JPH09240176A - Ｉｃカード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、従来よりも薄いＩＣカード及びそ
れを実現するためのＩＣカードの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明によるＩＣカードは、薄膜化され
たＩＣチップと、このＩＣチップに一体に形成された可
撓性薄膜と、この可撓性薄膜における前記ＩＣチップの
外周に延在した領域の表面に形成された電極パッドと、
この電極パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続する
配線層とからなるＩＣモジュールを具備し、このＩＣモ
ジュールが基板内に実装される。本発明によるＩＣカー
ドの製造方法は、基板内に実装されるＩＣモジュール
が、一導電型の半導体基板に形成した他の導電型の拡散
層内に電子回路を形成する工程と、前記半導体基板上に
電極パッドを前記他の導電型の拡散層の領域外に延在さ
せて、絶縁性の可撓性薄膜で覆われた配線層を形成する
工程と、前記半導体基板における前記他の導電型の拡散
層以外の領域を電気化学エッチングによって除去する工
程とにより形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカード基材の内部に
集積回路（ＩＣ）を実装してなるＩＣカード及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カード内部に記憶素子及びその制
御素子を内蔵させたＩＣカードと呼ばれるデータカード
が種々の分野で普及している。このＩＣカードは、従来
の磁気カードと比較して機密保持や盗用防止の点で優れ
ており、セキュリティが高いのが特徴である。

【０００３】また、各種のデータを光記録媒体に記憶さ
せることによって大きな記憶容量を持つレーザカード
に、集積回路を内蔵させるようにしたいわゆるハイブリ
ッドタイプのＩＣカードも開発されている。

【０００４】このハイブリッドタイプのＩＣカードは、
ＩＣカードのセキュリティの高さとレーザカードの大記
憶容量との両方の特徴を併せ持つカードとして注目され
ている。

【０００５】ところで、ＩＣカードにおける集積回路の
実装方法としては、例えば特公平３−５１２３８号公報
に開示されているように、通常の集積回路を形成したＩ
Ｃチップのパッケージングと同様に、配線板に対してＩ
Ｃチップをワイヤーボンディングによってマウントし、
これを封止材によって封止した後でインナーシートやカ
バーシートを融着して一体化する方法が一般的である。

【０００６】このＩＣカードの形態及び集積回路の実装
方法について図４及び図５を用いて説明する。通常のＩ
Ｃカードの形態は図４に示すように、電気絶縁性の合成
樹脂製のカード基板１０１の内部に情報の記憶及び処理
を行うＩＣチップ１０２を実装し、入力端子１０３をカ
ード裏面から露出させている。

【０００７】このＩＣチップの実装方法については、図
５に示すように、多層配線基板１０４の穴あけされたダ
イボンド位置に裏面から固定板１０５を当接し、この上
にＩＣチップ１０６をダイボンドする。

【０００８】そして、このＩＣチップ１０６と多層配線
基板１０４の導体配線をボンディングワイヤー１０７で
接続し、これらを熱硬化性の封止剤１０８で封止する。
この後、熱可塑性樹脂から成る基板１０９を配置し、更
に両側にインナーシート１１０とカバーシート１１１を
融着させる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の技術によるＩＣチップの実装方法において
は、ワイヤーボンディングによってＩＣチップを実装す
る場合に、少なくともＩＣチップ自体の厚さに相当する
空間と、ボンディングワイヤーを配設するために必要な
空間とを確保する必要があり、このことがカードの厚さ
を薄くすることの最大の障害になっている。

【００１０】ＩＣチップは、研磨によってシリコンウェ
ハの厚さよりも薄くすることができるが、ボンディング
時のハンドリング等の関係で２００μｍ以下の厚さにす
ることは製造技術上困難である。

【００１１】このようなＩＣチップの実装におけるカー
ドの厚さの制限は、上述したようなハイブリッドタイプ
のＩＣカードにおいて、特に重要な問題となる。すなわ
ち、レーザカードでは光磁気の記憶面とその保護膜のた
めに数１００μｍの厚さが必要であり、これにＩＣチッ
プを実装してハイブリッドタイプのＩＣカードを構成し
ようとした場合には、カードが厚くなり過ぎてしまうと
いう問題があるからである。

【００１２】このことは、カードの表面全面に光記憶媒
体を配置した大きな記憶容量を得ようとするハイブリッ
ドタイプのＩＣカードにおいて、特に問題となる。そこ
で、本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、
従来よりも薄いＩＣカード及びそれを実現するためのＩ
Ｃカードの製造方法を提供することを目的としていると
共に、特にハイブリッドタイプのＩＣカードの薄形化を
実現するための製造方法を提供することを目的としてい
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、基板と、該基板に設けられた集積
回路（ＩＣ）とからなるＩＣカードにおいて、薄膜化さ
れたＩＣチップと、このＩＣチップに一体に形成された
可撓性薄膜と、この可撓性薄膜における前記ＩＣチップ
の外周に延在した領域の表面に形成された電極パッド
と、この電極パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続
する配線層とからなるＩＣモジュールを具備し、このＩ
Ｃモジュールが前記基板内に実装されていることを特徴
とするＩＣカードが提供される。

【００１４】上述した解決手段によると、薄膜化された
ＩＣチップが可撓性薄膜に一体形成されているので、Ｉ
Ｃチップを薄くしてもハンドリング時の破損がないた
め、カードの厚さを薄くできると共に、基板に対する接
続部領域が可撓性を有しているのでカードの曲げに対す
る許容度が高い。

【００１５】また、本発明によると、基板と、該基板に
設けられた集積回路（ＩＣ）及び光記録媒体とからなる
ハイブリッドタイプのＩＣカードにおいて、薄膜化され
たＩＣチップと、このＩＣチップに一体に形成された可
撓性薄膜と、この可撓性薄膜における前記ＩＣチップの
外周に延在した領域の表面に形成された電極パッドと、
この電極パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続する
配線層とからなるＩＣモジュールを具備し、このＩＣモ
ジュールが前記基板内に実装されていると共に、前記基
板の一方の面に前記光記録媒体が配置され、他の面に前
記ＩＣモジュールの電気接点が設けられていることを特
徴とするハイブリッドタイプのＩＣカードが提供され
る。

【００１６】上述した解決手段によると、薄膜化された
ＩＣチップが可撓性薄膜に一体形成されているので、Ｉ
Ｃチップを薄くしてもハンドリング時の破損がないた
め、カードの厚さを薄くできると共に、基板に対する接
続部領域が可撓性を有しているのでカードの曲げに対す
る許容度が高く、しかもＩＣチップの実装部の厚さを薄
くできるので、カードの全面を光磁気等の記録面とした
場合であってもハイブリッドタイプのＩＣカードとして
の厚さを薄くすることができる。

【００１７】さらに、本発明によると、少なくとも基板
と、該基板に設けられた集積回路（ＩＣ）モジュールと
からなるＩＣカードの製造方法において、前記基板内に
実装されるＩＣモジュールが、一導電型の半導体基板に
形成した他の導電型の拡散層内に電子回路を形成する工
程と、前記半導体基板上に電極パッドを前記他の導電型
の拡散層の領域外に延在させて、絶縁性の可撓性薄膜で
覆われた配線層を形成する工程と、前記半導体基板にお
ける前記他の導電型の拡散層以外の領域を電気化学エッ
チングによって除去する工程とにより形成されることを
特徴とするＩＣカードの製造方法が提供される。

【００１８】上述した解決手段によると、可撓性薄膜よ
りなる配線層をＩＣチップに一体形成することで、低コ
スト化とパターンの微細化及び薄膜化を同時に実現でき
ると共に、電気化学エッチングによって非常に薄いＩＣ
モジュールを安定して製造することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態につき説明する。 ［第１の実施の形態］まず、本発明の第１の実施の形態
について図１乃至図３を用いて説明する。

【００２０】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態における薄板状のＩＣモジュール１０を示して
いる。但し、図１（ａ）では、図１（ｂ）に示す封止材
５を取り外した状態として示している。

【００２１】すなわち、後述するように、半導体基板
（シリコンウェハ）内部に電子回路が形成されたＩＣチ
ップ１は、例えば、電気化学エッチング等によってシリ
コンウェハの厚さよりも薄く、厚さ２０μｍ程度まで薄
膜化されているものとする。

【００２２】このＩＣチップ１の表面に一体に形成され
た可撓性のポリイミド膜２は、ＩＣチップ１の外周部を
越えて延在し、その一辺の表面端部に所定数の電極パッ
ド３が形成されている。

【００２３】このポリイミド膜２の内部に形成された所
定数の配線を有する配線層４は、ＩＣチップ１の電子回
路の電極を該ポリイミド膜２の端部に形成されている電
極パッド３まで、電気的接続を保持して引き出してい
る。

【００２４】また、ＩＣチップ１の裏面には封止材５が
塗布されていると共に、電極パッド３の表面には半田メ
ッキ処理が施されている。ここで、ポリイミド膜２の厚
さは約２０μｍであり、封止材５の厚さはＩＣチップ１
上で約３０μｍであるので、以上のようにして形成され
るＩＣモジュール１０の全体としての厚さは約７０μｍ
である。

【００２５】図２は、この第１の実施の形態のＩＣモジ
ュール１０の実装の形態を示している。図１に示したＩ
Ｃモジュール１０の電極パッド３は，多層配線基板６の
導体配線に半田付けによって接続されている。

【００２６】この半田付けはレーザースポットの照射に
よって行われる。この上に熱可塑性樹脂より成る基板７
を配置して、更にこの両側にインナーシート８及びカバ
ーシート９とが融着される。

【００２７】このように第１の実施の形態においては、
ＩＣチップ１自体の厚さが、従来の技術と比較して１／
１０程度に薄膜化されているので、カード全体としても
従来の技術と比較してその厚さを大幅に薄くすることが
できる。

【００２８】また、第１の実施の形態においては、ＩＣ
モジュール１０の多層配線基板６へのマウントに際して
は柔軟なポリイミド膜２部分をハンドリングできるの
で、例えばＩＣチップ１を２０μｍ程度まで薄くしても
ＩＣチップが破損することはない。

【００２９】加えて、この第１の実施の形態によると、
図５に示した従来の技術と比較すると多層配線基板への
穴あけや固定板の配置、ダイボンディングの工程が省略
できるので製造工程が簡略化され、製造コストが低減で
きる。

【００３０】さらに、この第１の実施の形態によると、
多層配線板６に対するＩＣモジュール１０への固定が可
撓性を有するポリイミド膜２内の配線層４で成されるの
で、融着などの熱工程や製造後のカード使用時の曲げに
よって接続部分が剥離などによって破損する危険が少な
い。

【００３１】また、この第１の実施の形態によると、特
にカードの曲げに対しては、ＩＣチップ１自体は固定さ
れておらず、しかも薄いので曲げによる表面歪みが小さ
いことから電子回路等の特性の変動が少なく、結果しと
て応力に対する許容度が高くなる。

【００３２】このような第１の実施の形態による手法
は、ＩＣチップ１のマウント部を特に薄くする必要のあ
るハイブリッドタイプのＩＣカードにおいて特に有効で
あり、これについては後述する第２の実施の形態で説明
される。

【００３３】図３（ａ）乃至（ｅ）は、図１に示したＩ
Ｃモジュール１０の製造方法の具体例を示している。ま
ず、図３（ａ）に示すように、Ｐ型の半導体基板５１に
深いＮ型拡散層５２を形成し、この中にＣＭＯＳ回路５
３を通常の半導体装置製造技術を用いて形成する。

【００３４】なお、特に、図示しないが半導体基板５１
の表面にはシリコン酸化膜を絶縁膜とするＣＭＯＳ回路
５３の配線パターンが形成されているものとする。次
に、この半導体基板５１の両面側にプラズマＣＶＤによ
ってシリコン窒化膜５４を形成し、裏面側に開口パター
ン５５を形成する。

【００３５】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基
板５１の表面側に、第１のポリイミド膜５６をスピンコ
ートで形成した後、ＣＭＯＳ回路５３の電極部の領域に
相当する第１のポリイミド膜５６と表面側のシリコン窒
化膜５４の部分にコンタクト孔５７を形成すると共に、
その上にフォトリソグラフィー技術によってＡｌの配線
パターン５８を形成する。

【００３６】次に、図３（ｃ）に示すように、半導体基
板５１の表面側に、第２のポリイミド膜５９を形成し、
これの電極パッド（図１の電極パッド３に該当する）に
相当する領域に開口部を設け、この領域に選択的な無電
解メッキによってＮｉ層６０及びハンダ層６１を形成す
る。

【００３７】次に、図３（ｄ）に示すように半導体基板
５１の表面側を保護した状態で、裏面のシリコン窒化膜
５４の開口パターン５５から電気化学エッチングを行
う。この工程において、開口パターン５５からエッチン
グが進行し、深いＮ型拡散層５２がない領域ではシリコ
ン表面のシリコン酸化膜（図示せず）が裏面側で露出す
るまで進行するが、Ｎ型拡散層５２がある領域ではバイ
アスされたＰＮ接合のＰ型基板側の空乏層端部近傍でエ
ッチングが停止する。

【００３８】この電気化学エッチングは、ＴＭＡＨ（テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）の水溶液
中に浸し、この水溶液に電極を入れてこれを接地し、半
導体基板の深いＮ型拡散層に正のバイアスを印加するこ
とで成される。

【００３９】通常のＣＭＯＳ電子回路では電源ラインが
Ｎ型拡散層に接続されるようになるので、この電極を正
にバイアスすればよい。次に、図３（ｅ）に示すよう
に，半導体基板５１の裏面側からＣＦ₄ とＨ₂ の混合ガ
ス雰囲気で反応性イオンエッチングを行い、該裏面側で
露出したシリコン酸化膜（図示せず）とシリコン窒化膜
５４とを除去する。

【００４０】この後、第１及び第２のポリイミド膜５６
及び５９をレーザーアブレーションで所定形状に切りだ
し、半導体基板５１の裏面側に封止剤をコートすること
で図１に示したようなＩＣモジュールを得る。

【００４１】なお、以上のような第１の実施の形態の説
明においては、１つのＩＣモジュール１０についてのみ
図示したが、シリコンウェハ上に多数のＩＣモジュール
１０を一括して形成することが可能であることは言うま
でもない。

【００４２】以上のような第１の実施の形態では、可撓
性を有するポリイミド膜で覆われた配線層がＩＣチップ
の周囲に延在し、この領域で電極を形成できるので、電
極を配線基板に接続してもＩＣチップに直接応力がかか
ることはない。

【００４３】この可撓性を有する配線層はチップに対し
て一体に形成されるので薄膜化と微小化及び低コスト化
が可能である。加えて、ＩＣチップの厚さは深いＮ型拡
散層５２の深さと電気化学エッチングのバイアスによっ
て決まるが、この制御性は非常に高いので、基板研磨な
どの方法と比較すると薄いＩＣチップを制御性よく製作
することが可能である。

【００４４】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について図６を用いて説明する。この第２
の実施の形態においても、図１で示したＩＣモジュール
１と同様なＩＣモジュール２０２が用いられるが、電極
パッド２０７に対しては図１で示した電極パッド３に対
する半田メッキ処理ではなく、金メッキ処理が施されて
いるものとする。

【００４５】まず、熱可塑性樹脂より成る第１の基板２
０１の表面にＩＣモジュール２０２の電極パッド２０７
部分が接着によって固定されると共に、ＩＣモジュール
２０２のＩＣチップ２０２ａの領域に相当する第１の基
板２０１の部分には開口部２０３が設けられている。

【００４６】第１の基板２０１の下には第２の基板２０
４が融着され、第１の基板２０１の上面と第２の基板２
０４の下面にはそれぞれインナーシート２０５が融着さ
れると共に、下面側のインナーシート２０５の下面には
カバーシート２０６が融着される。

【００４７】そして、ＩＣモジュール２０２の電極パッ
ド２０７の領域の下面の第２の基板２０４、インナーシ
ート２０５及びカバーシート２０６には開口部２０８が
設けられている。

【００４８】また、上面側のインナーシート２０５の上
面には光記憶媒体２０９が形成されると共に、該光記憶
媒体２０９の上面には保護膜２１０が配置されている。
このように第２の実施の形態によれば、カードの電気接
点がＩＣモジュールに一体に形成されているので、多層
配線基板が不要となり、製造コストを低減できると共
に、多層配線基板に代わる第１の基板２０１は単なるシ
ートであるので薄くすることが可能で、カード全体の厚
さを第１の実施の形態よりも更に薄くすることができ
る。

【００４９】このため、光記憶媒体２０９と保護膜２１
０を備えたハイブリッドタイプのＩＣカードにおいても
全体の厚さを小さくすることができる。以上のように、
本発明は第１及び第２の実施の形態により説明したが、
以下のような構成及び作用・効果を有する実施態様
（１）乃至（７）が得られる。

【００５０】実施態様（１） （構成）基板と、該基板に設けられた集積回路（ＩＣ）
とからなるＩＣカードにおいて、薄膜化されたＩＣチッ
プと、このＩＣチップに一体に形成された可撓性薄膜
と、この可撓性薄膜における前記ＩＣチップの外周に延
在した領域の表面に形成された電極パッドと、この電極
パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続する配線層と
からなるＩＣモジュールを具備し、このＩＣモジュール
が前記基板内に実装されていることを特徴とするＩＣカ
ード。

【００５１】（作用・効果）この実施態様によると、薄
膜化されたＩＣチップが可撓性薄膜に一体形成されてい
るので、ＩＣチップを薄くしてもハンドリング時の破損
がないため、カードの厚さを薄くできると共に、基板に
対する接続部領域が可撓性を有しているのでカードの曲
げに対する許容度が高い。

【００５２】実施態様（２） （構成）基板と、該基板に設けられた集積回路（ＩＣ）
及び光記録媒体とからなるハイブリッドタイプのＩＣカ
ードにおいて、薄膜化されたＩＣチップと、このＩＣチ
ップに一体に形成された可撓性薄膜と、この可撓性薄膜
における前記ＩＣチップの外周に延在した領域の表面に
形成された電極パッドと、この電極パッドと前記ＩＣチ
ップとを電気的に接続すると配線層からなるＩＣモジュ
ールを具備し、このＩＣモジュールが前記基板内に実装
されていると共に、前記基板の一方の面に前記光記録媒
体が配置され、他の面に前記ＩＣモジュールの電気接点
が設けられていることを特徴とするハイブリッドタイプ
のＩＣカード。

【００５３】（作用・効果）この実施態様によると、薄
膜化されたＩＣチップが可撓性薄膜に一体形成されてい
るので、ＩＣチップを薄くしてもハンドリング時の破損
がないため、カードの厚さを薄くできると共に、基板に
対する接続部領域が可撓性を有しているのでカードの曲
げに対する許容度が高く、しかもＩＣチップの実装部の
厚さを薄くできるので、カードの全面を光磁気等の記録
面とした場合であってもハイブリッドタイプのＩＣカー
ドとしての厚さを薄くすることができる。

【００５４】実施態様（３） （構成）少なくとも基板と、該基板に設けられた集積回
路（ＩＣ）モジュールとからなるＩＣカードの製造方法
において、前記基板内に実装されるＩＣモジュールが、
一導電型の半導体基板に形成した他の導電型の拡散層内
に電子回路を形成する工程と、前記半導体基板上に電極
パッドを前記他の導電型の拡散層の領域外に延在させ
て、絶縁性の可撓性薄膜で覆われた配線層を形成する工
程と、前記半導体基板における前記他の導電型の拡散層
以外の領域を電気化学エッチングによって除去する工程
とにより形成されることを特徴とするＩＣカードの製造
方法。

【００５５】（作用・効果）この実施態様によると、可
撓性薄膜よりなる配線層をＩＣチップに一体形成するこ
とで、低コスト化とパターンの微細化及び薄膜化を同時
に実現できると共に、電気化学エッチングによって非常
に薄いＩＣモジュールを安定して製造することができ
る。

【００５６】実施態様（４） （構成）前記電極パッドがカードの一方の面に露出し
て、これがカードの入出力端子となっていることを特徴
とする（１）または（２）に記載のＩＣカード。

【００５７】（作用・効果）この実施態様によると、カ
ードの入出力端子がＩＣチップに一体形成されているの
で、配線基板が不要で、カードの薄膜化と低コスト化を
実現できる。

【００５８】実施態様（５） （構成）前記ＩＣモジュールのＩＣチップ部分が、前記
基板に対して固定されていないことを特徴とする
（１），（２），（４）のいずれかに記載のＩＣカー
ド。

【００５９】（作用・効果）この実施態様によると、Ｉ
Ｃチップの部分が直接カード基材に固定されていないの
で、カードの曲げに対する許容度が高い。

【００６０】

【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、従来よりも薄いＩＣカード及びそれを実現するた
めのＩＣカードの製造方法を提供することができると共
に、特にハイブリッドタイプのＩＣカードの薄形化を実
現するための製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第１の実施の形態に用いるＩＣモ
ジュールの構成を示す図で、（ａ）は封止材を取り除い
て示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

【図２】本発明による第１の実施の形態におけるＩＣモ
ジュールの実装形態を示す図で断面図である。

【図３】本発明による第１の実施の形態におけるＩＣモ
ジュールの製造工程を示す図で断面図である。

【図４】通常のＩＣカードの形態を示す平面図である。

【図５】通常のＩＣチップの実装形態を示す図で断面図
である。

【図６】本発明による第２の実施の形態におけるＩＣモ
ジュールの実装形態を示す図で断面図である。

【符号の説明】

１…ＩＣチップ、 ２…ポリイミド膜、 ３…電極パッド、 ４…配線層、 ５…封止材、 ６…多層配線基板、 ７…基板、 ８…インナーシート、 ９…カバーシート、 １０…ＩＣモジュール、 ２０１…第１の基板、 ２０２…ＩＣモジュール、 ２０２ａ…ＩＣチップ、 ２０３…開口部、５ ２０４…第２の基板、 ２０５…インナーシート、 ２０６…カバーシート、 ２０７…電極パッド、 ２０８…開口部、 ２０９…光記憶媒体、 ２１０…保護膜。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、該基板に設けられた集積回路
   （ＩＣ）とからなるＩＣカードにおいて、 薄膜化されたＩＣチップと、 このＩＣチップに一体に形成された可撓性薄膜と、 この可撓性薄膜における前記ＩＣチップの外周に延在し
   た領域の表面に形成された電極パッドと、 この電極パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続する
   配線層とからなるＩＣモジュールを具備し、 このＩＣモジュールが前記基板内に実装されていること
   を特徴とするＩＣカード。
2. 【請求項２】 基板と、該基板に設けられた集積回路
   （ＩＣ）及び光記録媒体とからなるハイブリッドタイプ
   のＩＣカードにおいて、 薄膜化されたＩＣチップと、 このＩＣチップに一体に形成された可撓性薄膜と、 この可撓性薄膜における前記ＩＣチップの外周に延在し
   た領域の表面に形成された電極パッドと、 この電極パッドと前記ＩＣチップとを電気的に接続する
   配線層とからなるＩＣモジュールを具備し、 このＩＣモジュールが前記基板内に実装されていると共
   に、 前記基板の一方の面に前記光記録媒体が配置され、他の
   面に前記ＩＣモジュールの電気接点が設けられているこ
   とを特徴とするハイブリッドタイプのＩＣカード。
3. 【請求項３】 少なくとも基板と、該基板に設けられた
   集積回路（ＩＣ）モジュールとからなるＩＣカードの製
   造方法において、 前記基板内に実装されるＩＣモジュールが、 一導電型の半導体基板に形成した他の導電型の拡散層内
   に電子回路を形成する工程と、 前記半導体基板上に電極パッドを前記他の導電型の拡散
   層の領域外に延在させて、絶縁性の可撓性薄膜で覆われ
   た配線層を形成する工程と、 前記半導体基板における前記他の導電型の拡散層以外の
   領域を電気化学エッチングによって除去する工程とによ
   り形成されることを特徴とするＩＣカードの製造方法。