KR20220034162A - 기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20220034162A
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main surface
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KR1020227004081A
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무네히사 코다마
토모히로 카네코
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판의 제 1 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 1 기판 척과, 기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 2 기판 척과, 연직인 회전축의 둘레에, 하나의 상기 제 1 기판 척, 하나의 상기 제 2 기판 척, 다른 상기 제 1 기판 척, 및 다른 상기 제 2 기판 척을 이 순으로 등간격으로 유지하고, 상기 회전축의 둘레로 회전하는 회전 테이블과, 상기 제 1 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 1 주표면을 가공하는 제 1 가공구가 장착되는 제 1 가공 유닛과, 상기 제 2 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 2 주표면을 가공하는 제 2 가공구가 장착되는 제 2 가공 유닛을 가지는, 기판 가공 장치를 제공한다.

Description

기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
본 개시는 기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1의 연삭 장치는, 회전 테이블과, 회전 테이블의 회전 중심선의 둘레에 등간격으로 배치되는 복수의 기판 척을 가진다. 복수의 기판 척은, 회전 테이블과 함께 회전 테이블의 회전 중심선을 중심으로 회전한다. 회전 테이블은, 복수의 기판 척의 각각을, 기판의 유지 및 기판의 유지 해제가 행해지는 착탈 위치와, 기판의 1차 연삭이 행해지는 1차 연삭 위치와, 기판의 2차 연삭이 행해지는 2차 연삭 위치로 차례로 보낸다.
일본특허공개공보 2008-264913호
본 개시의 일태양은, 하나의 회전 테이블 상에서, 기판의 제 1 주표면의 가공과, 기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면의 가공의 양방을 실시할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 기판 가공 장치는,
기판의 제 1 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 1 기판 척과,
기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 2 기판 척과,
연직인 회전축의 둘레에, 하나의 상기 제 1 기판 척, 하나의 상기 제 2 기판 척, 다른 상기 제 1 기판 척, 및 다른 상기 제 2 기판 척을 이 순으로 등간격으로 유지하고, 상기 회전축의 둘레로 회전하는 회전 테이블과,
상기 제 1 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 1 주표면을 가공하는 제 1 가공구가 장착되는 제 1 가공 유닛과,
상기 제 2 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 2 주표면을 가공하는 제 2 가공구가 장착되는 제 2 가공 유닛
을 가진다.
본 개시의 일태양에 따르면, 하나의 회전 테이블 상에서, 기판의 제 1 주표면의 가공과, 기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면의 가공의 양방을 실시할 수 있다.
도 1은 일실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템을 나타내는 측면도이다.
도 3은 기판의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 4는 일실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 일실시 형태에 따른 기판 가공 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 제 1 가동부 및 제 1 승강부를 나타내는 측면도이다.
도 7은 도 6의 기판과 숫돌의 궤도를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 5의 제 1 경사 각도 조정부를 나타내는 측면도이다.
도 9a는 도 5의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 9b는 도 9a에 이어, 도 5의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 5의 제 1 위치, 제 2 위치, 제 3 위치 및 제 4 위치에서 행해지는 처리를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 11은 도 10의 시각(t1)부터 시각(t2)까지의 사이에, 제 1 기판 척으로 행해지는 처리를 나타내는 순서도이다.
도 12는 변형예에 따른 기판 가공 장치를 나타내는 평면도이다.
도 13a는 도 12의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 13b는 도 13a에 이어, 도 12의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 13c는 도 13b에 이어, 도 12의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 13d는 도 13c에 이어, 도 12의 회전 테이블의 회전 동작을 나타내는 평면도이다.
도 14는 도 12의 제 1 위치, 제 2 위치, 제 3 위치 및 제 4 위치에서 행해지는 처리를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 15는 도 14의 시각(t1)부터 시각(t2)까지의 사이에, 제 1 기판 척으로 행해지는 처리를 나타내는 순서도이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 교부하여, 설명을 생략하는 경우가 있다. 본 명세서에 있어서, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향은 서로 수직인 방향이다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향, Z축 방향은 연직 방향이다.
도 1은 일실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 측면도이다. 도 2에 있어서, 도 1의 제 2 처리 스테이션(5) 중, 제 3 처리 블록(5a)에 배치되는 각종 장치를 도시하기 위하여, 제 3 반송 블록(5c)의 도시를 생략한다.
기판 처리 시스템(1)은, 기판(10)을 연삭하여, 평탄화한다. 기판(10)은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판이다. 기판(10)은, 예를 들면 잉곳을 슬라이스하여, 준비된다. 기판(10)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 주표면(11)과, 제 1 주표면(11)과는 반대측의 제 2 주표면(12)을 가진다.
제 1 주표면(11)과 제 2 주표면(12)은, 예를 들면 기판(10)에 미리 형성된 마크 등으로 구별된다. 또한 제 1 주표면(11)과 제 2 주표면(12)은, 처리 전의 기판(10)의 카세트(C) 내에서의 상하면으로 구별되어도 된다. 상면이 제 1 주표면(11)이고 하면이 제 2 주표면(12)이어도 되며, 하면이 제 1 주표면(11)이고 상면이 제 2 주표면(12)이어도 된다.
기판 처리 시스템(1)은, 기판(10)의 제 1 주표면(11)과, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 양방을 연삭한다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 연삭하고, 연삭한 제 1 주표면(11)과 반대측의 제 2 주표면(12)을 연삭한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반입반출 스테이션(2)과, 제 1 처리 스테이션(3)과, 제 2 처리 스테이션(5)과, 제어 장치(9)를 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과, 제 1 처리 스테이션(3)과, 제 2 처리 스테이션(5)은, 이 순으로, X축 방향 부측으로부터 X축 방향 정측으로 배치된다.
반입반출 스테이션(2)은, 반입반출 블록(2a)과, 제 1 반송 블록(2b)을 가진다. 제 1 반송 블록(2b)은, 반입반출 블록(2a)의 옆에 배치되고, 예를 들면 반입반출 블록(2a)의 X축 방향 정측에 배치된다. 또한, 제 1 반송 블록(2b)은, 제 1 처리 스테이션(3)의 제 1 처리 블록(3a)의 옆에 배치되고, 예를 들면 제 1 처리 블록(3a)의 X축 방향 부측에 배치된다.
반입반출 블록(2a)은, Y축 방향으로 일렬로 배열되는 복수의 배치부(21)를 포함한다. 복수의 배치부(21)의 각각에는, 카세트(C)가 배치된다. 카세트(C)는, 기판(10)을 연직 방향으로 간격을 두고 복수 수용한다. 또한, 배치부(21)의 수는 특별히 한정되지 않는다. 마찬가지로, 카세트(C)의 수도 특별히 한정되지 않는다.
제 1 반송 블록(2b)의 내부에는, 제 1 반송 장치(22)가 마련된다. 제 1 반송 장치(22)는, 기판(10)을 유지하는 유지부를 가진다. 유지부는, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양 방향) 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 제 1 반송 장치(22)는, 복수의 배치부(21)에 배치된 복수의 카세트(C)와, 제 1 처리 스테이션(3)의 제 1 처리 블록(3a)에 대하여, 기판(10)을 반송한다.
제 1 처리 스테이션(3)은, 제 1 처리 블록(3a)과, 제 2 처리 블록(3b)과, 제 2 반송 블록(3c)을 가진다. 제 2 반송 블록(3c)은, 제 1 처리 블록(3a) 및 제 2 처리 블록(3b)의 옆에 배치되고, 예를 들면 제 1 처리 블록(3a)의 X축 방향 정측, 또한 제 2 처리 블록(3b)의 Y축 방향 정측에 배치된다. 또한, 제 2 반송 블록(3c)은, 제 2 처리 스테이션(5)의 제 3 처리 블록(5a)의 옆에 배치되고, 예를 들면 제 3 처리 블록(5a)의 X축 방향 부측에 배치된다.
제 2 반송 블록(3c)의 내부에는, 제 2 반송 장치(31)가 배치된다. 제 2 반송 장치(31)는, 기판(10)을 유지하는 유지부를 가진다. 유지부는, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양 방향) 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 제 2 반송 장치(31)는, 제 1 처리 블록(3a)과, 제 2 처리 블록(3b)과, 제 2 처리 스테이션(5)의 제 3 처리 블록(5a)에 대하여, 기판(10)을 반송한다.
제 1 처리 블록(3a)은, 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 트랜지션 장치(32)와, 제 2 트랜지션 장치(33)와, 제 1 반전 장치(34)를 포함한다. 제 1 트랜지션 장치(32)는, 제 1 반송 장치(22)로부터 기판(10)을 수취하고, 이 후, 제 2 반송 장치(31)로 건네줄 때까지, 기판(10)을 일시적으로 보관한다. 제 2 트랜지션 장치(33)는, 제 2 반송 장치(31)로부터 기판(10)을 수취하고, 이 후, 제 1 반송 장치(22)로 건네줄 때까지, 기판(10)을 일시적으로 보관한다. 제 1 반전 장치(34)는, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 에칭 후, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 에칭 전에, 기판(10)을 상하 반전시킨다. 또한, 제 1 처리 블록(3a)을 구성하는 각종 장치의 배치 및 개수는, 도 2에 나타내는 배치 및 개수에 한정되지 않는다.
제 2 처리 블록(3b)은, 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 세정 장치(35)와, 제 2 세정 장치(36)와, 제 1 에칭 장치(37)와, 제 2 에칭 장치(38)를 가진다. 제 1 세정 장치(35)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭 후에 기판(10)을 세정하여, 기판(10)에 부착되는 이물을 브러시 또는 스펀지 등으로 씻어낸다. 제 2 세정 장치(36)는, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭 후에 기판(10)을 세정하여, 기판(10)에 부착되는 이물을 브러시 또는 스펀지 등으로 씻어낸다. 제 1 에칭 장치(37)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭 후에 제 1 주표면(11)을 에칭하여, 제 1 주표면(11)의 연삭에 의해 형성된 데미지층을 제거하거나, 제 1 주표면(11)을 평탄화한다. 제 2 에칭 장치(38)는, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭 후에 제 2 주표면(12)을 에칭하여, 제 2 주표면(12)의 연삭에 의해 형성된 데미지층을 제거하거나, 제 2 주표면(12)을 평탄화한다. 또한, 제 2 처리 블록(3b)을 구성하는 각종 장치의 배치 및 개수는, 도 2에 나타내는 배치 및 개수에 한정되지 않는다.
제 2 처리 스테이션(5)은, 제 3 처리 블록(5a)과, 제 4 처리 블록(5b)과, 제 3 반송 블록(5c)을 가진다. 제 3 반송 블록(5c)은, 제 3 처리 블록(5a) 및 제 4 처리 블록(5b)의 옆에 배치되고, 예를 들면 제 3 처리 블록(5a)의 Y축 방향 부측, 또한 제 4 처리 블록(5b)의 X축 방향 부측에 배치된다. 또한, 제 3 반송 블록(5c)과 제 3 처리 블록(5a)은, 하나의 블록이어도 된다. 또한, 제 3 반송 블록(5c)은, 제 1 처리 스테이션(3)의 제 2 처리 블록(3b)의 옆에 배치되고, 예를 들면 제 2 처리 블록(3b)의 X축 방향 정측에 배치된다.
제 3 반송 블록(5c)의 내부에는, 제 3 반송 장치(51)가 배치된다. 제 3 반송 장치(51)는, 기판(10)을 유지하는 유지부를 가진다. 유지부는, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양 방향) 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 제 3 반송 장치(51)는, 제 3 처리 블록(5a)과, 제 4 처리 블록(5b)과, 제 1 처리 스테이션(3)의 제 2 처리 블록(3b)에 대하여 기판(10)을 반송한다.
제 3 처리 블록(5a)은, 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 얼라이먼트 장치(52)와, 제 2 얼라이먼트 장치(53)와, 제 2 반전 장치(54)와, 버퍼 장치(55)를 포함한다. 제 1 얼라이먼트 장치(52)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한 상태에서, 카메라 등으로 제 1 주표면(11)의 중심 위치를 검출한다. 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한 상태로 기판(10)을 기판 가공 장치(56)의 기판 척에 배치할 시에, 기판(10)의 중심과 기판 척의 중심을 위치 맞춤할 수 있다. 제 2 얼라이먼트 장치(53)는, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한 상태에서, 카메라 등으로 제 2 주표면(12)의 중심 위치를 검출한다. 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한 상태로 기판(10)을 기판 가공 장치(56)의 기판 척에 배치할 시에, 기판(10)의 중심과 기판 척의 중심을 위치 맞춤할 수 있다. 제 2 반전 장치(54)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭 후, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭 전에, 기판(10)을 상하 반전시킨다.
버퍼 장치(55)는, 제 1 세정 장치(35)에 의한 세정 후로서 기판 가공 장치(56)로 되돌려지기 전의 기판(10)을 보관한다. 기판(10)은, 예를 들면 연삭 시간 및 세정 시간 등의 복수의 처리 시간의 시간차에 따라서는, 제 1 주표면(11)의 연삭 후, 제 2 주표면(12)의 연삭 전에, 버퍼 장치(55)에서 일시적으로 대기하는 경우가 있다. 기판 가공 장치(56)로 되돌려지기 전의 기판(10)을 일시적으로 보관하므로, 기판 가공 장치(56)의 택트 타임의 변동을 흡수할 수 있고, 또한, 기판 가공 장치(56)의 가동률을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정 후에 기판(10)을 보관하므로, 세정 전에 기판(10)을 보관하는 경우에 비해, 버퍼 장치(55)를 청정한 상태로 유지할 수 있다.
버퍼 장치(55)는, 제 1 세정 장치(35)로부터 제 2 반전 장치(54)를 거쳐 제 2 얼라이먼트 장치(53)까지 반송되는 기판(10)의 반송 경로의 도중에 마련된다. 즉, 버퍼 장치(55)는, 제 1 세정 장치(35)로부터 제 2 반전 장치(54)까지의 도중, 또는, 제 2 반전 장치(54)로부터 제 2 얼라이먼트 장치(53)까지의 도중 중 어느 하나에 마련된다. 어느 쪽이든, 버퍼 장치(55)에서 기판(10)의 위치 어긋남이 생겨도, 그 후에, 제 2 얼라이먼트 장치(53)에서 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 중심을 검출하므로, 기판(10)의 중심과 기판 척의 중심을 위치 맞춤할 수 있다.
또한, 제 3 처리 블록(5a)을 구성하는 각종 장치의 배치 및 개수는, 도 2에 나타내는 배치 및 개수에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제 2 반전 장치(54) 및 버퍼 장치(55)는, 제 1 처리 스테이션(3)의 제 1 처리 블록(3a)에 배치되어도 된다.
제 4 처리 블록(5b)은, 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 가공 장치(56)와, 세정 장치(57)를 가진다. 기판 가공 장치(56)는, 기판(10)을 연삭하여, 평탄화한다. 기판 가공 장치(56)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)과, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 양방을 연삭한다. 기판 가공 장치(56)의 상세는 이후에 설명한다.
세정 장치(57)는, 기판 가공 장치(56)에서 가공된 기판(10)을 상방으로부터 제 3 반송 장치(51)의 유지부로 유지한 상태에서, 기판(10)의 하면을 세정한다.
그런데, 제 3 처리 블록(5a)과 제 2 반송 블록(3c)과의 경계에는 기판(10)의 반송구가 마련되고, 그 반송구는 셔터(41)로 개폐된다. 셔터(41)는, 제 2 반송 장치(31)가 제 2 반송 블록(3c)으로부터 제 3 처리 블록(5a)으로 들어가기 직전에 반송구를 개방하고, 제 2 반송 장치(31)가 제 3 처리 블록(5a)으로부터 제 2 반송 블록(3c)으로 나온 직후에 반송구를 폐색한다. 기판 가공 장치(56)에서 발생한 파티클이 제 3 반송 블록(5c) 및 제 3 처리 블록(5a)을 거쳐 제 2 반송 블록(3c)으로 침입하는 것을 억제할 수 있어, 제 2 반송 블록(3c)을 청정하게 유지할 수 있다.
마찬가지로, 제 3 처리 블록(5a)과 제 3 반송 블록(5c)과의 경계에는 기판(10)의 반송구가 마련되고, 그 반송구는 셔터(42)로 개폐된다. 셔터(42)는, 제 3 반송 장치(51)가 제 3 반송 블록(5c)으로부터 제 3 처리 블록(5a)으로 들어가기 직전에 반송구를 개방하고, 제 3 반송 장치(51)가 제 3 처리 블록(5a)으로부터 제 3 반송 블록(5c)으로 나온 직후에 반송구를 폐색한다. 기판 가공 장치(56)에서 발생한 파티클이 제 3 반송 블록(5c)을 거쳐 제 3 처리 블록(5a)으로 침입하는 것을 억제할 수 있어, 제 3 처리 블록(5a)을 청정하게 유지할 수 있다.
마찬가지로, 제 2 처리 블록(3b)과 제 3 반송 블록(5c)의 경계에는 기판(10)의 반송구가 마련되고, 그 반송구는 셔터(43)로 개폐된다. 셔터(43)는, 제 3 반송 장치(51)가 제 3 반송 블록(5c)으로부터 제 2 처리 블록(3b)으로 들어가기 직전에 반송구를 개방하고, 제 3 반송 장치(51)가 제 2 처리 블록(3b)으로부터 제 3 반송 블록(5c)으로 나온 직후에 반송구를 폐색한다. 기판 가공 장치(56)에서 발생한 파티클이 제 3 반송 블록(5c)을 거쳐 제 2 처리 블록(3b)으로 침입하는 것을 억제할 수 있어, 제 2 처리 블록(3b)을 청정하게 유지할 수 있다.
제어 장치(9)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 도 1에 나타내는 바와 같이, CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리 등의 기억 매체(92)를 구비한다. 기억 매체(92)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어 장치(9)는, 기억 매체(92)에 기억된 프로그램을 CPU(91)에 실행시킴으로써, 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(9)는, 입력 인터페이스(93)와, 출력 인터페이스(94)를 구비한다. 제어 장치(9)는, 입력 인터페이스(93)에서 외부로부터의 신호를 수신하고, 출력 인터페이스(94)에서 외부로 신호를 송신한다.
상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기억되고, 그 기억 매체로부터 제어 장치(9)의 기억 매체(92)에 인스톨된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면, 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등을 들 수 있다. 또한 프로그램은, 인터넷을 개재하여 서버로부터 다운로드되어, 제어 장치(9)의 기억 매체(92)에 인스톨되어도 된다.
상기 구성의 기판 처리 시스템(1)의 동작에 대하여, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4에 나타내는 처리는, 제어 장치(9)에 의한 제어 하에서 실시된다.
먼저, 제 1 반송 장치(22)가, 배치부(21)에 배치된 카세트(C)로부터, 기판(10)을 취출한다(S101). 이 후, 제 1 트랜지션 장치(32)가, 제 1 반송 장치(22)로부터 기판(10)을 수취하고, 제 2 반송 장치(31)로 건네준다. 제 2 반송 장치(31)는, 제 1 트랜지션 장치(32)로부터 제 1 얼라이먼트 장치(52)로 기판(10)을 반송한다.
이어서, 제 1 얼라이먼트 장치(52)가, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한 상태에서, 카메라 등으로 제 1 주표면(11)의 중심 위치를 검출한다(S102). 이 후, 제 3 반송 장치(51)가, 제 1 얼라이먼트 장치(52)로부터 기판 가공 장치(56)로 기판(10)을 반송한다. 기판(10)의 중심이 기판 가공 장치(56)의 기판 척의 중심과 일치하도록, 제어 장치(9)는 제 1 얼라이먼트 장치(52)의 검출 결과를 참조하여, 제 3 반송 장치(51)를 제어한다.
이어서, 기판 가공 장치(56)가, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 연삭한다(S103). 이 후, 제 3 반송 장치(51)가, 기판 가공 장치(56)로부터 제 1 세정 장치(35)로 기판(10)을 반송한다. 또한 그 도중에서, 세정 장치(57)가 기판(10)의 하면(제 2 주표면(12))을 세정해도 좋다. 그 동안, 기판(10)의 상면(제 1 주표면(11))은, 제 3 반송 장치(51)의 유지부로 유지된다. 반송의 도중에서 기판(10)의 하면을 세정 장치(57)가 세정하므로, 제 4 처리 블록(5b)으로부터의 연삭 찌꺼기의 반출을 억제할 수 있다.
이어서, 제 1 세정 장치(35)가, 기판(10)을 세정한다(S104). 기판(10)에 부착되는 이물이, 브러시 또는 스펀지 등으로 씻겨내진다. 기판(10)의 상하 양면이 스크럽 세정되어도 좋다. 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 1 세정 장치(35)로부터 제 2 반전 장치(54)로 기판(10)을 반송한다.
이어서, 제 2 반전 장치(54)가, 기판(10)을 상하 반전하여, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한다(S105). 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 2 반전 장치(54)로부터 버퍼 장치(55)로 기판을 반송한다.
이어서, 버퍼 장치(55)가, 기판(10)을 일시적으로 보관한다(S106). 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 버퍼 장치(55)로부터 제 2 얼라이먼트 장치(53)로 기판(10)을 반송한다. 또한, 기판(10)의 상하 반전(S105)과 기판(10)의 일시 보관(S106)은 순서가 반대여도 된다. 그 경우, 제 2 반송 장치(31)는, 제 1 세정 장치(35)로부터 버퍼 장치(55)로, 이어서, 버퍼 장치(55)로부터 제 2 반전 장치(54)로, 이 후, 제 2 반전 장치(54)로부터 제 2 얼라이먼트 장치(53)로 기판(10)을 반송한다.
또한 도 4에서는, 제 1 주표면(11)의 연삭(S103) 후, 제 2 주표면(12)의 연삭(S108) 전에, 버퍼(S106)가 행해지지만, 기판 가공 장치(56) 등의 가동 상황에 따라서는 버퍼(S106)가 행해지지 않는 경우도 있다. 즉, 기판(10)은, 제 1 주표면(11)의 연삭(S103) 후, 제 2 주표면(12)의 연삭(S108) 전에, 버퍼 장치(55)를 경유하지 않는 경우도 있다.
이어서, 제 2 얼라이먼트 장치(53)가, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한 상태에서, 카메라 등으로 제 2 주표면(12)의 중심 위치를 검출한다(S107). 이 후, 제 3 반송 장치(51)가, 제 2 얼라이먼트 장치(53)로부터 기판 가공 장치(56)로 기판(10)을 반송한다. 기판(10)의 중심이 기판 가공 장치(56)의 기판 척의 중심과 일치하도록, 제어 장치(9)는 제 2 얼라이먼트 장치(53)의 검출 결과를 참조하여, 제 3 반송 장치(51)를 제어한다.
이어서, 기판 가공 장치(56)가, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 연삭한다(S108). 이 후, 제 3 반송 장치(51)가, 기판 가공 장치(56)로부터 제 2 세정 장치(36)로 기판(10)을 반송한다. 또한 그 도중에서, 세정 장치(57)가 기판(10)의 하면(제 1 주표면(11))을 세정해도 좋다. 그 동안, 기판(10)의 상면(제 2 주표면(12))은, 제 3 반송 장치(51)의 유지부로 유지된다. 반송의 도중에서 기판(10)의 하면을 세정 장치(57)가 세정하므로, 제 4 처리 블록(5b)으로부터의 연삭 찌꺼기의 반출을 억제할 수 있다.
이어서, 제 2 세정 장치(36)가, 기판(10)을 세정한다(S109). 기판(10)에 부착되는 이물이, 브러시 또는 스펀지 등으로 씻겨내진다. 기판(10)의 상하 양면이 스크럽 세정되어도 좋다. 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 2 세정 장치(36)로부터 제 2 에칭 장치(38)로 기판(10)을 반송한다.
이어서, 제 2 에칭 장치(38)가, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 에칭한다(S110). 제 2 에칭 장치(38)는, 예를 들면, 회전하는 기판(10)에 대하여 상방으로부터 에칭액을 토출하고, 에칭액으로 제 2 주표면(12)을 에칭한다. 제 2 주표면(12)의 연삭에 의해 형성된 데미지층을 제거할 수 있다. 데미지층의 제거 외에, 평탄화도 할 수 있다. 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 2 에칭 장치(38)로부터 제 1 반전 장치(34)로 기판(10)을 반송한다.
이어서, 제 1 반전 장치(34)가, 기판(10)을 상하 반전하여, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한다(S111). 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 1 반전 장치(34)로부터 제 1 에칭 장치(37)로 기판(10)을 반송한다.
이어서, 제 1 에칭 장치(37)가, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 에칭한다(S112). 제 1 에칭 장치(37)는, 예를 들면, 회전하는 기판(10)에 대하여 상방으로부터 에칭액을 토출하고, 에칭액으로 제 1 주표면(11)을 에칭한다. 제 1 주표면(11)의 연삭에 의해 형성된 데미지층을 제거할 수 있다. 데미지층의 제거 외에, 평탄화도 할 수 있다. 이 후, 제 2 반송 장치(31)가, 제 1 에칭 장치(37)로부터 제 2 트랜지션 장치(33)로 기판(10)을 반송한다.
마지막으로, 제 1 반송 장치(22)가, 제 2 트랜지션 장치(33)로부터 기판(10)을 수취하고, 배치부(21)에 배치된 카세트(C)에 기판(10)을 수용한다(S113). 기판(10)은, 카세트(C)에 수용된 상태로, 외부로 반송된다.
기판(10)은, 잉곳으로부터 잘라내진 직후에는, 두께도 평탄도도 불균일하다. 두께 및 평탄도는, 하나의 기판(10) 내에서도 불균일하며, 복수의 기판(10) 간에서도 불균일하다. 본 실시 형태에 따르면, 기판(10)의 양면(제 1 주표면(11) 및 제 2 주표면(12))을 연삭할 수 있어, 기판(10)의 두께 및 평탄도를 균일화할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 하나의 시스템(1)에서 기판(10)의 양면을 연삭하므로, 하나의 시스템(1)에서 제품을 대량 생산할 수 있다. 따라서, 제품 간에서의 품질의 불균일을 저감시킬 수 있어, 제품의 품질을 관리하기 쉽다. 또한, 양면의 연삭뿐 아니라, 양면의 세정 및 양면의 에칭도 하나의 시스템(1)에서 실시하므로, 제품의 품질을 보다 관리하기 쉽다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 하나의 시스템(1)에서 기판(10)의 양면을 연삭 하므로, 하나의 시스템에서 기판의 편면을 연삭하고, 다른 시스템에서 기판의 반대면을 연삭하는 경우에 비해, 시스템 전체를 소형화할 수 있다. 반입반출 스테이션(2) 및 기판(10)의 반송 경로 등을 공통화할 수 있기 때문이다. 또한, 양면의 연삭뿐 아니라, 양면의 세정 및 양면의 에칭도 하나의 시스템(1)에서 실시하므로, 전체를 보다 소형화할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 하나의 시스템(1)에서 양면의 연삭과 양면의 에칭의 양방을 실시하므로, 제품의 품질(예를 들면 평탄도)을 양호하게 유지하기 위하여 보정 가능한 처리 조건이 많아, 품질의 검사 결과를 처리 조건에 피드백하기 쉽다. 제품의 품질을 장시간에 걸쳐 자동으로 유지할 수 있어, 사람의 수고를 삭감할 수 있다.
도 5는 일실시 형태에 따른 기판 가공 장치를 나타내는 평면도이다. 기판 가공 장치(56)는, 기판(10)의 제 1 주표면(11)과, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 양방을 연삭한다. 기판 가공 장치(56)는, 회전 테이블(60)과, 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)과, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)과, 제 1 가공 유닛(63)과, 제 2 가공 유닛(67)을 가진다.
회전 테이블(60)은, 연직인 회전축(R1)을 중심으로 회전한다. 회전 테이블(60)은, 그 회전축(R1)의 둘레에, 제 1 기판 척(61A), 제 2 기판 척(62B), 제 1 기판 척(61B) 및 제 2 기판 척(62A)을 이 순으로 등간격으로 유지한다.
4 개의 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 각각의 자전축(R2)을 중심으로 자전 가능하게 회전 테이블(60)에 유지된다. 또한, 회전 테이블(60)의 회전축(R1)은, 4 개의 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)의 공전축이다.
한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)은, 회전 테이블(60)의 회전축(R1)을 사이에 두고 대칭으로 배치된다. 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)은, 모두, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 하여, 기판(10)을 하방으로부터 유지한다.
마찬가지로, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)은, 회전 테이블(60)의 회전축(R1)을 사이에 두고 대칭으로 배치된다. 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)은, 모두, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 하여, 기판(10)을 하방으로부터 유지한다.
제 1 가공 유닛(63)은, 제 1 가공구(64)가 장착되는 제 1 가동부(65)를 가진다. 제 1 가공구(64)는, 제 1 기판 척(61A, 61B)으로 유지된 상태의 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 가공한다. 제 1 가공구(64)는, 제 1 가동부(65)에 교환 가능하게 장착된다. 제 1 승강부(66)는, 제 1 가동부(65)를 승강시킨다.
제 1 가공구(64)는, 예를 들면 기판(10)을 박화한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 가공구(64)는, 도넛 형상의 연삭 휠(641)과, 연삭 휠(641)의 하면에 고정되는 숫돌(642)을 포함한다. 복수의 숫돌(642)이, 연삭 휠(641)의 하면의 외연을 따라 링 형상으로 배열된다. 복수의 숫돌(642)은, 동일한 수평면(H)에 배치된다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 링 형상으로 배열되는 복수의 숫돌(642)의 궤도(OB)는, 기판(10)의 상면(예를 들면 제 1 주표면(11))의 중심(13)을 통과하도록 설정된다.
제 1 가동부(65)는, 예를 들면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 가공구(64)가 교환 가능하게 장착되는 회전반(651)과, 회전반(651)이 하단부에 마련되는 스핀들축(652)과, 스핀들축(652)을 회전 가능하게 지지하는 축받이(653)와, 스핀들축(652)을 회전시키는 스핀들 모터(654)를 가진다. 스핀들 모터(654)는, 스핀들축(652)을 회전시킴으로써, 회전반(651) 및 제 1 가공구(64)를 회전시킨다.
또한, 제 1 가공 유닛(63)은, 제 1 가동부(65)를 승강시키는 제 1 승강부(66)를 가진다. 예를 들면, 제 1 승강부(66)는, 연직인 가이드(661)와, 가이드(661)를 따라 이동하는 슬라이더(662)와, 슬라이더(662)를 이동시키는 모터(663)를 가진다. 슬라이더(662)에는 홀더(664)가 고정되고, 홀더(664)가 제 1 가동부(65)를 유지한다. 제 1 가동부(65) 및 제 1 가공구(64)는 슬라이더(662)와 함께 승강한다.
제 1 승강부(66)는, 제 1 가동부(65) 및 제 1 가공구(64)를 하강시킨다. 제 1 가공구(64)는, 회전하면서 하강하여, 회전하는 기판(10)의 상면과 접촉하고, 기판(10)의 상면 전체를 연삭한다.
제 2 가공 유닛(67)은, 제 1 가공 유닛(63)과 마찬가지로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 가동부(69)와, 제 2 승강부(70)를 가진다. 제 2 가동부(69)는, 미도시의 제 2 가공구가 장착되는 것이다. 제 2 가공구는, 제 2 기판 척(62A, 62B)으로 유지된 상태의 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 가공하는 점을 제외하고, 제 1 가공구(64)와 동일하게 구성되므로, 도시를 생략한다. 제 2 승강부(70)는, 제 2 가동부(69)를 승강시킨다. 제 2 가동부(69)는 제 1 가동부(65)와 동일하게 구성되고, 제 2 승강부(70)는 제 1 승강부(66)와 동일하게 구성된다.
상기한 바와 같이, 기판 가공 장치(56)는, 회전 테이블(60)과, 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)과, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)과, 제 1 가공 유닛(63)과, 제 2 가공 유닛(67)을 구비한다. 제 1 가공 유닛(63)은 제 1 기판 척(61A, 61B)으로 유지된 상태의 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 가공하고, 제 2 가공 유닛(67)은 제 2 기판 척(62A, 62B)으로 유지된 상태의 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 가공한다. 따라서, 하나의 회전 테이블(60) 상에서, 제 1 주표면(11)의 가공과 제 2 주표면(12)의 가공의 양방을 실시할 수 있다. 또한, 하나의 장치로 기판(10)의 양면을 연삭하므로, 하나의 장치로 기판의 편면을 연삭하고, 다른 장치로 기판의 반대면을 연삭하는 경우에 비해, 장치의 수를 삭감할 수 있어, 시스템 전체를 소형화할 수 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 기판 가공 장치(56)는, 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 독립으로 조정하는 한 쌍의 제 1 경사 각도 조정부(71A, 71B)를 가진다. 하나의 제 1 경사 각도 조정부(71A)는, 하나의 제 1 기판 척(61A)의 자전축(R2)의 경사 각도를 조정한다. 다른 제 1 경사 각도 조정부(71B)는, 다른 제 1 기판 척(61B)의 경사 각도를 조정한다. 경사 각도란, 자전축(R2)의 연직선에 대한 경사 각도이다. 경사 각도는, 예를 들면 X축 방향에서 봤을 때의 자전축(R2)과 Z축과의 이루는 각과, Y축 방향에서 봤을 때의 자전축(R2)과 Z축과의 이루는 각으로 나타내진다.
하나의 제 1 경사 각도 조정부(71A)와, 다른 제 1 경사 각도 조정부(71B)는 동일하므로, 하나의 제 1 경사 각도 조정부(71A)에 대하여 설명하고, 다른 제 1 경사 각도 조정부(71B)의 설명을 생략한다. 또한, 하나의 제 1 기판 척(61A)에 대하여 설명하고, 다른 제 1 기판 척(61B)의 설명을 생략한다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판 척(61A)은, 제 1 경사 각도 조정부(71A)를 개재하여, 회전 테이블(60)에 장착된다. 제 1 경사 각도 조정부(71A)는, 제 1 기판 척(61A)을 회전 가능하게 지지하는 지지대(711)를 포함한다. 지지대(711)의 내부에는, 제 1 기판 척(61A)을 그 자전축(R2)을 중심으로 회전시키는 모터가 내장된다. 지지대(711)에는 플랜지(712)가 형성된다. 제 1 경사 각도 조정부(71A)는, 플랜지(712)의 둘레 방향에 등간격(예를 들면 120° 간격)으로 배치되는 3 개의 연결부(713, 714, 715)를 포함한다. 3 개의 연결부(713, 714, 715)는, 플랜지(712)와 회전 테이블(60)을 연결한다.
2 개의 연결부(713, 714)는, 회전 테이블(60)에 대한 플랜지(712)의 높이(H1, H2)를 조정 가능하게 연결한다. 나머지 하나의 연결부(715)는, 회전 테이블(60)에 대한 플랜지(712)의 높이를 조정 불가능하게 연결한다. 2 개의 연결부(713, 714)는, 각각, 예를 들면 모터(716)와, 모터(716)의 회전 운동을 플랜지(712)의 직선 운동으로 변환하는 운동 변환 기구(717)를 가진다. 운동 변환 기구(717)는, 예를 들면 볼 나사를 포함한다. 제 1 경사 각도 조정부(71A)는, 2 개의 높이(H1, H2)를 변경함으로써, 자전축(R2)의 경사 각도를 조정한다. 자전축(R2)의 경사 각도는, 2 개의 높이(H1, H2)로 나타내진다. 또한, 남은 1 개의 연결부(715)는, 본 실시 형태에서는 회전 테이블(60)에 대한 플랜지(712)의 높이를 조정 불가능하게 연결하지만, 높이를 조정 가능하게 연결해도 된다.
제 1 기판 척(61A)은, 기판(10)이 유지되는 기판 유지면(611)을 가진다. 기판 유지면(611)은, 기판(10)을 하방으로부터 유지한다. 기판(10)은, 기판 유지면(611)과 동심원 형상으로, 기판 유지면(611)에 흡착된다. 기판 유지면(611)과 자전축(R2)과의 교점과, 기판(10)의 중심이 일치하도록, 기판(10)의 하면(예를 들면 제 2 주표면(12)) 전체가 기판 유지면(611)에 흡착된다.
제 1 기판 척(61A)의 기판 유지면(611)은, 도 6 및 도 8에 강조하여 나타내는 바와 같이 제 1 기판 척(61A)의 자전축(R2)을 중심으로 대칭인 원추면이다. 기판(10)이 원추 형상의 기판 유지면(611)에 흡착되면, 기판(10)의 상면(예를 들면 제 1 주표면(11))도 기판 유지면(611)을 따르므로 원추면이 된다.
자전축(R2)의 경사 각도가 바뀌면, 도 7에 나타내는 숫돌(642)의 궤도(OB) 상에서의 숫돌(642)과 기판(10)과의 접촉압 분포가 바뀐다. 접촉압이 높은 위치에서는, 접촉압이 낮은 위치에 비해, 기판(10)의 박화가 진행된다. 따라서, 자전축(R2)의 경사 각도의 조정에 의해, 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포를 조정할 수 있다.
제 1 기판 척(61A)의 기판 유지면(611)은, 기판(10)을 유지하고 있지 않은 상태에서, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 원추 형상으로 연삭된 것이다. 제 1 기판 척(61A)의 기판 유지면(611)을 원추 형상으로 연삭했을 시의 자전축(R2)의 경사 각도가, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 연삭할 시의 자전축(R2)의 경사 각도의 기준값이 된다. 제 1 주표면(11)의 연삭 시에 자전축(R2)의 경사 각도가 상기 기준값이면, 제 1 주표면(11)의 연삭 후에 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포가 균일하게 된다. 판 두께 분포는, 하나의 기판(10) 내에서도 균일하게 되고, 복수의 기판(10) 간에서도 균일하게 된다.
또한, 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)의 기판 유지면(611, 611)을 원추 형상으로 연삭하기 전에, 이들 기판 유지면(611, 611)의 높이 맞춤이 행해지고, 이어서, 이들 자전축(R2, R2)이 동일하게 경사된다. 이들 기판 유지면(611, 611)은, 동일하게 경사된 상태에서, 원추 형상으로 연삭된다. 그 때문에, 하나의 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)과, 다른 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)에서, 연삭 후의 판 두께 분포가 균일하게 된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 기판 가공 장치(56)는, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 독립으로 조정하는 한 쌍의 제 2 경사 각도 조정부(72A, 72B)를 가진다. 하나의 제 2 경사 각도 조정부(72A)는, 하나의 제 2 기판 척(62A)의 자전축(R2)의 경사 각도를 조정한다. 다른 제 2 경사 각도 조정부(72B)는, 다른 제 2 기판 척(62B)의 경사 각도를 조정한다.
이들 제 2 경사 각도 조정부(72A, 72B)는, 상기 제 1 경사 각도 조정부(71A)와 동일하므로, 설명을 생략한다. 또한, 이들 제 2 기판 척(62A, 62B)도, 제 1 가공 유닛(63) 대신에, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 원추 형상으로 연삭된 기판 유지면을 포함하는 점을 제외하고, 상기 제 1 기판 척(61A)과 동일하므로, 설명을 생략한다.
또한, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)의 기판 유지면을 원추 형상으로 연삭 하기 전에, 이들 기판 유지면의 높이 맞춤이 행해지고, 이어서, 이들 자전축(R2, R2)이 동일하게 경사된다. 이들 기판 유지면은, 동일하게 경사된 상태에서, 원추 형상으로 연삭된다. 그 때문에, 하나의 제 2 기판 척(62A)으로 유지된 기판(10)과, 다른 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)에서, 연삭 후의 판 두께 분포가 균일하게 된다.
기판 가공 장치(56)는, 상기한 바와 같이, 제 1 경사 각도 조정부(71A, 71B)와 제 2 경사 각도 조정부(72A, 72B)를 가지고, 제 1 기판 척(61A, 61B) 및 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 독립으로 조정한다. 기판 척(61)마다 자전축(R2)의 경사 각도를 조정하는 것은, 기판 척(61)의 회전 테이블(60)에 대한 장착 오차 등이 기판 척(61)마다 상이하기 때문이다.
그런데, 제 1 기판 척(61A, 61B)은, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭되는 기판(10)을 유지하고, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭되는 기판(10)을 유지하지 않는다. 한편, 제 2 기판 척(62A, 62B)은, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭되는 기판(10)을 유지하고, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭되는 기판(10)을 유지하지 않는다. 또한, 제 1 가공 유닛(63)의 스핀들축(652)의 회전축(R3)과, 제 2 가공 유닛(67)의 스핀들축의 회전축은, 양방 모두 연직으로 배치되지만, 장착 오차 등에 의해 약간 경사질 수 있다. 또한, 그 장착 오차가, 제 1 가공 유닛(63)과 제 2 가공 유닛(67)에서 상이하다.
따라서, 제 1 기판 척(61A, 61B)은, 상기한 바와 같이, 제 2 가공 유닛(67)이 아닌, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭된 기판 유지면(611)을 포함한다. 제 1 기판 척(61A, 61B)과, 제 1 기판 척(61A, 61B)으로 유지되는 기판(10)은, 동일한 제 1 가공 유닛(63)으로 연삭된다. 그 때문에, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도가 상기 기준값이면, 제 1 가공 유닛(63)에 의한 연삭 후에 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포가 균일하게 되기 쉽다. 판 두께 분포는, 하나의 기판(10) 내에서도 균일하게 되고, 복수의 기판(10) 간에서도 균일하게 된다. 또한, 하나의 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)과, 다른 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)에서, 연삭 후의 판 두께 분포가 균일하게 된다. 또한, 제 1 가공구(64)의 마모 등에 의해 판 두께 분포가 불균일하게 되었다 하더라도, 원래 균일했으므로, 경사 각도의 보정이 용이하다.
마찬가지로, 제 2 기판 척(62A, 62B)은, 상기한 바와 같이, 제 1 가공 유닛(63)이 아닌, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭된 기판 유지면을 포함한다. 제 2 기판 척(62A, 62B)과, 제 2 기판 척(62A, 62B)으로 유지되는 기판(10)은, 동일한 제 2 가공 유닛(67)으로 연삭된다. 그 때문에, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도가 상기 기준값이면, 제 2 가공 유닛(67)에 의한 연삭 후에 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포가 균일하게 되기 쉽다. 판 두께 분포는, 하나의 기판(10) 내에서도 균일하게 되고, 복수의 기판(10) 간에서도 균일하게 된다. 또한, 하나의 제 2 기판 척(62A)으로 유지된 기판(10)과, 다른 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)에서, 연삭 후의 판 두께 분포가 균일하게 된다. 또한, 제 2 가공구의 마모 등에 의해 판 두께 분포가 불균일하게 되었다 하더라도, 원래 균일했으므로, 경사 각도의 보정이 용이하다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 기판 가공 장치(56)는, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭된 기판(10)의 판 두께를, 기판(10)의 직경 방향 복수 점에서 측정하는 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)를 가진다. 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)는 비접촉식의 레이저 센서 등의 제 1 판 두께 검출기(751A)를 포함하고, 제 1 판 두께 검출기(751A)가 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭된 기판(10)의 판 두께를 검출한다. 제 1 판 두께 검출기(751A)는, 예를 들면 기판(10)의 상면에서 반사된 광과 기판(10)의 하면에서 반사된 광과의 위상차로부터, 기판(10)의 판 두께를 검출한다.
제 1 판 두께 분포 측정부(75A)는 제 1 선회 암(752A)을 포함하고, 제 1 선회 암(752A)은 그 기단을 중심으로 선회하여, 선단으로 제 1 판 두께 검출기(751A)를 유지한다. 제 1 선회 암(752A)을 선회시키면, 기판(10)의 직경 방향 복수 점에서 판 두께를 측정할 수 있다. 또한, 제 1 선회 암(752A)은, 그 긴 방향으로 간격을 두고 복수의 제 1 판 두께 검출기(751A)를 유지해도 된다. 또한, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)는, 제 1 선회 암(752A) 대신에, 가이드 레일을 따라 이동하는 슬라이더를 포함해도 되고, 슬라이더가 제 1 판 두께 검출기(751A)를 유지해도 된다.
마찬가지로, 기판 가공 장치(56)는, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭된 기판(10)의 판 두께를, 기판(10)의 직경 방향 복수 점에서 측정하는 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)를 가진다. 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)는, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)와 동일하므로, 설명을 생략한다.
제어 장치(9)는, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)로 측정한 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정하는 제 1 경사 각도 보정부(95)를 포함한다. 제 1 경사 각도 보정부(95)는, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 가공된 기판(10)의 판 두께 분포에 기초하여, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정하므로, 차회 이후의 판 두께 분포를 균일하게 할 수 있다. 또한, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)에 의해 측정한 판 두께 분포가 허용 범위 내이면, 경사 각도의 보정은 행해지지 않는다.
제 1 기판 척(61A)의 자전축(R2)의 경사 각도는, 제 1 기판 척(61A)으로 유지되고 또한 제 1 가공 유닛(63)에 의해 가공된 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여 보정되고, 그 판 두께 분포가 차회 이후 균일하게 되도록 보정된다. 마찬가지로, 제 1 기판 척(61B)의 자전축(R2)의 경사 각도는, 제 1 기판 척(61B)으로 유지되고 또한 제 1 가공 유닛(63)에 의해 가공된 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여 보정되고, 그 판 두께 분포가 차회 이후 균일하게 되도록 보정된다.
또한, 제어 장치(9)는, 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)로 측정한 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정하는 제 2 경사 각도 보정부(96)를 포함한다. 제 2 경사 각도 보정부(96)는, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 가공된 기판(10)의 판 두께 분포에 기초하여, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정하므로, 차회 이후의 판 두께 분포를 균일하게 할 수 있다. 또한, 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)에 의해 측정한 판 두께 분포가 허용 범위 내이면, 경사 각도의 보정은 행해지지 않는다.
제 2 기판 척(62A)의 자전축(R2)의 경사 각도는, 제 2 기판 척(62A)으로 유지되고 또한 제 2 가공 유닛(67)에 의해 가공된 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여 보정되고, 그 판 두께 분포가 차회 이후 균일하게 되도록 보정된다. 마찬가지로, 제 2 기판 척(62B)의 자전축(R2)의 경사 각도는, 제 2 기판 척(62B)으로 유지되고 또한 제 2 가공 유닛(67)에 의해 가공된 기판(10)의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여 보정되고, 그 판 두께 분포가 차회 이후 균일하게 되도록 보정된다.
기판 가공 장치(56)는, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭된 기판(10)을 세정하는 제 1 기판 세정부(76A)를 가진다. 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)로 판 두께를 측정하기 전에 기판(10)의 오염을 제거할 수 있어, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 연삭 찌꺼기가 기판(10)과 함께 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출되는 것을 억제할 수 있다. 제 1 기판 세정부(76A)는, 세정액을 토출하는 노즐을 가진다. 노즐은, 기판(10)의 직경 방향 외측으로부터, 기판(10)의 직경 방향 내방을 향해 세정액을 토출한다. 세정액으로서는, 예를 들면 DIW(탈이온수) 등이 이용된다. 제 1 기판 척(61A, 61B)과 함께 기판(10)을 회전시키면서, 노즐로부터 기판(10)에 세정액을 공급함으로써, 기판(10)의 상면 전체가 세정된다. 노즐은, 세정액과 기체를 혼합하여 토출하는 이유체 노즐이어도 된다.
마찬가지로, 기판 가공 장치(56)는, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭된 기판(10)을 세정하는 제 2 기판 세정부(76B)를 가진다. 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)로 판 두께를 측정하기 전에 기판(10)의 오염을 제거할 수 있어, 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 연삭 찌꺼기가 기판(10)과 함께 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출되는 것을 억제할 수 있다. 제 2 기판 세정부(76B)는, 제 1 기판 세정부(76A)와 동일하므로, 설명을 생략한다.
기판 가공 장치(56)는, 제 1 가공 유닛(63)에 의해 연삭된 기판(10)의 반출 후에, 제 1 기판 척(61A, 61B)을 세정하는 제 1 기판 척 세정부(77A)를 가진다. 제 1 기판 척 세정부(77A)는, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 기판 유지면(611)을 세정한다. 새로운 기판(10)이 기판 유지면(611)에 배치될 시에, 연삭 찌꺼기가 말려 들어가는 것을 억제할 수 있다. 제 1 기판 척 세정부(77A)는, 기판 유지면(611)을 문질러 씻는 디스크 브러시(771A)와, 디스크 브러시(771A)를 이동시키는 미도시의 구동부를 포함한다. 또한, 디스크 브러시 대신에, 롤 브러시가 이용되어도 된다. 또한, 브러시 대신에, 스펀지 등이 이용되어도 된다.
마찬가지로, 기판 가공 장치(56)는, 제 2 가공 유닛(67)에 의해 연삭된 기판(10)의 반출 후에, 제 2 기판 척(62A, 62B)을 세정하는 제 2 기판 척 세정부(77B)를 가진다. 새로운 기판(10)이 기판 유지면에 배치될 시에, 연삭 찌꺼기가 말려 들어가는 것을 억제할 수 있다. 제 2 기판 척 세정부(77B)는, 제 1 기판 척 세정부(77A)와 동일하므로, 설명을 생략한다.
도 9a 및 도 9b에 나타내는 바와 같이, 회전 테이블(60)의 회전축(R1)의 둘레에, 제 1 위치(A1)와, 제 2 위치(A2)와, 제 3 위치(A3)와, 제 4 위치(A4)가 이 순서로 배치된다. 회전 테이블(60)이 180° 회전할 때마다, 한 쌍의 제 1 기판 척(61A, 61B)은 제 1 위치(A1)와 제 3 위치(A3)에 교호로 위치한다. 또한, 회전 테이블(60)이 180° 회전할 때마다, 한 쌍의 제 2 기판 척(62A, 62B)은 제 2 위치(A2)와 제 4 위치(A4)에 교호로 위치한다.
먼저, 도 9a 및 도 9b를 참조하여, 하나의 기판(10)의 반입반출과 연삭에 대하여 설명한다. 여기서는, 설명의 간략화를 위하여, 기판(10)의 세정, 기판(10)의 판 두께 측정, 경사 각도의 보정, 기판 척의 세정에 대해서는 설명을 생략한다.
기판(10)은, 먼저, 예를 들면 도 9a에 나타내는 제 1 위치(A1)에서, 제 3 반송 장치(51)로부터 제 1 기판 척(61A)으로 전달되고, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 하여 제 1 기판 척(61A)에 유지된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 9a에 나타내는 상태로부터 도 9b에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 1 기판 척(61A)과 함께 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로 이동한다.
이어서, 기판(10)은, 제 3 위치(A3)에서 제 1 가공 유닛(63)에 의해 가공된다. 기판(10)의 상면인 제 1 주표면(11)이 가공된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 9b에 나타내는 상태로부터 도 9a에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 1 기판 척(61A)과 함께 제 3 위치(A3)로부터 제 1 위치(A1)로 이동한다.
이 후, 기판(10)은, 제 1 위치(A1)에서, 제 1 기판 척(61A)으로부터 제 3 반송 장치(51)로 전달되고, 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출된다. 이어서, 기판(10)은, 기판 가공 장치(56)의 외부에서 상하 반전되고, 제 3 반송 장치(51)에 의해 다시 기판 가공 장치(56)의 내부로 반입된다.
이어서, 기판(10)은, 예를 들면 도 9a에 나타내는 제 4 위치(A4)에서, 제 3 반송 장치(51)로부터 제 2 기판 척(62A)으로 전달되고, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 하여 제 2 기판 척(62A)에 유지된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 9a에 나타내는 상태로부터 도 9b에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 2 기판 척(62A)과 함께 제 4 위치(A4)로부터 제 2 위치(A2)로 이동한다.
이어서, 기판(10)은, 제 2 위치(A2)에서 제 2 가공 유닛(67)에 의해 가공된다. 기판(10)의 상면인 제 2 주표면(12)이 가공된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 9b에 나타내는 상태로부터 도 9a에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 2 기판 척(62A)과 함께 제 2 위치(A2)로부터 제 4 위치(A4)로 이동한다.
이 후, 기판(10)은, 제 4 위치(A4)에서, 제 2 기판 척(62A)으로부터 제 3 반송 장치(51)로 전달되고, 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출된다.
이어서, 도 10을 참조하여, 제 1 위치(A1), 제 2 위치(A2), 제 3 위치(A3) 및 제 4 위치(A4)에서 행해지는 처리에 대하여 설명한다. 제 1 위치(A1)에서는, 제 3 반송 장치(51)에 의한 기판(10)의 반출과 반입이 행해지고, 제 1 기판 척(61A, 61B)에 대한 기판(10)의 착탈이 행해진다. 또한, 제 1 위치(A1)에서는, 제 1 기판 세정부(76A)에 의한 기판(10)의 세정과, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)에 의한 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 1 경사 각도 보정부(95)에 의한 경사 각도의 보정이 행해진다. 또한, 제 1 위치(A1)에서는, 제 1 기판 척 세정부(77A)에 의한 제 1 기판 척(61A, 61B)의 세정이 행해진다. 이들 처리의 순서는, 도 10에 나타내는 순서에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 경사 각도의 보정은, 기판(10)의 판 두께 측정의 후에 행해지면 되며, 기판(10)의 반출 후에 행해져도 된다. 후자의 경우, 경사 각도의 보정은, 예를 들면, 새로운 기판(10)의 반입 후, 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로의 회전 테이블(60)의 회전 중에 행해져도 된다. 또한, 경사 각도의 보정은, 후술하는 바와 같이 제 3 위치(A3)에서 행해져도 된다. 단, 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)에 의해 측정된 판 두께 분포가 허용 범위 내인 경우, 경사 각도의 보정은 행해지지 않는다.
제 2 위치(A2)에서는, 제 2 가공 유닛(67)에 의한 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 도 10에서는 제 4 위치(A4)에서 행해지지만, 제 2 위치(A2)에서 행해져도 되고, 후자의 경우, 제 2 주표면(12)의 연삭의 전에 행해진다.
제 3 위치(A3)에서는, 제 1 가공 유닛(63)에 의한 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 도 10에서는 제 1 위치(A1)에서 행해지지만, 제 3 위치(A3)에서 행해져도 되고, 후자의 경우, 제 1 주표면(11)의 연삭의 전에 행해진다.
제 4 위치(A4)에서는, 제 3 반송 장치(51)에 의한 기판(10)의 반출과 반입이 행해지고, 제 2 기판 척(62A, 62B)에 대한 기판(10)의 착탈이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 제 2 기판 세정부(76B)에 의한 기판(10)의 세정과, 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)에 의한 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 2 경사 각도 보정부(96)에 의한 경사 각도의 보정이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 제 2 기판 척 세정부(77B)에 의한 제 2 기판 척(62A, 62B)의 세정이 행해진다. 이들 처리의 순서는, 도 10에 나타내는 순서에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 경사 각도의 보정은, 기판(10)의 판 두께 측정의 후에 행해지면 되며, 기판(10)의 반출 후에 행해져도 된다. 후자의 경우, 경사 각도의 보정은, 예를 들면, 새로운 기판(10)의 반입 후, 제 4 위치(A4)로부터 제 2 위치(A2)로의 회전 테이블(60)의 회전 중에 행해져도 된다. 또한, 경사 각도의 보정은, 전술한 바와 같이 제 2 위치(A2)에서 행해져도 된다. 단, 제 2 판 두께 분포 측정부(75B)에 의해 측정된 판 두께 분포가 허용 범위 내인 경우, 경사 각도의 보정은 행해지지 않는다.
마지막으로, 도 11을 참조하여, 도 10의 시각(t1)부터 시각(t2)까지의 사이에, 제 1 기판 척(61A)으로 행해지는 처리를 중심으로 설명한다. 도 10의 시각(t1)에서는 회전 테이블(60)의 상태는 도 9a의 상태이다. 도 11에 나타내는 처리는, 제어 장치(9)에 의한 제어 하에서 실시된다. 또한, 다른 제 1 기판 척(61B)으로 행해지는 처리, 및 제 2 기판 척(62A, 62B)으로 행해지는 처리는, 도 11과 동일하므로 도시를 생략한다.
먼저, 제 3 반송 장치(51)가 기판(10)을 반입하고(S201), 제 1 기판 척(61A)이 기판(10)을 수취한다. 그 동안, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 3 위치(A3)에서는, 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 반입이 행해진다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 9a의 상태로부터 도 9a에 화살표로 나타내는 바와 같이 180° 회전된다(S202). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 9b의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 3 위치(A3)로부터 제 1 위치(A1)로 이동한다. 또한, 제 2 기판 척(62A)이 제 4 위치(A4)로부터 제 2 위치(A2)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 2 위치(A2)로부터 제 4 위치(A4)로 이동한다.
이어서, 제 1 가공 유닛(63)이, 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 연삭한다(S203). 이 연삭은, 제 3 위치(A3)에서 행해진다. 그 동안, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 1 위치(A1)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 1 기판 척(61B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정과, 기판(10)의 반출과, 제 1 기판 척(61B)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다. 또한, 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62A)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 2 기판 척(62B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정과, 기판(10)의 반출과, 제 2 기판 척(62B)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 9b의 상태로부터 도 9b에 나타내는 화살표로 나타내는 바와 같이 180° 회전된다(S204). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 9a의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 3 위치(A3)로부터 제 1 위치(A1)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로 이동한다. 또한, 제 2 기판 척(62A)이 제 2 위치(A2)로부터 제 4 위치(A4)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 4 위치(A4)로부터 제 2 위치(A2)로 이동한다.
이어서, 제 1 기판 세정부(76A)가 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)을 세정하고(S205), 제 1 판 두께 분포 측정부(75A)가 기판(10)의 판 두께를 측정하고(S206), 제 1 경사 각도 보정부(95)가 제 1 기판 척(61A)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정한다(S207). 또한, 제 3 반송 장치(51)가 제 1 기판 척(61A)으로부터 기판(10)을 수취하여, 반출하고(S208), 제 1 기판 척 세정부(77A)가 제 1 기판 척(61A)을 세정한다(S209). 이 후, 도 11에 나타내는 S201 이후의 처리가 다시 실시된다.
상기의 S205 ~ S209 및 S201가 제 1 위치(A1)에서 행해지는 동안, 제 2 위치(A2), 제 3 위치(A3) 및 제 4 위치(A4)에서는, 하기의 처리가 실시된다. 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 3 위치(A3)에서는, 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 2 기판 척(62A)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정과, 기판(10)의 반출과, 제 2 기판 척(62A)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다.
도 12는 변형예에 따른 기판 가공 장치를 나타내는 평면도이다. 이하, 본 변형예의 기판 가공 장치(56)와, 상기 실시 형태의 기판 가공 장치(56)의 상이점에 대하여 주로 설명한다. 본 변형예에서는, 도 13a, 도 13b, 도 13c 및 도 13d에 나타내는 바와 같이, 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)은, 각각, 제 1 위치(A1), 제 2 위치(A2), 제 3 위치(A3) 및 제 4 위치(A4)로 이 순서로 이동하고, 또한 제 4 위치(A4)로부터 제 1 위치(A1)로 돌아온다.
본 변형예에 따르면, 모든 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)이, 동일한 위치를 동일한 순서로 통과한다. 그 때문에, 특정의 위치, 예를 들면 제 4 위치(A4)에서, 모든 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)으로 유지된 기판(10)의 판 두께를 측정할 수 있어, 판 두께 분포 측정부(75)의 수를 저감시킬 수 있다. 또한, 특정의 위치, 예를 들면 제 4 위치에서, 모든 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)으로 유지된 기판(10)을 세정할 수 있어, 기판 세정부(76)의 수를 저감시킬 수 있다. 또한, 특정의 위치, 예를 들면 제 1 위치(A1)에서, 모든 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)을 세정할 수 있어, 기판 척 세정부(77)의 수를 저감시킬 수 있다.
먼저, 도 13a, 도 13b, 도 13c 및 도 13d를 참조하여, 하나의 기판(10)의 반입반출과 연삭에 대하여 설명한다. 여기서는, 설명의 간략화를 위하여, 기판(10)의 세정, 기판(10)의 판 두께 측정, 경사 각도의 보정, 기판 척의 세정에 대해서는 설명을 생략한다.
기판(10)은, 먼저, 예를 들면 도 13a에 나타내는 제 1 위치(A1)에서, 제 3 반송 장치(51)로부터 제 1 기판 척(61A)으로 전달되고, 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 하여 제 1 기판 척(61A)에 유지된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 13a에 나타내는 상태로부터 도 13b에 나타내는 상태를 거쳐 도 13c에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 1 기판 척(61A)과 함께 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로 이동한다.
이어서, 기판(10)은, 제 3 위치(A3)에서 제 1 가공 유닛(63)에 의해 가공된다. 기판(10)의 상면인 제 1 주표면(11)이 가공된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 13c에 나타내는 상태로부터 도 13d에 나타내는 상태를 거쳐 도 13a에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 1 기판 척(61A)과 함께 제 3 위치(A3)로부터 제 1 위치(A1)로 이동한다.
이 후, 기판(10)은, 제 1 위치(A1)에서, 제 1 기판 척(61A)으로부터 제 3 반송 장치(51)로 전달되어, 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출된다. 이어서, 기판(10)은, 기판 가공 장치(56)의 외부에서 상하 반전되어, 제 3 반송 장치(51)에 의해 다시 기판 가공 장치(56)의 내부로 반입된다.
이어서, 기판(10)은, 예를 들면 도 13b에 나타내는 제 1 위치(A1)에서, 제 3 반송 장치(51)로부터 제 2 기판 척(62A)으로 전달되고, 기판(10)의 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 하여 제 2 기판 척(62A)에 유지된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 13b에 나타내는 상태로부터 도 13c에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 2 기판 척(62A)과 함께 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로 이동한다.
이어서, 기판(10)은, 제 2 위치(A2)에서 제 2 가공 유닛(67)에 의해 가공된다. 기판(10)의 상면인 제 2 주표면(12)이 가공된다. 이 후, 회전 테이블(60)이 도 13c에 나타내는 상태로부터 도 13d에 나타내는 상태, 도 13a에 나타내는 상태를 거쳐 도 13b에 나타내는 상태까지 회전하고, 기판(10)이 제 2 기판 척(62A)과 함께 제 2 위치(A2)로부터 제 1 위치(A1)로 이동한다.
이 후, 기판(10)은, 제 1 위치(A1)에서, 제 2 기판 척(62A)으로부터 제 3 반송 장치(51)로 전달되고, 기판 가공 장치(56)의 외부로 반출된다.
이어서, 도 14를 참조하여, 제 1 위치(A1), 제 2 위치(A2), 제 3 위치(A3) 및 제 4 위치(A4)에서 행해지는 처리에 대하여 설명한다. 제 1 위치(A1)에서는, 제 3 반송 장치(51)에 의한 기판(10)의 반출과 반입이 행해지고, 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)에 대한 기판(10)의 착탈이 행해진다. 또한, 제 1 위치(A1)에서는, 기판 척 세정부(77)에 의한 기판 척(61A, 61B, 62A, 62B)의 세정이 행해진다.
제 2 위치(A2)에서는, 제 2 가공 유닛(67)에 의한 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 도 14에서는 제 4 위치(A4)에서 행해지지만, 제 2 위치(A2)에서 행해져도 되고, 후자의 경우, 제 2 주표면(12)의 연삭의 전에 행해진다. 또한, 제 2 기판 척(62A, 62B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 예를 들면, 새로운 기판(10)의 반입 후, 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로의 회전 테이블(60)의 회전 중에 행해져도 된다.
제 3 위치(A3)에서는, 제 1 가공 유닛(63)에 의한 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 도 14에서는 제 4 위치(A4)에서 행해지지만, 제 3 위치(A3)에서 행해져도 되고, 후자의 경우, 제 1 주표면(11)의 연삭의 전에 행해진다. 또한, 제 1 기판 척(61A, 61B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정은, 예를 들면, 새로운 기판(10)의 반입 후, 제 1 위치(A1)로부터 제 3 위치(A3)로의 회전 테이블(60)의 회전 중에 행해져도 된다.
제 4 위치(A4)에서는, 기판의 착탈 및 기판의 가공이 행해지지 않는다. 제 4 위치(A4)에서는, 기판 세정부(76)에 의한 기판(10)의 세정과, 판 두께 분포 측정부(75)에 의한 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 1 경사 각도 보정부(95) 및 제 2 경사 각도 보정부(96)에 의한 경사 각도의 보정이 행해진다.
또한 경사 각도의 보정은, 기판(10)의 판 두께 측정의 후에 행해지면 되고, 전술한 바와 같이 제 1 위치(A1), 제 2 위치(A2) 또는 제 3 위치(A3)에서 행해져도 된다. 단, 판 두께 분포 측정부(75)에 의해 측정된 판 두께 분포가 허용 범위 내인 경우, 경사 각도의 보정은 행해지지 않는다.
마지막으로, 도 15를 참조하여, 도 14의 시각(t1)부터 시각(t2)까지의 사이에, 제 1 기판 척(61A)으로 행해지는 처리를 중심으로 설명한다. 도 14의 시각(t1)에서는 회전 테이블(60)의 상태는 도 13a의 상태이다. 도 15에 나타내는 처리는, 제어 장치(9)에 의한 제어 하에서 실시된다. 또한, 다른 제 1 기판 척(61B)에서 행해지는 처리, 및 제 2 기판 척(62A, 62B)에서 행해지는 처리는, 도 15와 동일하므로 도시를 생략한다.
먼저, 제 3 반송 장치(51)가 기판(10)을 반입하고(S301), 제 1 기판 척(61A)이 기판(10)을 수취한다. 그 동안, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 3 위치(A3)에서는, 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 제 2 기판 척(62A)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정이 행해진다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 13a의 상태로부터 도 13a에 화살표로 나타내는 바와 같이 90° 회전된다(S302). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 13b의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 2 위치(A2)로부터 제 3 위치(A3)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 3 위치(A3)로부터 제 4 위치(A4)로 이동하고, 제 2 기판 척(62A)이 제 4 위치로부터 제 1 위치(A1)로 이동한다.
이어서, 제 1 기판 척(61A)이 제 2 위치(A2)에서 대기한다(S303). 제 2 위치(A2)에서는, 기판(10)의 상면이 제 1 주표면(11)이므로, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해지지 않는다. 마찬가지로, 제 3 위치(A3)에서는, 기판(10)의 상면이 제 2 주표면(12)이므로, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해지지 않는다. 그 동안, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 1 위치(A1)에서는, 기판(10)의 반출과, 제 2 기판 척(62A)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 1 기판 척(61B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정이 행해진다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 13b의 상태로부터 도 13b에 화살표로 나타내는 바와 같이 90° 회전된다(S304). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 13c의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 2 위치(A2)로부터 제 3 위치(A3)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 3 위치(A3)로부터 제 4 위치(A4)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 4 위치(A4)로부터 제 1 위치(A1)로 이동하고, 제 2 기판 척(62A)가 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로 이동한다.
이어서, 제 1 가공 유닛(63)이, 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)을 연삭한다(S305). 이 연삭은, 제 3 위치(A3)에서 행해진다. 그 동안, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 1 위치(A1)에서는, 기판(10)의 반출과, 제 1 기판 척(61B)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다. 또한, 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62A)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 2 기판 척(62B)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정이 행해진다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 13c의 상태로부터 도 13c에 화살표로 나타내는 바와 같이 90° 회전된다(S306). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 13d의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 3 위치(A3)로부터 제 4 위치(A4)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 4 위치(A4)로부터 제 1 위치(A1)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로 이동하고, 제 2 기판 척(62A)가 제 2 위치(A2)로부터 제 3 위치(A3)로 이동한다.
이어서, 기판 세정부(76)가 제 1 기판 척(61A)으로 유지된 기판(10)을 세정하고(S307), 판 두께 분포 측정부(75)가 기판(10)의 판 두께를 측정하고(S308), 제 1 경사 각도 보정부(95)가 제 1 기판 척(61A)의 자전축(R2)의 경사 각도를 보정한다(S309). S307 ~ S309는, 제 4 위치(A4)에서 행해진다. 그 동안, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 1 위치(A1)에서는, 기판(10)의 반출과, 제 2 기판 척(62B)의 세정과, 기판(10)의 반입이 행해진다. 또한, 제 2 위치(A2)에서는, 기판(10)의 상면이 제 1 주표면(11)이므로, 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해지지 않는다. 마찬가지로, 제 3 위치(A3)에서는, 기판(10)의 상면이 제 2 주표면(12)이므로, 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해지지 않는다.
이어서, 회전 테이블(60)이, 도 13d의 상태로부터 도 13d에 화살표로 나타내는 바와 같이 270° 회전된다(S310). 그 결과, 회전 테이블(60)은 도 13a의 상태가 된다. 제 1 기판 척(61A)이 제 4 위치(A4)로부터 제 1 위치(A1)로 이동하고, 제 2 기판 척(62B)이 제 1 위치(A1)로부터 제 2 위치(A2)로 이동하고, 제 1 기판 척(61B)이 제 2 위치(A2)로부터 제 3 위치(A3)로 이동하고, 제 2 기판 척(62A)이 제 3 위치(A3)로부터 제 4 위치(A4)로 이동한다.
이어서, 제 3 반송 장치(51)가 제 1 기판 척(61A)으로부터 기판(10)을 수취하여, 반출하고(S311), 기판 척 세정부(77)가 제 1 기판 척(61A)을 세정한다(S312). 이 후, 도 15에 나타내는 S301 이후의 처리가 다시 실시된다.
상기의 S311 ~ S312 및 S301가 제 1 위치(A1)에서 행해지는 동안, 제 2 위치(A2), 제 3 위치(A3) 및 제 4 위치(A4)에서는, 하기의 처리가 실시된다. 제 2 위치(A2)에서는, 제 2 기판 척(62B)으로 유지된 기판(10)의 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 3 위치(A3)에서는, 제 1 기판 척(61B)으로 유지된 기판(10)의 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해진다. 또한, 제 4 위치(A4)에서는, 기판(10)의 세정과, 기판(10)의 판 두께 측정과, 제 2 기판 척(62A)의 자전축(R2)의 경사 각도의 보정이 행해진다.
또한 정상 시에는, 상기한 바와 같이, 제 1 주표면(11)의 연삭과 제 2 주표면(12)의 연삭이 동시에 행해지지만, 연속 운전 개시 시 등에는 제 1 주표면(11)의 연삭만이 행해지고, 연속 운전 종료 시 등에는 제 2 주표면(12)의 연삭만이 행해진다. 즉, 정상 시에는, 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한 기판(10)과 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한 기판(10)의 양방이 회전 테이블(60) 상에 설치되지만, 연속 운전 개시 시 등에는 제 1 주표면(11)을 위로 향하게 한 기판(10)만이 회전 테이블(60) 상에 설치되고, 연속 운전 종료 시 등에는 제 2 주표면(12)을 위로 향하게 한 기판(10)만이 회전 테이블 상에 설치된다.
또한 본 변형예에서는 제 2 위치(A2)에서 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해지고, 제 3 위치(A3)에서 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해지지만, 제 2 위치(A2)에서 제 1 주표면(11)의 연삭이 행해지고, 제 3 위치에서 제 2 주표면(12)의 연삭이 행해져도 된다.
이상, 본 개시에 따른 기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되지 않는다. 특허 청구의 범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종의 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제 및 조합이 가능하다. 그들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
기판(10)은, 실리콘 웨이퍼에는 한정되지 않는다. 기판(10)은, 예를 들면, 탄화규소 웨이퍼, 질화 갈륨 웨이퍼, 산화 갈륨 웨이퍼 등이어도 된다. 또한, 기판(10)은, 글라스 기판이어도 된다.
기판 처리 시스템(1)은, 본 실시 형태에서는 하나의 기판(10)의 제 1 주표면(11)과 제 2 주표면(12)의 양방을 연삭하지만, 하나의 기판(10)의 제 1 주표면(11)만을 연삭하고, 또한 다른 기판(10)의 제 2 주표면(12)만을 연삭해도 된다. 후자의 경우, 제 1 반전 장치(34) 및 제 2 반전 장치(54)는 없어도 된다.
본 출원은 2019년 7월 17일에 일본 특허청에 출원한 특허출원 2019-132256호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 특허출원 2019-132256호의 모든 내용을 본 출원에 원용한다.
10 : 기판
11 : 제 1 주표면
12 : 제 2 주표면
60 : 회전 테이블
61A, 61B : 제 1 기판 척
62A, 62B : 제 2 기판 척
63 : 제 1 가공 유닛
64 : 제 1 가공구
65 : 제 1 가동부
66 : 제 1 승강부
67 : 제 2 가공 유닛
69 : 제 2 가동부
70 : 제 2 승강부

Claims (18)

  1. 기판의 제 1 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 1 기판 척과,
    기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면을 위로 향하게 한 상태로 기판을 하방으로부터 유지하는 한 쌍의 제 2 기판 척과,
    연직인 회전축의 둘레에, 하나의 상기 제 1 기판 척, 하나의 상기 제 2 기판 척, 다른 상기 제 1 기판 척, 및 다른 상기 제 2 기판 척을 이 순으로 등간격으로 유지하고, 상기 회전축의 둘레로 회전하는 회전 테이블과,
    상기 제 1 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 1 주표면을 가공하는 제 1 가공구가 장착되는 제 1 가공 유닛과,
    상기 제 2 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 2 주표면을 가공하는 제 2 가공구가 장착되는 제 2 가공 유닛
    을 가지는, 기판 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되는, 기판 가공 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척 및 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 기판의 착탈 및 기판의 가공이 행해지지 않는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되는, 기판 가공 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 척 및 상기 제 2 기판 척은, 각각의 자전축을 중심으로 자전 가능하게 상기 회전 테이블에 유지되고,
    상기 제 1 기판 척의 자전축의 경사 각도를 조정하는 제 1 경사 각도 조정부와,
    상기 제 2 기판 척의 자전축의 경사 각도를 조정하는 제 2 경사 각도 조정부
    를 가지는, 기판 가공 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 척은, 상기 제 1 가공 유닛에 의해 가공된 원추 형상의 기판 유지면을 포함하고,
    상기 제 2 기판 척은, 상기 제 2 가공 유닛에 의해 가공된 원추 형상의 기판 유지면을 포함하는, 기판 가공 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 가공 유닛으로 가공한 기판의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 상기 제 1 기판 척의 자전축의 경사 각도를 보정하는 제 1 경사 각도 보정부와,
    상기 제 2 가공 유닛으로 가공한 기판의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 상기 제 2 기판 척의 자전축의 경사 각도를 보정하는 제 2 경사 각도 보정부
    를 가지는, 기판 가공 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척에 대한 기판의 착탈과 상기 제 1 가공 유닛으로 가공한 기판의 판 두께 측정이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈과 상기 제 2 가공 유닛으로 가공한 기판의 판 두께 측정이 행해지는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되는, 기판 가공 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척 및 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 상기 제 1 가공 유닛으로 가공한 기판의 판 두께 측정 및 상기 제 2 가공 유닛으로 가공한 기판의 판 두께 측정을 하는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되는, 기판 가공 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 가공 장치와,
    상기 제 1 가공 유닛에 의한 가공 후로서 상기 제 2 가공 유닛에 의한 가공 전에, 상기 기판 가공 장치로부터 반출된 기판을 세정하는 세정 장치와,
    상기 세정 장치에 의한 세정 후로서 상기 기판 가공 장치로 되돌려지기 전의 기판을 보관하는 버퍼 장치
    를 구비하는 기판 처리 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 세정 장치에서 세정된 기판을 상하 반전하는 반전 장치와,
    상기 반전 장치에서 상하 반전된 기판의 중심을 검출하는 얼라이먼트 장치를 구비하고,
    상기 버퍼 장치는, 상기 세정 장치로부터 상기 반전 장치를 거쳐 상기 얼라이먼트 장치까지 반송되는 기판의 반송 경로의 도중에 마련되는, 기판 처리 시스템.
  11. 연직인 회전축의 둘레에 한 쌍의 제 1 기판 척 및 한 쌍의 제 2 기판 척을 등간격으로 유지하는 회전 테이블을, 상기 회전축의 둘레에 회전시키는 것과,
    상기 회전축을 중심으로 대칭으로 배치되는 한 쌍의 상기 제 1 기판 척으로, 기판의 제 1 주표면을 위로 향하게 하여 기판을 하방으로부터 유지하는 것과,
    상기 제 1 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 1 주표면을 제 1 가공 유닛으로 가공하는 것과,
    상기 회전축을 중심으로 대칭으로 배치되는 한 쌍의 제 2 기판 척으로, 기판의 제 1 주표면과는 반대측의 제 2 주표면을 위로 향하게 하여 기판을 하방으로부터 유지하는 것과,
    상기 제 2 기판 척으로 유지된 상태의 기판의 제 2 주표면을 제 2 가공 유닛으로 가공하는 것
    을 가지는, 기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되고,
    상기 회전 테이블을 회전하여, 한 쌍의 상기 제 1 기판 척의 각각을 상기 제 1 위치와 상기 제 3 위치로 교호로 이동시키고, 또한, 한 쌍의 상기 제 2 기판 척의 각각을 상기 제 2 위치와 상기 제 4 위치로 교호로 이동시키는 것을 가지는, 기판 처리 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 회전 테이블의 상기 회전축의 둘레에, 상기 제 1 기판 척 및 상기 제 2 기판 척에 대한 기판의 착탈이 행해지는 제 1 위치와, 상기 제 2 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 2 위치와, 상기 제 1 가공 유닛에 의한 기판의 가공이 행해지는 제 3 위치와, 기판의 착탈 및 기판의 가공이 행해지지 않는 제 4 위치가 이 순으로 등간격으로 배치되고,
    상기 회전 테이블을 회전하여, 한 쌍의 상기 제 1 기판 척 및 한 쌍의 상기 제 2 기판 척의 각각을, 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치, 상기 제 3 위치 및 상기 제 4 위치로 이 순으로 이동시키고, 또한 상기 제 4 위치로부터 상기 제 1 위치로 되돌리는 것을 가지는, 기판 처리 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 척 및 상기 제 2 기판 척은, 각각의 자전축을 중심으로 자전 가능하게 상기 회전 테이블에 유지되고,
    상기 제 1 기판 척의 자전축의 경사 각도를 조정하고, 또한, 상기 제 2 기판 척의 자전축의 경사 각도를 조정하는 것을 가지는, 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 척의 상기 제 1 가공 유닛에 의해 가공된 원추 형상의 기판 유지면으로, 기판을 하방으로부터 유지하는 것과,
    상기 제 2 기판 척의 상기 제 2 가공 유닛에 의해 가공된 원추 형상의 기판 유지면으로, 기판을 하방으로부터 유지하는 것
    을 가지는, 기판 처리 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 가공 유닛으로 가공한 기판의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 상기 제 1 기판 척의 자전축의 경사 각도를 보정하는 것과,
    상기 제 2 가공 유닛으로 가공한 기판의 직경 방향에 있어서의 판 두께 분포에 기초하여, 상기 제 2 기판 척의 자전축의 경사 각도를 보정하는 것
    을 가지는, 기판 처리 방법.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 가공 유닛에 의한 가공 후로서 상기 제 2 가공 유닛에 의한 가공 전에, 상기 제 1 기판 척으로부터 떼어낸 기판을 세정하는 것과,
    상기 세정한 기판을, 상기 제 2 기판 척에 장착하기 전에 버퍼 장치에서 보관하는 것
    을 가지는, 기판 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 세정한 기판을 상하 반전하는 것과,
    상기 상하 반전한 기판의 중심을 검출하는 것
    을 가지고,
    상기 세정한 기판을 상기 버퍼 장치에서 보관하는 것은, 상기 상하 반전한 기판의 중심을 검출하는 것의 전에 행해지는, 기판 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102672300B1 (ko) * 2023-12-04 2024-06-05 주식회사 스맥 반도체 웨이퍼 폴리싱 및 클리닝 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210001493A (ko) * 2019-06-28 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 설비
CN114248125B (zh) * 2022-03-02 2022-04-29 冈田精机(常州)有限公司 分离式交换工作台
CN114589553B (zh) * 2022-03-11 2022-12-20 浙江芯晖装备技术有限公司 一种应用于硬脆薄片材料的双面减薄工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008264913A (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削加工装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61297072A (ja) * 1985-06-26 1986-12-27 Nisshin Kogyo Kk ウエ−ハ自動平面研削盤のアンロ−ダ装置
JPH08330260A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Tokyo Electron Ltd 研磨方法及びその装置
US20020013122A1 (en) * 1999-12-22 2002-01-31 Nikon Corporation Process and apparatus for chemimechanically polishing a substrate
WO2003011523A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Multiport polishing fluid delivery system
JP5335245B2 (ja) * 2008-01-09 2013-11-06 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法および研削加工装置
JP5731158B2 (ja) * 2010-09-30 2015-06-10 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016047561A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 株式会社ディスコ 研削装置
JP6425639B2 (ja) * 2015-04-08 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
CN105415146B (zh) * 2015-12-01 2019-06-11 北京中电科电子装备有限公司 一种分度回转工作台及分度回转工作台系统
JP6858539B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-14 株式会社ディスコ 研削装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008264913A (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削加工装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102672300B1 (ko) * 2023-12-04 2024-06-05 주식회사 스맥 반도체 웨이퍼 폴리싱 및 클리닝 장치

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