JP3007678B2 - ポリッシング装置とそのポリッシング方法 - Google Patents

ポリッシング装置とそのポリッシング方法

Info

Publication number
JP3007678B2
JP3007678B2 JP2329538A JP32953890A JP3007678B2 JP 3007678 B2 JP3007678 B2 JP 3007678B2 JP 2329538 A JP2329538 A JP 2329538A JP 32953890 A JP32953890 A JP 32953890A JP 3007678 B2 JP3007678 B2 JP 3007678B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
polishing
spindle
surface plate
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2329538A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04201178A (ja
Inventor
一雄 小林
Original Assignee
株式会社岡本工作機械製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社岡本工作機械製作所 filed Critical 株式会社岡本工作機械製作所
Priority to JP2329538A priority Critical patent/JP3007678B2/ja
Publication of JPH04201178A publication Critical patent/JPH04201178A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3007678B2 publication Critical patent/JP3007678B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主として、シリコン半導体ウエハののワー
クのポリッシング装置とそのポリッシング方法に関する
ものである。
〔従来の技術とその問題点〕
一般にシリコン等の半導体ウエハは、先ず、シリコン
結晶体を一定の厚さにスライシングし、そのスライシン
グしたウエハを更に所望の厚さにするために研削加工を
行っている。
通常、研削加工はカップ型砥石によって粗研削、中研
削、仕上研削等に分けて行われており、特に、近年で
は、半導体ウエハを自転させながら研削を行い、研削効
率を高めているが、昨今要求される半導体ウエハは高精
度の平坦精度と鏡面加工であり、従来のようなカップ型
砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダ
メージが残り求められる平坦精度は不可能と成ってい
る。
又、ポリッシング装置においても加工されるワークの
外周辺と中心辺との回転速度と加工する上方定盤の外周
辺と中心辺との回転速度の相違、つまり、ポリッシング
されている接触位置の周速度の相違から経時の使用では
平坦精度に問題をきたしており、更に、平面のみのポリ
ッシングの場合にはコンパウンドの供給に問題があり、
更に、上方定盤に目詰りを起こしポリッシング加工の能
率が低下していた。
〔発明の目的〕
本発明は、前記の問題点に鑑みて成されたもので、半
導体ウエハへの高精度の平坦精度と鏡面加工を施すため
のポリッシング装置とそのポリッシング方法の提供であ
り、加えて、半導体ウエハのポリッシング加工を長期間
にわたって高精度で行い、且つ、上方定盤の延命を計る
ことができるポリッシング装置とそのポリッシング方法
を提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕
本発明の1は、半導体ウエハ等のワークをポリッシュ
加工するポリッシング装置であって、ワークをバキュー
ム吸着させる下方定盤を上面に備えて自転する回転テー
ブルと、前記ワークの上面をポリッシュ加工する上方定
盤を下端に備えて自転するスピンドル軸と、前記回転テ
ーブルを水平方向に移動させる移動機構と、前記スピン
ドル軸を該スピンドル軸の軸心と前記回転テーブルの軸
心とを平行に保持及び傾斜させて保持する保持機構とを
備えたことを特徴とするポリッシング装置を提供するも
のである。
本発明の2は、ワークをバキューム吸着させる下方定
盤を上面に備えて自転する回転テーブルと、前記ワーク
の上面をポリッシュ加工する上方定盤を下端に備えて自
転するスピンドル軸と、前記回転テーブルを水平方向に
移動させる移動機構と、前記スピンドル軸を該スピンド
ル軸の軸心と前記回転テーブルの軸心とを平行に保持及
び傾斜させて保持する保持機構とを備えたポリッシング
装置を用いて、 次ぎのからの工程を経てワークをポリッシングす
る方法を提供するものである。
保持機構でスピンドル軸を傾斜させて上方定盤を下方
定盤に対して非平行とし、ワークの外周側を俯角としワ
ークの中心側を仰角としてワークを凸面にポリッシング
する工程、 ワークの中心側を俯角としワークの外周側を仰角とし
てワークを凹面にポリッシングする工程、および 保持機構でスピンドル軸を垂直保持させて上方定盤と
下方定盤とを平行としてワークの上面を平面にポリッシ
ングする工程。
(ただし、前記のワークを凸面にポリッシングする工
程とのワークを凹面にポリッシングする工程の順序は
逆であってもよい。) 〔実施例〕 本発明の実施例を図面によって詳述する。
第1図は本発明のポリッシング装置の正面図、第2図
はスピンドル軸の保持機構を示す正面図、第3図はワー
クの平面加工時の説明図、第4図はワークの凸面加工時
の説明図および第5図はワークの凹面加工時の説明図で
ある。
本発明は、主として、シリコン半導体ウエハののワー
クWのポリッシング装置とそのポリッシング方法に関す
るものであり、前記ワークWをバキューム吸着させる下
方定盤1を上面に備えて自転する回転テーブル2と、前
記ワークWの上面をポリッシュ加工する上方定盤3を下
端に備えて自転するスピンドル軸4と、前記回転テーブ
ル2を水平方向に移動させる移動機構5と、前記スピン
ドル軸4を該スピンドル軸4の軸心と前記回転テーブル
2の軸心とを平行に保持及び傾斜させて保持する保持機
構6とを備えたポリッシング装置であり、加えて、半導
体ウエハ等のワークWをポリッシュ加工するポリッシン
グ方法であり、前記ワークWをバキューム吸着させる下
方定盤1を上面に備えて自転する回転テーブル2と、前
記ワークWの上面をポリッシュ加工する上方定盤3を下
端に備えて自転するスピンドル軸4と、前記回転テーブ
ル2を水平方向に移動させる移動機構5と、前記スピン
ドル軸4を該スピンドル軸4の軸心と前記回転テーブル
2の軸心とを平行に保持及び傾斜させて保持する保持機
構6とを備えたポリッシング装置を用いて、次ぎのか
らの工程を経てワークをポリッシングする方法であ
る。
保持機構6でスピンドル軸4を傾斜させることによっ
て前記上方定盤3を回転テーブル2の下方定盤1に対し
て非平行とし、ワークWの外周側を俯角としワークWの
中心側を仰角としてワークを凸面にポリッシングする工
程、 ワークWの中心側を俯角としワークWの外周側を仰角
としてワークを凹面にポリッシングする工程、および 保持機構6でスピンドル軸4を垂直保持させてスピン
ドル軸4の上方定盤3と回転テーブル2の下方定盤とを
平行としてワークWの上面を平面にポリッシングする工
程。
(ただし、前記のワークを凸面にポリッシングする工
程とのワークを凹面にポリッシングする工程の順序は
逆であってもよい。) 即ち、本発明は、シリコン等の半導体ウエハを所望の
厚さにするために研削加工を行っている多軸の研削盤の
最終工程、又は、ポリッシング専用装置において、研削
後の半導体ウエハの加工によるダメージを完全に取り去
り高精度の平坦加工、鏡面加工を施すものである。
本発明のポリッシング装置の回転テーブル2は立設状
態で形設されており、該回転テーブル2の上面には半導
体ウエハ等のワークWをバキューム吸着させるチャック
等の下方定盤1を備えると共に、電動機から駆動源を得
て機械的に接続され自転しているものである。
そして、回転テーブル2を水平方向に移動させる移動
機構5を設けたものであり、移動機構5は例えば一方に
レールを形設し、該レールと摺動する摺動溝を他方に形
設し、夫々を嵌合させ摺動できる構造で良いものであ
る。
前記スピンドル軸4は、上方から垂下させた状態で配
設し、上方に駆動源となる電動機を備え自転すると共
に、下端へはポリッシュ加工する上方定盤3を備えたも
のであり、該上方定盤3の研磨面は綿布、天然人造皮
革、フェルト等からなるものである。
そして、スピンドル軸4を坦持するポリッシング装置
の側壁と、該スピンドル軸4の側壁との間へ該スピンド
ル軸4の軸心と前記回転テーブル2の軸心とを平行に保
持及び傾斜させて保持する保持機構6とを備えたもので
あり、該保持機構6は夫々の側壁の何れか一方側へ半球
面状の突出物を形成して、該突出物を嵌入させる凹陥部
を形成し、合着させると共に、その周域へ少なくとも3
本のボルトを貫設させて、該ボルトを夫々回動させる構
造である。
前記回転テーブル2の下方定盤1に半導体ウエハ等の
ワークWを載置し、ワークWをバキューム吸着させると
共に、回転テーブル2を自転させるものであり、綿布、
天然人造皮革、フェルト等からなる研磨面へアルミナ、
酸化鉄、酸化クロム等のコンパウンドを加えて、上方定
盤3を下端に備えたスピンドル軸4を自転させると共に
上方から降下させてワークW上面のポリッシングをする
ものである。
次いで、前記ポリッシング装置を用いて、保持機構6
でスピンドル軸4を傾斜させることによって、上方定盤
3と回転テーブル2へ備えた下方定盤1とは非平行とな
るものであり、その際、回転テーブル2の移動装置で移
動させて位置合わせをし、下方定盤1へバキューム吸着
させた半導体ウエハ等のワークWの外周側を俯角としワ
ークWの中心側を仰角として、回転テーブル2とスピン
ドル軸4を夫々回転させてポリッシングすると凸面に加
工されるものであり、逆に、ワークWの中心側を俯角と
しワークWの外周側を仰角としてポリッシングすると凹
面にポリッシングされるものであり、凸面及び凹面のポ
リッシングでは平面ポリッシングに対して加工面積が少
なく、僅かに傾斜された空隙部にコンパウンドが充填蓄
えられているものである。
そして、前記スピンドル軸4の保持機構6で、該スピ
ンドル軸4を垂直保持させると、スピンドル軸4の軸心
と回転テーブル2の軸心とは平行となり、従って、スピ
ンドル軸4の下端の上方定盤3と回転テーブル2の下方
定盤1とも平行となり、ワークWの上面に平面ポリッシ
ングができるものである。
本発明のポリッシング装置とそのポリッシング方法で
は、一定量に設定されたポリッシング量を迅速に、高精
度に、且つ、上方定盤3の延命を計ったもので、先ず、
スピンドル軸4の保持装置で傾斜させて凹面加工を施
し、その後、回転テーブル2の移動装置でワークWと上
方定盤3との位置合わせをして凸面加工をし、その後、
前記保持機構6で平行にして平面加工をするものであ
る。
なお、ワークWの凹面加工と凸面加工の順序は前述し
たように逆であってもよい。
〔発明の効果〕
本発明のポリッシング装置そのポリッシング方法は、
ワークを一旦凸面及び凹面にポリッシングした後に、平
面ポリッシングするようにしているので、経時にわたっ
てのポリッシングの上方定盤の目詰りを防止し、長期間
にわたり安定したポリッシング加工を維持できる共に、
ワークの加工部位へのコンパウンドの供給を十分に行う
ことができることができ、その結果、加工精度を長期間
安定して維持でき、更に、上方定盤の延命を計るもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のポリッシング装置の正面図、第2図は
スピンドル軸の保持機構を示す正面図、第3図はワーク
の平面加工時の説明図、第4図はワークの凸面加工時の
説明図および第5図はワークの凹面加工時の説明図であ
る。 W……ワーク。 1……下方定盤、2……回転テーブル、3……上方定
盤、4……スピンドル軸、5……移動機構、6……保持
機構。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハ等のワークをポリッシュ加工
    するポリッシング装置であって、ワークをバキューム吸
    着させる下方定盤を上面に備えて自転する回転テーブル
    と、前記ワークの上面をポリッシュ加工する上方定盤を
    下端に備えて自転するスピンドル軸と、前記回転テーブ
    ルを水平方向に移動させる移動機構と、前記スピンドル
    軸を該スピンドル軸の軸心と前記回転テーブルの軸心と
    を平行に保持及び傾斜させて保持する保持機構とを備え
    たことを特徴とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】ワークをバキューム吸着させる下方定盤を
    上面に備えて自転する回転テーブルと、前記ワークの上
    面をポリッシュ加工する上方定盤を下端に備えて自転す
    るスピンドル軸と、前記回転テーブルを水平方向に移動
    させる移動機構と、前記スピンドル軸を該スピンドル軸
    の軸心と前記回転テーブルの軸心とを平行に保持及び傾
    斜させて保持する保持機構とを備えたポリッシング装置
    を用いて、次ぎのからの工程を経てワークをポリッ
    シングする方法。 保持機構でスピンドル軸を傾斜させて上方定盤を下方
    定盤に対して非平行とし、ワークの外周側を俯角としワ
    ークの中心側を仰角としてワークを凸面にポリッシング
    する工程、 ワークの中心側を俯角としワークの外周側を仰角とし
    てワークを凹面にポリッシングする工程、および 保持機構でスピンドル軸を垂直保持させて上方定盤と
    下方定盤とを平行としてワークの上面を平面にポリッシ
    ングする工程。 (ただし、前記のワークを凸面にポリッシングする工
    程とのワークを凹面にポリッシングする工程の順序は
    逆であってもよい。)
JP2329538A 1990-11-30 1990-11-30 ポリッシング装置とそのポリッシング方法 Expired - Lifetime JP3007678B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2329538A JP3007678B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ポリッシング装置とそのポリッシング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2329538A JP3007678B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ポリッシング装置とそのポリッシング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04201178A JPH04201178A (ja) 1992-07-22
JP3007678B2 true JP3007678B2 (ja) 2000-02-07

Family

ID=18222484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2329538A Expired - Lifetime JP3007678B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ポリッシング装置とそのポリッシング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3007678B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU4845396A (en) * 1996-03-04 1997-09-22 Teikoku Denso Co., Ltd. Resin disk polishing method and apparatus
DE102009037281B4 (de) 2009-08-12 2013-05-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe
JP6873782B2 (ja) * 2017-03-29 2021-05-19 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04201178A (ja) 1992-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4455750B2 (ja) 研削装置
US4928435A (en) Apparatus for working curved surfaces on a workpiece
JP2007260850A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JPH09270401A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JP2009038267A (ja) 基板の裏面研削装置および裏面研削方法
JP2001129750A (ja) ワークエッジの研磨方法および研磨装置
JPH09168953A (ja) 半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置
JP2000167753A (ja) 研磨方法、研磨装置及び砥石の作製方法
JP3007678B2 (ja) ポリッシング装置とそのポリッシング方法
JPH09174401A (ja) ワ−クの面取・外周加工装置
JPH11267968A (ja) ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤
JP2001138230A (ja) 基板の表裏面の研削方法およびそれに用いる研削装置
JPH06270041A (ja) 半導体ウェーハの研削方法及び研削装置
JPH11114800A (ja) 円筒体の鏡面研磨方法
JPH11320358A (ja) 研磨装置
KR20010040249A (ko) 연마장치 및 그 장치를 사용한 반도체제조방법
JPS62213954A (ja) 硬脆材の外周面研削方法およびその装置
JP2002254288A (ja) 仕上加工装置および仕上加工方法
JPH0738381B2 (ja) ウエーハ研磨装置
JPH05309535A (ja) 工作機械
JPS59219152A (ja) 研磨加工機
JP2004306232A (ja) 被研磨加工物の研磨方法及び研磨装置
JPH0349856A (ja) 平面研磨方法
JPH10217113A (ja) ウエハ両面研磨/研削装置
JPS6133851A (ja) 多面同時加工装置