JP2013258227A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013258227A JP2013258227A JP2012132638A JP2012132638A JP2013258227A JP 2013258227 A JP2013258227 A JP 2013258227A JP 2012132638 A JP2012132638 A JP 2012132638A JP 2012132638 A JP2012132638 A JP 2012132638A JP 2013258227 A JP2013258227 A JP 2013258227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor wafer
- mirror
- oxide film
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】半導体ウェーハの表裏両面を粗研磨する粗研磨工程S5と、前記粗研磨された半導体ウェーハの面取り部を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程S7と、前記鏡面面取りされた半導体ウェーハの表面または表裏両面を鏡面研磨する鏡面仕上研磨工程S9と、を行う半導体ウェーハの製造方法において、前記鏡面面取り研磨工程の後に、前記半導体ウェーハ表面に対して、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムの少なくとも一方を含むアルカリ溶液を用いた研磨を行い、前記半導体ウェーハ表面上に存在する酸化膜を除去する工程S8を行った後、前記鏡面仕上研磨工程を行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、半導体ウェーハの表裏面のみならず、面取り部からの発塵を防止する目的で、面取り部にも鏡面研磨が実施される。
粗研磨は、キャリア内に半導体ウェーハを収納して半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する両面同時研磨により行われる。この両面同時研磨では、半導体ウェーハとキャリア内周面との接触により、面取り部に傷や圧痕が発生する。したがって、面取り部の鏡面研磨は、発生する傷や圧痕の除去を兼ねて、粗研磨後に実施されるのが一般的である。
また、保護膜を形成するための樹脂が、表裏両面だけでなく、面取り部にまで及んでしまうと、面取り部の鏡面研磨工程での研磨が部分的あるいは全体的に抑制されてしまう。そのため、面取り部には樹脂が及ばないように、ウェーハ表裏両面のみに保護膜を正確に形成する必要があるが、技術的に困難であった。
更に、樹脂製保護膜の除去のための洗浄では、一旦除去した樹脂が再付着する、樹脂製保護膜が完全に除去されないなどの問題があった。
本発明者らの実験によれば、粗研磨された半導体ウェーハを洗浄処理した後、面取り部に鏡面面取り研磨を行い、その後に表面または表裏両面を鏡面仕上研磨すると、半導体ウェーハ表面の外周部の平坦度が悪化する問題があることが判明した。
半導体ウェーハに対して、SC−1洗浄などの洗浄処理が行われると、洗浄処理された半導体ウェーハの全面には不可避的に厚さオングストローム程度の酸化膜が形成される。
一方、近年、ウェーハ面取り部の鏡面研磨の技術開発も進み、使用する研磨布やスラリーの種類などの改良により、オーバーポリッシュによるエッジロールオフ発生の問題は殆ど生じない状況にまで改善されてきている。
この状態で次の鏡面仕上研磨を行うと、図7(B)に示すように、半導体ウェーハ表面において酸化膜が存在する部分と存在しない部分とで研磨レートの差を生じる。そして、酸化膜が存在しない外周部での研磨進行が速くなって、外周部から先に研磨されてしまうため、エッジロールオフが悪化してしまうことが明らかとなった。
この発明によれば、表面と面取り部の酸化膜厚み差が0.2nm未満であれば、鏡面仕上研磨時に研磨レートの差を生じることなく、半導体ウェーハ表面の外周部の平坦度を確実に向上させることができる。
この発明によれば、鏡面仕上研磨工程での研磨取り代が0.1μm以上3μm以下であれば、高い平坦度で、かつ良好な表面粗さの半導体ウェーハが得られる。
図1には、本発明の実施形態に係る半導体ウェーハの製造工程が示されている。
先ず、CZ法等により引き上げられた単結晶インゴットを、マルチワイヤソー等によってスライス切断する(工程S1)。次いで、スライスしたウェーハの欠けや割れを防止するために、ウェーハの角隅部等に面取りを行う(工程S2)。
次に、面取りしたウェーハの表面を平坦化するために、ラッピングや平面研削を行う(工程S3)。そして、ウェーハに残留する面取り時及びラッピング時に発生した加工変質層を除去するために、エッチングによる化学研磨を行う(工程S4)。
次に、エッチングされた半導体ウェーハの表裏両面を粗研磨する。
粗研磨工程S5は、所望とする厚みまで半導体ウェーハを研磨することを目的に行われる。具体的には、ウレタン樹脂などを固めた硬質素材の研磨布を用い、研磨速度が比較的速い条件で、研磨後の半導体ウェーハの厚さのバラツキを小さく、平坦化するように研磨が行われる。
この粗研磨工程S5では、研磨布の種類や遊離砥粒サイズを変更して、研磨取り代を複数段階(例えば1〜3段階)に分けて研磨処理を行ってもよい。また、遊離砥粒を用いないアルカリ溶液による無砥粒研磨を採用してもよい。
本実施形態の粗研磨工程S5に用いる両面研磨装置について説明する。
図2に示すように、両面研磨装置10は、上定盤11、下定盤12、インナーギア13、アウターギア14、及び複数のキャリア15を備えて構成され、キャリア15内には、複数の半導体ウェーハWが収納される。図2では、1枚のキャリア15内に3枚の半導体ウェーハWが収納されるように構成される。
上定盤11は、定盤本体111と、この定盤本体111を下定盤12に対して接近離間させる昇降機構112とを備えて構成される。
昇降機構112は、定盤本体111の略中央に設けられる軸部を有し、図示を略したが、上部に配置される門型フレームに設けられるモータによって、定盤本体111を上下に昇降させる。
インナーギア13は、下定盤12の円板の略中心に、下定盤12と独立して回転するように設けられ、その外周側面には、キャリア15と噛合する歯131が形成されている。
アウターギア14は、下定盤12を囲むリング状体から構成され、リングの内側面には、キャリア15と噛合する歯141が形成されている。
キャリア15は、円板状体から構成され、その外周側面には前記のインナーギア13及びアウターギア14と噛合する歯151が形成される。また円板状体内部には、複数のウェーハ保持孔152が形成され、このウェーハ保持孔152内部に半導体ウェーハWが収納される。
次に、前述した両面研磨装置10による粗研磨の作用について説明する。
まず、下定盤12上にキャリア15をセットし、ウェーハ保持孔152内に半導体ウェーハWを収納する。次に、昇降機構112により上定盤11を下降させ、上定盤11を下方向に所定の圧力で加圧した状態で、上定盤11の定盤本体111に形成された供給孔から研磨スラリーを供給し、それぞれの駆動モータを駆動させることにより、両面研磨が行われる。
なお、半導体ウェーハWは、下側が表面研磨、上側が裏面研磨となるように配置され、下定盤12に取り付けられる研磨パッド121が半導体ウェーハWの表面研磨用、上定盤11に取り付けられる研磨パッド113が半導体ウェーハWの裏面研磨用となる。
次に、粗研磨工程S5を終えた半導体ウェーハWを洗浄する。
粗研磨工程S5後の半導体ウェーハW表面には、粗研磨工程S5で使用した砥粒や研磨液などが残存している。そして、粗研磨工程S5と後述する鏡面仕上研磨工程S9とでは、砥粒サイズや配合成分が異なる研磨液を使用する。そのため、この工程S6では、残存する砥粒や研磨液を後に続く鏡面仕上研磨工程S9に持ち込まないように、半導体ウェーハWが洗浄される。
上記SC−1液による洗浄後は、半導体ウェーハWを純水でリンスする。洗浄を終えた半導体ウェーハWの全面には、不可避的に、膜厚が約1nm以上約1.1nm以下(約10Å以上約11Å以下)の自然酸化膜が形成される。
次に、洗浄工程S6を終えた半導体ウェーハWの面取り部を鏡面研磨する。
工程S7において、半導体ウェーハWの面取り部を鏡面研磨するのは、面取り部からの発塵を防止するため、そして、粗研磨工程S5において、半導体ウェーハWとキャリア内周面との接触により、面取り部に生じた傷や圧痕を除去するためである。
本実施形態の鏡面面取り研磨工程S7に用いる面取り研磨装置について説明する。図3(A)は面取り研磨装置の部分拡大概略図であり、図3(B)は面取り研磨装置の平面図である。
図3(A)に示すように、面取り研磨装置20は、半導体ウェーハWの下面を吸着するウェーハ吸着部21と、このウェーハ吸着部21で吸着された半導体ウェーハWを鏡面研磨する研磨部22と、研磨部22の上部には研磨液を供給するための配管23を備える。
研磨部22は、半導体ウェーハWの面取り部を鏡面研磨する研磨ホイール221と、研磨ホイール221を回転させたり、上下方向に昇降させたり、半導体ウェーハWに押し付ける駆動手段(図示省略)とを備える。研磨ホイール221は、上方傾斜面研磨パッド222、垂直面研磨パッド223及び下方傾斜面研磨パッド224から構成される。
なお、図3(A)では、半導体ウェーハWの面取り部に対する位置関係を説明するために、各研磨パッドを図の右側に並べて示したが、実際には、図3(B)に示すように、各研磨パッドがそれぞれ同じ長さの円弧状に形成され、所定の間隔をあけて半導体ウェーハWの周りに配置する構成となっている。
次に、前述した面取り研磨装置20による鏡面面取り研磨工程の作用について説明する。
先ず、半導体ウェーハWの下面をウェーハ吸着部21に吸着して半導体ウェーハWを保持させる。そして、研磨ホイール221の各研磨パッド222,223,224を所定の圧力で面取り部の対応する箇所にそれぞれ押し付けて、押し付けた状態を維持する。
次に、配管23から研磨液を研磨布に供給しながら、図3(B)に示すように、回転手段212を回転させて半導体ウェーハWを回転させるとともに、駆動手段により研磨ホイール221を回転させて各研磨パッド222,223,224を回転させる。
これにより、半導体ウェーハWの面取り部の上方が上方傾斜面研磨パッド222によって、面取り部の中央部が垂直面研磨パッド223によって、及び面取り部の下方が下方傾斜面研磨パッド224によってそれぞれ研磨される。
また、面取り部だけでなく、オーバーポリッシュによって、表裏両面の外周部に存在する酸化膜も除去され、外周部のシリコン面が露出する。
次に、図4(B)に示すように、鏡面面取り研磨工程S7の後に、半導体ウェーハ表面に対して、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムの少なくとも一方を含むアルカリ溶液を用いて研磨する。この研磨により、半導体ウェーハの表面上に存在する酸化膜を除去する。
本実施形態の酸化膜除去工程S8に用いる片面研磨装置について説明する。
図5に示すように、片面研磨装置30は、大きな円板であり、その底面中心に接続されたシャフト31によって回転する回転定盤32と、加圧ヘッド33及びこれに接続して加圧ヘッド33を回転させるシャフト34からなるウェーハ保持具35とを備える。
回転定盤32の上面には、研磨布321が貼付けられ、加圧ヘッド33の下面には、半導体ウェーハWが固着される研磨プレート331が取付けられ、回転定盤32の上部には、研磨液を供給するための配管36や純水を供給するための配管37が設けられている。
次に、前述した片面研磨装置30による酸化膜除去工程の作用について説明する。
先ず、半導体ウェーハWの裏面を加圧ヘッド33の研磨プレート331に固着して半導体ウェーハWを保持させる。そして、加圧ヘッド33を下降させて、所定の圧力で下方に押し付けることにより、半導体ウェーハWの表面を研磨布321に押さえつけた状態とする。
次に、半導体ウェーハWを研磨布321に押さえつけた状態を維持し、配管36から研磨液を研磨布321に供給しながら、加圧ヘッド33を回転させて半導体ウェーハWを回転させるとともに、回転定盤32を回転させて研磨布321を回転させる。
これにより、半導体ウェーハWの表面が研磨布321によって研磨される。
この研磨により、半導体ウェーハWの表面に存在する酸化膜が除去される。
なお、酸化膜除去工程S8における酸化膜の除去は、本発明の効果が得られるのであれば、半導体ウェーハの表面上に存在する酸化膜を一部残留させるような構成としてもよい。
最後に、工程S8で半導体ウェーハ表面上に存在する酸化膜を除去した後、半導体ウェーハWの表面または表裏両面を鏡面研磨する。
鏡面仕上研磨工程S9は、半導体ウェーハWの表面の粗さを改善することを目的に行われる。具体的には、スエードのような軟質の研磨布と微小サイズの遊離砥粒を用い、マイクロラフネスやヘイズといった半導体ウェーハWの表面上の微小な面粗さのバラツキを低減するように研磨が行われる。
この鏡面仕上研磨工程S9も粗研磨工程S5と同様に、研磨布の種類や遊離砥粒サイズを変更しながら、研磨取り代を複数段階に分けて研磨処理を行ってもよい。
本実施形態の鏡面仕上研磨では、前述した片面研磨装置が使用される。
なお、鏡面仕上研磨工程S9で片面研磨装置30に貼設される研磨布321としては、スエードを使用することが好ましい。研磨液としては、砥粒が含有されたアルカリ水溶液を使用することが好ましい。このうち、砥粒としては平均粒径35nmのコロイダルシリカ、アルカリ水溶液としてはpH10.2〜10.8のアンモニア水溶液を使用することが特に好ましい。
なお、使用する研磨液は、コロイダルシリカなどの砥粒が含有されるものであっても、砥粒を含まないものであっても構わない。
次に、前述した片面研磨装置30による鏡面仕上研磨工程の作用について説明する。
先ず、半導体ウェーハWの裏面を加圧ヘッド33の研磨プレート331に固着して半導体ウェーハWを保持させる。そして、加圧ヘッド33を下降させて、所定の圧力で下方に押し付けることにより、半導体ウェーハWの表面を研磨布321に押さえつけた状態とする。
次に、半導体ウェーハWを研磨布321に押さえつけた状態を維持し、配管36から研磨液を研磨布321に供給しながら、加圧ヘッド33を回転させて半導体ウェーハWを回転させるとともに、回転定盤32を回転させて研磨布321を回転させる。
これにより、図4(C)に示すように、半導体ウェーハWの表面が研磨布321によって研磨され、半導体ウェーハWの表面が鏡面に加工される。
なお、半導体ウェーハWの表裏両面を鏡面仕上研磨する場合には、表面側の片面研磨を終えたら、純水でリンスした後に半導体ウェーハWを裏返し、裏面側も片面研磨する。この場合、表面側の研磨条件と裏面側の研磨条件を変更して研磨し、得られる鏡面の光沢度の差によって表裏面の区別がつくようにすることが好ましい。
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
(1)本発明によれば、鏡面面取り研磨工程の後に、半導体ウェーハ表面に対して、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムの少なくとも一方を含むアルカリ溶液を用いた研磨を行い、半導体ウェーハ表面上に存在する酸化膜を除去する工程S8を行った後、鏡面仕上研磨工程S9を行う。
これにより、鏡面仕上研磨工程S9時に、半導体ウェーハW表面に存在する酸化膜の有無による研磨レートの差を生じることがないため、結果として、半導体ウェーハW表面の外周部の平坦度を向上させることができる。
表面と面取り部の酸化膜厚み差が0.2nm未満であれば、鏡面仕上研磨時に研磨レートの差を生じることなく、半導体ウェーハ表面の外周部の平坦度を確実に向上させることができる。
この発明によれば、鏡面仕上研磨工程での研磨取り代が0.1μm以上3μm以下であれば、高い平坦度で、かつ良好な表面粗さの半導体ウェーハが得られる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
すなわち、粗研磨工程S5に用いる装置として、図2に示す両面研磨装置10のキャリア15に形成されるウェーハ保持孔の個数は、1個(枚葉式)でもよいし、複数個でもよい。ウェーハ保持孔の大きさは、研磨される半導体ウェーハWの大きさにより、任意に変更される。
また、粗研磨工程S5は、図2に示す両面研磨装置10に代えて、前述した図5に示すような片面研磨装置30を用い、ウェーハ表裏面のそれぞれを片面ずつ粗研磨するようにしてもよい。
その他、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造等は本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
半導体ウェーハWとして、直径300mm、結晶方位(100)、ボロンドープされたシリコンウェーハを用意した。
先ず、図2に示す両面研磨装置10を用い、シリコンウェーハの表裏両面を粗研磨し、粗研磨後のシリコンウェーハのESFQRを30〜50nmの範囲内に調整した。研磨布としては、ショアA硬度が80以上90以下の範囲内のポリウレタンを使用し、研磨液としては、平均粒径50nmのコロイダルシリカが含有したpH10〜11のKOH水溶液を使用した。また粗研磨における研磨取り代は、片面側が10μm、表裏両面合計で20μm程度とした。
次に、図3に示す面取り研磨装置20を用い、洗浄後のシリコンウェーハの面取り部を鏡面研磨した。研磨布としては、アスカーC硬度が55〜56の範囲内の不織布を使用し、研磨液としては、平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液を使用した。
最後に、図5に示す片面研磨装置30を用い、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面を研磨取り代が0.5μmとなるように鏡面仕上研磨した。研磨布としては、スエードを使用し、研磨液としては、平均粒径35nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10.2〜10.8のアンモニア水溶液を使用した。
酸化膜厚み差均一化の研磨に、平均粒径80nmの酸化ジルコニウム砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液を研磨液として使用した以外は、実施例1と同様にして半導体ウェーハWを製造した。
鏡面面取り研磨工程後に、シリコンウェーハ表面に対して酸化セリウムを含むアルカリ溶液を用いた研磨を行わずに、鏡面仕上研磨工程を行った以外は実施例1と同様にして半導体ウェーハWを製造した。
実施例1,2及び比較例1で得られたシリコンウェーハを複数枚用意し、これらのシリコンウェーハについて、平坦度測定器(KLA-Tencor社製:WaferSight)を用いてESFQRを算出した。ここで、セクター(サイトサイズ)は、図6に示すように、エッジ除外領域(Edge Extension)が1mmで、ウェーハ全周を5°間隔で72分割し、セクターを構成する径方向の一辺のセクター長さが30mmとしている。なお、ESFQRmaxとは、ウェーハ上の全セクターのESFQRの中の最大値を示し、ESFQRmeanは、全セクターのESFQRの平均値を示すものである。
また、図示しないが、実施例2についても同様に、比較例1に比べてESFQR品質が0.01μm程度改善した結果が得られた。
この結果から、本発明の製造方法によりエッジロールオフが改善し、ウェーハ表面の外周部の平坦度が向上することが確認された。
Claims (3)
- 半導体ウェーハの表裏両面を粗研磨する粗研磨工程と、
前記粗研磨された半導体ウェーハの面取り部を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程と、
前記鏡面面取りされた半導体ウェーハの表面または表裏両面を鏡面研磨する鏡面仕上研磨工程と、
を行う半導体ウェーハの製造方法において、
前記鏡面面取り研磨工程の後に、前記半導体ウェーハ表面に対して、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムの少なくとも一方を含むアルカリ溶液を用いた研磨を行い、前記半導体ウェーハ表面上に存在する酸化膜を除去した後、前記鏡面仕上研磨工程を行う
ことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法において、
前記表面と前記面取り部の酸化膜厚み差が0.2nm未満である
ことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法において、
前記鏡面仕上研磨工程での研磨取り代が0.1μm以上3μm以下である
ことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012132638A JP6027346B2 (ja) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012132638A JP6027346B2 (ja) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013258227A true JP2013258227A (ja) | 2013-12-26 |
JP6027346B2 JP6027346B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=49954428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012132638A Active JP6027346B2 (ja) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6027346B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015122072A1 (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
WO2016038800A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
WO2018092440A1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
WO2018211903A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法 |
JP2019102658A (ja) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの加工方法 |
WO2021241505A1 (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物セット |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6248063B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2017-12-13 | マルハニチロ株式会社 | イチゴの果実品質を向上させる方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307487A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP2002203823A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-07-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ |
JP2002231665A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 |
JP2003324081A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ |
JP2004087522A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
WO2006090574A1 (ja) * | 2005-02-22 | 2006-08-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの鏡面面取り方法 |
JP2010283227A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sumco Corp | ウェーハ製造履歴追跡方法 |
-
2012
- 2012-06-12 JP JP2012132638A patent/JP6027346B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307487A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP2002203823A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-07-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ |
JP2002231665A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 |
JP2003324081A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ |
JP2004087522A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
WO2006090574A1 (ja) * | 2005-02-22 | 2006-08-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの鏡面面取り方法 |
JP2010283227A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sumco Corp | ウェーハ製造履歴追跡方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170011903A1 (en) * | 2014-02-17 | 2017-01-12 | Sumco Corporation | Method for manufacturing semiconductor wafer |
US9991110B2 (en) | 2014-02-17 | 2018-06-05 | Sumco Corporation | Method for manufacturing semiconductor wafer |
WO2015122072A1 (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
WO2016038800A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US9905411B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-02-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing bonded wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer |
US20190299354A1 (en) * | 2016-11-15 | 2019-10-03 | Sumco Corporation | Wafer edge polishing apparatus and method |
WO2018092440A1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
US11559869B2 (en) | 2016-11-15 | 2023-01-24 | Sumco Corporation | Wafer edge polishing apparatus and method |
KR20190052138A (ko) * | 2016-11-15 | 2019-05-15 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법 |
KR102182910B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법 |
WO2018211903A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法 |
JP2018195641A (ja) * | 2017-05-15 | 2018-12-06 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法 |
JP2019102658A (ja) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの加工方法 |
WO2021241505A1 (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物セット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6027346B2 (ja) | 2016-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6312976B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6244962B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4835069B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP3329288B2 (ja) | 半導体ウエーハおよびその製造方法 | |
JP2015005702A (ja) | SiC基板の製造方法 | |
WO2005070619A1 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
JP3775176B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置 | |
JP2004087521A (ja) | 片面鏡面ウェーハおよびその製造方法 | |
JP6610526B2 (ja) | シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 | |
JP2004356336A (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨方法 | |
JP5287982B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2011091143A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4154683B2 (ja) | 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置 | |
JP2003062740A (ja) | 鏡面ウェーハの製造方法 | |
JP2004319717A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR101581469B1 (ko) | 웨이퍼 연마방법 | |
JP2009135180A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2018032735A (ja) | ウェハの表面処理方法 | |
JP2003133264A (ja) | 鏡面ウエーハの製造方法 | |
JP2003039310A (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハ | |
JP2004281917A (ja) | Soiウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6027346 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |