JP2004087647A - 研磨パッド及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 88
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B3/00—Sharpening cutting edges, e.g. of tools; Accessories therefor, e.g. for holding the tools
- B24B3/24—Sharpening cutting edges, e.g. of tools; Accessories therefor, e.g. for holding the tools of drills
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
- B24D13/02—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by their periphery
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/22—Rubbers synthetic or natural
- B24D3/26—Rubbers synthetic or natural for porous or cellular structure
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
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- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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Abstract
【課題】ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる研磨パッド及び方法を提供することである。
【解決手段】発泡樹脂などの合成樹脂からなるディスク状のパッド11、及びパッド11の周縁部分が露出するように、パッド11の両面にそれぞれ固定される保持板12から構成される研磨パッド10。パッド11の周縁部分の断面形状はノッチ21に嵌り込む形状にある。パッド11は発泡ウレタンなどの発泡体からなり、発泡体の平均気泡径は10μm〜500μmの範囲にあり、その硬度はショアー硬度Aスケールで25度〜95度の範囲にある。研磨パッド10を回転させながら、パッド11の周縁部分をノッチ21に嵌め込んで、押し当て、パッド11の周縁部分とノッチ21との接触部分に、ノズル14を通じてスラリーを供給することにより、ノッチ21を研磨する。
【選択図】図2
【解決手段】発泡樹脂などの合成樹脂からなるディスク状のパッド11、及びパッド11の周縁部分が露出するように、パッド11の両面にそれぞれ固定される保持板12から構成される研磨パッド10。パッド11の周縁部分の断面形状はノッチ21に嵌り込む形状にある。パッド11は発泡ウレタンなどの発泡体からなり、発泡体の平均気泡径は10μm〜500μmの範囲にあり、その硬度はショアー硬度Aスケールで25度〜95度の範囲にある。研磨パッド10を回転させながら、パッド11の周縁部分をノッチ21に嵌め込んで、押し当て、パッド11の周縁部分とノッチ21との接触部分に、ノズル14を通じてスラリーを供給することにより、ノッチ21を研磨する。
【選択図】図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや半導体デバイスウエハ(以下、ウエハ)の周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ウエハは、SiやGaPなどの単結晶からなるインゴットをスライシングした後に、研磨を施した、半導体素子の基板となる薄板であり、その周縁には、結晶方向の判別及び整列を容易にするためのノッチと称するV字形又はU字形の切り欠きが形成されている。また、チッピング(スライシング時にウエハの切断ラインの縁部に生じた不定形破断)をなくすため、ウエハの周縁にわたってR面取り加工が施されている。
【0003】
このウエハの表面上に半導体素子を形成するため、ウエハの表面に、スパッタリング、CVD、エッチングなどの成膜/エッチング技術を利用して、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜を積層し、多層配線構造物を製作する。
【0004】
このような多層配線構造物では、下地となる膜の平面性と平行性が低いと、その上に積層される膜の平面性と平行性が低下し、段差が生じ、これが配線の短絡の原因となるので、成膜やエッチングの都度に、膜の表面の研磨が行われている。
【0005】
また、ウエハの周縁部分(ウエハの周縁の上面、端面及び下面)には、ダレと称される余分な膜部分が成膜時に形成されており、このダレが残っていると、このダレが、ウエハの搬送中に装置設備の構成物などに衝突し、パーティクルと称される塵となり、浮遊し、この浮遊塵が膜の表面に付着し、ウエハを汚染し、上記したような配線の短絡の原因となるので、成膜の都度に、ウエハの周縁にわたる研磨が行われている。
【0006】
このウエハの周縁に形成されたノッチの研磨は、従来、ディスク状の研磨パッドの周縁部分をウエハのノッチに嵌め込んで、押し当て、研磨パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給しながら、研磨パッドを回転させることによって行われる(例えば、特許文献1を参照)。
【0007】
しかし、この従来技術では、織布又は不織布、或いは、織布又は不織布の繊維組織を合成樹脂で固めたものからなるディスク状の研磨パッドを使用してウエハのノッチの研磨が行われており、研磨中に、研磨パッドを構成する繊維組織の繊維が解れて毛羽立ち、(1)この繊維が切れて、自己発塵し、浮遊塵となってウエハの表面に付着し、ウエハを汚染する、(3)また、この切れた繊維が、装置設備の排水系統に詰まる、(4)研磨パッドが変形し、長時間安定して研磨を行うことができない、(5)ウエハのノッチに、研磨パッドの回転方向に沿った線状の傷が形成される、という問題が生じる。
【0008】
(特許文献1)
特開2000−233354(段落0012、段落0013、段落0016、図1〜図3)
【0009】
【発明の解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる研磨パッド及び方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ウエハの周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法である。
【0011】
上記目的を達成する本発明は、ディスク状の研磨パッドであって、合成樹脂からなるディスク状のパッド、及びこのパッドの周縁部分が露出するように、パッドの両面にそれぞれ固定される保持板から構成される。パッドの周縁部分の断面形状は、ノッチに嵌り込む形状にある。
【0012】
好適に、合成樹脂として、発泡性樹脂が使用され、パッドとして、発泡体からなるものが使用される。
【0013】
この発泡体の平均気泡径は、10μm〜500μmの範囲にある。
【0014】
また、発泡体の硬度は、ショアー硬度Aスケールで、25度〜95度の範囲、好適に40度〜90度の範囲にある。
【0015】
好適に、発泡体として、発泡ウレタンが使用される。
【0016】
ウエハの周縁に形成したノッチの研磨は、まず、上記本発明の研磨パッドを回転させる。次に、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに嵌め込んで、押し当て、パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給する。これにより、ウエハのノッチが研磨される。ここで、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに押し当てた状態で、ウエハを傾斜させて、ノッチの上面、端面及び下面を研磨してもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態は、ウエハの周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法である。
【0018】
<研磨パッド> 本発明の研磨パッドは、図1(a)及び(b)に示すように、合成樹脂からなるディスク状のパッド11、及びこのパッド11の周縁部分が露出するように、パッド11の両面にそれぞれ固定される保持板12、12から構成される。
【0019】
パッド11の周縁部分の断面形状は、ウエハのノッチに嵌り込む形状にある。すなわち、パッド11の周縁部分の断面形状は、図1(c)に示すように、ウエハ20のノッチ11の形状がV字形であるときはV字形であり、図1(d)に示すように、ウエハ20のノッチ21の形状がU字形であるときはU字形である。
【0020】
図1に示す研磨パッド10は、既知の成形技術を利用して、合成樹脂を所望のディスク状のパッド11に成形した後に、このパッド11の両面に、パッド径よりも小さい径のディスク状の保持板12、12を固定することによって製造できる。パッド11の周縁部分は、パッド11の周縁部分が所定の断面形状となるように型成形してもよいし、パッド11の成形後に、ナイフなどの手段を使用してパッド11の周縁部分を所定の断面形状に形成してもよい。
【0021】
合成樹脂として、ウレタン系、ポリエステル系などの既知の合成樹脂を使用できる。
【0022】
好適に、合成樹脂として、発泡性樹脂が使用され、パッド11として、発泡ウレタンなどの内部に独立気泡又は連続気泡を有する発泡体からなるパッド11が使用される。
【0023】
この発泡体の平均気泡径は、スラリー中に分散される研磨粒子を効率よく保持できるだけの径であればよく、10μm〜500μmの範囲にある。
【0024】
また、発泡体の硬度は、ショアー硬度Aスケールで25度〜95度の範囲、好適に40度〜90度の範囲にある。これは、パッド11の硬度が25度よりも低いと、研磨中に研磨パッドが変形し、ウエハ20のノッチ21を均一に研磨できなくなり、また、パッド11の硬度が95度よりも高いと、スラリー中の比較的大きい研磨粒子のノッチ21に対する過度の圧力を吸収できず、ノッチ21に傷をつけてしまうからである。
【0025】
<研磨方法> 図2に示すように、ウエハ20の周縁に形成したノッチ21の研磨は、まず、ウエハ20を固定台13に固定する。ウエハ20は、ノッチ21が研磨パッド10の方向に向いた状態で、既知の吸引手段(図示せず)によって固定台13の表面上に水平に固定される。次に、垂直平面上で回転可能に配列された研磨パッド10を矢印r1又はr2の方向に回転させる。研磨パッド10は、既知のモータなどの駆動手段(図示せず)に連結されており、このモータを駆動することによって回転される。次に、既知のボールネジ、エアシリンダなどの移動手段(図示せず)によって、研磨パッド10又は固定台13を移動して、研磨パッド10のパッド11の周縁部分をノッチ21に嵌め込んで、押し当て、パッド11の周縁部分とノッチ21との接触部分に、ノズル14を通じて、研磨粒子を分散させたスラリーを供給する。これにより、ウエハ20のノッチ21が研磨される。ここで、研磨パッド10のパッド11の周縁部分をノッチ21に押し当てた状態で、ウエハ20を矢印Rの方向に傾斜させて、ノッチ21の上面、端面及び下面を研磨してもよい。
【0026】
スラリーとして、水、又は水にグリコール類、アルコール類などの分散剤を混入した水溶液に研磨粒子を分散させたものが使用される。研磨粒子として、シリカ、セリア、アルミナなどから適宜に選択される一種又は二種以上の粒子が使用される。この研磨粒子のサイズは、平均粒径20nm〜200nmから適宜に選択される。また、このスラリーに、さらに、ノッチに形成されたダレと化学的に反応する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、フッ酸、フッ化物、硝酸鉄、ヨウ素酸カリウム、グリシン、キナルジン酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾールなどから適宜に選択される物質を含んだ反応液を添加してもよい。
【0027】
<実施例> 本発明に従って、シリコンウエハの周縁に形成されたV字形のノッチ端面を研磨した。ノッチの形状は、頂角90度で高さ2mmの二等辺三角形状であった。
【0028】
研磨パッド:80℃に保温したポリエーテルウレタンエラストマー(商品名:ハイプレンL−198、三井化学株式会社)と、3,3’−ジクロロ−4,4’ジアミノ−ジフェニルメタンに純水(1重量%)を加えて60℃に保温したものとの混合液(ポリエーテルウレタンエラストマー:3,3’−ジクロロ−4,4’ジアミノ−ジフェニルメタンに純水を加えたもの=100重量%:19重量%)を、円柱形状のキャビティーを有する金型内に注入し、これを発泡、硬化(金型温度:100℃、硬化時間:2時間)させて、この発泡成形物を金型から取り出し、室温で6日間放置し、半径約200mmの円柱形状の発泡体(発泡ウレタン)を成形した。この発泡体を厚さ4mmにスライスし、このスライスしたものの周縁部分を、ノッチの形状に一致するようにカットして、ディスク状の発泡ウレタンパッド(半径200mm、厚さ4mm)を製造した。次に、この発泡ウレタンパッドの周縁部分が48mmだけ露出するように、発泡ウレタンパッドの両面にそれぞれ半径152mmの保持板を固定し、実施例の研磨パッドを製造した。実施例の研磨パッドの平均気泡径は200μmであり、硬度は、ショアー硬度Aスケールで55度であった。実施例の研磨パッドの部分拡大断面図を図3(a)に示す。
【0029】
研磨: ノッチ端面の研磨は、下記の表1に示す研磨条件で、研磨パッドの回転数を変えて4回行い、研磨パッドのそれぞれの回転数における研磨後の研磨パッドの状態と、ノッチ端面の状態について観察した。研磨は、研磨パッドを垂直面上で回転させ、水平面上に固定したウエハを研磨パッドに向けて移動し、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに嵌め込んで、押し当て、パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給することによって行われた。
【表1】
【0030】
スラリーとして、純水に平均粒径70nmのシリカ(10重量%)を水酸化カリウムでpH10.0に調製したコロイダル液を使用した。
【0031】
<比較例> 比較例の研磨パッドのパッドとして、不織布にウレタン樹脂を含浸させて、不織布繊維組織をウレタン樹脂で固めた市販のパッド(商品名:SUBA400、RODEL社)を使用した。このパッドは、上記実施例の研磨パッドのパッドと同一の形状(半径200mm、厚さ4mm)に加工され、このパッドの両面に保持板を固定して、比較例の研磨パッドを製造した。比較例の研磨パッドの部分拡大断面図を図3(b)に示す。
【0032】
この研磨パッドを使用して、上記実施例と同一の研磨条件で、ウエハのノッチ端面を研磨し、研磨後の研磨パッドの状態と、ノッチ端面の状態について観察し、上記実施例と比較した。
【0033】
<比較結果> 研磨後の研磨パッドの状態について、比較例の研磨パッドでは、パッドの繊維組織が切れ、毛羽立ち、パッドの周縁部分が変形し、また毛羽立った繊維が切れてウエハの表面に付着した。対照的に、実施例の研磨パッドでは、比較例にみられた毛羽立ちもなく、パッドの変形もみられず、ウエハの表面が汚染されることもなかった。
【0034】
研磨後のウエハのノッチ端面の状態について、比較例では、研磨パッドの回転方向に沿った線状の傷が形成された。対照的に、実施例では、比較例にみられるような線状の傷を形成することなく、ノッチ端面を鏡面に研磨できた。
【0035】
【発明の効果】
本発明が以上のように構成されるので、ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は、本発明の研磨パッドの側面図であり、図1(b)は、図1(a)の研磨パッドの正面図であり、図1(c)及び(d)は、それぞれ、図1(a)の研磨パッドのパッド周縁部分の断面図であり、ウエハの周縁に形成したノッチに嵌め込んだ状態を示す。
【図2】図2は、本発明の研磨パッドを装着した研磨装置を側面からみた略図である。
【図3】図3(a)は、実施例の研磨パッドの部分拡大断面図であり、図3(b)は、比較例の研磨パッドの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
10・・・研磨パッド
11・・・パッド
12・・・保持板
13・・・固定台
14・・・ノズル
20・・・ウエハ
21・・・ノッチ
r1、r2・・・回転方向
R・・・傾斜方向
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや半導体デバイスウエハ(以下、ウエハ)の周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ウエハは、SiやGaPなどの単結晶からなるインゴットをスライシングした後に、研磨を施した、半導体素子の基板となる薄板であり、その周縁には、結晶方向の判別及び整列を容易にするためのノッチと称するV字形又はU字形の切り欠きが形成されている。また、チッピング(スライシング時にウエハの切断ラインの縁部に生じた不定形破断)をなくすため、ウエハの周縁にわたってR面取り加工が施されている。
【0003】
このウエハの表面上に半導体素子を形成するため、ウエハの表面に、スパッタリング、CVD、エッチングなどの成膜/エッチング技術を利用して、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜を積層し、多層配線構造物を製作する。
【0004】
このような多層配線構造物では、下地となる膜の平面性と平行性が低いと、その上に積層される膜の平面性と平行性が低下し、段差が生じ、これが配線の短絡の原因となるので、成膜やエッチングの都度に、膜の表面の研磨が行われている。
【0005】
また、ウエハの周縁部分(ウエハの周縁の上面、端面及び下面)には、ダレと称される余分な膜部分が成膜時に形成されており、このダレが残っていると、このダレが、ウエハの搬送中に装置設備の構成物などに衝突し、パーティクルと称される塵となり、浮遊し、この浮遊塵が膜の表面に付着し、ウエハを汚染し、上記したような配線の短絡の原因となるので、成膜の都度に、ウエハの周縁にわたる研磨が行われている。
【0006】
このウエハの周縁に形成されたノッチの研磨は、従来、ディスク状の研磨パッドの周縁部分をウエハのノッチに嵌め込んで、押し当て、研磨パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給しながら、研磨パッドを回転させることによって行われる(例えば、特許文献1を参照)。
【0007】
しかし、この従来技術では、織布又は不織布、或いは、織布又は不織布の繊維組織を合成樹脂で固めたものからなるディスク状の研磨パッドを使用してウエハのノッチの研磨が行われており、研磨中に、研磨パッドを構成する繊維組織の繊維が解れて毛羽立ち、(1)この繊維が切れて、自己発塵し、浮遊塵となってウエハの表面に付着し、ウエハを汚染する、(3)また、この切れた繊維が、装置設備の排水系統に詰まる、(4)研磨パッドが変形し、長時間安定して研磨を行うことができない、(5)ウエハのノッチに、研磨パッドの回転方向に沿った線状の傷が形成される、という問題が生じる。
【0008】
(特許文献1)
特開2000−233354(段落0012、段落0013、段落0016、図1〜図3)
【0009】
【発明の解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる研磨パッド及び方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ウエハの周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法である。
【0011】
上記目的を達成する本発明は、ディスク状の研磨パッドであって、合成樹脂からなるディスク状のパッド、及びこのパッドの周縁部分が露出するように、パッドの両面にそれぞれ固定される保持板から構成される。パッドの周縁部分の断面形状は、ノッチに嵌り込む形状にある。
【0012】
好適に、合成樹脂として、発泡性樹脂が使用され、パッドとして、発泡体からなるものが使用される。
【0013】
この発泡体の平均気泡径は、10μm〜500μmの範囲にある。
【0014】
また、発泡体の硬度は、ショアー硬度Aスケールで、25度〜95度の範囲、好適に40度〜90度の範囲にある。
【0015】
好適に、発泡体として、発泡ウレタンが使用される。
【0016】
ウエハの周縁に形成したノッチの研磨は、まず、上記本発明の研磨パッドを回転させる。次に、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに嵌め込んで、押し当て、パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給する。これにより、ウエハのノッチが研磨される。ここで、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに押し当てた状態で、ウエハを傾斜させて、ノッチの上面、端面及び下面を研磨してもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態は、ウエハの周縁に形成したノッチの研磨に用いられる研磨パッド及び方法である。
【0018】
<研磨パッド> 本発明の研磨パッドは、図1(a)及び(b)に示すように、合成樹脂からなるディスク状のパッド11、及びこのパッド11の周縁部分が露出するように、パッド11の両面にそれぞれ固定される保持板12、12から構成される。
【0019】
パッド11の周縁部分の断面形状は、ウエハのノッチに嵌り込む形状にある。すなわち、パッド11の周縁部分の断面形状は、図1(c)に示すように、ウエハ20のノッチ11の形状がV字形であるときはV字形であり、図1(d)に示すように、ウエハ20のノッチ21の形状がU字形であるときはU字形である。
【0020】
図1に示す研磨パッド10は、既知の成形技術を利用して、合成樹脂を所望のディスク状のパッド11に成形した後に、このパッド11の両面に、パッド径よりも小さい径のディスク状の保持板12、12を固定することによって製造できる。パッド11の周縁部分は、パッド11の周縁部分が所定の断面形状となるように型成形してもよいし、パッド11の成形後に、ナイフなどの手段を使用してパッド11の周縁部分を所定の断面形状に形成してもよい。
【0021】
合成樹脂として、ウレタン系、ポリエステル系などの既知の合成樹脂を使用できる。
【0022】
好適に、合成樹脂として、発泡性樹脂が使用され、パッド11として、発泡ウレタンなどの内部に独立気泡又は連続気泡を有する発泡体からなるパッド11が使用される。
【0023】
この発泡体の平均気泡径は、スラリー中に分散される研磨粒子を効率よく保持できるだけの径であればよく、10μm〜500μmの範囲にある。
【0024】
また、発泡体の硬度は、ショアー硬度Aスケールで25度〜95度の範囲、好適に40度〜90度の範囲にある。これは、パッド11の硬度が25度よりも低いと、研磨中に研磨パッドが変形し、ウエハ20のノッチ21を均一に研磨できなくなり、また、パッド11の硬度が95度よりも高いと、スラリー中の比較的大きい研磨粒子のノッチ21に対する過度の圧力を吸収できず、ノッチ21に傷をつけてしまうからである。
【0025】
<研磨方法> 図2に示すように、ウエハ20の周縁に形成したノッチ21の研磨は、まず、ウエハ20を固定台13に固定する。ウエハ20は、ノッチ21が研磨パッド10の方向に向いた状態で、既知の吸引手段(図示せず)によって固定台13の表面上に水平に固定される。次に、垂直平面上で回転可能に配列された研磨パッド10を矢印r1又はr2の方向に回転させる。研磨パッド10は、既知のモータなどの駆動手段(図示せず)に連結されており、このモータを駆動することによって回転される。次に、既知のボールネジ、エアシリンダなどの移動手段(図示せず)によって、研磨パッド10又は固定台13を移動して、研磨パッド10のパッド11の周縁部分をノッチ21に嵌め込んで、押し当て、パッド11の周縁部分とノッチ21との接触部分に、ノズル14を通じて、研磨粒子を分散させたスラリーを供給する。これにより、ウエハ20のノッチ21が研磨される。ここで、研磨パッド10のパッド11の周縁部分をノッチ21に押し当てた状態で、ウエハ20を矢印Rの方向に傾斜させて、ノッチ21の上面、端面及び下面を研磨してもよい。
【0026】
スラリーとして、水、又は水にグリコール類、アルコール類などの分散剤を混入した水溶液に研磨粒子を分散させたものが使用される。研磨粒子として、シリカ、セリア、アルミナなどから適宜に選択される一種又は二種以上の粒子が使用される。この研磨粒子のサイズは、平均粒径20nm〜200nmから適宜に選択される。また、このスラリーに、さらに、ノッチに形成されたダレと化学的に反応する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、フッ酸、フッ化物、硝酸鉄、ヨウ素酸カリウム、グリシン、キナルジン酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾールなどから適宜に選択される物質を含んだ反応液を添加してもよい。
【0027】
<実施例> 本発明に従って、シリコンウエハの周縁に形成されたV字形のノッチ端面を研磨した。ノッチの形状は、頂角90度で高さ2mmの二等辺三角形状であった。
【0028】
研磨パッド:80℃に保温したポリエーテルウレタンエラストマー(商品名:ハイプレンL−198、三井化学株式会社)と、3,3’−ジクロロ−4,4’ジアミノ−ジフェニルメタンに純水(1重量%)を加えて60℃に保温したものとの混合液(ポリエーテルウレタンエラストマー:3,3’−ジクロロ−4,4’ジアミノ−ジフェニルメタンに純水を加えたもの=100重量%:19重量%)を、円柱形状のキャビティーを有する金型内に注入し、これを発泡、硬化(金型温度:100℃、硬化時間:2時間)させて、この発泡成形物を金型から取り出し、室温で6日間放置し、半径約200mmの円柱形状の発泡体(発泡ウレタン)を成形した。この発泡体を厚さ4mmにスライスし、このスライスしたものの周縁部分を、ノッチの形状に一致するようにカットして、ディスク状の発泡ウレタンパッド(半径200mm、厚さ4mm)を製造した。次に、この発泡ウレタンパッドの周縁部分が48mmだけ露出するように、発泡ウレタンパッドの両面にそれぞれ半径152mmの保持板を固定し、実施例の研磨パッドを製造した。実施例の研磨パッドの平均気泡径は200μmであり、硬度は、ショアー硬度Aスケールで55度であった。実施例の研磨パッドの部分拡大断面図を図3(a)に示す。
【0029】
研磨: ノッチ端面の研磨は、下記の表1に示す研磨条件で、研磨パッドの回転数を変えて4回行い、研磨パッドのそれぞれの回転数における研磨後の研磨パッドの状態と、ノッチ端面の状態について観察した。研磨は、研磨パッドを垂直面上で回転させ、水平面上に固定したウエハを研磨パッドに向けて移動し、研磨パッドのパッドの周縁部分をノッチに嵌め込んで、押し当て、パッドの周縁部分とノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給することによって行われた。
【表1】
【0030】
スラリーとして、純水に平均粒径70nmのシリカ(10重量%)を水酸化カリウムでpH10.0に調製したコロイダル液を使用した。
【0031】
<比較例> 比較例の研磨パッドのパッドとして、不織布にウレタン樹脂を含浸させて、不織布繊維組織をウレタン樹脂で固めた市販のパッド(商品名:SUBA400、RODEL社)を使用した。このパッドは、上記実施例の研磨パッドのパッドと同一の形状(半径200mm、厚さ4mm)に加工され、このパッドの両面に保持板を固定して、比較例の研磨パッドを製造した。比較例の研磨パッドの部分拡大断面図を図3(b)に示す。
【0032】
この研磨パッドを使用して、上記実施例と同一の研磨条件で、ウエハのノッチ端面を研磨し、研磨後の研磨パッドの状態と、ノッチ端面の状態について観察し、上記実施例と比較した。
【0033】
<比較結果> 研磨後の研磨パッドの状態について、比較例の研磨パッドでは、パッドの繊維組織が切れ、毛羽立ち、パッドの周縁部分が変形し、また毛羽立った繊維が切れてウエハの表面に付着した。対照的に、実施例の研磨パッドでは、比較例にみられた毛羽立ちもなく、パッドの変形もみられず、ウエハの表面が汚染されることもなかった。
【0034】
研磨後のウエハのノッチ端面の状態について、比較例では、研磨パッドの回転方向に沿った線状の傷が形成された。対照的に、実施例では、比較例にみられるような線状の傷を形成することなく、ノッチ端面を鏡面に研磨できた。
【0035】
【発明の効果】
本発明が以上のように構成されるので、ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は、本発明の研磨パッドの側面図であり、図1(b)は、図1(a)の研磨パッドの正面図であり、図1(c)及び(d)は、それぞれ、図1(a)の研磨パッドのパッド周縁部分の断面図であり、ウエハの周縁に形成したノッチに嵌め込んだ状態を示す。
【図2】図2は、本発明の研磨パッドを装着した研磨装置を側面からみた略図である。
【図3】図3(a)は、実施例の研磨パッドの部分拡大断面図であり、図3(b)は、比較例の研磨パッドの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
10・・・研磨パッド
11・・・パッド
12・・・保持板
13・・・固定台
14・・・ノズル
20・・・ウエハ
21・・・ノッチ
r1、r2・・・回転方向
R・・・傾斜方向
Claims (7)
- ウエハの周縁に形成したノッチを研磨するためのディスク状の研磨パッドであって、
合成樹脂からなるディスク状のパッド、及び
前記パッドの周縁部分が露出するように、前記パッドの両面にそれぞれ固定される保持板、
から成り、
前記パッドの周縁部分の断面形状が、前記ノッチに嵌り込む形状にある、
ところの研磨パッド。 - 前記合成樹脂が発泡樹脂であり、前記パッドが発泡体からなる、ところの請求項1の研磨パッド。
- 前記発泡体の平均気泡径が、10μm〜500μmの範囲にある、請求項2の研磨パッド。
- 前記発泡体の硬度が、ショアー硬度Aスケールで、25度〜95度の範囲にある、請求項2の研磨パッド。
- 前記発泡体が、発泡ウレタンである、請求項2の研磨パッド。
- 請求項1〜5のいずれか1に記載の研磨パッドを使用してウエハの周縁に形成したノッチを研磨するための方法であって、
前記研磨パッドを回転させる工程、
前記パッドの周縁部分を前記ノッチに嵌め込んで、押し当てる工程、
前記パッドの周縁部分と前記ノッチとの接触部分に、研磨粒子を分散させたスラリーを供給する工程、
から成る方法。 - 前記パッドの周縁部分を前記ノッチに押し当てた状態で、前記ウエハを傾斜させる工程、をさらに含む請求項6の方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244667A JP2004087647A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 研磨パッド及び方法 |
KR1020047006155A KR20050032021A (ko) | 2002-08-26 | 2003-04-18 | 연마 패드 및 방법 |
EP03719140A EP1447840A1 (en) | 2002-08-26 | 2003-04-18 | Polishing pad and polishing method |
PCT/JP2003/005008 WO2004019395A1 (ja) | 2002-08-26 | 2003-04-18 | 研磨パッド及び方法 |
TW092123310A TWI272159B (en) | 2002-08-26 | 2003-08-25 | Polishing pad and its polishing method |
US10/752,883 US20040142641A1 (en) | 2002-08-26 | 2004-01-06 | Polishing pad and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244667A JP2004087647A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 研磨パッド及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087647A true JP2004087647A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=31944171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002244667A Pending JP2004087647A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 研磨パッド及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040142641A1 (ja) |
EP (1) | EP1447840A1 (ja) |
JP (1) | JP2004087647A (ja) |
KR (1) | KR20050032021A (ja) |
TW (1) | TWI272159B (ja) |
WO (1) | WO2004019395A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008168416A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2010090258A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド用研磨シートの選別方法 |
JP2010157619A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
JP2011040674A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ研磨装置 |
US8167690B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-05-01 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8257153B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-09-04 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and a method for manufacturing the same |
US8318298B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-11-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Layered sheets and processes for producing the same |
US8476328B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-07-02 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd | Polishing pad |
US9126303B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for production of a laminate polishing pad |
JP2021041483A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4116583B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-07-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
US7513820B2 (en) * | 2006-03-16 | 2009-04-07 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method and apparatus for producing micro-texture on a slider substrate using chemical and mechanical polishing techniques |
WO2008029537A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Procédé de production d'un tampon à polir |
JP5599547B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2014-10-01 | Mipox株式会社 | 硬質結晶基板研磨方法及び油性研磨スラリー |
US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
JP5759888B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-08-05 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
KR20180053972A (ko) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 노치 연마 패드 드레싱 장치 및 이 장치를 이용하는 웨이퍼 제조 방법 |
US10350726B2 (en) * | 2017-06-19 | 2019-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing system and method |
CN112775757A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体机台及研磨方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2857597A (en) * | 1956-06-18 | 1958-10-28 | John T Riddell Inc | Shielding device for fasteners |
JPH01193166A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-03 | Showa Denko Kk | 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド |
JP2613504B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1997-05-28 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのノッチ部面取り方法および装置 |
US5185965A (en) * | 1991-07-12 | 1993-02-16 | Daito Shoji Co., Ltd. | Method and apparatus for grinding notches of semiconductor wafer |
US5289661A (en) * | 1992-12-23 | 1994-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Notch beveling on semiconductor wafer edges |
JP2798345B2 (ja) * | 1993-06-11 | 1998-09-17 | 信越半導体株式会社 | ウェーハのノッチ部研磨装置 |
JP2798347B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1998-09-17 | 信越半導体株式会社 | ウェーハのノッチ部研磨装置 |
JP2738392B1 (ja) * | 1996-11-05 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の研磨装置及び研磨方法 |
JP3197253B2 (ja) * | 1998-04-13 | 2001-08-13 | 株式会社日平トヤマ | ウエーハの面取り方法 |
US6448154B1 (en) * | 1998-04-16 | 2002-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Method for producing wafers with rounded corners in the notches used for alignment in the fabrication of semiconductor devices |
JP2000082688A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハのノッチ部のアール面取り方法およびその装置 |
JP2000210852A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
JP3453356B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2003-10-06 | 株式会社石井表記 | 半導体ウエハーの研磨装置及びその方法 |
-
2002
- 2002-08-26 JP JP2002244667A patent/JP2004087647A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-18 KR KR1020047006155A patent/KR20050032021A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-04-18 EP EP03719140A patent/EP1447840A1/en not_active Withdrawn
- 2003-04-18 WO PCT/JP2003/005008 patent/WO2004019395A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2003-08-25 TW TW092123310A patent/TWI272159B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-06 US US10/752,883 patent/US20040142641A1/en not_active Abandoned
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8318298B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-11-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Layered sheets and processes for producing the same |
US9126303B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for production of a laminate polishing pad |
US8167690B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-05-01 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP2008168416A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
US8257153B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-09-04 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and a method for manufacturing the same |
US8476328B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-07-02 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd | Polishing pad |
JP2010090258A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド用研磨シートの選別方法 |
JP2010157619A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
JP2011040674A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ研磨装置 |
JP2021041483A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法 |
JP7328838B2 (ja) | 2019-09-10 | 2023-08-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1447840A1 (en) | 2004-08-18 |
WO2004019395A1 (ja) | 2004-03-04 |
KR20050032021A (ko) | 2005-04-06 |
US20040142641A1 (en) | 2004-07-22 |
TWI272159B (en) | 2007-02-01 |
TW200414970A (en) | 2004-08-16 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050323 |