JP3006322B2 - ウエーハ面取部研磨装置 - Google Patents
ウエーハ面取部研磨装置Info
- Publication number
- JP3006322B2 JP3006322B2 JP4317041A JP31704192A JP3006322B2 JP 3006322 B2 JP3006322 B2 JP 3006322B2 JP 4317041 A JP4317041 A JP 4317041A JP 31704192 A JP31704192 A JP 31704192A JP 3006322 B2 JP3006322 B2 JP 3006322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- buff
- pressure
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハ（以
下、単にウエーハと略称す）の面取部を研磨するための
研磨装置に関する。
下、単にウエーハと略称す）の面取部を研磨するための
研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に従来の研磨装置の基本構成を平面
図にて示す。同図において、１０１はその中間部を支軸
１０２にて回動自在に枢着されたアームであって、該ア
ーム１０１の一端には円柱状の研磨用バフ１０３が回転
自在に軸支されている。
図にて示す。同図において、１０１はその中間部を支軸
１０２にて回動自在に枢着されたアームであって、該ア
ーム１０１の一端には円柱状の研磨用バフ１０３が回転
自在に軸支されている。
【０００３】又、上記アーム１０１の他端側には押圧手
段であるエアシリンダ１０９が設置されており、前記バ
フ１０３の近傍には、ウエーハＷがウエーハ吸着盤１１
０に吸着されてセットされている。
段であるエアシリンダ１０９が設置されており、前記バ
フ１０３の近傍には、ウエーハＷがウエーハ吸着盤１１
０に吸着されてセットされている。
【０００４】而して、前記バフ１０３を不図示の駆動手
段によって図示矢印方向に高速で回転させながら、前記
アーム１０１の他端をエアシリンダ１０９によって力Ｆ
で矢印方向に押圧すれば、バフ１０３は、図示矢印方向
に低速で回転しているウエーハＷの面取部に接触圧力σ
で押圧され、ウエーハＷの面取部がバフ１０３によって
研磨される。
段によって図示矢印方向に高速で回転させながら、前記
アーム１０１の他端をエアシリンダ１０９によって力Ｆ
で矢印方向に押圧すれば、バフ１０３は、図示矢印方向
に低速で回転しているウエーハＷの面取部に接触圧力σ
で押圧され、ウエーハＷの面取部がバフ１０３によって
研磨される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエーハＷ
の外周の一部には、図５に詳細に示すように、オリエン
テーション・フラット部（以下、オリフラ部と略称す）
Ｗ1 が形成されているため、研磨すべき面取部には、該
オリフラ部Ｗ1 と外周部Ｗ2 の他、これらオリフラ部Ｗ
1 と外周部Ｗ2 の境界部（以下、Ｒ部と称す）Ｗ3 が含
まれる。
の外周の一部には、図５に詳細に示すように、オリエン
テーション・フラット部（以下、オリフラ部と略称す）
Ｗ1 が形成されているため、研磨すべき面取部には、該
オリフラ部Ｗ1 と外周部Ｗ2 の他、これらオリフラ部Ｗ
1 と外周部Ｗ2 の境界部（以下、Ｒ部と称す）Ｗ3 が含
まれる。
【０００６】ところで、上記オリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ
2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率半径Ｒ1 （＝∞），Ｒ2 ，Ｒ3 はこ
の順に大きい（Ｒ1 ＞Ｒ2 ＞Ｒ3 ）ため、前述のように
アーム１０１の他端をエアシリンダ１０９によって一定
の力Ｆで押圧すれば、ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に発生する接触圧力σ1 ，σ2 ，σ
3 は曲率半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 が大きい程小さくなり、
これらの間にはσ1 ＜σ2 ＜σ3 なる大小関係が成立
し、特に曲率半径Ｒ3 の小さいＲ部Ｗ3 では過大な接触
圧力σ3 が発生し、ウエーハＷがバフ１０３に食い込ん
で正常な研磨が行なわれないという不具合が生じる。
2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率半径Ｒ1 （＝∞），Ｒ2 ，Ｒ3 はこ
の順に大きい（Ｒ1 ＞Ｒ2 ＞Ｒ3 ）ため、前述のように
アーム１０１の他端をエアシリンダ１０９によって一定
の力Ｆで押圧すれば、ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に発生する接触圧力σ1 ，σ2 ，σ
3 は曲率半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 が大きい程小さくなり、
これらの間にはσ1 ＜σ2 ＜σ3 なる大小関係が成立
し、特に曲率半径Ｒ3 の小さいＲ部Ｗ3 では過大な接触
圧力σ3 が発生し、ウエーハＷがバフ１０３に食い込ん
で正常な研磨が行なわれないという不具合が生じる。
【０００７】従って、Ｒ部Ｗ3 においてウエーハＷがバ
フ１０３に食い込まない程度に押圧力Ｆを小さくしなけ
ればならず、生産性の低下を免れない。又、オリフラ部
Ｗ1、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 で接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3
が異なるため、ウエーハＷの全周に亘って最適な仕上
精度を得ることができないという問題があった。
フ１０３に食い込まない程度に押圧力Ｆを小さくしなけ
ればならず、生産性の低下を免れない。又、オリフラ部
Ｗ1、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 で接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3
が異なるため、ウエーハＷの全周に亘って最適な仕上
精度を得ることができないという問題があった。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、ウエーハのバフへの食い込み
を防ぎつつ、ウエーハの全周に亘って最適な研磨精度を
得ることができるとともに、生産性の向上を図ることが
できるウエーハ面取部研磨装置を提供することにある。
で、その目的とする処は、ウエーハのバフへの食い込み
を防ぎつつ、ウエーハの全周に亘って最適な研磨精度を
得ることができるとともに、生産性の向上を図ることが
できるウエーハ面取部研磨装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、回転駆動されるバフと、ウエーハを吸着してこ
れを回転駆動するウエーハ吸着盤と、該ウエーハ吸着盤
に吸着されたウエーハと前記バフとを所定の押圧力で押
圧する押圧手段を含んで構成されるウエーハ面取部研磨
装置において、前記ウエーハの研磨位置がオリフラ部、
外周部又はＲ部の何れであるかを検知する検知手段と、
該検知手段による検知結果に基づいて前記押圧手段によ
る押圧力を変化させる制御手段とを設けて成り、該制御
手段は、前記ウエーハのオリフラ部、外周部、Ｒ部を研
磨するときの前記押圧手段による押圧力をそれぞれ
Ｆ １ ，Ｆ ２ ，Ｆ ３ とし、これらの押圧力によるオリフラ
部、外周部、Ｒ部に対する前記バフの接触圧力をσ １ ，
σ ２ ，σ ３ とするとき、 Ｆ １ ＞Ｆ ２ ＞Ｆ ３ とすることに
より、σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ となるように制御するものであ
ることを特徴とする。
発明は、回転駆動されるバフと、ウエーハを吸着してこ
れを回転駆動するウエーハ吸着盤と、該ウエーハ吸着盤
に吸着されたウエーハと前記バフとを所定の押圧力で押
圧する押圧手段を含んで構成されるウエーハ面取部研磨
装置において、前記ウエーハの研磨位置がオリフラ部、
外周部又はＲ部の何れであるかを検知する検知手段と、
該検知手段による検知結果に基づいて前記押圧手段によ
る押圧力を変化させる制御手段とを設けて成り、該制御
手段は、前記ウエーハのオリフラ部、外周部、Ｒ部を研
磨するときの前記押圧手段による押圧力をそれぞれ
Ｆ １ ，Ｆ ２ ，Ｆ ３ とし、これらの押圧力によるオリフラ
部、外周部、Ｒ部に対する前記バフの接触圧力をσ １ ，
σ ２ ，σ ３ とするとき、 Ｆ １ ＞Ｆ ２ ＞Ｆ ３ とすることに
より、σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ となるように制御するものであ
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明では、前記押圧力を前記制御手段で制御
することによって、σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ の条件でウエーハ
面取部の研磨を行う。
することによって、σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ の条件でウエーハ
面取部の研磨を行う。
【００１１】すなわち、研磨時のバフによるオリフラ
部、外周部、Ｒ部の押圧面積をそれぞれＳ ｏ ，Ｓ ｐ ，Ｓ
Ｒ とすると、Ｓ ｏ ＞Ｓ ｐ ＞Ｓ Ｒ となる（これら各部の曲
率半径が上記のように異なるため）ので、バフをウエー
ハに一定の押圧力Ｆで押圧したときには、これら各部に
対するバフの接触圧力はσ １ ＜σ ２ ＜σ ３ となるが、本
発明ではＦ １ ＞Ｆ ２ ＞Ｆ ３ として、前記押圧面積が大き
いほどバフの押圧力を大きくすることによりσ １ ，
σ ２ ，σ ３ の値を互いに略等しく（σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ ）
して研磨する。
部、外周部、Ｒ部の押圧面積をそれぞれＳ ｏ ，Ｓ ｐ ，Ｓ
Ｒ とすると、Ｓ ｏ ＞Ｓ ｐ ＞Ｓ Ｒ となる（これら各部の曲
率半径が上記のように異なるため）ので、バフをウエー
ハに一定の押圧力Ｆで押圧したときには、これら各部に
対するバフの接触圧力はσ １ ＜σ ２ ＜σ ３ となるが、本
発明ではＦ １ ＞Ｆ ２ ＞Ｆ ３ として、前記押圧面積が大き
いほどバフの押圧力を大きくすることによりσ １ ，
σ ２ ，σ ３ の値を互いに略等しく（σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ ）
して研磨する。
【００１２】従って、特にＲ部での過大な接触圧力の発
生が防がれ、ウエーハのバフへの食い込みが防がれると
ともに、オリフラ部、外周部及びＲ部を含むウエーハの
全周に亘って均一な研磨が可能となり、最適な研磨精度
をウエーハの全周に亘って確保することができ、これに
よって生産性向上を図ることもできる。
生が防がれ、ウエーハのバフへの食い込みが防がれると
ともに、オリフラ部、外周部及びＲ部を含むウエーハの
全周に亘って均一な研磨が可能となり、最適な研磨精度
をウエーハの全周に亘って確保することができ、これに
よって生産性向上を図ることもできる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は本発明に係るウエーハ面取部研磨装
置の基本構成を示す平面図、図２は図１の矢視Ｘ方向の
図、図３は図１の矢視Ｙ方向の図、図４は押圧力の時間
的変化を示すタイミングチャートである。
置の基本構成を示す平面図、図２は図１の矢視Ｘ方向の
図、図３は図１の矢視Ｙ方向の図、図４は押圧力の時間
的変化を示すタイミングチャートである。
【００１５】本発明に係るウエーハ面取部研磨装置にお
いて、１はその中間部を支軸２で回動自在に枢着された
アームであって、該アーム１の一端には円柱状の研磨用
バフ３が回転軸４によって軸支されている。尚、バフ３
は発泡ウレタン樹脂で成形され、図２及び図３に示すよ
うに、その外周には総形溝３ａが全周に亘って形成され
ている。
いて、１はその中間部を支軸２で回動自在に枢着された
アームであって、該アーム１の一端には円柱状の研磨用
バフ３が回転軸４によって軸支されている。尚、バフ３
は発泡ウレタン樹脂で成形され、図２及び図３に示すよ
うに、その外周には総形溝３ａが全周に亘って形成され
ている。
【００１６】又、図２及び図３に示すように、前記回転
軸４のアーム１の上方に突出する上端部にはプーリ５が
結着されている。
軸４のアーム１の上方に突出する上端部にはプーリ５が
結着されている。
【００１７】他方、前記アーム１の他端上には、モータ
６が固設されており、該モータ６の出力軸に結着された
プーリ７と前記プーリ５の間にはベルト８が巻装されて
いる。又、アーム１の他端の側方には押圧手段であるエ
アシリンダ９が設置されており、該エアシリンダ９のシ
リンダ９ａ内はピストン９ｂにて室Ｓ1 とＳ2 とに区画
されており、ピストン９ｂに連結されたロッド９ｃの先
部は図示のようにアーム１の側部に当接している。
６が固設されており、該モータ６の出力軸に結着された
プーリ７と前記プーリ５の間にはベルト８が巻装されて
いる。又、アーム１の他端の側方には押圧手段であるエ
アシリンダ９が設置されており、該エアシリンダ９のシ
リンダ９ａ内はピストン９ｂにて室Ｓ1 とＳ2 とに区画
されており、ピストン９ｂに連結されたロッド９ｃの先
部は図示のようにアーム１の側部に当接している。
【００１８】更に、前記バフ３の近傍にはウエーハ吸着
盤１０が水平回転自在に設置されており、該ウエーハ吸
着盤１０の上面には被研磨物であるウエーハＷが真空吸
着されてセットされている。尚、ウエーハ吸着盤１０は
不図示の駆動手段によって回転駆動される。
盤１０が水平回転自在に設置されており、該ウエーハ吸
着盤１０の上面には被研磨物であるウエーハＷが真空吸
着されてセットされている。尚、ウエーハ吸着盤１０は
不図示の駆動手段によって回転駆動される。
【００１９】ところで、前記ウエーハ吸着盤１０の近傍
には、ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1（図５参照）を検知
するためのフォトセンサ１１が設置されている。このフ
ォトセンサ１１は、図２に示すように、ウエーハＷの上
下に配される一対の発光部１１ａと受光部１１ｂとで構
成されており、発光部１１ａからの光が受光部１１ｂで
受けられると、この光はその強度に比例する値の電圧に
変換される。
には、ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1（図５参照）を検知
するためのフォトセンサ１１が設置されている。このフ
ォトセンサ１１は、図２に示すように、ウエーハＷの上
下に配される一対の発光部１１ａと受光部１１ｂとで構
成されており、発光部１１ａからの光が受光部１１ｂで
受けられると、この光はその強度に比例する値の電圧に
変換される。
【００２０】而して、上記フォトセンサ１１をウエーハ
Ｗの外周部Ｗ2 （図５参照）が通過しているときには、
発光部１１ａからの光はウエーハＷの外周部Ｗ2 によっ
て遮られて受光部１１ｂに到達しないが、ウエーハＷの
オリフラ部Ｗ1 が通過するときには、発光部１１ａから
の光は受光部１１ｂに到達するため、フォトセンサ１１
は受光部１１ｂの受光によってウエーハＷのオリフラ部
Ｗ1 を検知することができる。
Ｗの外周部Ｗ2 （図５参照）が通過しているときには、
発光部１１ａからの光はウエーハＷの外周部Ｗ2 によっ
て遮られて受光部１１ｂに到達しないが、ウエーハＷの
オリフラ部Ｗ1 が通過するときには、発光部１１ａから
の光は受光部１１ｂに到達するため、フォトセンサ１１
は受光部１１ｂの受光によってウエーハＷのオリフラ部
Ｗ1 を検知することができる。
【００２１】上記フォトセンサ１１からの検知信号はコ
ントローラ（ＣＰＵ）２０に入力され、コントローラ２
０では、フォトセンサ１１から入力される電圧値のピー
ク点からウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 の中心位置を求め
る。そして、このオリフラ部Ｗ1 の中心位置が求められ
れば、オリフラ部Ｗ1 のディメンジョンは既知であるた
め、オリフラ部Ｗ1 の他、外周部Ｗ2 とＲ部Ｗ3 （図５
参照）の位置を求めることができる。
ントローラ（ＣＰＵ）２０に入力され、コントローラ２
０では、フォトセンサ１１から入力される電圧値のピー
ク点からウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 の中心位置を求め
る。そして、このオリフラ部Ｗ1 の中心位置が求められ
れば、オリフラ部Ｗ1 のディメンジョンは既知であるた
め、オリフラ部Ｗ1 の他、外周部Ｗ2 とＲ部Ｗ3 （図５
参照）の位置を求めることができる。
【００２２】而して、本実施例では、ウエーハＷの研磨
位置がオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2又はＲ部Ｗ3 の何れ
であるかがフォトセンサ１１によって検知され、その検
知結果に基づいて前記エアシリンダ９への供給圧力がＰ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2＞Ｐ3 ）の３段階に切り換
えられるが、そのための制御手段が設けられている。
位置がオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2又はＲ部Ｗ3 の何れ
であるかがフォトセンサ１１によって検知され、その検
知結果に基づいて前記エアシリンダ９への供給圧力がＰ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2＞Ｐ3 ）の３段階に切り換
えられるが、そのための制御手段が設けられている。
【００２３】本実施例では上記制御手段は図１に示す空
気圧制御回路３０及び前記コントローラ２０を含んで構
成されるが、ここで、空気圧制御回路３０の構成を図１
に基づいて説明する。
気圧制御回路３０及び前記コントローラ２０を含んで構
成されるが、ここで、空気圧制御回路３０の構成を図１
に基づいて説明する。
【００２４】図示の空気圧制御回路３０において、Ｌ0
は不図示のエアコンプレッサ等の高圧供給源に接続され
た元圧ラインであって、該元圧ラインＬ0 には圧力制御
弁Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 と電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ2 ，ＭＶ3 が
それぞれ並列に接続されている。尚、圧力制御弁Ｖ1 ，
Ｖ2 ，Ｖ3 は元圧ラインＬ0 から供給される元圧Ｐ0を
それぞれＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2 ＞Ｐ3 ）に減圧
する弁である。又、電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ2 ，ＭＶ3 は前
記コントローラ２０によってその位置が図示のａ，ｂ，
ｃ位置にそれぞれ切り換えられる弁であって、これらが
ａ位置に切り換えられると、圧力Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 に減
圧された圧縮空気が減圧ラインＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を経て
エアシリンダの室Ｓ2 内に供給され、ｂ位置（中立位
置）に切り換えられると、圧縮空気の流れ（供給と排
出）が阻止され、ｃ位置に切り換えられると、エアシリ
ンダ９の室Ｓ2 内の空気が大気中に排出される。
は不図示のエアコンプレッサ等の高圧供給源に接続され
た元圧ラインであって、該元圧ラインＬ0 には圧力制御
弁Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 と電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ2 ，ＭＶ3 が
それぞれ並列に接続されている。尚、圧力制御弁Ｖ1 ，
Ｖ2 ，Ｖ3 は元圧ラインＬ0 から供給される元圧Ｐ0を
それぞれＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2 ＞Ｐ3 ）に減圧
する弁である。又、電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ2 ，ＭＶ3 は前
記コントローラ２０によってその位置が図示のａ，ｂ，
ｃ位置にそれぞれ切り換えられる弁であって、これらが
ａ位置に切り換えられると、圧力Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 に減
圧された圧縮空気が減圧ラインＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を経て
エアシリンダの室Ｓ2 内に供給され、ｂ位置（中立位
置）に切り換えられると、圧縮空気の流れ（供給と排
出）が阻止され、ｃ位置に切り換えられると、エアシリ
ンダ９の室Ｓ2 内の空気が大気中に排出される。
【００２５】一方、エアシリンダ９の室Ｓ1 には圧力ラ
インＬ4 が接続されており、該圧力ラインＬ4 の途中に
は電磁弁ＭＶ4 が接続されている。尚、この電磁弁ＭＶ
4 もコントローラ２０によってその位置が図示のａ，ｂ
位置に切り換え制御され、これがａ位置に切り換えられ
ると、元圧ラインＬ0 からの圧力Ｐ0 がエアシリンダ９
の室Ｓ1 に供給され、ｂ位置に切り換えられると、室Ｓ
1 内の空気が大気中に排出される。
インＬ4 が接続されており、該圧力ラインＬ4 の途中に
は電磁弁ＭＶ4 が接続されている。尚、この電磁弁ＭＶ
4 もコントローラ２０によってその位置が図示のａ，ｂ
位置に切り換え制御され、これがａ位置に切り換えられ
ると、元圧ラインＬ0 からの圧力Ｐ0 がエアシリンダ９
の室Ｓ1 に供給され、ｂ位置に切り換えられると、室Ｓ
1 内の空気が大気中に排出される。
【００２６】次に、本実施例に係るウエーハ面取部研磨
装置の作用を説明する。
装置の作用を説明する。
【００２７】前記モータ６を駆動すれば、これの回転は
プーリ７、ベルト８及びプーリ５を経て回転軸４に伝達
され、該回転軸４及びこれに結着されたバフ３が図１の
矢印方向に高速で回転駆動される。
プーリ７、ベルト８及びプーリ５を経て回転軸４に伝達
され、該回転軸４及びこれに結着されたバフ３が図１の
矢印方向に高速で回転駆動される。
【００２８】一方、ウエーハ吸着盤１０にはウエーハＷ
が吸着されており、該ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 及びＲ部Ｗ3 の位置はフォトセンサ１１を用い
た前述の方法によって既に検知されて前記コントローラ
２０に記憶されている。
が吸着されており、該ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 及びＲ部Ｗ3 の位置はフォトセンサ１１を用い
た前述の方法によって既に検知されて前記コントローラ
２０に記憶されている。
【００２９】而して、ウエーハ吸着盤１０及びこれに吸
着されたウエーハＷは、不図示の駆動手段によって図１
の矢印方向に低速で回転駆動されている。
着されたウエーハＷは、不図示の駆動手段によって図１
の矢印方向に低速で回転駆動されている。
【００３０】次に、上記状態においてエアシリンダ９を
駆動してこれのロッド９ｃでアーム１の一端側部を力Ｆ
で図示矢印方向に押圧すると、アーム１は支軸２を中心
とする反時計方向のモーメントを受け、これの他端に軸
支されたバフ３はウエーハＷの面取部に接触圧力σで圧
接され、ウエーハＷの面取部がバフ３の総形溝３ａによ
って研磨される。尚、図示しないが、実際の研磨加工に
おいては、ウエーハＷの研磨部には研磨性の物質を含む
スラリーが供給される。
駆動してこれのロッド９ｃでアーム１の一端側部を力Ｆ
で図示矢印方向に押圧すると、アーム１は支軸２を中心
とする反時計方向のモーメントを受け、これの他端に軸
支されたバフ３はウエーハＷの面取部に接触圧力σで圧
接され、ウエーハＷの面取部がバフ３の総形溝３ａによ
って研磨される。尚、図示しないが、実際の研磨加工に
おいては、ウエーハＷの研磨部には研磨性の物質を含む
スラリーが供給される。
【００３１】ところで、ウエーハＷの面取部であるオリ
フラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3の曲率半径Ｒ1 （＝
∞），Ｒ2 ，Ｒ3 はこの順に大きい（Ｒ1 ＞Ｒ2 ＞Ｒ
3 ）ため、アーム１の一端を前述のようにエアシリンダ
９のロッド９ａによって一定の力Ｆで押圧すれば、ウエ
ーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に発生
する接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 は曲率半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 が大きい程小さくなり、これらの間にはσ1 ＜σ2
＜σ3 なる大小関係が成立し、特に曲率半径Ｒ3の小さ
いＲ部Ｗ3 では過大な接触圧力σ3 が発生し、ウエーハ
Ｗがバフ３に食い込んで正常な研磨が行なわれないとい
う不具合が生じることは前述の通りである。
フラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3の曲率半径Ｒ1 （＝
∞），Ｒ2 ，Ｒ3 はこの順に大きい（Ｒ1 ＞Ｒ2 ＞Ｒ
3 ）ため、アーム１の一端を前述のようにエアシリンダ
９のロッド９ａによって一定の力Ｆで押圧すれば、ウエ
ーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に発生
する接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 は曲率半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 が大きい程小さくなり、これらの間にはσ1 ＜σ2
＜σ3 なる大小関係が成立し、特に曲率半径Ｒ3の小さ
いＲ部Ｗ3 では過大な接触圧力σ3 が発生し、ウエーハ
Ｗがバフ３に食い込んで正常な研磨が行なわれないとい
う不具合が生じることは前述の通りである。
【００３２】そこで、本実施例においては、前述のよう
にウエーハＷの研磨位置がオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ
2 、Ｒ部Ｗ3 の何れであるかをフォトセンサ１１によっ
て検知し、その検知結果に基づいてエアシリンダ９への
供給圧力をＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2 ＞Ｐ3 ）の３
段階に切り換え、アーム１に対する押圧力Ｆを図４に示
すＦ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 （Ｆ1 ＞Ｆ2 ＞Ｆ3 ）に変化させ、
ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に
対するバフ３の接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 が略等しくな
る（σ1 ≒σ2 ≒σ3 ）ようにしている。
にウエーハＷの研磨位置がオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ
2 、Ｒ部Ｗ3 の何れであるかをフォトセンサ１１によっ
て検知し、その検知結果に基づいてエアシリンダ９への
供給圧力をＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 （Ｐ1 ＞Ｐ2 ＞Ｐ3 ）の３
段階に切り換え、アーム１に対する押圧力Ｆを図４に示
すＦ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 （Ｆ1 ＞Ｆ2 ＞Ｆ3 ）に変化させ、
ウエーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 に
対するバフ３の接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 が略等しくな
る（σ1 ≒σ2 ≒σ3 ）ようにしている。
【００３３】即ち、本実施例においては、図５に示すウ
エーハＷの外周部Ｗ2 の点Ａから時計方向に研磨を進め
るものとすると、先ず、ウエーハＷの研磨位置は外周部
Ｗ2にあるため、コントローラ２０は図１に示すように
電磁弁ＭＶ2 をａ位置に切り換え、電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ
3 ，ＭＶ4 を共にｂ位置に切り換える。
エーハＷの外周部Ｗ2 の点Ａから時計方向に研磨を進め
るものとすると、先ず、ウエーハＷの研磨位置は外周部
Ｗ2にあるため、コントローラ２０は図１に示すように
電磁弁ＭＶ2 をａ位置に切り換え、電磁弁ＭＶ1 ，ＭＶ
3 ，ＭＶ4 を共にｂ位置に切り換える。
【００３４】すると、空気圧制御回路３０の元圧ライン
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ2 によって
中位の圧力Ｐ2 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ2 は
減圧ラインＬ2 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給さ
れ、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。尚、
このとき、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧力ライ
ンＬ4 から大気中に排出される。
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ2 によって
中位の圧力Ｐ2 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ2 は
減圧ラインＬ2 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給さ
れ、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。尚、
このとき、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧力ライ
ンＬ4 から大気中に排出される。
【００３５】上記のようにエアシリンダ９のロッド９ｃ
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す中位の力Ｆ2 で押圧するため、アーム１の他端
に設けられたバフ３はウエーハＷの外周部Ｗ2 に接触圧
力σ2 で圧接されて該外周部Ｗ2 を研磨する。
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す中位の力Ｆ2 で押圧するため、アーム１の他端
に設けられたバフ３はウエーハＷの外周部Ｗ2 に接触圧
力σ2 で圧接されて該外周部Ｗ2 を研磨する。
【００３６】次に、ウエーハＷの研磨位置がＲ部Ｗ3 に
移ると、コントローラ２０は電磁弁ＭＶ3 をａ位置に切
り換え、電磁弁ＭＶ2 をｂ位置に切り換え、他の電磁弁
ＭＶ3 ，ＭＶ4 はそのままｂ位置に保つ。
移ると、コントローラ２０は電磁弁ＭＶ3 をａ位置に切
り換え、電磁弁ＭＶ2 をｂ位置に切り換え、他の電磁弁
ＭＶ3 ，ＭＶ4 はそのままｂ位置に保つ。
【００３７】すると、空気圧制御回路３０の元圧ライン
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ3 によって
最も低い圧力Ｐ3 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ3
は減圧ラインＬ3 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給
され、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。
尚、このときも、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧
力ラインＬ4 から大気中に排出される。
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ3 によって
最も低い圧力Ｐ3 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ3
は減圧ラインＬ3 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給
され、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。
尚、このときも、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧
力ラインＬ4 から大気中に排出される。
【００３８】上記のようにエアシリンダ９のロッド９ｃ
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す最も小さな力Ｆ3 で押圧するため、アーム１の
他端に設けられたバフ３はウエーハＷのＲ部Ｗ3 に接触
圧力σ3 で圧接されて該ＲＷ3 を研磨する。
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す最も小さな力Ｆ3 で押圧するため、アーム１の
他端に設けられたバフ３はウエーハＷのＲ部Ｗ3 に接触
圧力σ3 で圧接されて該ＲＷ3 を研磨する。
【００３９】そして、ウエーハＷの研磨位置がオリフラ
部Ｗ1 に移ると、コントローラ２０は電磁弁ＭＶ1 をａ
位置に切り換え、電磁弁ＭＶ3 をｂ位置に切り換え、他
の電磁弁ＭＶ2 ，ＭＶ4 はそのままｂ位置に保つ。
部Ｗ1 に移ると、コントローラ２０は電磁弁ＭＶ1 をａ
位置に切り換え、電磁弁ＭＶ3 をｂ位置に切り換え、他
の電磁弁ＭＶ2 ，ＭＶ4 はそのままｂ位置に保つ。
【００４０】すると、空気圧制御回路３０の元圧ライン
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ1 によって
最も高い圧力Ｐ1 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ1
は減圧ラインＬ1 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給
され、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。
尚、このときも、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧
力ラインＬ4 から大気中に排出される。
Ｌ0 から供給される圧力Ｐ0 は圧力制御弁Ｖ1 によって
最も高い圧力Ｐ1 に減圧され、この減圧された圧力Ｐ1
は減圧ラインＬ1 を経てエアシリンダ９の室Ｓ2 に供給
され、ピストン９ｂ及びロッド９ｃを伸長せしめる。
尚、このときも、エアシリンダ９の室Ｓ1 内の空気は圧
力ラインＬ4 から大気中に排出される。
【００４１】上記のようにエアシリンダ９のロッド９ｃ
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す最も大きな力Ｆ1 で押圧するため、アーム１の
他端に設けられたバフ３はウエーハＷのオリフラ部Ｗ1
に接触圧力σ1 で圧接されて該オリフラ部Ｗ1 を研磨す
る。
が伸長すると、該ロッド９ｃはアーム１の一端側部を図
４に示す最も大きな力Ｆ1 で押圧するため、アーム１の
他端に設けられたバフ３はウエーハＷのオリフラ部Ｗ1
に接触圧力σ1 で圧接されて該オリフラ部Ｗ1 を研磨す
る。
【００４２】次に、ウエーハＷの研磨位置がもう１つの
Ｒ部Ｗ3 に移ると、前述と同様にバフ３はウエーハＷの
Ｒ部Ｗ3 に接触圧力σ3 で圧接されて該ＲＷ3 を研磨す
る。そして、ウエーハＷの研磨位置が再び外周部Ｗ2 に
移ると、前述と同様にしてアーム１は図４に示す力Ｆ2
で押圧され、バフ３はウエーハＷの外周部Ｗ2 に接触圧
力σ2 で圧接されて該外周部Ｗ2 を研磨し、研磨位置が
Ａ点に戻った時点でウエーハＷの研磨部の研磨加工が終
了する。
Ｒ部Ｗ3 に移ると、前述と同様にバフ３はウエーハＷの
Ｒ部Ｗ3 に接触圧力σ3 で圧接されて該ＲＷ3 を研磨す
る。そして、ウエーハＷの研磨位置が再び外周部Ｗ2 に
移ると、前述と同様にしてアーム１は図４に示す力Ｆ2
で押圧され、バフ３はウエーハＷの外周部Ｗ2 に接触圧
力σ2 で圧接されて該外周部Ｗ2 を研磨し、研磨位置が
Ａ点に戻った時点でウエーハＷの研磨部の研磨加工が終
了する。
【００４３】以上のように、本実施例では、ウエーハＷ
のオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の研磨におい
てアーム１を押圧する力Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 の大きさを、
オリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率半径Ｒ1
（＝∞），Ｒ2 ，Ｒ3 に応じて、Ｆ1 ＞Ｆ2 ＞Ｆ3 に設
定したため、接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 の値を略等しく
（σ1 ≒σ2 ≒σ3 ）することができ、この結果、特に
Ｒ部Ｗ3 での過大な接触圧力の発生が防がれ、ウエーハ
Ｗのバフ３への食い込みが効果的に防がれる。
のオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の研磨におい
てアーム１を押圧する力Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 の大きさを、
オリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率半径Ｒ1
（＝∞），Ｒ2 ，Ｒ3 に応じて、Ｆ1 ＞Ｆ2 ＞Ｆ3 に設
定したため、接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 の値を略等しく
（σ1 ≒σ2 ≒σ3 ）することができ、この結果、特に
Ｒ部Ｗ3 での過大な接触圧力の発生が防がれ、ウエーハ
Ｗのバフ３への食い込みが効果的に防がれる。
【００４４】尚、例えば半径１５０ｍｍのバフ３を用い
て直径８”のウエーハＷの面取部を研磨する場合、ウエ
ーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率
半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 はそれぞれＲ1 ＝∞、Ｒ2 ＝１０
０ｍｍ、Ｒ3 ＝５ｍｍとするとき、オリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の研磨においてアーム１を押圧する
力Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 の大きさの比を、Ｆ1 ：Ｆ2 ：Ｆ3
＝３０：１３：１に設定することによって、前述のよう
に接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 の値を略等しく（σ1 ≒σ
2 ≒σ3 ）することができる。
て直径８”のウエーハＷの面取部を研磨する場合、ウエ
ーハＷのオリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の曲率
半径Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 はそれぞれＲ1 ＝∞、Ｒ2 ＝１０
０ｍｍ、Ｒ3 ＝５ｍｍとするとき、オリフラ部Ｗ1 、外
周部Ｗ2 、Ｒ部Ｗ3 の研磨においてアーム１を押圧する
力Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 の大きさの比を、Ｆ1 ：Ｆ2 ：Ｆ3
＝３０：１３：１に設定することによって、前述のよう
に接触圧力σ1 ，σ2 ，σ3 の値を略等しく（σ1 ≒σ
2 ≒σ3 ）することができる。
【００４５】又、オリフラ部Ｗ1 、外周部Ｗ2 及びＲ部
Ｗ3 を含むウエーハＷの全周に亘って均一な研磨が可能
となり、最適な研磨精度をウエーハＷの全周に亘って確
保することができ、これによって生産性向上を図ること
ができる。
Ｗ3 を含むウエーハＷの全周に亘って均一な研磨が可能
となり、最適な研磨精度をウエーハＷの全周に亘って確
保することができ、これによって生産性向上を図ること
ができる。
【００４６】尚、本実施例に係るウエーハ面取部研磨装
置では、バフ３をウエーハＷに押圧する構成としたが、
逆にウエーハＷをバフ３に押圧する構成を採用しても良
いことは勿論である。
置では、バフ３をウエーハＷに押圧する構成としたが、
逆にウエーハＷをバフ３に押圧する構成を採用しても良
いことは勿論である。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、ウエーハの研磨位置がオリフラ部、外周部、Ｒ部
の何れであるかを検知し、該検知結果に基づいてウエー
ハに対するバフの押圧力を変化させることによってオリ
フラ部、外周部、Ｒ部のそれぞれに対するバフの接触圧
力を互いに略等しくして研磨するように構成したため、
特にＲ部での過大な接触圧力の発生が防がれ、バフへの
ウエーハの食い込みが防止されるとともに、オリフラ
部、外周部及びＲ部を含むウエーハの全周に亘って均一
な研磨が可能となって、最適な研磨精度をウエーハの全
周に亘って確保することができ、生産性向上を図ること
ができるという効果が得られる。
れば、ウエーハの研磨位置がオリフラ部、外周部、Ｒ部
の何れであるかを検知し、該検知結果に基づいてウエー
ハに対するバフの押圧力を変化させることによってオリ
フラ部、外周部、Ｒ部のそれぞれに対するバフの接触圧
力を互いに略等しくして研磨するように構成したため、
特にＲ部での過大な接触圧力の発生が防がれ、バフへの
ウエーハの食い込みが防止されるとともに、オリフラ
部、外周部及びＲ部を含むウエーハの全周に亘って均一
な研磨が可能となって、最適な研磨精度をウエーハの全
周に亘って確保することができ、生産性向上を図ること
ができるという効果が得られる。
【図１】本発明に係るウエーハ面取部研磨装置の基本構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】図１の矢視Ｘ方向の図である。
【図３】図１の矢視Ｙ方向の図である。
【図４】押圧力の時間的変化を示すタイミングチャート
である。
である。
【図５】ウエーハの平面図である。
【図６】従来のウエーハ面取部研磨装置の基本構成を示
す平面図である。
す平面図である。
３ バフ ９ エアシリンダ（押圧手段） １０ ウエーハ吸着盤 １１ フォトセンサ ２０ コントローラ（制御手段） ３０ 空気圧制御回路（制御手段） Ｆ1 〜Ｆ3 押圧力 Ｗ ウエーハ Ｗ1 オリフラ部 Ｗ2 外周部 Ｗ3 Ｒ部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−208550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−107960（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−20849（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 9/00 601 B24B 49/16 H01L 21/304 621
Claims (3)
- 【請求項１】 回転駆動されるバフと、ウエーハを吸着
してこれを回転駆動するウエーハ吸着盤と、該ウエーハ
吸着盤に吸着されたウエーハと前記バフとを所定の押圧
力で押圧する押圧手段を含んで構成されるウエーハ面取
部研磨装置において、前記ウエーハの研磨位置がオリフ
ラ部、外周部又はＲ部の何れであるかを検知する検知手
段と、該検知手段による検知結果に基づいて前記押圧手
段による押圧力を変化させる制御手段とを設けて成り、
該制御手段は、前記ウエーハのオリフラ部、外周部、Ｒ
部を研磨するときの前記押圧手段による押圧力をそれぞ
れＦ １ ，Ｆ ２ ，Ｆ ３ とし、これらの押圧力によるオリフ
ラ部、外周部、Ｒ部に対する前記バフの接触圧力を
σ １ ，σ ２ ，σ ３ とするとき、Ｆ １ ＞Ｆ ２ ＞Ｆ ３ とする
ことにより、σ １ ≒σ ２ ≒σ ３ となるように制御するも
のであることを特徴とするウエーハ面取部研磨装置。 - 【請求項２】 前記押圧手段はエアシリンダで構成さ
れ、前記制御手段は前記エアシリンダへの供給圧力を３
段階に切換制御する電磁弁と該電磁弁を駆動制御するコ
ントローラを含む空気圧制御回路で構成されることを特
徴とする請求項１記載のウエーハ面取部研磨装置。 - 【請求項３】 前記検知手段は、ウエーハを挟んでこれ
の上下に配される発光部と受光部から成るフォトセンサ
で構成されることを特徴とする請求項１又は２記載のウ
エーハ面取部研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317041A JP3006322B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ウエーハ面取部研磨装置 |
| US08/156,829 US5538463A (en) | 1992-11-26 | 1993-11-24 | Apparatus for bevelling wafer-edge |
| DE69304498T DE69304498T2 (de) | 1992-11-26 | 1993-11-26 | Maschine zum Kantenscheifen von Halbleiterplatten |
| EP93309445A EP0601748B1 (en) | 1992-11-26 | 1993-11-26 | Apparatus for bevelling a wafer's edge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317041A JP3006322B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ウエーハ面取部研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06155263A JPH06155263A (ja) | 1994-06-03 |
| JP3006322B2 true JP3006322B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=18083759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317041A Expired - Lifetime JP3006322B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ウエーハ面取部研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006322B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298251A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の製造方法 |
| JPH10309658A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ面取り部の加工装置 |
| JP2007088143A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Elpida Memory Inc | エッジ研磨装置 |
| CN112223092B (zh) * | 2020-11-05 | 2022-04-12 | 朱勇 | 一种异形面自适应抛光装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020849A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-02-02 | Toyota Motor Corp | 自動水研装置 |
| JPS62107960A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | Chiyuushiyou Kigyo Jigyodan | バフ研摩機のバフ圧調整装置 |
| JPH0716865B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1995-03-01 | スピードファム株式会社 | エッジポリッシャー |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP4317041A patent/JP3006322B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06155263A (ja) | 1994-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2719855B2 (ja) | ウエーハ外周の鏡面面取り装置 | |
| US6436828B1 (en) | Chemical mechanical polishing using magnetic force | |
| US5738568A (en) | Flexible tilted wafer carrier | |
| JP2000015557A (ja) | 研磨装置 | |
| EP0633097B1 (en) | Polishing apparatus for notch portion of wafer | |
| JP3006322B2 (ja) | ウエーハ面取部研磨装置 | |
| US20010011003A1 (en) | Structure of polishing head of polishing apparatus | |
| US6375553B2 (en) | Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, semiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks | |
| US6250995B1 (en) | Apparatus for polishing outer periphery of workpiece | |
| JPH06270052A (ja) | 半導体ウエーハの鏡面研磨装置 | |
| JP2798345B2 (ja) | ウェーハのノッチ部研磨装置 | |
| JP2921250B2 (ja) | ウエーハ面取部の鏡面研磨方法及び装置 | |
| JPH11104942A (ja) | ワークエッジの研磨方法及び装置 | |
| US7018269B2 (en) | Pad conditioner control using feedback from a measured polishing pad roughness level | |
| US6332828B1 (en) | Method of and apparatus for mirror-like polishing wafer chamfer with orientation flat | |
| JP2001138219A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2977807B1 (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
| JPH1133888A (ja) | ウェーハの鏡面面取り装置 | |
| JPH10100050A (ja) | ウェーハ面取り部の加工方法及び加工装置 | |
| JP3472451B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
| JP3382841B2 (ja) | 研削砥石のドレス装置 | |
| JP2002224954A (ja) | 工作機械の制御システムおよび記録媒体 | |
| JPH05138529A (ja) | 研磨装置 | |
| JP3427670B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JPH0639693A (ja) | 研削装置の成形ロール支持装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |