JP4640204B2 - Soiウエーハの評価方法 - Google Patents
Soiウエーハの評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4640204B2 JP4640204B2 JP2006040649A JP2006040649A JP4640204B2 JP 4640204 B2 JP4640204 B2 JP 4640204B2 JP 2006040649 A JP2006040649 A JP 2006040649A JP 2006040649 A JP2006040649 A JP 2006040649A JP 4640204 B2 JP4640204 B2 JP 4640204B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate voltage
- drain current
- soi wafer
- soi
- electrical characteristics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
しかしながら、これらの電気特性は正確に測定するのが難しく、特に正孔移動度等の測定の際にはバラツキが生じやすく、精度の面で問題があった。
このように、ゲート電圧を変化させる印加範囲を、少なくとも、電気特性の算出に必要な印加範囲の2倍とすることによって、BOX膜への充電をあらかじめより確実に行うことができ、VG−IDカーブをさらに安定化させることが可能である。これによって、精度高く電気特性を測定できる。
このように、SOIウエーハ表面の自然酸化膜をフッ酸を含む水溶液でエッチング除去し、10時間以上放置してから、ゲート電圧を印加してドレイン電流の測定を行うことにより、SOI層表面の電気的状態を安定させることが可能になり、特に正孔移動度やBOX層電荷密度を求めるときに好適である。
このように、ゲート電圧を変化させる印加範囲のうち、電気特性の算出に要さない範囲においては精度を落として測定すれば、ゲート電圧を変化させる印加範囲を大きくしたことで生じる測定時間等のロスを低減することができ、測定効率の向上を図ることが可能である。
このように、精度を落として測定する方法として、ゲート電圧を変化させるときに印加ステップ幅を大きくすれば、個々の測定装置(テスタ等)にもよるが測定装置の性能を維持したままで測定が可能になる。
このように、ゲート電圧を印加して最初にドレイン電流を測定するときに、ゲート電圧印加後にドレイン電流測定前に遅延時間を設けることによって、BOX膜への充電効率が向上し、測定がさらに安定化される。
従来では、SOIウエーハにおける電気特性、例えば正孔移動度やBOX層電荷密度等をPseudo MOS FET法により測定して評価する場合、ゲート電圧VGとドレイン電流IDとの関係を正確に測定するのが難しく、VG−IDカーブに歪みが発生しやすかった。そのため、このVG−IDカーブから算出したSOIウエーハの電気特性は精度が低いものになってしまい、測定バラツキが大きなものになってしまうという問題があった。
図1は、本発明に係るSOIウエーハの評価方法において、手順の一例を示すフロー図である。なお、図1に示したフロー図は、準備したSOIウエーハに対してフッ酸洗浄処理を行った後、10時間放置して、その後SOIウエーハの正孔側のVG−ID特性を測定して、正孔移動度/電荷密度を評価する場合を示している。しかし、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、目的に応じて適宜変更することができる。
これは、例えば正孔移動度やBOX層電荷密度の評価のようなゲート電圧を負側に印加してVG−ID特性を測定する場合に好適である。これらの電気特性を測定する場合、SOI層表面にH+イオンのような正電荷を吸着させることで表面状態を制御しなければ、SOI層表面の電荷が安定せず、正確な測定が困難である。そこで、このように10時間以上SOIウエーハを放置することにより、VG−ID特性の測定を行う際に、SOI層表面の電気的状態が安定したものとすることができる。放置によって、極薄い酸化膜がSOIウエーハ表面に成長することで、表面電荷が変化することによると考えられている。
このようにしてSOI層表面の電気的状態を安定させ、また、上記のように、一旦フッ酸で自然酸化膜を全部除去したあとに放置によって形成された極薄い酸化膜は均一であるため、測定値のバラツキを低減することができ、正孔移動度等の評価を精度高く行うことができる。
そして、図5のように測定された正孔側のVG−ID特性におけるA部およびB部の勾配から、例えば非特許文献1または2に示されている数式を用いることによって、SOI層の正孔移動度および/またはBOX層電荷密度を算出して評価することができる(工程E)。
この精度を落として測定する方法は、上記のゲート電圧の印加ステップ幅を大きくする方法に限定されず、BOX膜への充電を十分なものとする方法であれば特に限定されるものではない。
(実施例)
導電型がp型で、直径200mm、結晶方位<100>のシリコンウエーハを、支持ウエーハ及びSOI層を形成するボンドウェーハウエーハとして用いて、水素イオン剥離法でSOIウエーハを作製することにより、評価対象となるSOIウエーハを準備した。なお、このウエーハをp型とするためのドーパントとしてボロンを用いた。また、SOI層の厚さは70nm程度であり、BOX層の厚さは150nm程度である。
また、はじめのドレイン電流測定時、すなわち、ゲート電圧VG=−40Vを印加した後、ドレイン電流IDを測定する前に遅延時間5分を設定した。
そして、複数回測定時の正孔移動度、BOX層電荷密度の繰り返し精度(バラツキ)は、最大でも±15%以下であった。このように、バラツキが少なく、非常に高精度に電気特性を得ることができた。
また、本発明の評価方法による測定は、2時間程度で完了し、以下に述べる従来方法による測定に要した時間と大きな差はなかった。
以上のように、大規模な設備や工程も必要とせず、簡便に効率良く高い精度で電気特性を評価することができる。そして、例えば製品や製造工程の改善のための正確なデータを提供することが可能である。
実施例に使用したSOIウエーハと同様のSOIウエーハを準備した。
まず、このSOIウエーハを1重量%のフッ酸を含む水溶液で1分間洗浄後、純水にてリンスを行い、その後、乾燥空気にて水分を除去して乾燥させて10時間放置した。10時間経過後、このSOIウエーハを実施例と同様の水銀プローブ装置に載置し、一定のドレイン電圧を印加した状態でゲート電圧を変化させてドレイン電流をモニタリングして、正孔側のVG−ID特性の測定を行った。
また、実施例と同様に遅延時間5分を設定した。
上記のようにして得られたVG−ID特性の測定図を図7に示す。なお、図7から判るように、ゲート電圧VG=−20〜−10Vまでの範囲はVG−IDカーブがゆがんでおり、解析に用いることはできない。そのため、ゲート電圧VG=−10Vより大きい範囲のVG−ID特性から正孔移動度およびBOX層電荷密度を算出した。
そして、複数回測定時の正孔移動度、BOX層電荷密度の繰り返し精度(バラツキ)は、±15%を大きく超えてしまった。このように、バラツキが大きく、精度が低くなってしまった。
また、測定に要した時間は、本発明を実施した場合とさほど変わらず、2時間程度であった。
4…ゲート電極、 5…SOIウエーハ、 6…ソース電極、 7…ドレイン電極、
21…水銀プローブ装置、 22…真空チャック、 23…水銀プローブ、
24、25…水銀電極部、 W…SOIウエーハ。
Claims (5)
- 水銀電極を用いてSOIウエーハの電気特性を評価する方法であって、
前記SOIウエーハに前記水銀電極を接触させ、ゲート電圧を変化させてドレイン電流を測定して、ゲート電圧とドレイン電流との関係を求め、該ゲート電圧とドレイン電流との関係から前記電気特性を算出するとき、
ゲート電圧を変化させる印加範囲を、電気特性の算出に必要な印加範囲よりも拡張してゲート電圧を印加し、前記電気特性の算出に必要な印加範囲のドレイン電流を測定し、前記電気特性の算出に要さない範囲においては精度を落としてドレイン電流を測定し、前記ゲート電圧とドレイン電流との関係から前記電気特性を算出することを特徴とするSOIウエーハの評価方法。 - 前記ゲート電圧を変化させる印加範囲を、少なくとも、前記電気特性の算出に必要な印加範囲の2倍とすることを特徴とする請求項1に記載のSOIウエーハの評価方法。
- 少なくとも、前記SOIウエーハの表面の自然酸化膜をフッ酸を含む水溶液でエッチング除去し、10時間以上放置してから、前記ゲート電圧を印加して前記ドレイン電流の測定を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のSOIウエーハの評価方法。
- 前記精度を落として測定する方法として、前記ゲート電圧を変化させるときに、印加ステップ幅を大きくすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のSOIウエーハの評価方法。
- 前記ゲート電圧を印加して最初に前記ドレイン電流を測定するときに、ゲート電圧印加後にドレイン電流測定前に遅延時間を設けることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のSOIウエーハの評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006040649A JP4640204B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | Soiウエーハの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006040649A JP4640204B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | Soiウエーハの評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220946A JP2007220946A (ja) | 2007-08-30 |
JP4640204B2 true JP4640204B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=38497881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006040649A Active JP4640204B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | Soiウエーハの評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4640204B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5003322B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-08-15 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの評価方法 |
CN112994615B (zh) * | 2021-02-04 | 2022-07-05 | 微龛(广州)半导体有限公司 | Soi晶圆质量检测方法及系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146057A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Toa Denpa Kogyo Kk | 絶縁抵抗の測定方法 |
JP2005150208A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Soiウェーハの評価方法 |
JP2006013102A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの評価方法 |
JP2006013099A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの評価方法 |
-
2006
- 2006-02-17 JP JP2006040649A patent/JP4640204B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146057A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Toa Denpa Kogyo Kk | 絶縁抵抗の測定方法 |
JP2005150208A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Soiウェーハの評価方法 |
JP2006013102A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの評価方法 |
JP2006013099A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの評価方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007220946A (ja) | 2007-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101529592B (zh) | 半导体晶片的评价方法 | |
US20050098841A1 (en) | Nanopore chip with n-type semiconductor | |
JP4640204B2 (ja) | Soiウエーハの評価方法 | |
JP4379627B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置 | |
JP5338326B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの導電型及び抵抗率の測定方法、及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP5003322B2 (ja) | Soiウェーハの評価方法 | |
JP4419712B2 (ja) | Soiウエーハの評価方法 | |
CN112151403A (zh) | 基于无结型晶体管的表征方法 | |
US20080054920A1 (en) | Method For Evaluating Soi Wafer | |
JP4379597B2 (ja) | Soiウエーハの評価方法 | |
JP2001267384A (ja) | 擬似mosfetの測定方法 | |
JP4419710B2 (ja) | Soiウエーハの評価方法 | |
JP5003288B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
CN114242605A (zh) | 缺陷提取方法和缺陷提取系统 | |
JP2007042942A (ja) | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
JP2007142443A (ja) | 半導体材料中の表面移動度測定用の弾性メタルゲートmosトランジスタ | |
EP1610373A2 (en) | Method and apparatus for determining generation lifetime of product semiconductor wafers | |
JP4419711B2 (ja) | Soiウエーハの評価方法 | |
JP4930229B2 (ja) | Soiウェーハの評価方法 | |
CN106415806B (zh) | Soi基板的评估方法 | |
JP2010108991A (ja) | 素子試験方法 | |
JP2016066760A (ja) | Soi基板の評価方法 | |
TWI269396B (en) | An evaluative method for the electrostatic damage to the silicon wafer causing by the cleaning process | |
Sato et al. | Origin of transient gate current observed in pseudo-MOS transistor | |
JP2005333072A (ja) | 半導体基板の評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4640204 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |