JP2002043599A - 光起電力装置 - Google Patents
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板上に形成された第１電極と該電極上
に少なくとも１つのＰＩＮジャンクションを有する非晶
質半導体と該半導体上に第２電極からなる複数の光起電
力素子を該基板上で直列に接続した起電力装置におい
て、外部取り出し電極の第２電極の導線接合部分周辺一
帯に亀裂が発生しても、一端の起電力素子とは常に電気
的接触を保つことの出来る外部取り出し電極構造の提
供。 【解決手段】 一端の前記光起電力素子に連結する外部
取り出し電極の第１電極は、該一端の光起電力素子の第
１電極とは少なくとも１つの第１開口により隔てられ、
該外部取り出し電極部の第２電極が該取り出し電極の第
１電極と電気的に接触している構造とする。
に少なくとも１つのＰＩＮジャンクションを有する非晶
質半導体と該半導体上に第２電極からなる複数の光起電
力素子を該基板上で直列に接続した起電力装置におい
て、外部取り出し電極の第２電極の導線接合部分周辺一
帯に亀裂が発生しても、一端の起電力素子とは常に電気
的接触を保つことの出来る外部取り出し電極構造の提
供。 【解決手段】 一端の前記光起電力素子に連結する外部
取り出し電極の第１電極は、該一端の光起電力素子の第
１電極とは少なくとも１つの第１開口により隔てられ、
該外部取り出し電極部の第２電極が該取り出し電極の第
１電極と電気的に接触している構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は絶縁基板上に形成
された光起電力装置、特に薄膜シリコン太陽電池の外部
取り出し電極構造に関する。
された光起電力装置、特に薄膜シリコン太陽電池の外部
取り出し電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光起電力装置は透明絶縁基板上に透明導
電性電極膜（第１電極）、発電膜である非晶質半導体
層、主として金属膜からなる導電性電極膜（第２電極）
の少なくとも三層の積層膜からなる構造を有し、皮膜形
成ごとにレーザービームなどで分離溝を形成し単位の起
電力素子に分離するとともに、素子相互を直列に接続、
該直列に接続された複数の起電力素子の、一端の起電力
素子に連結して、外部取り出し電極を設け、該直列に接
続された複数の起電力素子の、他端の起電力素子に連結
して、外部取り出し電極を設けるという一連のステップ
で製造される。
電性電極膜（第１電極）、発電膜である非晶質半導体
層、主として金属膜からなる導電性電極膜（第２電極）
の少なくとも三層の積層膜からなる構造を有し、皮膜形
成ごとにレーザービームなどで分離溝を形成し単位の起
電力素子に分離するとともに、素子相互を直列に接続、
該直列に接続された複数の起電力素子の、一端の起電力
素子に連結して、外部取り出し電極を設け、該直列に接
続された複数の起電力素子の、他端の起電力素子に連結
して、外部取り出し電極を設けるという一連のステップ
で製造される。
【０００３】かかる構造の光起電力装置において、一端
の光起電力素子に連結する従来の外部取り出し電極の構
造を図２に示す。図２において、１は第１電極、２は第
２電極、３は非晶質半導体膜、４は絶縁基板、５は外部
取り出し電極、６は導線、７は一端の光起電力素子、９
は一端の光起電力素子領域、１０は外部取り出し電極領
域、１１は第２電極の亀裂を示す。
の光起電力素子に連結する従来の外部取り出し電極の構
造を図２に示す。図２において、１は第１電極、２は第
２電極、３は非晶質半導体膜、４は絶縁基板、５は外部
取り出し電極、６は導線、７は一端の光起電力素子、９
は一端の光起電力素子領域、１０は外部取り出し電極領
域、１１は第２電極の亀裂を示す。
【０００４】図２に現れているように、従来の一端の光
起電力素子に連結する外部取り出し電極は、該一端の光
起電力素子から延在する第２電極からなっていた。そし
てその下部にはやはり該一端の光起電力素子から延在す
る非晶質半導体膜および分離溝によって分離された第一
電極を有していた。
起電力素子に連結する外部取り出し電極は、該一端の光
起電力素子から延在する第２電極からなっていた。そし
てその下部にはやはり該一端の光起電力素子から延在す
る非晶質半導体膜および分離溝によって分離された第一
電極を有していた。
【０００５】上記の分離溝の存在意義は、６の導線に変
えて導電性ゴムを圧接して電流を取り出す利用のしかた
があるが、その際圧迫力で非晶質半導体膜が潰れ、第１
電極と第２電極が短絡しても、該外部取り出し電極およ
び一端の光起電力素子の機能に影響を及ぼさないように
した工夫である。
えて導電性ゴムを圧接して電流を取り出す利用のしかた
があるが、その際圧迫力で非晶質半導体膜が潰れ、第１
電極と第２電極が短絡しても、該外部取り出し電極およ
び一端の光起電力素子の機能に影響を及ぼさないように
した工夫である。
【０００６】上記分離溝があるなしいずれにせよ、電流
の取り出しには当該電極に導線をろう付けして行う方法
が信頼性上好ましい方法である。該方法であれば圧迫の
影響はないが、ろう付け時の熱が第２電極から下層の非
晶質半導体膜へ影響し、その熱で分解ガスが発生して上
部の第２電極膜に亀裂が生成する。この様子を平面で見
たのが第３図であって、導線６が接合されたろうの周辺
を取り巻いて亀裂１１が発生し、導線６を電極膜から孤
立させてしまう。断面では図２の１１のごとくである。
即ちこれはもはや断線事故であり、電流は取り出すこと
のできない状態に陥る。
の取り出しには当該電極に導線をろう付けして行う方法
が信頼性上好ましい方法である。該方法であれば圧迫の
影響はないが、ろう付け時の熱が第２電極から下層の非
晶質半導体膜へ影響し、その熱で分解ガスが発生して上
部の第２電極膜に亀裂が生成する。この様子を平面で見
たのが第３図であって、導線６が接合されたろうの周辺
を取り巻いて亀裂１１が発生し、導線６を電極膜から孤
立させてしまう。断面では図２の１１のごとくである。
即ちこれはもはや断線事故であり、電流は取り出すこと
のできない状態に陥る。
【０００７】なお、ろう付けの変わりに熱のかからな
い、銀ペーストによる接合法も可能であるが、コスト
面、長期信頼性面を慮れば、ろう付けに優るものはな
い。
い、銀ペーストによる接合法も可能であるが、コスト
面、長期信頼性面を慮れば、ろう付けに優るものはな
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来の
問題点に鑑みてなされたもので、外部取り出し電極の第
２電極の導線接合部分周辺一帯に亀裂が発生しても、一
端の起電力素子とは常に電気的接触を保つことの出来る
外部取り出し電極の構造を提供することを目的とする。
問題点に鑑みてなされたもので、外部取り出し電極の第
２電極の導線接合部分周辺一帯に亀裂が発生しても、一
端の起電力素子とは常に電気的接触を保つことの出来る
外部取り出し電極の構造を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板上に形
成された第１電極と該電極上に少なくとも１つのＰＩＮ
ジャンクションを有する非晶質半導体と該半導体上に第
２電極からなる複数の光起電力素子を該基板上で直列に
接続した起電力装置において、一端の前記光起電力素子
に連結する外部取り出し電極の第１電極は、該一端の光
起電力素子の第１電極とは少なくとも１つの第１開口に
より隔てられ、該外部取り出し電極部の第２電極が該取
り出し電極の第１電極と電気的に接触していることを特
徴とする。
成された第１電極と該電極上に少なくとも１つのＰＩＮ
ジャンクションを有する非晶質半導体と該半導体上に第
２電極からなる複数の光起電力素子を該基板上で直列に
接続した起電力装置において、一端の前記光起電力素子
に連結する外部取り出し電極の第１電極は、該一端の光
起電力素子の第１電極とは少なくとも１つの第１開口に
より隔てられ、該外部取り出し電極部の第２電極が該取
り出し電極の第１電極と電気的に接触していることを特
徴とする。
【００１０】即ち、外部取り出し電極領域において、第
２電極の導線がろう付けされた周辺に亀裂が生じ、第２
電極膜平面上で電気的に孤立してもその下部において該
外部取り出し電極部の第１電極と導通していれば、断線
からは免れ、隣接の一端の光起電力素子との接続は可能
なのである。ただし少なくとも、該取り出し電極領域の
第１電極は隣接の一端の光起電力素子領域の第１電極が
延在したものでは機能せず、それぞれの第１電極はレー
ザースクライビング法などで設けられた分離溝中の非晶
質半導体の充填によってそれぞれに分離されていなけれ
ばならない。
２電極の導線がろう付けされた周辺に亀裂が生じ、第２
電極膜平面上で電気的に孤立してもその下部において該
外部取り出し電極部の第１電極と導通していれば、断線
からは免れ、隣接の一端の光起電力素子との接続は可能
なのである。ただし少なくとも、該取り出し電極領域の
第１電極は隣接の一端の光起電力素子領域の第１電極が
延在したものでは機能せず、それぞれの第１電極はレー
ザースクライビング法などで設けられた分離溝中の非晶
質半導体の充填によってそれぞれに分離されていなけれ
ばならない。
【００１１】さらに本発明は前記外部取りだし電極の下
部に前記半導体が設けられていないことを特徴とする。
即ち、外部取り出し電極領域の第２電極と第１電極の接
続は、半導体膜がむしろ存在せず直接接触していても単
純確実であって本発明の目的は達せられる。この構造は
皮膜形成時に若干の工夫を必要とするが、とくに困難な
ものではない。
部に前記半導体が設けられていないことを特徴とする。
即ち、外部取り出し電極領域の第２電極と第１電極の接
続は、半導体膜がむしろ存在せず直接接触していても単
純確実であって本発明の目的は達せられる。この構造は
皮膜形成時に若干の工夫を必要とするが、とくに困難な
ものではない。
【００１２】さらに本発明は一端の光起電力素子に連結
する外部取り出し電極は前記一端の光起電力素子から延
在した第２電極と電気的に接触する第１電極を下部に有
し、該第１電極と電気的に接触し且つ前記一端の光起電
力素子とは第２開溝によって隔てられた第２電極からな
ることも特徴とする。
する外部取り出し電極は前記一端の光起電力素子から延
在した第２電極と電気的に接触する第１電極を下部に有
し、該第１電極と電気的に接触し且つ前記一端の光起電
力素子とは第２開溝によって隔てられた第２電極からな
ることも特徴とする。
【００１３】本発明は発明の主旨から言って、第１電極
と第２電極が電気的に接触していることが基本となるも
のだが、上記特徴もこの基本をなすもので、隣接した一
端の光起電力素子の機能に影響を及ぼさず外部取りだし
電極が該一端の光起電力素子の第２電極に接続できる構
造である。
と第２電極が電気的に接触していることが基本となるも
のだが、上記特徴もこの基本をなすもので、隣接した一
端の光起電力素子の機能に影響を及ぼさず外部取りだし
電極が該一端の光起電力素子の第２電極に接続できる構
造である。
【００１４】さてこれら本発明の外部取り出し電極構造
を持つ起電力装置は現在行われている通常の技術で製造
できる。即ち、厚さ１ｍｍ前後、面積１００ｃｍ２前後
のガラスなどの透明絶縁基板上に酸化錫などの透明電極
膜（第１電極膜）をＣＶＤなどの手法で厚さ０．５μｍ
前後に形成する。ついで、前記した構造の外部取り出し
電極領域を形成し、計画した複数の各起電力素子に分離
し且つ該分離した各素子を直列に接続するための分離溝
を例えば波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザービー
ムでエッチングして該透明電極膜（第１電極膜）に設け
る。
を持つ起電力装置は現在行われている通常の技術で製造
できる。即ち、厚さ１ｍｍ前後、面積１００ｃｍ２前後
のガラスなどの透明絶縁基板上に酸化錫などの透明電極
膜（第１電極膜）をＣＶＤなどの手法で厚さ０．５μｍ
前後に形成する。ついで、前記した構造の外部取り出し
電極領域を形成し、計画した複数の各起電力素子に分離
し且つ該分離した各素子を直列に接続するための分離溝
を例えば波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザービー
ムでエッチングして該透明電極膜（第１電極膜）に設け
る。
【００１５】更に、その上に光電変換機能を有する多層
の非晶質半導体皮膜をやはりＣＶＤなどの方法で０．４
μｍ程度の厚さに形成する。従って、前工程で透明電極
膜にスクライビングした分離溝は該半導体層で埋め込ま
れることになる。かくして形成した半導体層に同様にし
て、前記した構造の外部取り出し電極領域を形成し、計
画した複数の各起電力素子に分離し且つ該分離した各素
子を直列に接続するための分離溝を設ける。
の非晶質半導体皮膜をやはりＣＶＤなどの方法で０．４
μｍ程度の厚さに形成する。従って、前工程で透明電極
膜にスクライビングした分離溝は該半導体層で埋め込ま
れることになる。かくして形成した半導体層に同様にし
て、前記した構造の外部取り出し電極領域を形成し、計
画した複数の各起電力素子に分離し且つ該分離した各素
子を直列に接続するための分離溝を設ける。
【００１６】次の工程では、該半導体膜上に金属電極膜
もしくは透明電極膜（下層膜）と金属電極膜（上層膜）
からなる第２電極膜の０．５μｍ前後の厚さを真空蒸着
などの手法で成膜する。ここで前記した半導体層にスク
ライビングした分離溝は導電性の第２電極膜質で充填さ
れるので、この半導体層にある分離溝部分で第１電極膜
と第２電極膜は導通することになる。
もしくは透明電極膜（下層膜）と金属電極膜（上層膜）
からなる第２電極膜の０．５μｍ前後の厚さを真空蒸着
などの手法で成膜する。ここで前記した半導体層にスク
ライビングした分離溝は導電性の第２電極膜質で充填さ
れるので、この半導体層にある分離溝部分で第１電極膜
と第２電極膜は導通することになる。
【００１７】かくして形成された第２電極膜にも同様に
して前記した構造の外部取り出し電極領域を形成し、計
画した複数の各起電力素子に分離し且つ該分離した各素
子を直列に接続するための分離溝を設ける。該分離溝は
各素子若しくは外部取り出し電極の第２電極を平面上で
絶縁するためのものであるから、その分離溝深さは下層
の第一電極膜まで到達していることが好ましい。
して前記した構造の外部取り出し電極領域を形成し、計
画した複数の各起電力素子に分離し且つ該分離した各素
子を直列に接続するための分離溝を設ける。該分離溝は
各素子若しくは外部取り出し電極の第２電極を平面上で
絶縁するためのものであるから、その分離溝深さは下層
の第一電極膜まで到達していることが好ましい。
【００１８】必要ならば、さらにＳｉＣなどのパッシベ
ーション膜で全体（電極取り出し部を除き）を被覆す
る。ついで本発明の外部取り出し電極にリード線をハン
ダ付けする。最後に有機樹脂などで保護被覆を施して、
完成する。
ーション膜で全体（電極取り出し部を除き）を被覆す
る。ついで本発明の外部取り出し電極にリード線をハン
ダ付けする。最後に有機樹脂などで保護被覆を施して、
完成する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照しながら例示的に詳しく説明する。但し本実施の
実施の形態に記載する製品の寸法、形状、材質、その相
対的配置等は特に特定的記載が無い限りは特に発明をそ
の範囲に限定する趣旨のものではなく単なる説明例に過
ぎない。
を参照しながら例示的に詳しく説明する。但し本実施の
実施の形態に記載する製品の寸法、形状、材質、その相
対的配置等は特に特定的記載が無い限りは特に発明をそ
の範囲に限定する趣旨のものではなく単なる説明例に過
ぎない。
【００２０】（実施例１）図１は本発明の１つの実施態
様を説明する図であって、１は第１電極、２は第２電
極、３は非晶質半導体膜、４は絶縁基板、５は外部取り
出し電極、６は導線、７は一端の光起電力素子、８は第
２開溝、９は一端の光起電力素子領域、１０は外部取り
出し電極領域、１１は第２電極の亀裂を示す。
様を説明する図であって、１は第１電極、２は第２電
極、３は非晶質半導体膜、４は絶縁基板、５は外部取り
出し電極、６は導線、７は一端の光起電力素子、８は第
２開溝、９は一端の光起電力素子領域、１０は外部取り
出し電極領域、１１は第２電極の亀裂を示す。
【００２１】図に示すように、外部取り出し電極領域１
０は基本的には光起電力素子領域９と同一積層膜からな
っているが、外部取り出し電極領域１０の第１電極は隣
接する一端の光起電力素子７の第１電極の左端側から延
在している。一方導線６がろう付けされている外部取り
出し電極５即ち第２電極は一端の光起電力素子７の第２
電極２とは第２開溝８で分離されている。そして、導線
６がろう付けされている部分の直下で、半導体層にスク
ライブされ、第２電極物質が充填して第１電極１まで到
達している分離溝によって縦方向に、第１電極１と電気
的に接続されている。この導線接合部直下の縦方向接続
部の存在でたとえ亀裂１１が発生し、導線接合部分が外
部取り出し電極５と孤立絶縁になっても、下部の第１電
極１と接続されることになり、該第１電極１は右方の一
端の光起電力素子７へ延在し、延在右側直上で、一端の
光起電力素子７の第２電極２と縦方向に接続するのと同
時に、さらに右側の一端の光起電力素子７の第１電極１
の分離溝で一端の素子の第１電極１とは分離しているた
め、一端の光起電力素子７の第２電極２と接続が保た
れ、以下両電極にサンドイッチされた半導体が直列に接
続する構造の光起電力装置となるのである。
０は基本的には光起電力素子領域９と同一積層膜からな
っているが、外部取り出し電極領域１０の第１電極は隣
接する一端の光起電力素子７の第１電極の左端側から延
在している。一方導線６がろう付けされている外部取り
出し電極５即ち第２電極は一端の光起電力素子７の第２
電極２とは第２開溝８で分離されている。そして、導線
６がろう付けされている部分の直下で、半導体層にスク
ライブされ、第２電極物質が充填して第１電極１まで到
達している分離溝によって縦方向に、第１電極１と電気
的に接続されている。この導線接合部直下の縦方向接続
部の存在でたとえ亀裂１１が発生し、導線接合部分が外
部取り出し電極５と孤立絶縁になっても、下部の第１電
極１と接続されることになり、該第１電極１は右方の一
端の光起電力素子７へ延在し、延在右側直上で、一端の
光起電力素子７の第２電極２と縦方向に接続するのと同
時に、さらに右側の一端の光起電力素子７の第１電極１
の分離溝で一端の素子の第１電極１とは分離しているた
め、一端の光起電力素子７の第２電極２と接続が保た
れ、以下両電極にサンドイッチされた半導体が直列に接
続する構造の光起電力装置となるのである。
【００２２】（実施例２）図４は本発明の１つの実施態
様を説明する図であって４１は第１開溝であって、他の
符号は図１で説明した符号と同一の意味を持つ。
様を説明する図であって４１は第１開溝であって、他の
符号は図１で説明した符号と同一の意味を持つ。
【００２３】同図に示すように、一端の光起電力素子７
の第２電極２から延在する外部取り出し電極５（第２電
極）は、その下部に半導体層が存在せず、直接第１電極
１上に接触被覆されている。即ちこの状態で電気的接触
は保たれている。但し、取り出し電極領域１０の第１電
極膜は光起電力素子領域９の第１電極１とは第１開溝４
１で分離されている。これにより、例え図示のようにろ
う付け周りに亀裂１１が入り、導線６が平面的に孤立絶
縁状態になっても、ろう付け部分下部の第１電極膜を通
じて一端の光起電力素子７の第２電極２へ接続されてい
ることになり、同時に一端の光起電力素子７は独立した
（ただし取りだし電極と該一端の光起電力素子の次の光
起電力素子とは直列接続されて）素子としての機能をは
たせることになる。
の第２電極２から延在する外部取り出し電極５（第２電
極）は、その下部に半導体層が存在せず、直接第１電極
１上に接触被覆されている。即ちこの状態で電気的接触
は保たれている。但し、取り出し電極領域１０の第１電
極膜は光起電力素子領域９の第１電極１とは第１開溝４
１で分離されている。これにより、例え図示のようにろ
う付け周りに亀裂１１が入り、導線６が平面的に孤立絶
縁状態になっても、ろう付け部分下部の第１電極膜を通
じて一端の光起電力素子７の第２電極２へ接続されてい
ることになり、同時に一端の光起電力素子７は独立した
（ただし取りだし電極と該一端の光起電力素子の次の光
起電力素子とは直列接続されて）素子としての機能をは
たせることになる。
【００２４】この半導体膜の存在しない構造は、例え
ば、外部分をマスキングして半導体膜を積層するなどの
方法で容易に実現できる。
ば、外部分をマスキングして半導体膜を積層するなどの
方法で容易に実現できる。
【００２５】（実施例３）さて、前記実施例２の方法
は、半導体膜を積層するとき、分離溝部４１が狭い設計
になっていると、基板４の位置決め誤差などの要因で半
導体膜の境界裾野が外部取り出し電極領域１０まではみ
出し、第１電極１と接触してしまうような不具合が生じ
ることもある。また該境界裾野部分がガラス基板などの
ような密着性の悪い材質の場合、直接端の裾野部分がガ
ラスにタッチするので、端から剥離を起こし欠陥の原因
になる。
は、半導体膜を積層するとき、分離溝部４１が狭い設計
になっていると、基板４の位置決め誤差などの要因で半
導体膜の境界裾野が外部取り出し電極領域１０まではみ
出し、第１電極１と接触してしまうような不具合が生じ
ることもある。また該境界裾野部分がガラス基板などの
ような密着性の悪い材質の場合、直接端の裾野部分がガ
ラスにタッチするので、端から剥離を起こし欠陥の原因
になる。
【００２６】そこで実施例３は図5に示す構造とした。
図５において５１は二条からなる第１開溝である。他の
符号は第１図と同様な意味である。
図５において５１は二条からなる第１開溝である。他の
符号は第１図と同様な意味である。
【００２７】本実施例では、外部取り出し電極領域に半
導体層がはさまれていない構造は実施例２と同様であり
亀裂発生の場合の接続の径路は実施例と同様であるが、
分離溝５１の中央に第１電極１がのこされており、分離
溝が二条になっている。このため、半導体層を積層する
とき、この半導体層の終端部が分離溝５１の中央に残さ
れた第１電極１に被り込み裾野が該第１電極１の上で終
わるように製造すれば、前記したような不具合の発生は
防止されるのである。
導体層がはさまれていない構造は実施例２と同様であり
亀裂発生の場合の接続の径路は実施例と同様であるが、
分離溝５１の中央に第１電極１がのこされており、分離
溝が二条になっている。このため、半導体層を積層する
とき、この半導体層の終端部が分離溝５１の中央に残さ
れた第１電極１に被り込み裾野が該第１電極１の上で終
わるように製造すれば、前記したような不具合の発生は
防止されるのである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により外部
取り出し電極の第２電極の導線接合部分周辺一帯に亀裂
が発生しても、一端の起電力素子とは常に電気的接触を
保つことの出来る外部取り出し電極の構造を提供するこ
とが可能となった。
取り出し電極の第２電極の導線接合部分周辺一帯に亀裂
が発生しても、一端の起電力素子とは常に電気的接触を
保つことの出来る外部取り出し電極の構造を提供するこ
とが可能となった。
【図１】 本発明の光起電力装置の外部取り出し電極構
造の一例を示した断面図
造の一例を示した断面図
【図２】 従来の光起電力装置の外部取り出し電極構造
の一例を示した断面図
の一例を示した断面図
【図３】 図２の光起電力装置の外部取り出し電極構造
を示した平面図
を示した平面図
【図４】 本発明の光起電力装置の外部取り出し電極構
造の一例を示した断面図
造の一例を示した断面図
【図５】 本発明の光起電力装置の外部取り出し電極構
造の一例を示した断面図
造の一例を示した断面図
１ 第１電極 ２ 第２電極 ３ 非晶質半導体膜 ４ 絶縁基板 ５ 外部取り出し電極 ６ 導線 ７ 一端の光起電力素子 ８ 第２開溝 ９ 一端の光起電力素子領域 １０ 外部取り出し電極領域 １１ 第２電極の亀裂 ４１ 第１開溝 ５１ ２条からなる第１開溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 良昭 長崎市深堀町五丁目717番地１号 三菱重 工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 山内 康弘 長崎市飽の浦町１丁目１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 Ｆターム(参考） 5F051 AA05 DA04 EA02 FA16 FA17 FA30 GA03
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上に形成された第１電極と該電
極上に少なくとも１つのＰＩＮジャンクションを有する
非晶質半導体と該半導体上に第２電極からなる複数の光
起電力素子を該基板上で直列に接続した起電力装置にお
いて、一端の前記光起電力素子に連結する外部取り出し
電極の第１電極は、該一端の光起電力素子の第１電極と
は少なくとも１つの第１開口により隔てられ、該外部取
り出し電極部の第２電極が該取り出し電極の第１電極と
電気的に接触していることを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 前記外部取りだし電極の下部に前記半導
体が設けられていないことを特徴とする請求項１記載の
光起電力装置。 - 【請求項３】 一端の光起電力素子に連結する外部取り
出し電極は前記一端の光起電力素子から延在した第２電
極と電気的に接触する第１電極を下部に有し、該第１電
極と電気的に接触し且つ前記一端の光起電力素子とは第
２開溝によって隔てられた第２電極からなることを特徴
とする請求項１記載の光起電力装置。 - 【請求項４】 前記外部取り出し電極部の第２電極面に
導線をろう付けしたことを特徴とする請求項１乃至３い
ずれかの項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221304A JP2002043599A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221304A JP2002043599A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043599A true JP2002043599A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18715740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000221304A Pending JP2002043599A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043599A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013506987A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| JP2013074117A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000221304A patent/JP2002043599A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013506987A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| US8779282B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-07-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2013074117A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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