JPS6085571A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS6085571A JPS6085571A JP58194874A JP19487483A JPS6085571A JP S6085571 A JPS6085571 A JP S6085571A JP 58194874 A JP58194874 A JP 58194874A JP 19487483 A JP19487483 A JP 19487483A JP S6085571 A JPS6085571 A JP S6085571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoelectric conversion
- oxide
- semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N Chlorothiazide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC2=C1NCNS2(=O)=O JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光照射により光起電力を発生し得る接合を
少なくとも1つ有するアモルファス半導体を含む非単結
晶半導体を透光性絶縁基板上に設けた光電変換素子(単
に素子ともいう)を複数個電気的に直列接続して、高い
電圧を発生させる光電変換装置に関する。
少なくとも1つ有するアモルファス半導体を含む非単結
晶半導体を透光性絶縁基板上に設けた光電変換素子(単
に素子ともいう)を複数個電気的に直列接続して、高い
電圧を発生させる光電変換装置に関する。
この発明は、マスクレス、プロセスであってレーザスク
ライブ方式(以下LSという)を用い2つの素子を連結
する連結部の構造に関する。
ライブ方式(以下LSという)を用い2つの素子を連結
する連結部の構造に関する。
本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし本発明の内容を簡単に
するため、以下の詳細な説明においては、第1の素子の
下側(基板側)の第1の電極と、その右隣りに配置した
第2の素子の第2の電極(半導体上即ち基板から離れた
側)とを電気的に直列接続させた場合を基として記す。
仕様によって決められる。しかし本発明の内容を簡単に
するため、以下の詳細な説明においては、第1の素子の
下側(基板側)の第1の電極と、その右隣りに配置した
第2の素子の第2の電極(半導体上即ち基板から離れた
側)とを電気的に直列接続させた場合を基として記す。
かかる構成において、第1の素子および第2の素子を連
結するための第2の開溝は、非単結晶半導体を除去する
のみならず、第1の素子の第1の電極である透光性導電
膜(以下CTFという)を除去し、さらにその下側の絶
縁性基板上部をも一部サイドエッチして除去している。
結するための第2の開溝は、非単結晶半導体を除去する
のみならず、第1の素子の第1の電極である透光性導電
膜(以下CTFという)を除去し、さらにその下側の絶
縁性基板上部をも一部サイドエッチして除去している。
そしてこのサイドエ・7チによって作られたグループ(
groove 小穴または横穴)の上側(CTFの底面
)に対し第2の素子の第2の電極を構成する酸化物導電
膜をコンタクトせしめ、連結部を構成させたものである
。
groove 小穴または横穴)の上側(CTFの底面
)に対し第2の素子の第2の電極を構成する酸化物導電
膜をコンタクトせしめ、連結部を構成させたものである
。
この発明はCTFの上面がレーザ光照射による損傷によ
り絶縁性となってしまうため、導電性の低下のないCT
Fの底面をサイドエッチにより露呈せしめ、この底面に
第2の電極より延在した酸化物導ffXII’Aをコン
タクト(底面コンタクト)させて、その接触抵抗を1Ω
/cm以下の少ない値とせしめたものである。
り絶縁性となってしまうため、導電性の低下のないCT
Fの底面をサイドエッチにより露呈せしめ、この底面に
第2の電極より延在した酸化物導ffXII’Aをコン
タクト(底面コンタクト)させて、その接触抵抗を1Ω
/cm以下の少ない値とせしめたものである。
本発明の光電変換装置、特に薄膜型光電変換装置にあっ
ては、それぞれの薄膜層である電極用導電性層、また半
導体層はともにそれぞれ500人〜1μ、0.2〜1.
0 μの薄さであり、LS方式を用いることにより、コ
ンピュータコントロール方式の自動マスク合わせ機構で
作製することが可能なことが判明した。
ては、それぞれの薄膜層である電極用導電性層、また半
導体層はともにそれぞれ500人〜1μ、0.2〜1.
0 μの薄さであり、LS方式を用いることにより、コ
ンピュータコントロール方式の自動マスク合わせ機構で
作製することが可能なことが判明した。
その結果、従来のマスク合わせ工程のかわりに本発明は
マスクを全く用いないマスクレス工程であって、きわめ
て簡単かつ高精度であり、装置の製造コストの低下をも
たらし、そのため500円/Wの製造も可能となり、そ
の製造規模の拡大により100〜200円/Wも可能に
成ったというきわめて画期的な光電変換装置を提供する
ことにある。
マスクを全く用いないマスクレス工程であって、きわめ
て簡単かつ高精度であり、装置の製造コストの低下をも
たらし、そのため500円/Wの製造も可能となり、そ
の製造規模の拡大により100〜200円/Wも可能に
成ったというきわめて画期的な光電変換装置を提供する
ことにある。
以下に図面に従って本発明の詳細を示す。
第1図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。
図面において絶縁表面を有する透光性基板(1)例えば
ガラス板(例えば厚さ0.6〜2.2mm例えば1.2
mm、長さ〔図面では左右方向) 60cm、中20c
m)を用いた。さらにこの上面に全面にわたって透光性
導電膜例えばITO(酸化インジューム酸化スズ混合物
、即ち酸化スズを酸化インジューム中に10重量%添加
した膜)<約1500人) +SnO(200〜400
人)または弗素等のハロゲン元素が添加された酸化スズ
を主成分とする透光性導電膜(1500〜2000人)
を真空蒸着法、LPCV p法、プラズマCVD法また
はスプレー法により形成させた。
ガラス板(例えば厚さ0.6〜2.2mm例えば1.2
mm、長さ〔図面では左右方向) 60cm、中20c
m)を用いた。さらにこの上面に全面にわたって透光性
導電膜例えばITO(酸化インジューム酸化スズ混合物
、即ち酸化スズを酸化インジューム中に10重量%添加
した膜)<約1500人) +SnO(200〜400
人)または弗素等のハロゲン元素が添加された酸化スズ
を主成分とする透光性導電膜(1500〜2000人)
を真空蒸着法、LPCV p法、プラズマCVD法また
はスプレー法により形成させた。
この後、YAGレーザ加工機(日本レーザ製 波長1.
06μまたは0.58μ)により出力1〜3W(焦点距
11M!40mm)を加え、スポット径20〜70μφ
代表的ニは50μφをマイクロコンピュータにより制御
した。さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライ
ブラインである第1の開溝(13)を形成させ、各素子
間領域(31)、<11)に第1の電極(2)を作製し
た。
06μまたは0.58μ)により出力1〜3W(焦点距
11M!40mm)を加え、スポット径20〜70μφ
代表的ニは50μφをマイクロコンピュータにより制御
した。さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライ
ブラインである第1の開溝(13)を形成させ、各素子
間領域(31)、<11)に第1の電極(2)を作製し
た。
この第1のLSにより形成された第1の開講(13)は
、rl約50μ長さ20cm深さは第1のCTFの電極
それぞれを完全に切断して電気的に分離した。
、rl約50μ長さ20cm深さは第1のCTFの電極
それぞれを完全に切断して電気的に分離した。
この後、この電極(2)、開溝(13)の上面にプラズ
マCVD法またはLPCV D法により光照射により光
起電力を発生させる非単結晶半導体層(3)を0.2〜
0.8μ代表的には0.5μの厚さに形成させた。
マCVD法またはLPCV D法により光照射により光
起電力を発生させる非単結晶半導体層(3)を0.2〜
0.8μ代表的には0.5μの厚さに形成させた。
その代表例はP型半導体(SixC1−×x−0,8約
100人)−I型アモルファスまたはセミアモルファス
のシリコン半導体(約0.5μ)−N型の微結晶(約5
00人)を有する半導体珪素さらにこの上に5ixC1
−)< x=0.9約50人を積層させて一つのPIN
接合を有する非単結晶半導体、またはP型半導体(Si
xC1−×) I型、N型、P型Si半導体−I型5i
xGe l−X半導体−N型Si半導体よりなる2つの
PIN接合と1つのPN接合を有するタンデム型のr’
1NPIN、、、、、PIN接合の半導体(3)である
。
100人)−I型アモルファスまたはセミアモルファス
のシリコン半導体(約0.5μ)−N型の微結晶(約5
00人)を有する半導体珪素さらにこの上に5ixC1
−)< x=0.9約50人を積層させて一つのPIN
接合を有する非単結晶半導体、またはP型半導体(Si
xC1−×) I型、N型、P型Si半導体−I型5i
xGe l−X半導体−N型Si半導体よりなる2つの
PIN接合と1つのPN接合を有するタンデム型のr’
1NPIN、、、、、PIN接合の半導体(3)である
。
かかる非単結晶半導体(3)を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。
厚で形成させた。
さらに第1図(B)に示されるごとく、第1の開溝(1
3)の左方向側(第1の素子側)にわたって第2の開講
(18)を第2のLSI程により形成させた。
3)の左方向側(第1の素子側)にわたって第2の開講
(18)を第2のLSI程により形成させた。
この図面では第1および第2の開講(13)、<18)
の中心間を100μずらしている。
の中心間を100μずらしている。
かくして第2の開i (18)は第1の電極の側面(8
>、< 9 )を露出させた。
>、< 9 )を露出させた。
さらにこの基板を希弗酸(48%HFを10倍の水で希
釈したI /l0IIFをここでは用いた)にて10秒
〜1分代表的には30秒エツチングした。これはCF、
のマイクロ波を用い半導体表面にスパッタがないプラズ
マ気相エッチにより作製してもよい。すると半導体(3
)、CTF (2)がLSにより大気中の酸素と反応し
て生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた
。さらに加えて基板のガラスをも一部において除去し、
深さ方向に0.1〜5μ横方向に0.1〜10μ例えば
深さ0.3μ、横方向3μのザイドエソチをさせた。か
くして凹部(7)およびCTF (37)の底面(6)
を露呈せしめた。
釈したI /l0IIFをここでは用いた)にて10秒
〜1分代表的には30秒エツチングした。これはCF、
のマイクロ波を用い半導体表面にスパッタがないプラズ
マ気相エッチにより作製してもよい。すると半導体(3
)、CTF (2)がLSにより大気中の酸素と反応し
て生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた
。さらに加えて基板のガラスをも一部において除去し、
深さ方向に0.1〜5μ横方向に0.1〜10μ例えば
深さ0.3μ、横方向3μのザイドエソチをさせた。か
くして凹部(7)およびCTF (37)の底面(6)
を露呈せしめた。
この第2の開溝の側面(8)および底面(6)は第2の
素子(11)の第1の電極の側面(16)より30μ以
上左側であればよ<、30〜200μ第1の素子側にシ
フトさせた。即ち第1の素子の第1の電極位置上にわた
って設けられていることが特徴である。
素子(11)の第1の電極の側面(16)より30μ以
上左側であればよ<、30〜200μ第1の素子側にシ
フトさせた。即ち第1の素子の第1の電極位置上にわた
って設けられていることが特徴である。
そしてこの代表的な例として、第2図(B)に示される
ごとく、第1の素子(31)の第1の電極(37)の内
部(9)に入ってしまってもよい。
ごとく、第1の素子(31)の第1の電極(37)の内
部(9)に入ってしまってもよい。
rEJち、従来より公知のごとく、第1の電極の表面を
露呈させるのみではこの表面がレーザ光により絶縁性を
有しているため、良好なコンタクトを作ることができな
い。即ち、レーザ照射によりCTF中に一部の酸化珪素
が残存し、またCTFの結晶構造が変成して絶縁性にな
っていると思われる。このため、かかる上側コンタクト
(Top contact )を用いないことが本発明
の特長である。即ち本発明はレーザ光で絶縁物化されて
いない底面を用いた底面コンタクト(Bottom c
ontact)を電気連結を主として用いたものである
。もちろんこの底面コンタクトに加えて、そのコネクタ
(30X第1図Cの(30)に対応)の一部が側面にコ
ンタクトを作り、即ち、ゲイトコンタクトを構成させ、
電気伝導度を助長させることは有効である。さらにこの
連結の際、CTFの一部の上面にも連結しうろことはい
うまでもない。
露呈させるのみではこの表面がレーザ光により絶縁性を
有しているため、良好なコンタクトを作ることができな
い。即ち、レーザ照射によりCTF中に一部の酸化珪素
が残存し、またCTFの結晶構造が変成して絶縁性にな
っていると思われる。このため、かかる上側コンタクト
(Top contact )を用いないことが本発明
の特長である。即ち本発明はレーザ光で絶縁物化されて
いない底面を用いた底面コンタクト(Bottom c
ontact)を電気連結を主として用いたものである
。もちろんこの底面コンタクトに加えて、そのコネクタ
(30X第1図Cの(30)に対応)の一部が側面にコ
ンタクトを作り、即ち、ゲイトコンタクトを構成させ、
電気伝導度を助長させることは有効である。さらにこの
連結の際、CTFの一部の上面にも連結しうろことはい
うまでもない。
第1図において、さらにこの上面に第2図(C)に示さ
れるごとく、裏面の第2の電極(4)および連結部(コ
ネクタX30)を形成し、さらに第3のLSでの切断分
離用の第3の開溝(2o)を得た。
れるごとく、裏面の第2の電極(4)および連結部(コ
ネクタX30)を形成し、さらに第3のLSでの切断分
離用の第3の開溝(2o)を得た。
この第2の電極(4)は本発明の特長である導電性酸化
膜(COX45)、<45’>を用いた。その厚さは7
00〜1400人の厚さに形成させた。
膜(COX45)、<45’>を用いた。その厚さは7
00〜1400人の厚さに形成させた。
このCOとして、ここではITO(酸化インジューム酸
化スズを主成分とする混合物)(45)を形成した。こ
のCOとして酸化インジュームを主成分として形成させ
ることも可能である。このITOは被膜形成の際きわめ
てまわりこみが起きやすい。このためグループ(7)に
も十分入り、CTF (37)の底面(6)と電気的に
よく連結させることが可能となった。即ちcoは半導体
に密接して(45)、<45’)を有し、このコネクタ
(3o)を構成する金属が最初から酸化物としての化合
物を構成し、ているため、半導体中にマイブレイトする
ことがなく、高信頼性を有せしめることができた。さら
にその上面に第3のLSによる第3の開溝形成の際、c
oとこの金属とが容易に除去される金属(46)を形成
した。
化スズを主成分とする混合物)(45)を形成した。こ
のCOとして酸化インジュームを主成分として形成させ
ることも可能である。このITOは被膜形成の際きわめ
てまわりこみが起きやすい。このためグループ(7)に
も十分入り、CTF (37)の底面(6)と電気的に
よく連結させることが可能となった。即ちcoは半導体
に密接して(45)、<45’)を有し、このコネクタ
(3o)を構成する金属が最初から酸化物としての化合
物を構成し、ているため、半導体中にマイブレイトする
ことがなく、高信頼性を有せしめることができた。さら
にその上面に第3のLSによる第3の開溝形成の際、c
oとこの金属とが容易に除去される金属(46)を形成
した。
ここではクロムを300〜3000人の厚さに形成した
。
。
さらにその上面にニッケルまたは銅を外部接続用電極と
して、形成させることは有効である。
して、形成させることは有効である。
1列えばCOとし7[ITOを1’050人、クロムを
1600人、さらにニッケルを5oo人の三重構造とし
た。
1600人、さらにニッケルを5oo人の三重構造とし
た。
このITOと反射用金属は裏面側での長波長光の反射を
促し、600〜800nmの長波長光を有効に光電変換
させるためのものである。
促し、600〜800nmの長波長光を有効に光電変換
させるためのものである。
さらにニッケルは電極部(5)での外部引出し電極(2
3)との密着性を向上させるためのものである。
3)との密着性を向上させるためのものである。
これらは電子ビーム蒸着法またはCVD法を用いて半導
体層を劣化させないため、300 ’c以下の温度で形
成させた。
体層を劣化させないため、300 ’c以下の温度で形
成させた。
このCOであるJTOは本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、 〔1〕強いまわりこみにより連結部(12)における第
1の素子の第1の電極(37)の底面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このコンタクト部にて
長期使用における界面での絶縁性が増加することがない
。即ちもしアルミニューム等の金属とCTF (37)
とのコンタクトでは、金属がCTFの酸素と長期間のう
ちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまうが、
このcoによる酸化物−酸化物コンタクトはかかる絶縁
性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の向上
が大きい。
である。その効果は、 〔1〕強いまわりこみにより連結部(12)における第
1の素子の第1の電極(37)の底面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このコンタクト部にて
長期使用における界面での絶縁性が増加することがない
。即ちもしアルミニューム等の金属とCTF (37)
とのコンタクトでは、金属がCTFの酸素と長期間のう
ちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまうが、
このcoによる酸化物−酸化物コンタクトはかかる絶縁
性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の向上
が大きい。
〔2〕第2の電極の金属(46)、<46’>が珪素(
3)と合金層にならず、半導体(3)中に異當拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち150〜200℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。
3)と合金層にならず、半導体(3)中に異當拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち150〜200℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。
〔3〕入射光(10)における半導体(3)内で吸収さ
れなかった長波長光の反射用金属(46)での反射を促
し、特にITOの厚さが900〜1400人好ましくは
平均厚さ1050人として600〜800nmの長波長
光の反射を大きくさせ、変換効率の向上に有効(4層本
発明の第3の開溝(2o)の形成の際、レーザ光の18
00℃以上の高温、特にスクライブ領域(20)にてク
ロム金属(46)が半導体(3)内に侵入して電極(3
9)、<38)間でのリーク電流が1O−1A/cm以
上発生してしまうことを防ぐことができる。このため第
3の開講形成による製造上の歩留りの低下を防ぐことが
できる。
れなかった長波長光の反射用金属(46)での反射を促
し、特にITOの厚さが900〜1400人好ましくは
平均厚さ1050人として600〜800nmの長波長
光の反射を大きくさせ、変換効率の向上に有効(4層本
発明の第3の開溝(2o)の形成の際、レーザ光の18
00℃以上の高温、特にスクライブ領域(20)にてク
ロム金属(46)が半導体(3)内に侵入して電極(3
9)、<38)間でのリーク電流が1O−1A/cm以
上発生してしまうことを防ぐことができる。このため第
3の開講形成による製造上の歩留りの低下を防ぐことが
できる。
〔5〕コネクタをもこのCOが構成し、半導体特にPI
N半導体のうちの敏感な活性1層に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。
N半導体のうちの敏感な活性1層に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。
〔6〕半導体上のPまたはN型半導体と相性のよいCO
を形成することにより、即ちN型半導体に密接してIT
Oまだは酸化インジュームを主成分とするCOを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。
を形成することにより、即ちN型半導体に密接してIT
Oまだは酸化インジュームを主成分とするCOを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。
次に本発明においては、この第2の電極を構成するCO
’(45)とコネクタ(3o)とが電気的にショートし
ないよう、第3の開溝(20)を第1の素子領域(31
)にわたって設けた。即ち、第1の素子の開放電圧が発
生する電極(3(+>、<38)間の電気的分離をレー
ザ光(20〜100μφ代表的には50μφ)を第2の
開溝(18)より約50μ離間せしめて形成させた。即
ち第3の開溝(20)の中心は第2の開溝(30)の中
心に比べて30〜200μ代表的には100μの深さに
第1の素子側にわたって設けている。
’(45)とコネクタ(3o)とが電気的にショートし
ないよう、第3の開溝(20)を第1の素子領域(31
)にわたって設けた。即ち、第1の素子の開放電圧が発
生する電極(3(+>、<38)間の電気的分離をレー
ザ光(20〜100μφ代表的には50μφ)を第2の
開溝(18)より約50μ離間せしめて形成させた。即
ち第3の開溝(20)の中心は第2の開溝(30)の中
心に比べて30〜200μ代表的には100μの深さに
第1の素子側にわたって設けている。
かくのごとく第2の電極(4)を第3のLSのレーザ光
を上方より照射して切断分離して開溝(20)を形成し
た場合を示している。
を上方より照射して切断分離して開溝(20)を形成し
た場合を示している。
このLSにより半導体特に上面に密着する100〜50
0人の厚さのNまたはP型の薄い半導体層を少しえぐり
出しく40)隣合った第1の素子(31)、第2の素子
(11)間の開溝部での残存導体または導電性半導体に
よるクロストーク(リーク電流)の発生を防止した。
0人の厚さのNまたはP型の薄い半導体層を少しえぐり
出しく40)隣合った第1の素子(31)、第2の素子
(11)間の開溝部での残存導体または導電性半導体に
よるクロストーク(リーク電流)の発生を防止した。
さらにこの開溝(20)下の半導体層を室温〜200°
Cの酸化雰囲気またはプラズマ酸化雰囲気中で酸化して
酸化珪素(34)を100〜1000人の厚さに形成し
て、2つの電極(39)、< 38 )間のクロストー
クをより防いだ。
Cの酸化雰囲気またはプラズマ酸化雰囲気中で酸化して
酸化珪素(34)を100〜1000人の厚さに形成し
て、2つの電極(39)、< 38 )間のクロストー
クをより防いだ。
かくして第1図(C)に示されるごとく、複数の素子(
31>、(11)・を連結部(12)で直接接続する光
電変換装置を作ることができた。
31>、(11)・を連結部(12)で直接接続する光
電変換装置を作ることができた。
第1図(D)はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちバンシヘイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜(21)を500〜
2000人の厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着によ
る各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。
させんとしたものであり、即ちバンシヘイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜(21)を500〜
2000人の厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着によ
る各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。
さらに外部引出し端子を周辺部(5)にて設けた。
これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂(22)を充填した。
キシ等の有機樹脂(22)を充填した。
かくして照射光(10)により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印(32)のごとく第1の素子の第1
の電極より第2の素子の第2の電極に流れ、直列接続を
させることができた。
コンタクトより矢印(32)のごとく第1の素子の第1
の電極より第2の素子の第2の電極に流れ、直列接続を
させることができた。
その結果、この基板(60cm X 20cm)におい
て各素子を1]14.35mm連結部の中150μ、外
部引出し電極部の中1.Om m、周辺部4mmにより
、実質的に580mm X 192mm内に40段を有
し、有効面積(192mm x14.35mm 40段
1102 cal即ち91,8%)を得ることができた
。
て各素子を1]14.35mm連結部の中150μ、外
部引出し電極部の中1.Om m、周辺部4mmにより
、実質的に580mm X 192mm内に40段を有
し、有効面積(192mm x14.35mm 40段
1102 cal即ち91,8%)を得ることができた
。
そして、セグメントが10.8%(1,05cm)の変
換効率を有する場合、パネルにて7.7%(理論的には
9.8%になるが、40段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した)(AMI C1C10O/cj) )に
て、8.1Hの出力電力を有せしめることができた。
換効率を有する場合、パネルにて7.7%(理論的には
9.8%になるが、40段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した)(AMI C1C10O/cj) )に
て、8.1Hの出力電力を有せしめることができた。
さらにこのパネルを150℃の高温放置テストを行うと
1000時間を経て10%以下例えばパネル数20枚に
て最悪4%、X=1.5%の低下しかみられなかった。
1000時間を経て10%以下例えばパネル数20枚に
て最悪4%、X=1.5%の低下しかみられなかった。
これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件に′て行う時、10時間で動作不能パネル数が17枚
も発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった
。
件に′て行う時、10時間で動作不能パネル数が17枚
も発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった
。
第2図は3回のLSI程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
(端部)である。
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
(端部)である。
番号およびその工程は第2図と同様である。
第2図(A)は第1の開溝(13)、第1の素子(31
)、第2の素子(11入連結部(12)を有している。
)、第2の素子(11入連結部(12)を有している。
さらに第2の開溝(18)は、第1の素子を構成すべき
半導体(3)の第1の電極(2)側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。
半導体(3)の第1の電極(2)側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。
またサイドエッチによるグループ(7)が作製され、第
1の電極の底面(6)に第2の電極のCOを連結させて
いる。
1の電極の底面(6)に第2の電極のCOを連結させて
いる。
そのため、この第1の素子(31)の第1の電極(37
)と第2の素子(11)の第2の電極(38)とが、連
結部(12)にてこの第2の電極(38)より開溝(1
8)の側面にそって延びたcoによるコネクタ(30)
により、第1の電極(2)の底面(6)および側面(8
)で電気的に連結され、2つの素子が直列接続されてい
る。
)と第2の素子(11)の第2の電極(38)とが、連
結部(12)にてこの第2の電極(38)より開溝(1
8)の側面にそって延びたcoによるコネクタ(30)
により、第1の電極(2)の底面(6)および側面(8
)で電気的に連結され、2つの素子が直列接続されてい
る。
この第3の開溝(20)が、約30μの深さに第1の素
子(31)側にシフトしている。
子(31)側にシフトしている。
このため、第3の開溝(20)の右端部は、コネクク部
(30)の一部をうがって設けられている。
(30)の一部をうがって設けられている。
かくして第1および第2の素子(3,1>、<11)の
それぞれの第2の電極(4)を電気的に切断分離し、且
つこの電極間のリークをも10= A / cm (1
cm中あたり10−’Aのオーダーの意)以下に小さく
することができた。
それぞれの第2の電極(4)を電気的に切断分離し、且
つこの電極間のリークをも10= A / cm (1
cm中あたり10−’Aのオーダーの意)以下に小さく
することができた。
第2図(B)は平坦図を示し、またその端部(図面で下
側)において第1、第2、第3の開溝(13)、(18
)、(20)が設けられている。
側)において第1、第2、第3の開溝(13)、(18
)、(20)が設けられている。
この方向でのリークをより少なくするため、半導体(3
)が第1の電極(2)を覆う構造にして第1、第2の電
極間のショートを少なくさせたことが特徴である。
)が第1の電極(2)を覆う構造にして第1、第2の電
極間のショートを少なくさせたことが特徴である。
加えて素子の端部(図面下側)は、第1の電極(2)を
(13’>にて切断分離した。さらにこれを半導体(3
)、第2の電極(4)の材料で覆い、さらにこの第2の
電極用導体(4)を(13’>よりも外端側にて第3の
開溝(50)により分離した。
(13’>にて切断分離した。さらにこれを半導体(3
)、第2の電極(4)の材料で覆い、さらにこの第2の
電極用導体(4)を(13’>よりも外端側にて第3の
開溝(50)により分離した。
この縦断面図は第3図(A)の端部に類似している。
この場合においてもこれら開溝(50)を覆ってバンシ
ベイション膜を形成させている。
ベイション膜を形成させている。
この図面において、第1、第2、第3の開溝中は70〜
20μを有し、連結部の中250〜80μ代表的には1
20μを有せしめることができた。
20μを有し、連結部の中250〜80μ代表的には1
20μを有せしめることができた。
以上のYAGレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積(実効効
率)をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積(実効効
率)をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。
第3図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。
である。
第3図(A)は第1図に対応しているが、外部引出し電
極部(5)は導電性電極(47)に接触するパッド(4
9)を有し、このバンド(49)は第2の電極(上側電
極)く4)と連結している。この時電極(47)の加圧
が強すぎてバッド(49)がその下の半導体(3)を突
き抜は第1の電極(2)と接触しても(49)と(2)
とがショートしないように開溝(13’)が設けられて
いる。
極部(5)は導電性電極(47)に接触するパッド(4
9)を有し、このバンド(49)は第2の電極(上側電
極)く4)と連結している。この時電極(47)の加圧
が強すぎてバッド(49)がその下の半導体(3)を突
き抜は第1の電極(2)と接触しても(49)と(2)
とがショートしないように開溝(13’)が設けられて
いる。
また外側部は第1の電極、半導体、第2の電極を同時に
一方のLSにてスクライプをした開m (50)で切断
分離されている。
一方のLSにてスクライプをした開m (50)で切断
分離されている。
さらに第3図(B)は下側の第1の電極(2)に連結し
た他のパッド(48)が第2の電極材料により (18
’)にて連結して設けられている。
た他のパッド(48)が第2の電極材料により (18
’)にて連結して設けられている。
さらにバンド(48)は導電性電極(46)と接触して
おり、外部に電気的に連結している。
おり、外部に電気的に連結している。
ここでも開溝(18’)、(20’す、(50)により
パッド(48)は全く隣の光電変換装置と電気的に分離
されており、(18’)にて第1の電極(2)と底面コ
ンタクトを(6)にて構成させている。
パッド(48)は全く隣の光電変換装置と電気的に分離
されており、(18’)にて第1の電極(2)と底面コ
ンタクトを(6)にて構成させている。
つまり光電変換装置は有機樹脂モールド(22)で電極
部(5)、<45)を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。
部(5)、<45)を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。
またこのパネル例えば40cm x 60cmまたは6
0cm X20cm、 40cm X 120cmを2
ケ、4ケまたは1ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージされ、120cm
X 40cmのNEDO規格の大電力用のパネルを設
けることが可能である。
0cm X20cm、 40cm X 120cmを2
ケ、4ケまたは1ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージされ、120cm
X 40cmのNEDO規格の大電力用のパネルを設
けることが可能である。
またこのNEDO規格のパネルはシーフレックスにより
弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側(図面
では上側)にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることも有効である。
弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側(図面
では上側)にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることも有効である。
本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。
スを用いている。
しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を0.1〜2μの厚さに形成した複合基
板を用いることは有効である。
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を0.1〜2μの厚さに形成した複合基
板を用いることは有効である。
特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
珪素または窒化珪素がこの上面のCTFをjN f&し
て基板とCTFとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、
いわゆるブロッキング効果を有して特に有効であった。
珪素または窒化珪素がこの上面のCTFをjN f&し
て基板とCTFとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、
いわゆるブロッキング効果を有して特に有効であった。
さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。
る。
実施例1
第1図の図面に従ってこの実施例を示す。
即ち透光性基板(1)として化学強化ガラス厚さ1.1
mm 、、長さ60cm、中20cmを用いた。
mm 、、長さ60cm、中20cmを用いた。
この上面に窒化珪素膜を0.1 μの厚さに塗付しブロ
ッキング層とした。
ッキング層とした。
さらにその上にCTFをIT 01600人+SnO,
!300人を電子ビーム蒸着法により作製した。
!300人を電子ビーム蒸着法により作製した。
さらにこの後、第1の開溝をスポット径50μ、出力I
WのYAGレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て3m/分の走査速度にて作製した。 。
WのYAGレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て3m/分の走査速度にて作製した。 。
さらにパネルの端部をレーザ光出力1りにて第1の電極
用半導体をガラス端より5mm内側で長方形に走査し、
パネルの枠との電気的短絡を防止した。
用半導体をガラス端より5mm内側で長方形に走査し、
パネルの枠との電気的短絡を防止した。
素子領域(31)、<11)は15mm巾とした。
この後公知のPCVD法により第2図に示したPIN接
合を1つ有する非単結晶半導体を作製した。
合を1つ有する非単結晶半導体を作製した。
その厚さは約0.5μであった。
かかる後、第1の開溝より100μ第1の素子(31)
をシフトさせて、スポット径50μφにて出力1見にて
大気中にてLSにより第2の開溝(18)を第2図(B
)に示すごとく作製した。
をシフトさせて、スポット径50μφにて出力1見にて
大気中にてLSにより第2の開溝(18)を第2図(B
)に示すごとく作製した。
さらにこの基板全体を1/10肝に30秒浸し、開溝部
の酸化物絶縁物を除去し、加えてグループ(7)および
CTF(2)の底面(6)を露呈させた。さらにこの全
体にCOとしてITOを電子ビーム蒸着法により平均膜
厚1050人に、さらにその上面にクロムを1600人
の厚さに電子ビーム蒸着法により作製して、第2の電極
(45)コネクタ(3o)を構成せしめた。
の酸化物絶縁物を除去し、加えてグループ(7)および
CTF(2)の底面(6)を露呈させた。さらにこの全
体にCOとしてITOを電子ビーム蒸着法により平均膜
厚1050人に、さらにその上面にクロムを1600人
の厚さに電子ビーム蒸着法により作製して、第2の電極
(45)コネクタ(3o)を構成せしめた。
さらに第3の開溝(20)を同様に第3のLSにより第
2の開溝(18)より100μのわたり深さに第1の素
子(31)側にシフトして形成させ、第2図(C)を得
た。レーザ光は出力1とし、他は第2の開溝の作製と同
一条件とした。
2の開溝(18)より100μのわたり深さに第1の素
子(31)側にシフトして形成させ、第2図(C)を得
た。レーザ光は出力1とし、他は第2の開溝の作製と同
一条件とした。
この後、バ・7シベイシヨンIIW (21)をr’c
vn法により窒化珪素膜を1000人の厚さに200℃
の温度にて作製した。
vn法により窒化珪素膜を1000人の厚さに200℃
の温度にて作製した。
すると20cm X 60cmのパネルに15mm巾の
素子を40段作ることができた。
素子を40段作ることができた。
パネルの実効効率としてAMI (100mW / c
冨)にて7.7%、出力8.1Wを得ることができた。
冨)にて7.7%、出力8.1Wを得ることができた。
有効面積は1102.fflであり、パネル全体の91
.8%を有9)Jに利用することができた。
.8%を有9)Jに利用することができた。
この実施例においては、第1図(D)に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂(22)を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。
側の保護用有機樹脂(22)を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。
第1図〜第2図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。
板よりとした。
しかし本発明はその光入射側を1側に限定することなく
、上側の電極をITOとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。
、上側の電極をITOとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。
第1図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 第2図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。 第3図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 特許出願人 31 /2 LI r^−pへん、 (、A) (13)
図である。 第2図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。 第3図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 特許出願人 31 /2 LI r^−pへん、 (、A) (13)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁表面を有する基板上に透光性導電膜の第1の電
極と、該電極上に密接して光照射により光起電力を発生
させうる非単結晶半導体と、該半導体上に密接して第2
の電極とを有する光電変換素子を複数個圧いに電気的に
直列接続せしめて前記絶縁基板上に配設した光電変換装
置において、第1の光電変換素子の第1の電極は少なく
とも底面において前記第1の素子の隣の第2の素子の第
2の電極と酸化物導電膜により電気的に連結して設けら
れたことを特徴とする光電変換半導体装置。 2、特許請求の範囲第1項において、第1の素子の導電
性酸化膜の第1の電極は、底面および側面において前記
第1の素子の隣の第2の素子の第2の電極と酸化物導電
膜により電気的に連結して設°けられたことを特徴とす
る光電変換半導体装置。 3、特許請求の範囲第1項において、導電性酸化物は酸
化スズ、酸化インジュームまたは酸化インジューム・酸
化スズ混合物を主成分とすることを特徴とする光電変換
半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58194874A JPS6085571A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58194874A JPS6085571A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6085571A true JPS6085571A (ja) | 1985-05-15 |
JPH0554273B2 JPH0554273B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=16331742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58194874A Granted JPS6085571A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6085571A (ja) |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194874A patent/JPS6085571A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0554273B2 (ja) | 1993-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0419713B2 (ja) | ||
JPH0476227B2 (ja) | ||
JPS6085571A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS60260166A (ja) | 光電・熱電エネルギ−変換装置 | |
JPS5996778A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
JPS6095980A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS6059784A (ja) | 光電変換半導体装置の作製方法 | |
JPS6085572A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
JPS6059785A (ja) | 光電変換装置およびその作製方法 | |
JPS5996783A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS60123072A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JPS6085574A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JPH03132080A (ja) | 光起電力装置 | |
JPH0745848A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
JPS60100480A (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
JPH0550152B2 (ja) | ||
JPH0614556B2 (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
JPS61255072A (ja) | 光電変換装置 | |
JPH0566755B2 (ja) | ||
JPS6242465A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2002043599A (ja) | 光起電力装置 | |
JPS6085573A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS59154079A (ja) | 光電変換半導体装置及びその作製方法 | |
JPS6081875A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
JPS59155973A (ja) | 光電変換半導体装置 |