JPH03104545A - 平面研削装置 - Google Patents
平面研削装置Info
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- JPH03104545A JPH03104545A JP24071289A JP24071289A JPH03104545A JP H03104545 A JPH03104545 A JP H03104545A JP 24071289 A JP24071289 A JP 24071289A JP 24071289 A JP24071289 A JP 24071289A JP H03104545 A JPH03104545 A JP H03104545A
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Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置に用いるウエハの平面を加工する平面研削装
置に関する。
置に関する。
ウエハの加工面の精度向上を目的とし、先端に砥石が取
り付けられた砥石回転軸ど、該砥石回転軸の傾き角を微
調整できる調整手段と、該砥石回転軸にほぼ平行な軸を
有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持
した被加工物を研削後に該被加工物を研削時と同じチャ
ックテーブルに保持したまま被加工物の形状測定を行な
い、その測定結果に応じて前記砥石回転軸の傾き角を調
整するように前記調整手段にフィードバックする手段と
を具備して或るように構或する。
り付けられた砥石回転軸ど、該砥石回転軸の傾き角を微
調整できる調整手段と、該砥石回転軸にほぼ平行な軸を
有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持
した被加工物を研削後に該被加工物を研削時と同じチャ
ックテーブルに保持したまま被加工物の形状測定を行な
い、その測定結果に応じて前記砥石回転軸の傾き角を調
整するように前記調整手段にフィードバックする手段と
を具備して或るように構或する。
本発明は半導体装置に用いるウェハの平面を加工する平
面研削装置に関する。
面研削装置に関する。
VLSIの高集積化、高密度化及び素子が形或されるウ
ェハの大口径化に伴い、ウェハは、そのTTV(トータ
ルシックネスバリエーション)、LTV(ロー力ルンッ
クネスバリエーション)、反り等の面精度の向上が強く
望まれている。なおTTVとは第3図(a)に示すよう
にウェハlを平らな吸着面2に吸着させたときの高低差
aをいい、LTVとは同様に例えば20m+n角内の高
低差bをいい、反りとは同図(b)に示すようにウェハ
1を平らな面2に自由状態で置いたときの高低差Cをい
う。
ェハの大口径化に伴い、ウェハは、そのTTV(トータ
ルシックネスバリエーション)、LTV(ロー力ルンッ
クネスバリエーション)、反り等の面精度の向上が強く
望まれている。なおTTVとは第3図(a)に示すよう
にウェハlを平らな吸着面2に吸着させたときの高低差
aをいい、LTVとは同様に例えば20m+n角内の高
低差bをいい、反りとは同図(b)に示すようにウェハ
1を平らな面2に自由状態で置いたときの高低差Cをい
う。
一般にSi などの半導体結晶は■スライス■ラップ■
エッチング■一次ボリッシュ■二次ポリッシュの順に加
工されてウエハとなる。通常、ウェハのTTVはラップ
後が最良で、続くエッチング及びボリッシュで劣化する
。従っていかにこの劣化を抑えるかが従来のTTV制御
における課題であった。しかしこの方法ではラップ後の
TTV以上の向上が望めず最終ウェハのTTVは直径6
インチのウエハで2〜3Jal程度が限界である。
エッチング■一次ボリッシュ■二次ポリッシュの順に加
工されてウエハとなる。通常、ウェハのTTVはラップ
後が最良で、続くエッチング及びボリッシュで劣化する
。従っていかにこの劣化を抑えるかが従来のTTV制御
における課題であった。しかしこの方法ではラップ後の
TTV以上の向上が望めず最終ウェハのTTVは直径6
インチのウエハで2〜3Jal程度が限界である。
そこで最近、平面研削法をスライサーに併用し、TTV
や反りを改善しようという試みがある。この方法の加工
工程は■研削付スライス■裏面研削■ボリッシュとなり
、ラップの替わりに研削を用いる。また研削ダメージを
低減することにより、エッチングや一次ポリッシュ工程
が省け、最終研磨ウェハの面積度向上が期待される。(
NIKKEIMICRODEVICES, 1988年
3月号、P115)しかしながら上記方法による反りの
改善は著しいが、TTVはさほどでもない。これは平面
研削後のTTVが十分でない為である。
や反りを改善しようという試みがある。この方法の加工
工程は■研削付スライス■裏面研削■ボリッシュとなり
、ラップの替わりに研削を用いる。また研削ダメージを
低減することにより、エッチングや一次ポリッシュ工程
が省け、最終研磨ウェハの面積度向上が期待される。(
NIKKEIMICRODEVICES, 1988年
3月号、P115)しかしながら上記方法による反りの
改善は著しいが、TTVはさほどでもない。これは平面
研削後のTTVが十分でない為である。
一方、接着剤などの異種材料を間に用いず、Siウェハ
同士を接着させる「シリコン直接接合技術」(参考文献
:新保、応用物理56. 337(1987))により
形或される、いわゆる張り合わせSOI基板は高性能L
SI用基板として有望である。この基板は張り合わせ後
平面研削とボリッシュによりSi層の薄膜化を達或する
。これは片側のS1ウェハのみを数百μ削る為に通常の
ウエハ作製工程で用いられるラップが使えない為である
。従って、薄膜化されたSi層の厚みバラッキは平面研
削時のTTVで決まるので、TTVの向上が強く期待さ
れている。
同士を接着させる「シリコン直接接合技術」(参考文献
:新保、応用物理56. 337(1987))により
形或される、いわゆる張り合わせSOI基板は高性能L
SI用基板として有望である。この基板は張り合わせ後
平面研削とボリッシュによりSi層の薄膜化を達或する
。これは片側のS1ウェハのみを数百μ削る為に通常の
ウエハ作製工程で用いられるラップが使えない為である
。従って、薄膜化されたSi層の厚みバラッキは平面研
削時のTTVで決まるので、TTVの向上が強く期待さ
れている。
以上述べたように、平面研削装置の加工精度の向上、特
に加工物のTTVの向上が強く望まれている。
に加工物のTTVの向上が強く望まれている。
従来の平面研削装置は、第4図に示すように、先端にカ
ップ状の砥石3を有する砥石回転軸4と、該砥石回転軸
4と平行な軸を有するチャックテーブル5とを具備して
おり、加工に際しては、加工物6をチャックテーブル5
にチャックさせ、砥石3により研削後、チャックテーブ
ル5から取りはずし、面精度測定(例えばフラットネス
テスターなどによるTTV測定〉後、砥石回転軸4など
を調整するという工程を繰返しTTVを押える方法をと
っている。
ップ状の砥石3を有する砥石回転軸4と、該砥石回転軸
4と平行な軸を有するチャックテーブル5とを具備して
おり、加工に際しては、加工物6をチャックテーブル5
にチャックさせ、砥石3により研削後、チャックテーブ
ル5から取りはずし、面精度測定(例えばフラットネス
テスターなどによるTTV測定〉後、砥石回転軸4など
を調整するという工程を繰返しTTVを押える方法をと
っている。
上記従来の平面研削装置による加工方法では、砥石回転
軸4の調整に膨大な時間を必要とするばかりでなく、研
削時と測定時ではチャックテーブルが変わることにより
TTVに誤差が生じ、直径6インチのウエハでは2〜3
Ja以下に押え込むのは困難であるという問題があった
。
軸4の調整に膨大な時間を必要とするばかりでなく、研
削時と測定時ではチャックテーブルが変わることにより
TTVに誤差が生じ、直径6インチのウエハでは2〜3
Ja以下に押え込むのは困難であるという問題があった
。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ウェハの加工面の精
度向上を可能とした平面研削装置を提供することを目的
とする。
度向上を可能とした平面研削装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段で
上記目的を達戊するために、本発明の平面研削装置では
、先端に砥石10が取り付けられた砥石回転軸1lと、
該砥石回転軸11の傾き角を微調整できる調整手段と、
該砥石回転軸11にほぼ平行な軸を有するチャックテー
ブル18と、該チャックテーブル18に保持した被加工
物24を研削後に該被加工物24を研削時と同じチャッ
クテーブル18に保持したまま被加工物24の形状測定
を行ない、その測定結果に応じて前記砥石回転軸11の
傾き角を調整するように前記調整手段にフィードバック
する手段とを具備して成ることを特徴とする。
、先端に砥石10が取り付けられた砥石回転軸1lと、
該砥石回転軸11の傾き角を微調整できる調整手段と、
該砥石回転軸11にほぼ平行な軸を有するチャックテー
ブル18と、該チャックテーブル18に保持した被加工
物24を研削後に該被加工物24を研削時と同じチャッ
クテーブル18に保持したまま被加工物24の形状測定
を行ない、その測定結果に応じて前記砥石回転軸11の
傾き角を調整するように前記調整手段にフィードバック
する手段とを具備して成ることを特徴とする。
〔作 用〕
従来装置により研削されたウエハのTTVを測定すると
ウエハ全体に凸状あるいは凹状となっているものが多い
。即ち、これは砥石回転軸とチャックテーブル回転軸の
平行度が悪い為である。本発明では、この度合を測定し
、砥石回転軸の傾き角を自動的に調整するようにフィー
ドバックすることによりTTVの向上が可能となる。し
かも研削時と同一のチャックを用いて測定することによ
り、チャッヰングの変化に起因するTTVへの誤差も小
さく、またフィードバックそのものも速くなる。
ウエハ全体に凸状あるいは凹状となっているものが多い
。即ち、これは砥石回転軸とチャックテーブル回転軸の
平行度が悪い為である。本発明では、この度合を測定し
、砥石回転軸の傾き角を自動的に調整するようにフィー
ドバックすることによりTTVの向上が可能となる。し
かも研削時と同一のチャックを用いて測定することによ
り、チャッヰングの変化に起因するTTVへの誤差も小
さく、またフィードバックそのものも速くなる。
第1図は本発明の実施例を示す図である。
同図において、10は砥石、11は該砥石IOを砥石ホ
ルダ12を介して取り付けた砥石回転軸、13は砥石回
転軸駆動用モータ、14は砥石回転軸を支持する支持部
材であり、該支持部材14はモータ15・15′でそれ
ぞれ回転されるボル}16.16’ により上下2個所
以上で支柱17に取付けられ、ボルト16.16’の締
付け加減で砥石回転軸11の傾き角θを微調整できるよ
うになっている。18は砥石回転軸11とほぼ平行な軸
を有するチャックテーブルで、その軸間距離はほぼ砥石
IOの半径に等しい。また該チャックテーブル18は白
ぬき矢印の如く左右に移動でき、その移動した位置には
静電容量型厚みセンサ19が設けられている。この厚み
センサ19は厚み測定装置20、画像処理装置21、計
算機22、モータ制御装置23よりなフィードバック手
段に接続し、該フィードバック手段はモータ15,15
’に接続している。
ルダ12を介して取り付けた砥石回転軸、13は砥石回
転軸駆動用モータ、14は砥石回転軸を支持する支持部
材であり、該支持部材14はモータ15・15′でそれ
ぞれ回転されるボル}16.16’ により上下2個所
以上で支柱17に取付けられ、ボルト16.16’の締
付け加減で砥石回転軸11の傾き角θを微調整できるよ
うになっている。18は砥石回転軸11とほぼ平行な軸
を有するチャックテーブルで、その軸間距離はほぼ砥石
IOの半径に等しい。また該チャックテーブル18は白
ぬき矢印の如く左右に移動でき、その移動した位置には
静電容量型厚みセンサ19が設けられている。この厚み
センサ19は厚み測定装置20、画像処理装置21、計
算機22、モータ制御装置23よりなフィードバック手
段に接続し、該フィードバック手段はモータ15,15
’に接続している。
このように構戒された本実施例は、例えば直径6インチ
のS1 ウェハ24をチャックテーブル18に真空チャ
ックし、砥石10に例えば#2500のレジン砥石を用
いてウエハ24を研削する。次にウエハ24をチャック
テーブル18ごと移動し、厚みセンサ19によりウェハ
全体の厚み測定を行なう。この時ウェハ24はチャック
テーブル18ごと回転するとともに、厚みセンサ19が
ウェハ24の外周部から中心へ向うようにも移動し、厚
みセンサ19がウェハ全体に行きわたるようにする。こ
の動作は厚みセンサ19の方を移動させても良い。また
実施例ではチャックテーブル18を移動させているが、
チャックテ一ブル18を固定(自転はする〉し、研削後
、砥石を十分に上にあげ、横から厚みセンサ19を移動
させても良い。更に平面度測定としては主に光学的干渉
を用いて測定するものと静電容量を用いて測定するもの
があるが、後者の方がウェハ表面の研削粉などのゴミや
汚れの影響が少なく、また相対的な厚み分布のみでなく
絶対値も測定できるなどの利点があり本実施例では後者
の静電容量型を用いた。基準面としてはウェハをチャッ
クする前のステージを同一方法で測定し用いている。
のS1 ウェハ24をチャックテーブル18に真空チャ
ックし、砥石10に例えば#2500のレジン砥石を用
いてウエハ24を研削する。次にウエハ24をチャック
テーブル18ごと移動し、厚みセンサ19によりウェハ
全体の厚み測定を行なう。この時ウェハ24はチャック
テーブル18ごと回転するとともに、厚みセンサ19が
ウェハ24の外周部から中心へ向うようにも移動し、厚
みセンサ19がウェハ全体に行きわたるようにする。こ
の動作は厚みセンサ19の方を移動させても良い。また
実施例ではチャックテーブル18を移動させているが、
チャックテ一ブル18を固定(自転はする〉し、研削後
、砥石を十分に上にあげ、横から厚みセンサ19を移動
させても良い。更に平面度測定としては主に光学的干渉
を用いて測定するものと静電容量を用いて測定するもの
があるが、後者の方がウェハ表面の研削粉などのゴミや
汚れの影響が少なく、また相対的な厚み分布のみでなく
絶対値も測定できるなどの利点があり本実施例では後者
の静電容量型を用いた。基準面としてはウェハをチャッ
クする前のステージを同一方法で測定し用いている。
厚みセンサ19で測定したデータは厚み測定装置20及
び画像処理装置21で処理し、第2図の如き画像を得、
そのTTV値aを求め、次いで計算機22により前記a
を0となるように砥石回転軸11を傾ける角度θを計算
し、モーク制御装置23を介してモータ15,15’を
駆動しボルト16.16’の締め加減を調整する。この
動作を数回繰返すことにより、直径6インチのウエハの
TTVを定常的に1la以下に押え込むことができた。
び画像処理装置21で処理し、第2図の如き画像を得、
そのTTV値aを求め、次いで計算機22により前記a
を0となるように砥石回転軸11を傾ける角度θを計算
し、モーク制御装置23を介してモータ15,15’を
駆動しボルト16.16’の締め加減を調整する。この
動作を数回繰返すことにより、直径6インチのウエハの
TTVを定常的に1la以下に押え込むことができた。
なお本発明によればS1ウェハに限らず他の金属、セラ
ミックなどの材料の研削に対しても高精度に行なうこと
ができる。
ミックなどの材料の研削に対しても高精度に行なうこと
ができる。
以上説明した様に、本発明によれば、加工物を研削時と
同じチャックテーブルに保持したままその面精度を測定
し、その測定結果に応じて砥石回転軸の傾き角度を自動
的に調整することにより、その平面度を従来に比して向
上することが可能となる。
同じチャックテーブルに保持したままその面精度を測定
し、その測定結果に応じて砥石回転軸の傾き角度を自動
的に調整することにより、その平面度を従来に比して向
上することが可能となる。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は画像処理装置で得られた画像を示す図、第3図
はTTV , LTV ,及び反りを説明するための図
、 第4図は従来の平面研削装置を示す図である。 図において、 lOは砥石、 1lは砥石回転軸、 l2は砥石ホルダ、 13は砥石回転軸駆動モーク、 14は支持部材、 15.15’はモータ、 16.16’はボルト、 17は支柱、 18はチャックテーブル、 19は厚みセンサ、 20は厚み測定装置、 21は画像処理装置、 22は計算機、 23はモータ制御装置、 24はウェハ(被加工物) を示す。 画像処理装置で得られた画像を示す図 第2図 TTV.LTV.反りを説明するための図13図
はTTV , LTV ,及び反りを説明するための図
、 第4図は従来の平面研削装置を示す図である。 図において、 lOは砥石、 1lは砥石回転軸、 l2は砥石ホルダ、 13は砥石回転軸駆動モーク、 14は支持部材、 15.15’はモータ、 16.16’はボルト、 17は支柱、 18はチャックテーブル、 19は厚みセンサ、 20は厚み測定装置、 21は画像処理装置、 22は計算機、 23はモータ制御装置、 24はウェハ(被加工物) を示す。 画像処理装置で得られた画像を示す図 第2図 TTV.LTV.反りを説明するための図13図
Claims (1)
- 1、先端に砥石(10)が取り付けられた砥石回転軸(
11)と、該砥石回転軸(11)の傾き角を微調整でき
る調整手段と、該砥石回転軸(11)にほぼ平行な軸を
有するチャックテーブル(18)と、該チャックテーブ
ル(18)に保持した被加工物(24)を研削後に該被
加工物(24)を研削時と同じチャックテーブル(18
)に保持したまま被加工物(24)の形状測定を行ない
、その測定結果に応じて前記砥石回転軸(11)の傾き
角を調整するように前記調整手段にフィードバックする
手段とを具備して成ることを特徴とする平面研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24071289A JPH03104545A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 平面研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24071289A JPH03104545A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 平面研削装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03104545A true JPH03104545A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17063589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24071289A Pending JPH03104545A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 平面研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03104545A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100439564B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2004-10-22 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 표면연마방법및장치 |
JP2006263911A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Schott Ag | 研削方法および研削機械 |
JP2017094418A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24071289A patent/JPH03104545A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100439564B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2004-10-22 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 표면연마방법및장치 |
JP2006263911A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Schott Ag | 研削方法および研削機械 |
JP2017094418A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
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