TWI272159B - Polishing pad and its polishing method - Google Patents

Polishing pad and its polishing method Download PDF

Info

Publication number
TWI272159B
TWI272159B TW092123310A TW92123310A TWI272159B TW I272159 B TWI272159 B TW I272159B TW 092123310 A TW092123310 A TW 092123310A TW 92123310 A TW92123310 A TW 92123310A TW I272159 B TWI272159 B TW I272159B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pad
honing
peripheral edge
slit
wafer
Prior art date
Application number
TW092123310A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200414970A (en
Inventor
Hisatomo Ohno
Satoru Sato
Kazunari Osawa
Original Assignee
Nippon Micro Coating Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Micro Coating Kk filed Critical Nippon Micro Coating Kk
Publication of TW200414970A publication Critical patent/TW200414970A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI272159B publication Critical patent/TWI272159B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B3/00—Sharpening cutting edges, e.g. of tools; Accessories therefor, e.g. for holding the tools
    • B24B3/24—Sharpening cutting edges, e.g. of tools; Accessories therefor, e.g. for holding the tools of drills
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
    • B24D13/02—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by their periphery
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/22—Rubbers synthetic or natural
    • B24D3/26—Rubbers synthetic or natural for porous or cellular structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

1272159 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於形成在半導體晶圓或半導體裝置晶圓 (以下，稱晶圓）周緣的切口硏磨時所使用的硏磨墊及方 法。 【先前技術】 晶圓是將Si或GaP等的單晶所形成的鑄錠切片後， 施以硏磨形成半導體裝置的基板所形成的薄板，其周緣形 成容易進行結晶方向的辨識及對齊用的稱爲切口的V字 型或U字型缺口。並且，爲了消除碎屑（切片時晶圓切斷 線的緣部產生的不定形破裂），在晶圓的全周緣施以R倒 角加工。 爲了在此晶圓表面上形成半導體裝置，在晶圓的表面 利用濺鍍、CVD、蝕刻等的成膜/蝕刻技術，層疊絕緣 膜、電極配線膜製作多層配線構造物。 以上的多層配線構造物形成底層之膜的平面性與平行 性低時，會降低層疊其上之膜的平面性與平行性，產生段 差’導致構成配線短路的原因，在每進行成膜或蝕刻時， 進行膜的表面硏磨。 另外，晶圓的周圍緣部（晶圓的周緣上面、端面及下 面）成膜時形成稱爲垂片的多餘的膜部份，一旦殘留此一 垂片時，該垂片在晶圓運送中與裝置設備的構成物等衝 突’形成所謂粒子的粉塵浮游其中，使該浮游塵附著在膜 1272159 (2) 的表面污染晶圓，而造成上述的配線短路的原因，因此在 每一成膜時，在晶圓的全周緣進行硏磨。 對於形成在該晶圓周緣的切口的硏磨，以往是將盤形 硏磨墊的周圍緣部嵌入晶圓的切口，抵接，在硏磨墊的周 圍緣部與切口的接觸部份一邊供給分散硏磨粒子的粉漿， 一邊轉動硏磨墊進行（例如，參閱特許文獻1)。 但是，此一習知技術是使用織布或不織布，或以合成 樹脂使織布或不織布的纖維組織硬化所成的盤形硏磨墊進 行晶圓的切口硏磨，硏磨中，會產生鬆緩構成硏磨墊的組 織纖維的纖維起毛，（1)切斷此纖維，本身產生粉塵，形 成浮游塵附著在晶圓的表面，污染晶圓，（3)並且，此一 切斷纖維，阻塞裝置設備的排水系統，（4)使硏磨墊變 形，不能長時間穩定進行硏磨，（5)晶圓的切口形成沿著 硏磨墊轉動方向的線狀傷痕，等問題。 (特許文獻1) 特開2000-23 3 3 5 4(段落0012、段落00]3、段落 〇〇1 6、第1圖〜第3圖） 〔發明所欲解決的課題〕 本發明有鑑於上述問題，提供一種晶圓切口硏磨中， 本身不產生粉塵，可長時間穩定硏磨不致損傷切口的硏磨 墊及方法。 (3) 1272159 【發明內容】 本發明爲形成晶圓周緣的切口硏磨所使用的硏磨墊及 方法。 爲了達成上述目的的本發明爲盤形的硏磨墊，係合成 樹脂所成的盤形墊，及使墊的周圍緣部露出，分別固定在 墊兩面的保持板所構成。墊的周圍緣部的剖面形狀具有嵌 入切口的形狀。 合成樹脂以使用發泡性樹脂爲佳，墊是使用發泡體所 構成。 該發泡體的平均氣泡直徑在10 // m〜5 00 μ m的範圍。 並且，發泡體的硬度爲肖氏硬度A標度25〜95的範 圍，最好在40〜90的範圍。 發泡體以使用發泡氨基甲酸乙酯爲佳。 對於形成晶圓周緣的切口的硏磨，首先轉動上述本發 明的硏磨墊。其次，將硏磨墊的墊周圍緣部嵌入切口內抵 接，在墊的周圍緣部與切口的接觸部份供給分散硏磨粒子 的粉漿。藉此硏磨晶圓的切口。其中，也可以將硏磨塾的 墊周圍緣部抵接在切口的狀態下，使晶圓傾斜，硏磨切口 的上面、端面及下面。 【實施方式】 本發明的實施形態爲形成晶圓周緣的切口硏磨所使用 的硏磨墊及方法。 〈硏磨墊〉本發明的硏磨墊是如第1 ( a)及（b )圖所 1272159 (4) 示，係合成樹脂所成的盤形墊π，及使墊1 1的周圍緣部 露出，分別固定在墊1 1兩面的保持板1 2、1 2所構成。 墊1 1的周圍緣部的剖面形狀具有嵌入切口的形狀。 即，墊1 1的周圍緣部的剖面形狀如第1 (c)圖表示，晶圓 20的切口 1 1的形狀爲V字型時形成V字型，如第1(d)圖 所示，晶圓2 0的切口 2 1的形狀爲U字型時則形成U字 型。 第1圖表示的硏磨墊1 0是利用既有的成形技術，將 合成樹脂成形爲預定的盤形的墊11之後，可藉著在該墊 1 1兩面固定較墊直徑小直徑的盤形保持板1 2、1 2製造。 墊1 1的周圍緣部也可以將墊1 1的周圍緣部鑄模成形爲預 定的剖面形狀，也可以在墊1 1的成形後，使用切刀等手 段將墊1 1的周圍緣部形成預定的剖面形狀。 合成樹脂可以使用氨基甲酸乙酯系、聚酯系等的既有 合成樹脂。 合成樹脂以使用發泡性樹脂爲佳，墊1 1以使用發泡 氨基甲酸乙酯等的內部具有獨立氣泡或連續氣泡的發泡體 所構成的墊]1爲佳。 該發泡體的平均氣泡直徑爲1 0// m〜5 00 // m的範圍， 只要可以有效保持分散粉發中的硏磨粒子的直徑即可。 另外，發泡體的硬度爲肖氏硬度A標度25度〜95度 的範圍，以40度〜90度的範圍爲佳。此係由於墊1 1的硬 度低於2 5度時，硏磨中會使得硏磨墊變形，不能均勻地 硏磨晶圓2 0的切口 2 1，並且墊1 1的硬度一旦高於9 5度 1272159 (5) 時，不能吸收相對於粉漿中比較大硏磨粒子的切口 2 1的 過度壓力，會導致切口 2 1的損傷。 〈硏磨方法〉 如第2圖表示，對於形成晶圓20周 緣的切口 2 1的硏磨是首先將晶圓2 〇固定在固定台1 3。 使晶圓20在切口 2 1朝著硏磨墊1 〇方向的狀態，利用既 有的吸引手段（未圖示）水平固定在固定台13的表面上。 其次，在垂直平面上使可自由轉動排列的硏磨墊1 〇朝著 箭頭1* 1或1*2的方向轉動。將硏磨墊i 〇連結在既有的馬 達等驅動手段（未圖示），驅動該馬達使其轉動。隨著以既 有的螺桿、汽缸等的移動手段（未圖示），移動硏磨墊1 〇 或者固定台1 3，將硏磨墊1 〇的墊1 1的周圍緣部嵌入切 口 2 1內抵接，在墊1 1的周圍緣部與切口 2 1的接觸部份 通過噴嘴1 4供給分散硏磨粒子的粉漿。藉此，可硏磨晶 圓2 0的切口 2 1。其中，也可以在將硏磨墊1 〇的墊！ 1的 周圍緣部抵接切口 2 1的狀態下，使晶圓20朝著箭頭R的 方向傾斜，進行切口 2 1的上面、端面及下面的硏磨。 粉漿可以使用將硏磨粒子分散於水或者混入水中的甘 醇類、乙醇類等。硏磨粒子可以從氧化矽、二氧化鈽、氧 化鋁等適當選擇一種或兩種以上的粒子。該硏磨粒子的尺 寸可以從平均粒徑20nm〜200n m中適當選擇。並且，該粉 漿也可以添加含有與形成切口的垂片化學反應的氫氧化 鉀、氫氧化納、氫氧化銨、氫氧化四甲銨、氫氟酸、氟化 物、硝酸鐵、碘酸鉀、甘氨酸、 哪啶酸、過氧化氫、苯 并三唑等適當選擇物質的反應物。 -9 - 1272159 (6) 〈實施例〉根據本發明，進行形成矽晶圓周緣的V 字型切口端面的硏磨。切口的形狀在頂角90度形成高度 2mm的等邊三角形。 硏磨墊：將80 °C保溫後的聚醚氨酯彈性體（商品名： HIPLAIN-198、三井化學股份公司），及與3,3-二氯_4,4， 二氨基二苯甲烷添加純水（1重量％)保溫在60 °C的混合液 (聚醚氨酯彈性體：在3,3’-二氯-4,4’二氨基二苯甲烷添加 純水=1 0 0重量％ : 1 9重量％)注入具有圓柱形空腔的模具 內，使其發泡、硬化（模具溫度：1 0 0 °C、硬化時間：2小 時），從模具中取出該發泡成形物，在室溫下放置6天， 成形爲半徑約200mm的圓柱形發泡體（發泡聚氨酯）。將 此發泡體切片成厚度4mm，將該切片後的周圍緣部切割 形成一致的切口形狀，製造盤形的發泡聚氨酯墊（半徑 2 0 0mm、厚度4mm)。其次，使該發泡聚氨酯的周圍緣部 僅露出4 8 m m而在發泡聚氨酯墊的兩面分別固定半徑 1 5 2 m m的保持板’製造實施例的硏磨墊。實施例的硏磨 墊的平均氣泡直徑爲2 0 0 // m，硬度爲肖氏硬度A標度5 5 度。第3 (a)圖是表示實施例的硏磨墊的部分擴大剖面圖。 硏磨：切口端面的硏磨是在下述表1顯示的硏磨條件 下，變更硏磨墊的轉數進行4次，觀察硏磨墊各別轉數的 硏磨後之硏磨墊的狀態，及切口端面的狀態。硏磨是硏磨 墊在垂直面上轉動，使固定在水平面上的晶圓朝著硏磨墊 方向移動，將硏磨墊的墊的周圍緣部嵌入切口內抵接，在 墊的周圍緣部與切口的接觸部分，藉著分散硏磨粒子的粉 -10- 1272159 (7) 漿的供給進行。 〔表1〕 表1硏磨條件 次數 1 2 3 4 硏磨墊轉數（rpm) 500 600 700 800 硏磨負載（g) 800 800 800 800 粉漿供給量（cc/分鐘） 50 50 50 50 硏磨時間（秒） 40 40 40 40
粉漿是使用純水中以氫氧化鉀將平均粒徑70nm的氧 化矽（10重量°/。)調製成PH 10.0的膠態液。 〈比較例〉 比較例的硏磨墊的墊是使用將不織布浸 漬聚氨酯樹脂，以聚氨酯樹脂使不織布組織固化的市售的 墊（商品名：SUB A4 00、RODEL公司）。將該墊加工形成與 上述實施硏磨墊的墊相同的形狀（半徑200mm、厚度 鲁 4mm)，在該墊的兩面固定保持板，製造比較例的硏磨 墊。第3 (b)圖表示比較例的硏磨墊的部分擴大剖面圖。 使用該硏磨墊，在與上述實施例相同的硏磨條件下， 硏磨晶圓的切口端面，觀察硏磨後的硏磨墊的狀態與切口 端面的狀態，進行與上述實施例的比較。 〈比較結果〉 對於硏磨後硏磨墊的狀態，比較例的 硏磨墊會產生墊纖維組織的切斷，起毛，墊的周圍緣部變 形及起毛的纖維切斷附著在晶圓的表面。相對於實施例的 -11 - 1272159 (8) 硏磨墊不會產生如比較例的起毛，且不具有墊的變形及產 生晶圓表面的污染。 對於硏磨後晶圓的切口端面的狀態，比較例中形成沿 著硏磨墊轉動方向的線狀損傷。相對於實施例中，不會形 成比較例顯示的線狀傷痕，可鏡面硏磨切口端面。 〔發明效果〕 構成如上述的本發明，在晶圓的切口硏磨中，可實現 本身不產生粉塵，長時間穩定硏磨不會損傷切口的效果。 【圖式簡單說明】 第1(a)圖爲本發明硏磨墊的側視圖，第1(b)圖爲第 1(a)圖的硏磨墊的前視圖，第1(c)及（d)圖是分別表示第 1 (a)圖的硏磨墊的墊周圍緣部的剖面圖，嵌入形成晶圓周 緣的切口的狀態圖。 第2圖是從側面顯示安裝本發明硏磨墊的硏磨裝置的 槪略圖。 第3 (a)圖爲實施例的硏磨墊的部分擴大剖面圖，第 3 (b)圖爲比較例的硏磨墊的部分擴大剖面圖。 〔符號說明〕 10 硏磨墊 11 墊 12 保持板 -12- 1272159 (9) 13 固定台 14 噴嘴 2 0 晶圓 2 1 切口 rl、r2 轉動方向 R 傾斜方向
-13-

Claims (1)

1272159 (1) . 拾、申請專利範圍 1_ 一種硏磨墊，係硏磨形成在晶圓周緣的切口用的盤 形硏磨墊，其特徵爲： 爲合成樹脂所成的盤形塾，及 使墊的周圍緣部露出，分別固定在墊兩面的保持板所 構成， 上述墊的周圍緣部的剖面形狀具有嵌入切口的形狀。 2 .如申請專利範圍第1項記載的硏磨墊，其中上述合 _ 成樹脂爲發泡樹脂，上述墊爲發泡體所構成。 3 ·如申請專利範圍第2項記載的硏磨墊，其中上述發 泡體的平均氣泡直徑在1 0// m〜5 00 // m的範圍。 4 ·如申請專利範圍第2項記載的硏磨墊，其中上述發 泡體的硬度爲肖氏硬度A標度25〜95的範圍。 5 .如申請專利範圍第2項記載的硏磨墊，其中上述發 泡體爲發泡氨基甲酸乙酯。 6 . —種硏磨方法，係使用申請專利範圍第1〜5項中任 肇 一項記載的硏磨墊，硏磨形成在晶圓周緣的切口用的方 法，其特徵爲： 轉動上述硏磨墊的步驟； 將上述墊的周圍緣部嵌入上述切口抵接的步驟；及 在上述墊的周圍緣部與上述切口的接觸部份供給分散 硏磨粒子的粉漿的步驟。 7 .如申請專利範圍第6項記載的硏磨方法’其中更包 含將上述墊的周圍緣部抵接上述切口的狀態下’使上述晶 -14- 1272159 (2) 圓傾斜的步驟。
-15-
TW092123310A 2002-08-26 2003-08-25 Polishing pad and its polishing method TWI272159B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002244667A JP2004087647A (ja) 2002-08-26 2002-08-26 研磨パッド及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200414970A TW200414970A (en) 2004-08-16
TWI272159B true TWI272159B (en) 2007-02-01

Family

ID=31944171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092123310A TWI272159B (en) 2002-08-26 2003-08-25 Polishing pad and its polishing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040142641A1 (zh)
EP (1) EP1447840A1 (zh)
JP (1) JP2004087647A (zh)
KR (1) KR20050032021A (zh)
TW (1) TWI272159B (zh)
WO (1) WO2004019395A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4116583B2 (ja) * 2004-03-24 2008-07-09 株式会社東芝 基板処理方法
CN101223016B (zh) 2005-07-15 2012-02-29 东洋橡胶工业株式会社 层叠片及其制造方法
JP4884726B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
US7513820B2 (en) * 2006-03-16 2009-04-07 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Method and apparatus for producing micro-texture on a slider substrate using chemical and mechanical polishing techniques
CN101511536A (zh) * 2006-09-08 2009-08-19 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫的制造方法
KR101181885B1 (ko) 2006-09-08 2012-09-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
JP5599547B2 (ja) * 2006-12-01 2014-10-01 Ｍｉｐｏｘ株式会社 硬質結晶基板研磨方法及び油性研磨スラリー
US7559825B2 (en) 2006-12-21 2009-07-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer
US8257153B2 (en) 2007-01-15 2012-09-04 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and a method for manufacturing the same
JP4986129B2 (ja) * 2007-01-15 2012-07-25 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5160365B2 (ja) * 2008-10-07 2013-03-13 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド用研磨シートの選別方法
JP5762668B2 (ja) * 2008-12-26 2015-08-12 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP5618508B2 (ja) * 2009-08-18 2014-11-05 三菱電機株式会社 ウエハ研磨装置
JP5759888B2 (ja) * 2011-12-28 2015-08-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
KR20180053972A (ko) * 2016-11-14 2018-05-24 에스케이실트론 주식회사 노치 연마 패드 드레싱 장치 및 이 장치를 이용하는 웨이퍼 제조 방법
US10350726B2 (en) * 2017-06-19 2019-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing system and method
JP7328838B2 (ja) * 2019-09-10 2023-08-17 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法
CN112775757A (zh) * 2021-01-05 2021-05-11 长江存储科技有限责任公司 一种半导体机台及研磨方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2857597A (en) * 1956-06-18 1958-10-28 John T Riddell Inc Shielding device for fasteners
JPH01193166A (ja) * 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
JP2613504B2 (ja) * 1991-06-12 1997-05-28 信越半導体株式会社 ウエーハのノッチ部面取り方法および装置
US5185965A (en) * 1991-07-12 1993-02-16 Daito Shoji Co., Ltd. Method and apparatus for grinding notches of semiconductor wafer
US5289661A (en) * 1992-12-23 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Notch beveling on semiconductor wafer edges
JP2798345B2 (ja) * 1993-06-11 1998-09-17 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JP2798347B2 (ja) * 1993-07-08 1998-09-17 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JP2738392B1 (ja) * 1996-11-05 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
JP3197253B2 (ja) * 1998-04-13 2001-08-13 株式会社日平トヤマ ウエーハの面取り方法
US6448154B1 (en) * 1998-04-16 2002-09-10 Texas Instruments Incorporated Method for producing wafers with rounded corners in the notches used for alignment in the fabrication of semiconductor devices
JP2000082688A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハのノッチ部のアール面取り方法およびその装置
JP2000210852A (ja) * 1999-01-25 2000-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP3453356B2 (ja) * 2000-12-27 2003-10-06 株式会社石井表記 半導体ウエハーの研磨装置及びその方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050032021A (ko) 2005-04-06
US20040142641A1 (en) 2004-07-22
JP2004087647A (ja) 2004-03-18
WO2004019395A1 (ja) 2004-03-04
TW200414970A (en) 2004-08-16
EP1447840A1 (en) 2004-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI272159B (en) Polishing pad and its polishing method
JP5455282B2 (ja) シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去
KR100229058B1 (ko) 홈과 홀이 있는 연마패드 및 이러한 연마패드를 가지는 연마장치
TWI289090B (en) Chemical mechanical polishing pad, manufacturing process thereof and chemical mechanical polishing method for semiconductor wafers
JP2009123806A (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2008290197A (ja) 研磨パッド及び方法
JP3324643B2 (ja) 研磨パッド
JP2005007520A (ja) 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法
KR101752986B1 (ko) SiC 기판의 제조 방법
TW201628787A (zh) 研磨墊
JP2004189846A (ja) 研磨材固定用両面粘着テープ
JP2004087521A (ja) 片面鏡面ウェーハおよびその製造方法
JP4293480B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP4051663B2 (ja) ワックスレスマウント式研磨方法
JP4681970B2 (ja) 研磨パッドおよび研磨機
JP2011187956A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
EP1316991A1 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JP2002252189A (ja) 半導体ウェーハ用研磨液
JP2003231051A (ja) 研磨装置及び方法
JP2002292556A (ja) シリコンウエハ鏡面研磨用スラリー、砥石、パッド及び研磨液、並びにこれらを用いたシリコンウエハの鏡面研磨方法
JP2006156688A (ja) 鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布
JP2007210236A (ja) 積層研磨パッド
JP2007274012A (ja) ワックスレスマウント式研磨方法
JP3601937B2 (ja) 表面平坦化方法および表面平坦化装置
JP2950457B2 (ja) 半導体ウェーハ研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees