない
という不具合があった。
【０００６】また、加工終了後、上記中心１点厚みの測
定値に基づいて半導体ウエーハの分類が行なわれるの
で、次行程の研削・研磨加工において、加工歪を確実に
除去することができず、加工ムラを生ずることがあっ
た。その結果、次行程での研削・研磨行程の目的であ
る、加工歪層を除去し、より平坦で平滑な面に仕上げる
目的が達成できない不具合があった。
定値に基づいて半導体ウエーハの分類が行なわれるの
で、次行程の研削・研磨加工において、加工歪を確実に
除去することができず、加工ムラを生ずることがあっ
た。その結果、次行程での研削・研磨行程の目的であ
る、加工歪層を除去し、より平坦で平滑な面に仕上げる
目的が達成できない不具合があった。
【０００７】そこで、本発明は、均一に外周面加工がで
きると共に、次工程の研削・研磨行程でも確実に加工歪
層が除去でき平坦且つ平滑な仕上げが可能となるウエー
ハの厚み測定や分類ができる半導体ウエーハの外周面加
工装置を提供することを目的としている。
きると共に、次工程の研削・研磨行程でも確実に加工歪
層が除去でき平坦且つ平滑な仕上げが可能となるウエー
ハの厚み測定や分類ができる半導体ウエーハの外周面加
工装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエーハ
の外周面加工装置は、半導体ウエーハの外周面を研削・
研磨する加工部と、外周面の加工前に半導体ウエーハの
厚みを複数点測定する厚み測定部と、加工後の半導体ウ
エーハを厚み又は精度毎に分類する分類部とを備え、上
記厚み測定部により測定された複数の測定値を平均化処
理する演算処理部と、この演算処理部からの平均化処理
値又は最小値に基づいて上記加工部を駆動制御する加工
制御部と、上記演算処理部からの平均化処理値に基づい
て上記分類部を駆動制御する分類制御部と、を備えた構
成とされている。
の外周面加工装置は、半導体ウエーハの外周面を研削・
研磨する加工部と、外周面の加工前に半導体ウエーハの
厚みを複数点測定する厚み測定部と、加工後の半導体ウ
エーハを厚み又は精度毎に分類する分類部とを備え、上
記厚み測定部により測定された複数の測定値を平均化処
理する演算処理部と、この演算処理部からの平均化処理
値又は最小値に基づいて上記加工部を駆動制御する加工
制御部と、上記演算処理部からの平均化処理値に基づい
て上記分類部を駆動制御する分類制御部と、を備えた構
成とされている。
【０００９】
【作用】したがって、半導体ウエーハの面内厚みを複数
点測定し、平均化処理した値に基づいて加工部の砥石軸
とウエーハの上下方向の相対位置補正を行なって加工が
行なわれるので、従来の１点測定の場合に比べ、ウエー
ハの外周上面面取り加工量と外周下面面取り加工量との
より均一な加工が可能となる。
点測定し、平均化処理した値に基づいて加工部の砥石軸
とウエーハの上下方向の相対位置補正を行なって加工が
行なわれるので、従来の１点測定の場合に比べ、ウエー
ハの外周上面面取り加工量と外周下面面取り加工量との
より均一な加工が可能となる。
【００１０】また、複数点測定し平均化処理した値又は
最小値に基づいたウエーハの分類が行われるので、正確
な分類ができ、さらに、次行程で上記複数の測定値を利
用でき、次行程のウエーハ面を研削・研磨する加工にお
いて、最小厚みをウエーハ厚みとして加工することが可
能となる、その結果、加工歪層を確実に除去でき、加工
ムラのない均一な加工が加工となる。
最小値に基づいたウエーハの分類が行われるので、正確
な分類ができ、さらに、次行程で上記複数の測定値を利
用でき、次行程のウエーハ面を研削・研磨する加工にお
いて、最小厚みをウエーハ厚みとして加工することが可
能となる、その結果、加工歪層を確実に除去でき、加工
ムラのない均一な加工が加工となる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面に基づき説
明する。尚、本実施例では半導体ウエーハの外周面加工
を行なうベベリング機に適用した場合を例に採って説明
する。
明する。尚、本実施例では半導体ウエーハの外周面加工
を行なうベベリング機に適用した場合を例に採って説明
する。
【００１２】図１、図２は、本実施例の半導体ウエーハ
の外周面加工装置１の全体の平面図、正面図を示しい
る。両図中、２は本体ベースであり、この本体ベース２
の図中左側には、詳細を示す図３、図４のように、ウエ
ーハカセット４内に複数枚セットされた半導体ウエーハ
４を一枚づつ搬出するカセットローダ５およびカセット
コンベア６が配設されている。また、本体ベース２の上
部には、厚み測定用コンベア７、厚み測定部８、ウエー
ハ案内ガイド９、ウエーハ位置決めガイド１０が配設さ
れている。さらに、本体ベース２の上部には、加工ステ
ージ１１、ウエーハ４の搬送装置１２、外周面加工部１
３、ウエーハ中継ステージ３４、アンローダ搬送装置
（分類部）１４が配設され、本体ベース２の右端側には
アンローダ分類タンク１５が配設され、本体ベース２内
には、各駆動部を制御する図６の制御部３０が設けられ
ている。
の外周面加工装置１の全体の平面図、正面図を示しい
る。両図中、２は本体ベースであり、この本体ベース２
の図中左側には、詳細を示す図３、図４のように、ウエ
ーハカセット４内に複数枚セットされた半導体ウエーハ
４を一枚づつ搬出するカセットローダ５およびカセット
コンベア６が配設されている。また、本体ベース２の上
部には、厚み測定用コンベア７、厚み測定部８、ウエー
ハ案内ガイド９、ウエーハ位置決めガイド１０が配設さ
れている。さらに、本体ベース２の上部には、加工ステ
ージ１１、ウエーハ４の搬送装置１２、外周面加工部１
３、ウエーハ中継ステージ３４、アンローダ搬送装置
（分類部）１４が配設され、本体ベース２の右端側には
アンローダ分類タンク１５が配設され、本体ベース２内
には、各駆動部を制御する図６の制御部３０が設けられ
ている。
【００１３】上記厚み測定用コンベア７は、図３、図４
に示すように、ステッピングモータ１６からベルト１７
を介して正逆回転の動力が伝達される。また、厚み測定
用コンベア７、ウエーハ位置決めガイド１０をともに上
下動できるよう本体ベース２には、シリンダ１８が取付
けられ、厚み測定用コンベア７により搬送されるウエー
ハ４と後述する測定受子２２との接触による相互の損傷
を防止できる構成となっている。つまり、厚み測定用コ
ンベア７によるウエーハ搬送中にはコンベア７が上昇端
に位置し、厚み測定時には下降端に位置するようになっ
ている。この場合のコンベア７の上下動範囲は、搬送時
にウエーハ４が測定受子２２と接触せず、厚み測定時に
測定受子２２に接触できる範囲であればよいため、例え
ば、１〜２ｍｍ程度のストロークに設定されている。
に示すように、ステッピングモータ１６からベルト１７
を介して正逆回転の動力が伝達される。また、厚み測定
用コンベア７、ウエーハ位置決めガイド１０をともに上
下動できるよう本体ベース２には、シリンダ１８が取付
けられ、厚み測定用コンベア７により搬送されるウエー
ハ４と後述する測定受子２２との接触による相互の損傷
を防止できる構成となっている。つまり、厚み測定用コ
ンベア７によるウエーハ搬送中にはコンベア７が上昇端
に位置し、厚み測定時には下降端に位置するようになっ
ている。この場合のコンベア７の上下動範囲は、搬送時
にウエーハ４が測定受子２２と接触せず、厚み測定時に
測定受子２２に接触できる範囲であればよいため、例え
ば、１〜２ｍｍ程度のストロークに設定されている。
【００１４】上記厚み測定部８は、厚み測定用コンベア
７の上方に配設され、ウエーハ４の厚みｔを測定する測
定子２０と、測定子２０を上下動させる上下移動機構２
１と、測定時のウエーハ４を下側で支持する測定受子２
２とから構成されている。そして、 カセットコンベア
６から測定用コンベア７で搬送されたウエーハ４は案内
ガイド９に案内されて位置決めガイド１０まで搬送さ
れ、ウエーハ４の位置決めが行なわれる。また、厚み測
定前には、上下移動機構２１により測定子２０を備えた
厚み測定部８を下降させ、測定子２０と測定受子２２を
接触させてゼロクリヤが行なわれる。
７の上方に配設され、ウエーハ４の厚みｔを測定する測
定子２０と、測定子２０を上下動させる上下移動機構２
１と、測定時のウエーハ４を下側で支持する測定受子２
２とから構成されている。そして、 カセットコンベア
６から測定用コンベア７で搬送されたウエーハ４は案内
ガイド９に案内されて位置決めガイド１０まで搬送さ
れ、ウエーハ４の位置決めが行なわれる。また、厚み測
定前には、上下移動機構２１により測定子２０を備えた
厚み測定部８を下降させ、測定子２０と測定受子２２を
接触させてゼロクリヤが行なわれる。
【００１５】そして、上記厚み測定部８においてウエー
ハ４の厚みを測定する場合には、位置決めガイド１０ま
で搬送されたウエーハ４を測定コンベア７の上昇位置
で、ウエーハ４の図中左端部を測定できる位置まで後退
搬送し、その後測定コンベア７を下降させて測定受子２
２上にウエーハ４を置き、測定子２０を下降させてウエ
ーハ４の左端部の厚みが測定される。次に、測定子２０
を上昇させて測定コンベア７を上昇させ、中央部が測定
できる位置までウエーハ４を後退搬送し、同様に、測定
コンベア７を下降させて測定受子２２上にウエーハ４を
置き、測定子２０を下降させてウエーハ４の中央部の厚
みが測定される。以下同様な動作を繰返してウエーハ４
の右端部の厚みが測定され、本実施例だは合わせて３点
の厚みの測定が行なわれる。この厚み測定は、後述する
制御部３０によって厚み測定部８を制御することにより
行なわれる。
ハ４の厚みを測定する場合には、位置決めガイド１０ま
で搬送されたウエーハ４を測定コンベア７の上昇位置
で、ウエーハ４の図中左端部を測定できる位置まで後退
搬送し、その後測定コンベア７を下降させて測定受子２
２上にウエーハ４を置き、測定子２０を下降させてウエ
ーハ４の左端部の厚みが測定される。次に、測定子２０
を上昇させて測定コンベア７を上昇させ、中央部が測定
できる位置までウエーハ４を後退搬送し、同様に、測定
コンベア７を下降させて測定受子２２上にウエーハ４を
置き、測定子２０を下降させてウエーハ４の中央部の厚
みが測定される。以下同様な動作を繰返してウエーハ４
の右端部の厚みが測定され、本実施例だは合わせて３点
の厚みの測定が行なわれる。この厚み測定は、後述する
制御部３０によって厚み測定部８を制御することにより
行なわれる。
【００１６】上記搬送装置１２は、図１、図２に示すよ
うに、本体ステージ２上の、厚み測定部８と加工ステー
ジ１１間、加工ステージ１１とウエーハ中継ステージ３
４間で移動して、ウエーハ４を搬送できるように設置さ
れ、先端部にウエーハ４を吸着して支持する支持部２４
を備えている。そして、厚み測定後のウエーハ４を加工
ステージ１１に設置し、外周面加工後加工ステージ１１
上のウエーハ４をウエーハ中継ステージ３４まで移送
し、ウエーハ中継ステージ３４へウエーハ４を受渡す。
うに、本体ステージ２上の、厚み測定部８と加工ステー
ジ１１間、加工ステージ１１とウエーハ中継ステージ３
４間で移動して、ウエーハ４を搬送できるように設置さ
れ、先端部にウエーハ４を吸着して支持する支持部２４
を備えている。そして、厚み測定後のウエーハ４を加工
ステージ１１に設置し、外周面加工後加工ステージ１１
上のウエーハ４をウエーハ中継ステージ３４まで移送
し、ウエーハ中継ステージ３４へウエーハ４を受渡す。
【００１７】アンローダ搬送装置１４は、本体ステージ
２の幅方向に移動可能な移動部２５と、先端にウエーハ
４を吸着する支持部２６とを有し、ウエーハ中継ステー
ジ３４上に移送されたウエーハ４を、後述する分類制御
部３３による制御により、外周面加工前に測定された厚
み測定値に基づいて、予め分類範囲が厚み毎に決められ
た分類タンク１５に区分けして挿入される。
２の幅方向に移動可能な移動部２５と、先端にウエーハ
４を吸着する支持部２６とを有し、ウエーハ中継ステー
ジ３４上に移送されたウエーハ４を、後述する分類制御
部３３による制御により、外周面加工前に測定された厚
み測定値に基づいて、予め分類範囲が厚み毎に決められ
た分類タンク１５に区分けして挿入される。
【００１８】上記加工ステージ１１は、図５に示すよう
に、図示しない駆動装置により回動可能、且つ、切り込
み量を設定できるように左右方向に移動可能に構成され
ている。また、載置表面には多数の吸引口２７を有し、
内部に設けられた吸引通路２８を通じて吸引装置に接続
され、ウエーハ４を真空引きで吸着保持できる構造とな
っている。
に、図示しない駆動装置により回動可能、且つ、切り込
み量を設定できるように左右方向に移動可能に構成され
ている。また、載置表面には多数の吸引口２７を有し、
内部に設けられた吸引通路２８を通じて吸引装置に接続
され、ウエーハ４を真空引きで吸着保持できる構造とな
っている。
【００１９】上記外周面加工部１３は、図５に示すよう
な砥石２９からなり、図示しない駆動装置により、回転
可能且つ上下移動可能に構成されている。尚、Ｇは加工
する面幅の中心となる砥石軸を示す。そして、外周面加
工時には、上記厚み測定部８において測定された測定値
の平均化処理された値に基づいて、加工ステージ１１上
のウエーハ４と加工部１３の砥石軸Ｇとの上下方向の相
対位置を補正して加工が行なわれる。この場合、上記厚
み測定部８により測定され演算処理部３１において平均
化処理されたデータは制御部３０により加工部１３にフ
ィードバックされる。
な砥石２９からなり、図示しない駆動装置により、回転
可能且つ上下移動可能に構成されている。尚、Ｇは加工
する面幅の中心となる砥石軸を示す。そして、外周面加
工時には、上記厚み測定部８において測定された測定値
の平均化処理された値に基づいて、加工ステージ１１上
のウエーハ４と加工部１３の砥石軸Ｇとの上下方向の相
対位置を補正して加工が行なわれる。この場合、上記厚
み測定部８により測定され演算処理部３１において平均
化処理されたデータは制御部３０により加工部１３にフ
ィードバックされる。
【００２０】上記制御部３０は、各駆動部を制御する他
に、図６に示すように、上記測定子２０により測定され
た厚み測定値の平均化処理値又は最小値を演算し、基準
厚み（設定値）との差から砥石軸Ｇの補正量を演算する
演算処理部３１と、複数の厚み測定値の平均化処理値に
基づいた補正量により、砥石軸Ｇを上下に移動制御する
砥石軸制御部（加工制御部）３２と、平均化処理値又は
最小値に基づいてアンローダ搬送装置１４を駆動制御す
る分類制御部３３を備えた構成となっている。
に、図６に示すように、上記測定子２０により測定され
た厚み測定値の平均化処理値又は最小値を演算し、基準
厚み（設定値）との差から砥石軸Ｇの補正量を演算する
演算処理部３１と、複数の厚み測定値の平均化処理値に
基づいた補正量により、砥石軸Ｇを上下に移動制御する
砥石軸制御部（加工制御部）３２と、平均化処理値又は
最小値に基づいてアンローダ搬送装置１４を駆動制御す
る分類制御部３３を備えた構成となっている。
【００２１】次に、上記構成の半導体ウエーハの外周面
加工装置による外周面加工処理について説明する。
加工装置による外周面加工処理について説明する。
【００２２】厚み測定部８において測定された複数点の
ウエーハ４の厚みデータは、測定子２０により制御部３
０に入力され、演算処理部３１において測定値の平均化
処理値が演算され、この平均化処理値に基づいて砥石軸
Ｇの上下移動させる補正量が演算され、この補正量に基
づいて砥石軸制御部３２により砥石軸Ｇが制御される。
また、演算処理部３１で平均化処理した測定値又は最小
値に基づいて、分類制御部３３でアンローダ搬送装置１
４を駆動制御し、外周加工後のウエーハ４の分類を行
う。
ウエーハ４の厚みデータは、測定子２０により制御部３
０に入力され、演算処理部３１において測定値の平均化
処理値が演算され、この平均化処理値に基づいて砥石軸
Ｇの上下移動させる補正量が演算され、この補正量に基
づいて砥石軸制御部３２により砥石軸Ｇが制御される。
また、演算処理部３１で平均化処理した測定値又は最小
値に基づいて、分類制御部３３でアンローダ搬送装置１
４を駆動制御し、外周加工後のウエーハ４の分類を行
う。
【００２３】この場合の砥石軸Ｇの制御は、加工ステー
ジ１１にセットされたウエーハ４の厚みが均一であると
して、この厚みを基準厚みａ（設定値）とし、基準厚み
ａのａ／２の位置を仮想ウエーハ基準線とし、砥石軸Ｇ
の上下方向の中心線を仮想砥石基準線とすると、仮想ウ
エーハ基準線と仮想砥石基準線との上下方向での相対位
置が合った位置で、外周面の加工を行なうように制御さ
れ、上下面幅が均一な面幅加工が行なわれる。これに対
し、従来のように、ウエーハ外周付近よりも中心部が厚
いウエーハ４を加工する場合、中心１点の厚みａ´のａ
´／２の位置を仮想ウエーハ基準線として、仮想砥石基
準線に上下方向の相対位置を合せた位置で外周面加工を
行なえば、上面側面幅の加工量が下面側面幅の加工量よ
りも少なくなり、上下面幅の均一な外周面加工が困難と
なるが、本実施例のように、複数点の厚み測定値の平均
化処理した値に基づいて砥石軸Ｇの移動量を補正して加
工を行なうことにより、より均一な面幅加工が可能とな
る。
ジ１１にセットされたウエーハ４の厚みが均一であると
して、この厚みを基準厚みａ（設定値）とし、基準厚み
ａのａ／２の位置を仮想ウエーハ基準線とし、砥石軸Ｇ
の上下方向の中心線を仮想砥石基準線とすると、仮想ウ
エーハ基準線と仮想砥石基準線との上下方向での相対位
置が合った位置で、外周面の加工を行なうように制御さ
れ、上下面幅が均一な面幅加工が行なわれる。これに対
し、従来のように、ウエーハ外周付近よりも中心部が厚
いウエーハ４を加工する場合、中心１点の厚みａ´のａ
´／２の位置を仮想ウエーハ基準線として、仮想砥石基
準線に上下方向の相対位置を合せた位置で外周面加工を
行なえば、上面側面幅の加工量が下面側面幅の加工量よ
りも少なくなり、上下面幅の均一な外周面加工が困難と
なるが、本実施例のように、複数点の厚み測定値の平均
化処理した値に基づいて砥石軸Ｇの移動量を補正して加
工を行なうことにより、より均一な面幅加工が可能とな
る。
【００２４】本実施例では、加工部１３の砥石軸Ｇの上
下移動量を、基準厚みａ（設定値）と平均化処理値との
差の１／２の量だけ、補正を行なって加工が行なわれ
る。例えば、基準厚みａ（設定値）に対し、平均化処理
値がｂだけ薄い場合には、砥石軸Ｇを仮想砥石基準線よ
りも下方へｂ／２だけ移動させ、この位置で加工ステー
ジ１１を回転させ右方向へ移動させて加工が行なわれ
る。また、基準厚みａ（設定値）に対し、平均化処理値
がｃだけ厚い場合には、砥石軸Ｇを仮想砥石基準線より
も上方へｃ／２だけ移動させ、この位置で加工が行なわ
れる。
下移動量を、基準厚みａ（設定値）と平均化処理値との
差の１／２の量だけ、補正を行なって加工が行なわれ
る。例えば、基準厚みａ（設定値）に対し、平均化処理
値がｂだけ薄い場合には、砥石軸Ｇを仮想砥石基準線よ
りも下方へｂ／２だけ移動させ、この位置で加工ステー
ジ１１を回転させ右方向へ移動させて加工が行なわれ
る。また、基準厚みａ（設定値）に対し、平均化処理値
がｃだけ厚い場合には、砥石軸Ｇを仮想砥石基準線より
も上方へｃ／２だけ移動させ、この位置で加工が行なわ
れる。
【００２５】したがって、本実施例においては、複数点
の厚み測定値を平均化処理した値に基づいて加工を行な
うので、均一な外周面加工やウエーハの分類ができ、こ
の結果、次工程の研削・研磨行程でも確実に加工歪層が
除去でき平坦且つ平滑な仕上げが可能となる。
の厚み測定値を平均化処理した値に基づいて加工を行な
うので、均一な外周面加工やウエーハの分類ができ、こ
の結果、次工程の研削・研磨行程でも確実に加工歪層が
除去でき平坦且つ平滑な仕上げが可能となる。
【００２６】尚、本実施例では、ウエーハの右端部、中
央部、左端部の３点の厚みを測定したが、回転機構によ
って加工ステージを任意の角度毎に測定することによ
り、さらに多数の厚み測定が可能となり、これらの平均
化処理値に基づいて加工すれば、より真の平均値に近づ
き、その値に基づいて加工部へフィードバックをかけて
加工することにより、上下面幅加工の均一化が図れる。
また、ウエーハ外周面を面取りするベベリング機に適用
した場合について説明したが、これに限らず、外周面を
鏡面仕上げするポリッシュ機等、同様な他の装置にも適
用することができる。
央部、左端部の３点の厚みを測定したが、回転機構によ
って加工ステージを任意の角度毎に測定することによ
り、さらに多数の厚み測定が可能となり、これらの平均
化処理値に基づいて加工すれば、より真の平均値に近づ
き、その値に基づいて加工部へフィードバックをかけて
加工することにより、上下面幅加工の均一化が図れる。
また、ウエーハ外周面を面取りするベベリング機に適用
した場合について説明したが、これに限らず、外周面を
鏡面仕上げするポリッシュ機等、同様な他の装置にも適
用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウエーハの面内厚みを複数点測定し、平均化処理し
た値に基づいて加工部の砥石軸とウエーハの上下方向の
相対位置補正を行なって加工が行なわれるので、従来の
１点測定の場合に比べ、ウエーハの外周上面面取り加工
量と外周下面面取り加工量とのより均一な加工が可能と
なる。
導体ウエーハの面内厚みを複数点測定し、平均化処理し
た値に基づいて加工部の砥石軸とウエーハの上下方向の
相対位置補正を行なって加工が行なわれるので、従来の
１点測定の場合に比べ、ウエーハの外周上面面取り加工
量と外周下面面取り加工量とのより均一な加工が可能と
なる。
【００２８】また、複数点測定し平均化処理した値又は
設定値に基づいたウエーハの分類が行われるので、正確
な分類ができる。
設定値に基づいたウエーハの分類が行われるので、正確
な分類ができる。
【００２９】さらに、次行程で上記複数の測定値を利用
でき、次行程のウエーハ面を研削・研磨する加工におい
て、最小厚みをウエーハ厚みとして加工することが可能
となる、その結果、加工歪層を確実に除去でき、加工ム
ラのない均一な加工が可能となる。
でき、次行程のウエーハ面を研削・研磨する加工におい
て、最小厚みをウエーハ厚みとして加工することが可能
となる、その結果、加工歪層を確実に除去でき、加工ム
ラのない均一な加工が可能となる。
【図１】本実施例に係り、半導体ウエーハの外周面加工
装置の概略平面図。
装置の概略平面図。
【図２】半導体ウエーハの外周面加工装置の概略正面
図。
図。
【図３】カッセトローダおよび厚み測定部の概略平面
図。
図。
【図４】カッセトローダおよび厚み測定部の概略正面
図。
図。
【図５】加工部の正面図。
【図６】制御部のブロック図。
１ 半導体ウエーハの外周面加工装置 ４ 半導体ウエーハ ８ 厚み測定部 １３ 加工部 １４ 分類部 ３１ 演算処理部 ３２ 加工制御部 ３３ 分類制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエーハの外周面を研削・研磨す
る加工部と、外周面の加工前に半導体ウエーハの厚みを
複数点測定する厚み測定部と、加工後の半導体ウエーハ
を厚み又は精度毎に分類する分類部とを備え、前記厚み
測定部により測定された複数の測定値を平均化処理する
演算処理部と、この演算処理部からの平均化処理値に基
づいて前記加工部を駆動制御する加工制御部と、前記演
算処理部からの平均化処理値又は最小値に基づいて前記
分類部を駆動制御する分類制御部と、を備えたことを特
徴とする半導体ウエーハの外周面加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311911A JP2554432B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体ウエーハの外周面加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311911A JP2554432B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体ウエーハの外周面加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295891A true JPH06295891A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2554432B2 JP2554432B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=18022906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311911A Expired - Fee Related JP2554432B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体ウエーハの外周面加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554432B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665576A2 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer diameter/sectional shape measuring machine |
| WO1998044549A1 (en) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
| US6030887A (en) * | 1998-02-26 | 2000-02-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
| US6200908B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-03-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reducing waviness in semiconductor wafers |
| WO2001070454A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Wafer Solutions, Inc. | Cluster tool systems and methods for processing wafers |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| WO2011142159A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り装置 |
| JP2012508454A (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | インラインウェハ厚さ感知 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311911A patent/JP2554432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0665576A3 (en) * | 1994-01-27 | 1997-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device for measuring the diameter and shape of the cross section of a wafer. |
| WO1998044549A1 (en) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
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| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| JP2012508454A (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | インラインウェハ厚さ感知 |
| US8628376B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-01-14 | Applied Materials, Inc. | In-line wafer thickness sensing |
| WO2011142159A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り装置 |
| JP2011235406A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Daito Electron Co Ltd | ウェーハの面取り装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2554432B2 (ja) | 1996-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |