JPS6085571A

JPS6085571A - 光電変換装置

Info

Publication number: JPS6085571A
Application number: JP58194874A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1983-10-18
Filing date: 1983-10-18
Publication date: 1985-05-15
Also published as: JPH0554273B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、光照射により光起電力を発生し得る接合を
少なくとも１つ有するアモルファス半導体を含む非単結
晶半導体を透光性絶縁基板上に設けた光電変換素子（単
に素子ともいう）を複数個電気的に直列接続して、高い
電圧を発生させる光電変換装置に関する。

この発明は、マスクレス、プロセスであってレーザスク
ライブ方式（以下ＬＳという）を用い２つの素子を連結
する連結部の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし本発明の内容を簡単に
するため、以下の詳細な説明においては、第１の素子の
下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置した
第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れた
側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子を連
結するための第２の開溝は、非単結晶半導体を除去する
のみならず、第１の素子の第１の電極である透光性導電
膜（以下ＣＴＦという）を除去し、さらにその下側の絶
縁性基板上部をも一部サイドエッチして除去している。

そしてこのサイドエ・７チによって作られたグループ（
ｇｒｏｏｖｅ　小穴または横穴）の上側（ＣＴＦの底面
）に対し第２の素子の第２の電極を構成する酸化物導電
膜をコンタクトせしめ、連結部を構成させたものである
。

この発明はＣＴＦの上面がレーザ光照射による損傷によ
り絶縁性となってしまうため、導電性の低下のないＣＴ
Ｆの底面をサイドエッチにより露呈せしめ、この底面に
第２の電極より延在した酸化物導ｆｆＸＩＩ’Ａをコン
タクト（底面コンタクト）させて、その接触抵抗を１Ω
／ｃｍ以下の少ない値とせしめたものである。

本発明の光電変換装置、特に薄膜型光電変換装置にあっ
ては、それぞれの薄膜層である電極用導電性層、また半
導体層はともにそれぞれ５００人〜１μ、０．２〜１．
０　μの薄さであり、ＬＳ方式を用いることにより、コ
ンピュータコントロール方式の自動マスク合わせ機構で
作製することが可能なことが判明した。

その結果、従来のマスク合わせ工程のかわりに本発明は
マスクを全く用いないマスクレス工程であって、きわめ
て簡単かつ高精度であり、装置の製造コストの低下をも
たらし、そのため５００円／Ｗの製造も可能となり、そ
の製造規模の拡大により１００〜２００円／Ｗも可能に
成ったというきわめて画期的な光電変換装置を提供する
ことにある。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板（例えば厚さ０．６〜２．２ｍｍ例えば１．２
ｍｍ、長さ〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、中２０ｃ
ｍ）を用いた。さらにこの上面に全面にわたって透光性
導電膜例えばＩＴＯ（酸化インジューム酸化スズ混合物
、即ち酸化スズを酸化インジューム中に１０重量％添加
した膜）＜約１５００人）　＋ＳｎＯ（２００〜４００
人）または弗素等のハロゲン元素が添加された酸化スズ
を主成分とする透光性導電膜（１５００〜２０００人）
を真空蒸着法、ＬＰＣＶ　ｐ法、プラズマＣＶＤ法また
はスプレー法により形成させた。

この後、ＹＡＧレーザ加工機（日本レーザ製　波長１．
０６μまたは０．５８μ）により出力１〜３Ｗ（焦点距
１１Ｍ！４０ｍｍ）を加え、スポット径２０〜７０μφ
代表的ニは５０μφをマイクロコンピュータにより制御
した。さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライ
ブラインである第１の開溝（１３）を形成させ、各素子
間領域（３１）、＜１１）に第１の電極（２）を作製し
た。

この第１のＬＳにより形成された第１の開講（１３）は
、ｒｌ約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１のＣＴＦの電極
それぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開溝（１３）の上面にプラズ
マＣＶＤ法またはＬＰＣＶ　Ｄ法により光照射により光
起電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２〜
０．８μ代表的には０．５μの厚さに形成させた。

その代表例はＰ型半導体（ＳｉｘＣ１−×ｘ−０，８約
１００人）−Ｉ型アモルファスまたはセミアモルファス
のシリコン半導体（約０．５μ）−Ｎ型の微結晶（約５
００人）を有する半導体珪素さらにこの上に５ｉｘＣ１
−）＜　ｘ＝０．９約５０人を積層させて一つのＰＩＮ
接合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（Ｓｉ
ｘＣ１−×）　Ｉ型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導体−Ｉ型５ｉ
ｘＧｅ　ｌ−Ｘ半導体−Ｎ型Ｓｉ半導体よりなる２つの
ＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデム型のｒ’
１ＮＰＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３）である
。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開講
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させた。

この図面では第１および第２の開講（１３）、＜１８）
の中心間を１００μずらしている。

かくして第２の開ｉ　（１８）は第１の電極の側面（８
＞、＜　９　）を露出させた。

さらにこの基板を希弗酸（４８％ＨＦを１０倍の水で希
釈したＩ　／ｌ０ＩＩＦをここでは用いた）にて１０秒
〜１分代表的には３０秒エツチングした。これはＣＦ、
のマイクロ波を用い半導体表面にスパッタがないプラズ
マ気相エッチにより作製してもよい。すると半導体（３
）、ＣＴＦ　（２）がＬＳにより大気中の酸素と反応し
て生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた
。さらに加えて基板のガラスをも一部において除去し、
深さ方向に０．１〜５μ横方向に０．１〜１０μ例えば
深さ０．３μ、横方向３μのザイドエソチをさせた。か
くして凹部（７）およびＣＴＦ　（３７）の底面（６）
を露呈せしめた。

この第２の開溝の側面（８）および底面（６）は第２の
素子（１１）の第１の電極の側面（１６）より３０μ以
上左側であればよ＜、３０〜２００μ第１の素子側にシ
フトさせた。即ち第１の素子の第１の電極位置上にわた
って設けられていることが特徴である。

そしてこの代表的な例として、第２図（Ｂ）に示される
ごとく、第１の素子（３１）の第１の電極（３７）の内
部（９）に入ってしまってもよい。

ｒＥＪち、従来より公知のごとく、第１の電極の表面を
露呈させるのみではこの表面がレーザ光により絶縁性を
有しているため、良好なコンタクトを作ることができな
い。即ち、レーザ照射によりＣＴＦ中に一部の酸化珪素
が残存し、またＣＴＦの結晶構造が変成して絶縁性にな
っていると思われる。このため、かかる上側コンタクト
（Ｔｏｐ　ｃｏｎｔａｃｔ　）を用いないことが本発明
の特長である。即ち本発明はレーザ光で絶縁物化されて
いない底面を用いた底面コンタクト（Ｂｏｔｔｏｍ　ｃ
ｏｎｔａｃｔ）を電気連結を主として用いたものである
。もちろんこの底面コンタクトに加えて、そのコネクタ
（３０Ｘ第１図Ｃの（３０）に対応）の一部が側面にコ
ンタクトを作り、即ち、ゲイトコンタクトを構成させ、
電気伝導度を助長させることは有効である。さらにこの
連結の際、ＣＴＦの一部の上面にも連結しうろことはい
うまでもない。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）および連結部（コ
ネクタＸ３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分
離用の第３の開溝（２ｏ）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
膜（ＣＯＸ４５）、＜４５’＞を用いた。その厚さは７
００〜１４００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＩＴＯ（酸化インジューム酸
化スズを主成分とする混合物）（４５）を形成した。こ
のＣＯとして酸化インジュームを主成分として形成させ
ることも可能である。このＩＴＯは被膜形成の際きわめ
てまわりこみが起きやすい。このためグループ（７）に
も十分入り、ＣＴＦ　（３７）の底面（６）と電気的に
よく連結させることが可能となった。即ちｃｏは半導体
に密接して（４５）、＜４５’）を有し、このコネクタ
（３ｏ）を構成する金属が最初から酸化物としての化合
物を構成し、ているため、半導体中にマイブレイトする
ことがなく、高信頼性を有せしめることができた。さら
にその上面に第３のＬＳによる第３の開溝形成の際、ｃ
ｏとこの金属とが容易に除去される金属（４６）を形成
した。

ここではクロムを３００〜３０００人の厚さに形成した
。

さらにその上面にニッケルまたは銅を外部接続用電極と
して、形成させることは有効である。

１列えばＣＯとし７［ＩＴＯを１’０５０人、クロムを
１６００人、さらにニッケルを５ｏｏ人の三重構造とし
た。

このＩＴＯと反射用金属は裏面側での長波長光の反射を
促し、６００〜８００ｎｍの長波長光を有効に光電変換
させるためのものである。

さらにニッケルは電極部（５）での外部引出し電極（２
３）との密着性を向上させるためのものである。

これらは電子ビーム蒸着法またはＣＶＤ法を用いて半導
体層を劣化させないため、３００　’ｃ以下の温度で形
成させた。

このＣＯであるＪＴＯは本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、〔１〕強いまわりこみにより連結部（１２）における第
１の素子の第１の電極（３７）の底面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このコンタクト部にて
長期使用における界面での絶縁性が増加することがない
。即ちもしアルミニューム等の金属とＣＴＦ　（３７）
とのコンタクトでは、金属がＣＴＦの酸素と長期間のう
ちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまうが、
このｃｏによる酸化物−酸化物コンタクトはかかる絶縁
性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の向上
が大きい。

〔２〕第２の電極の金属（４６）、＜４６’＞が珪素（
３）と合金層にならず、半導体（３）中に異當拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち１５０〜２００℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。

〔３〕入射光（１０）における半導体（３）内で吸収さ
れなかった長波長光の反射用金属（４６）での反射を促
し、特にＩＴＯの厚さが９００〜１４００人好ましくは
平均厚さ１０５０人として６００〜８００ｎｍの長波長
光の反射を大きくさせ、変換効率の向上に有効（４層本
発明の第３の開溝（２ｏ）の形成の際、レーザ光の１８
００℃以上の高温、特にスクライブ領域（２０）にてク
ロム金属（４６）が半導体（３）内に侵入して電極（３
９）、＜３８）間でのリーク電流が１Ｏ−１Ａ／ｃｍ以
上発生してしまうことを防ぐことができる。このため第
３の開講形成による製造上の歩留りの低下を防ぐことが
できる。

〔５〕コネクタをもこのＣＯが構成し、半導体特にＰＩ
Ｎ半導体のうちの敏感な活性１層に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

〔６〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接してＩＴ
Ｏまだは酸化インジュームを主成分とするＣＯを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。

次に本発明においては、この第２の電極を構成するＣＯ
’（４５）とコネクタ（３ｏ）とが電気的にショートし
ないよう、第３の開溝（２０）を第１の素子領域（３１
）にわたって設けた。即ち、第１の素子の開放電圧が発
生する電極（３（＋＞、＜３８）間の電気的分離をレー
ザ光（２０〜１００μφ代表的には５０μφ）を第２の
開溝（１８）より約５０μ離間せしめて形成させた。即
ち第３の開溝（２０）の中心は第２の開溝（３０）の中
心に比べて３０〜２００μ代表的には１００μの深さに
第１の素子側にわたって設けている。

かくのごとく第２の電極（４）を第３のＬＳのレーザ光
を上方より照射して切断分離して開溝（２０）を形成し
た場合を示している。

このＬＳにより半導体特に上面に密着する１００〜５０
０人の厚さのＮまたはＰ型の薄い半導体層を少しえぐり
出しく４０）隣合った第１の素子（３１）、第２の素子
（１１）間の開溝部での残存導体または導電性半導体に
よるクロストーク（リーク電流）の発生を防止した。

さらにこの開溝（２０）下の半導体層を室温〜２００°
Ｃの酸化雰囲気またはプラズマ酸化雰囲気中で酸化して
酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の厚さに形成し
て、２つの電極（３９）、＜　３８　）間のクロストー
クをより防いだ。

かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１＞、（１１）・を連結部（１２）で直接接続する光
電変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちバンシヘイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００人の厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着によ
る各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設けた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

かくして照射光（１０）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
させることができた。

その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子を１］１４．３５ｍｍ連結部の中１５０μ、外
部引出し電極部の中１．Ｏｍ　ｍ、周辺部４ｍｍにより
、実質的に５８０ｍｍ　Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有
し、有効面積（１９２ｍｍ　ｘ１４．３５ｍｍ　４０段
１１０２　ｃａｌ即ち９１，８％）を得ることができた
。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的には
９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した）（ＡＭＩ　Ｃ１Ｃ１０Ｏ／ｃｊ）　）に
て、８．１Ｈの出力電力を有せしめることができた。

さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件に′て行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚
も発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった
。

第２図は３回のＬＳＩ程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２図（Ａ）は第１の開溝（１３）、第１の素子（３１
）、第２の素子（１１入連結部（１２）を有している。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。

またサイドエッチによるグループ（７）が作製され、第
１の電極の底面（６）に第２の電極のＣＯを連結させて
いる。

そのため、この第１の素子（３１）の第１の電極（３７
）と第２の素子（１１）の第２の電極（３８）とが、連
結部（１２）にてこの第２の電極（３８）より開溝（１
８）の側面にそって延びたｃｏによるコネクタ（３０）
により、第１の電極（２）の底面（６）および側面（８
）で電気的に連結され、２つの素子が直列接続されてい
る。

この第３の開溝（２０）が、約３０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、コネクク部
（３０）の一部をうがって設けられている。

かくして第１および第２の素子（３，１＞、＜１１）の
それぞれの第２の電極（４）を電気的に切断分離し、且
つこの電極間のリークをも１０＝　Ａ　／　ｃｍ　（１
ｃｍ中あたり１０−’Ａのオーダーの意）以下に小さく
することができた。

第２図（Ｂ）は平坦図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３）、（１８
）、（２０）が設けられている。

この方向でのリークをより少なくするため、半導体（３
）が第１の電極（２）を覆う構造にして第１、第２の電
極間のショートを少なくさせたことが特徴である。

加えて素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’＞にて切断分離した。さらにこれを半導体（３
）、第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の
電極用導体（４）を（１３’＞よりも外端側にて第３の
開溝（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）の端部に類似している。

この場合においてもこれら開溝（５０）を覆ってバンシ
ベイション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は７０〜
２０μを有し、連結部の中２５０〜８０μ代表的には１
２０μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効効
率）をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。

第３図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は導電性電極（４７）に接触するパッド（４
９）を有し、このバンド（４９）は第２の電極（上側電
極）く４）と連結している。この時電極（４７）の加圧
が強すぎてバッド（４９）がその下の半導体（３）を突
き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）と（２）
とがショートしないように開溝（１３’）が設けられて
いる。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライプをした開ｍ　（５０）で切断
分離されている。

さらに第３図（Ｂ）は下側の第１の電極（２）に連結し
た他のパッド（４８）が第２の電極材料により　（１８
’）にて連結して設けられている。

さらにバンド（４８）は導電性電極（４６）と接触して
おり、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’）、（２０’す、（５０）により
パッド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分離
されており、（１８’）にて第１の電極（２）と底面コ
ンタクトを（６）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、＜４５）を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃｍ　Ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージされ、１２０ｃｍ
　Ｘ　４０ｃｍのＮＥＤＯ規格の大電力用のパネルを設
けることが可能である。

またこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレックスにより
弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図面
では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を０．１〜２μの厚さに形成した複合基
板を用いることは有効である。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
珪素または窒化珪素がこの上面のＣＴＦをｊＮ　ｆ＆し
て基板とＣＴＦとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、
いわゆるブロッキング効果を有して特に有効であった。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１．１
ｍｍ　、、長さ６０ｃｍ、中２０ｃｍを用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さに塗付しブロ
ッキング層とした。

さらにその上にＣＴＦをＩＴ　０１６００人＋ＳｎＯ，
！３００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力Ｉ
ＷのＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て３ｍ／分の走査速度にて作製した。　。

さらにパネルの端部をレーザ光出力１りにて第１の電極
用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に走査し、
パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜１１）は１５ｍｍ巾とした。

この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０μφにて出力１見にて
大気中にてＬＳにより第２の開溝（１８）を第２図（Ｂ
）に示すごとく作製した。

さらにこの基板全体を１／１０肝に３０秒浸し、開溝部
の酸化物絶縁物を除去し、加えてグループ（７）および
ＣＴＦ（２）の底面（６）を露呈させた。さらにこの全
体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着法により平均膜
厚１０５０人に、さらにその上面にクロムを１６００人
の厚さに電子ビーム蒸着法により作製して、第２の電極
（４５）コネクタ（３ｏ）を構成せしめた。

さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳにより第
２の開溝（１８）より１００μのわたり深さに第１の素
子（３１）側にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を得
た。レーザ光は出力１とし、他は第２の開溝の作製と同
一条件とした。

この後、バ・７シベイシヨンＩＩＷ　（２１）をｒ’ｃ
ｖｎ法により窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００℃
の温度にて作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ巾の
素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてＡＭＩ　（１００ｍＷ　／　ｃ
冨）にて７．７％、出力８．１Ｗを得ることができた。

有効面積は１１０２．ｆｆｌであり、パネル全体の９１
．８％を有９）Ｊに利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を１側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。特許出願人３１　／２　ＬＩｒ＾−ｐへん、（、Ａ）　（１３）

Claims

【特許請求の範囲】１、絶縁表面を有する基板上に透光性導電膜の第１の電
極と、該電極上に密接して光照射により光起電力を発生
させうる非単結晶半導体と、該半導体上に密接して第２
の電極とを有する光電変換素子を複数個圧いに電気的に
直列接続せしめて前記絶縁基板上に配設した光電変換装
置において、第１の光電変換素子の第１の電極は少なく
とも底面において前記第１の素子の隣の第２の素子の第
２の電極と酸化物導電膜により電気的に連結して設けら
れたことを特徴とする光電変換半導体装置。２、特許請求の範囲第１項において、第１の素子の導電
性酸化膜の第１の電極は、底面および側面において前記
第１の素子の隣の第２の素子の第２の電極と酸化物導電
膜により電気的に連結して設°けられたことを特徴とす
る光電変換半導体装置。３、特許請求の範囲第１項において、導電性酸化物は酸
化スズ、酸化インジュームまたは酸化インジューム・酸
化スズ混合物を主成分とすることを特徴とする光電変換
半導体装置。