JPH0650781B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0650781B2 JPH0650781B2 JP59135825A JP13582584A JPH0650781B2 JP H0650781 B2 JPH0650781 B2 JP H0650781B2 JP 59135825 A JP59135825 A JP 59135825A JP 13582584 A JP13582584 A JP 13582584A JP H0650781 B2 JPH0650781 B2 JP H0650781B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はレーザビームの如きエネルギビームを利用した
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
（ロ）従来技術 半導体膜を光活性層とする半導体装置として太陽電池や
一次元光センサ等が存在する。
一次元光センサ等が存在する。
第１図は米国特許第4,281,208号に開示されていると共
に、既に実用化されている太陽電池の基本構造を示し、
(1)はガラス、耐熱プラスチック等の絶縁性且つ透光性
を有する基板、(2a)(2b)(2c)…は基板(1)上に一定間隔
で被着された透明電極膜、(3a)(3b)(3c)…は各透明電極
膜上に重畳被着された非晶質シリコン等の非晶質半導体
膜、(4a)(4b)(4c)…は各非晶質半導体膜上に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明電極膜(2b)(2c)…に部分的に重
畳せる裏面電極膜で、斯る透明電極膜(2a)(2b)(2c)…乃
至裏面電極膜(4a)(4b)(4c)…の各積層体により光電変換
領域(5a)(5b)(5c)…が構成されている。
に、既に実用化されている太陽電池の基本構造を示し、
(1)はガラス、耐熱プラスチック等の絶縁性且つ透光性
を有する基板、(2a)(2b)(2c)…は基板(1)上に一定間隔
で被着された透明電極膜、(3a)(3b)(3c)…は各透明電極
膜上に重畳被着された非晶質シリコン等の非晶質半導体
膜、(4a)(4b)(4c)…は各非晶質半導体膜上に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明電極膜(2b)(2c)…に部分的に重
畳せる裏面電極膜で、斯る透明電極膜(2a)(2b)(2c)…乃
至裏面電極膜(4a)(4b)(4c)…の各積層体により光電変換
領域(5a)(5b)(5c)…が構成されている。
各非晶質半導体膜(3a)(3b)(3c)…は、その内部に例えば
膜面に平行なＰＩＮ接合を含み、従って透光性基板(1)
及び透明電極膜(2a)(2b)(2c)…を順次介して光入射があ
ると、光起電力を発生する。各非晶質半導体膜(3a)(3b)
(3c)…内で発生した光起電力は裏面電極膜(4a)(4b)(4c)
…での接続により直列的に相加される。
膜面に平行なＰＩＮ接合を含み、従って透光性基板(1)
及び透明電極膜(2a)(2b)(2c)…を順次介して光入射があ
ると、光起電力を発生する。各非晶質半導体膜(3a)(3b)
(3c)…内で発生した光起電力は裏面電極膜(4a)(4b)(4c)
…での接続により直列的に相加される。
通常、斯る構成の太陽電池にあっては細密加工性に優れ
ている写真蝕刻技術が用いられている。この技術による
場合、基板(1)上全面への透明電極膜の被着工程と、フ
ォトレジスト及びエッチングによる各個別の透明電極膜
(2a)(2b)(2c)…の分離、即ち、各透明電極膜(2a)(2b)(2
c)…の隣接間隔部分の除去工程と、これら各透明電極膜
上を含む基板(1)上全面への非晶質半導体膜の被着工程
と、フォトレジスト及びエッチングによる各個別の非晶
質半導体膜(3a)(3b)(3c)…の分離、即ち、各非晶質半導
体膜(3a)(3b)(3c)…の隣接間隔部分の除去工程とを順次
経ることになる。
ている写真蝕刻技術が用いられている。この技術による
場合、基板(1)上全面への透明電極膜の被着工程と、フ
ォトレジスト及びエッチングによる各個別の透明電極膜
(2a)(2b)(2c)…の分離、即ち、各透明電極膜(2a)(2b)(2
c)…の隣接間隔部分の除去工程と、これら各透明電極膜
上を含む基板(1)上全面への非晶質半導体膜の被着工程
と、フォトレジスト及びエッチングによる各個別の非晶
質半導体膜(3a)(3b)(3c)…の分離、即ち、各非晶質半導
体膜(3a)(3b)(3c)…の隣接間隔部分の除去工程とを順次
経ることになる。
然し乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優れてはいる
が、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。
が、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。
特開昭57−12568号公報に開示された先行技術は、レー
ザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接間隔を設
けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフォトレジス
ト、即ちウエットプロセスを一切使わず細密加工性に富
むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有効であ
る。
ザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接間隔を設
けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフォトレジス
ト、即ちウエットプロセスを一切使わず細密加工性に富
むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有効であ
る。
然し乍ら、上述の如くウエットプロセスを一切使わない
レーザ加工は細密加工性の点に於いて極めて有効である
反面第２図、第３図に夫々要部を拡大して示す如く、各
光電変換領域(5a)(5b)…に連続して被着された非晶質半
導体膜或いは裏面電極膜を各領域(5a)(5b)…毎に分割す
べくレーザビームの照射により隣接間隔部(3′）或いは
(4′）に位置する半導体膜或いは裏面電極膜を除去する
と、斯る隣接間隔部(3′）或いは(4′）に非晶質半導体
膜或いは裏面電極膜の溶融物等の残留物(6)或いは(7)が
除去部分近傍に残存したり、或いは予め定められたパタ
ーンに正確に除去することができないことである。この
未除去による残留物(6)(7)は特にレーザビームの走査方
向の両側面に於いて残存する。斯る両側面に残存する残
留物(6)(7)は、レーザビームに於けるエネルギ密度の分
布が僅かながらも正規分布するために、隣接間隔部
(3′）(4′）の両側面が低エネルギ分布となり、その結
果発生するものと考えられる。何れの原因にしろ除去す
べき隣接間隔部(3′）(4′）に上記残留物(6)(7)が存在
すると、第２図の非晶質半導体の残留物(6)にあっては
分割後該半導体膜(3a)(3b)上に被着される裏面電極膜(4
a)(4b)の付着強度を低下せしめ、遂には裏面電極膜(4a)
(4b)剥離事故を招く原因となり、また第３図の裏面電極
膜の残留物(7)にあっては同じ光電変換領域(5b)に於け
る透明電極膜(2b)と裏面電極膜(4b)とが直接接触し短絡
事故となる。
レーザ加工は細密加工性の点に於いて極めて有効である
反面第２図、第３図に夫々要部を拡大して示す如く、各
光電変換領域(5a)(5b)…に連続して被着された非晶質半
導体膜或いは裏面電極膜を各領域(5a)(5b)…毎に分割す
べくレーザビームの照射により隣接間隔部(3′）或いは
(4′）に位置する半導体膜或いは裏面電極膜を除去する
と、斯る隣接間隔部(3′）或いは(4′）に非晶質半導体
膜或いは裏面電極膜の溶融物等の残留物(6)或いは(7)が
除去部分近傍に残存したり、或いは予め定められたパタ
ーンに正確に除去することができないことである。この
未除去による残留物(6)(7)は特にレーザビームの走査方
向の両側面に於いて残存する。斯る両側面に残存する残
留物(6)(7)は、レーザビームに於けるエネルギ密度の分
布が僅かながらも正規分布するために、隣接間隔部
(3′）(4′）の両側面が低エネルギ分布となり、その結
果発生するものと考えられる。何れの原因にしろ除去す
べき隣接間隔部(3′）(4′）に上記残留物(6)(7)が存在
すると、第２図の非晶質半導体の残留物(6)にあっては
分割後該半導体膜(3a)(3b)上に被着される裏面電極膜(4
a)(4b)の付着強度を低下せしめ、遂には裏面電極膜(4a)
(4b)剥離事故を招く原因となり、また第３図の裏面電極
膜の残留物(7)にあっては同じ光電変換領域(5b)に於け
る透明電極膜(2b)と裏面電極膜(4b)とが直接接触し短絡
事故となる。
更に、隣接する光電変換領域(5a)(5b)…を直列接続する
ために、第２図の如く右隣りの非晶質半導体膜(3b)から
露出せしめられる透明電極膜(2b)の露出長(D)を、光電
変換に対する有効面積を可及的に減少せしめることなく
大きくしなければならないことである。従来、斯る要求
を満すべくレーザビームの走査速度を遅くしたり、或い
は走査回数を増やすことにより対処している。
ために、第２図の如く右隣りの非晶質半導体膜(3b)から
露出せしめられる透明電極膜(2b)の露出長(D)を、光電
変換に対する有効面積を可及的に減少せしめることなく
大きくしなければならないことである。従来、斯る要求
を満すべくレーザビームの走査速度を遅くしたり、或い
は走査回数を増やすことにより対処している。
（ハ）発明の目的 本発明は斯る点に鑑みて為されたものであって、その第
１の目的は、太陽電池にあっては裏面電極膜の剥離事故
の原因となり、また複数のセンサ領域を一次元的に配列
せしめた一次元光センサにあってはパターン精度の低下
を招く残留物の形成を抑圧するにも拘わず、ウエットプ
ロセスを含まないレーザビームの如きエネルギビームの
利用を可能ならしめることにある。
１の目的は、太陽電池にあっては裏面電極膜の剥離事故
の原因となり、また複数のセンサ領域を一次元的に配列
せしめた一次元光センサにあってはパターン精度の低下
を招く残留物の形成を抑圧するにも拘わず、ウエットプ
ロセスを含まないレーザビームの如きエネルギビームの
利用を可能ならしめることにある。
また第２の目的は、太陽電池にあっては、半導体膜を低
出力で以って加工幅を広くとり、直列接続部を適度に大
きくすることにある。
出力で以って加工幅を広くとり、直列接続部を適度に大
きくすることにある。
（ニ）発明の構成 本発明半導体装置の製造方法は、透光性基板の一主面に
於ける複数の領域に跨って被着された半導体膜の分割す
べき隣接間隔部に対して、基板の他方の主面側から波長
を約0.35μｍ〜0.78μｍとするレーザビームをパルス的
に照射することにより複数の領域毎に分割後、該複数の
領域に跨って被着された電極膜についても基板の他方の
主面側からレーザビームを照射し、複数の領域毎に分割
する構成にある。
於ける複数の領域に跨って被着された半導体膜の分割す
べき隣接間隔部に対して、基板の他方の主面側から波長
を約0.35μｍ〜0.78μｍとするレーザビームをパルス的
に照射することにより複数の領域毎に分割後、該複数の
領域に跨って被着された電極膜についても基板の他方の
主面側からレーザビームを照射し、複数の領域毎に分割
する構成にある。
（ホ）実施例 第４図乃至第９図は本発明方法の実施例を工程順に示し
ている。第４図の工程では、厚さ１mm〜３mm面積10cm×
10cm〜40cm×40cm程度の透明なガラス等の基板（10）上
全面に、厚さ2000Å〜5000Åの酸化錫（SnO2）から成る
透明電極膜（11）が被着される。
ている。第４図の工程では、厚さ１mm〜３mm面積10cm×
10cm〜40cm×40cm程度の透明なガラス等の基板（10）上
全面に、厚さ2000Å〜5000Åの酸化錫（SnO2）から成る
透明電極膜（11）が被着される。
第５図の工程では、隣接間隔部（11′）がレーザビーム
の照射により除去されて、個別の各透明電極膜（11a）
（11b）（11c）…が分離形成される。使用されるレーザ
は基板（10）にほとんど吸収されることのない波長が適
当であり、上記ガラスに対しては0.35μｍ〜2.5μｍの
波長のパルス出力型が好ましい。斯る好適な実施例は、
波長的1.06μｍエネルギ密度13J/cm2、パルス周波数３
ＫＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザであり、隣接間隔部（1
1′）の間隔（Ｌ１）は約100μｍに設定される。
の照射により除去されて、個別の各透明電極膜（11a）
（11b）（11c）…が分離形成される。使用されるレーザ
は基板（10）にほとんど吸収されることのない波長が適
当であり、上記ガラスに対しては0.35μｍ〜2.5μｍの
波長のパルス出力型が好ましい。斯る好適な実施例は、
波長的1.06μｍエネルギ密度13J/cm2、パルス周波数３
ＫＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザであり、隣接間隔部（1
1′）の間隔（Ｌ１）は約100μｍに設定される。
第６図の工程では、各透明電極膜（11a）（11b）（11
c）…の表面を含んで基板（10）上全面に光電変換に有
効に寄与する厚さ5000Å〜7000Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）等の非晶質半導体膜（12）が被着される。斯る
半導体膜（12）はその内部に膜面に平行なＰＩＮ接合を
含み、従ってより具体的には、まずＰ型の非晶質シリコ
ンカーバイドが被着され、次いでＩ型及びＮ型の非晶質
シリコンが順次積層被着される。
c）…の表面を含んで基板（10）上全面に光電変換に有
効に寄与する厚さ5000Å〜7000Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）等の非晶質半導体膜（12）が被着される。斯る
半導体膜（12）はその内部に膜面に平行なＰＩＮ接合を
含み、従ってより具体的には、まずＰ型の非晶質シリコ
ンカーバイドが被着され、次いでＩ型及びＮ型の非晶質
シリコンが順次積層被着される。
第７図の工程では、隣接間隔部（12′）が矢印で示す如
き基板（10）の他方の主面側からレーザビームの照射に
より除去されて、個別の各非晶質半導体膜（12a）（12
b）（12c）…が分離形成される。使用されるレーザは非
晶質半導体膜（12）に比較的吸収される波長帯域のもの
が適当であり、例えば本実施例の如き非晶質シリコン
（ａ−Ｓｉ）系の吸収特性は第10図の如く紫外領域及び
可視光領域に吸収係数（α）が高く、基板（10）の材料
として最適なガラスの透過率(T)が約0.35μｍ以上に於
いて約90％以上あることから波長約0.35μｍ以上の紫外
及び可視光領域のパルス出力型レーザが好適であり、例
えば上記波長領域に含まれる波長0.53μｍのパルス出力
型レーザが使用される。尚、可視光領域の上限波長は先
行技術である上記特開昭57−12568号公報に開示された
波長1.06μｍに対し吸収係数が高くその値が104cm-1を
呈する約0.78μｍ付近であり、またガラスの透過率(T)
は米国コーニング社製型番「7740」商品名パイレックス
（登録商標）の特性である。
き基板（10）の他方の主面側からレーザビームの照射に
より除去されて、個別の各非晶質半導体膜（12a）（12
b）（12c）…が分離形成される。使用されるレーザは非
晶質半導体膜（12）に比較的吸収される波長帯域のもの
が適当であり、例えば本実施例の如き非晶質シリコン
（ａ−Ｓｉ）系の吸収特性は第10図の如く紫外領域及び
可視光領域に吸収係数（α）が高く、基板（10）の材料
として最適なガラスの透過率(T)が約0.35μｍ以上に於
いて約90％以上あることから波長約0.35μｍ以上の紫外
及び可視光領域のパルス出力型レーザが好適であり、例
えば上記波長領域に含まれる波長0.53μｍのパルス出力
型レーザが使用される。尚、可視光領域の上限波長は先
行技術である上記特開昭57−12568号公報に開示された
波長1.06μｍに対し吸収係数が高くその値が104cm-1を
呈する約0.78μｍ付近であり、またガラスの透過率(T)
は米国コーニング社製型番「7740」商品名パイレックス
（登録商標）の特性である。
従って、斯る工程にあっては、波長を約0.35μｍ−0.78
μｍとする紫外領域及び可視光領域にあるレーザビーム
をパルス的に照射することが好ましい。
μｍとする紫外領域及び可視光領域にあるレーザビーム
をパルス的に照射することが好ましい。
上述の如き波長0.53μｍのパルス出力型レーザの照射条
件は、パルス繰返し周波数４ＫＨｚ、エネルギ密度0.7J
/cm2で、除去される隣接間隔部（12′）の距離（Ｌ２）
は約300μｍ〜500μｍに設定される。
件は、パルス繰返し周波数４ＫＨｚ、エネルギ密度0.7J
/cm2で、除去される隣接間隔部（12′）の距離（Ｌ２）
は約300μｍ〜500μｍに設定される。
斯るレーザビームの照射に於いて留意すべきはレーザビ
ームの照射方向が除去すべき隣接間隔部（12′）…の露
出面側、即ち非晶質半導体膜（12）の露出面側からでは
なく透明電極膜（11a）（11b）（11c）…との被着界面
側である非晶質半導体膜（12）…側からとなるべく基板
（10）の他方の主面側から為されている点にある。即
ち、従来のレーザビームの照射は露出面側から施され、
従って、その厚み方向の除去も露出面側から序々に蒸発
除去されていたために、レーザビームが正規型のエネル
ギ密度分布を持つと、隣接間隔部（12′）の除去断面も
ほぼ正規型に近い形状となり両側面に於いて第２図に示
す如く未除去による残留物が発生していたのに対し、レ
ーザビームを正反対の基板（10）の他方の主面側から照
射すると、該レーザビームは基板（10）及び透明電極膜
（11a）（11b）（11c）…を透過して先ず該透明電極膜
（11a）（11b）（11c）…との界面に被着された非晶質
半導体膜（12）に到達し、除去すべき隣接間隔部（1
2′）の膜をその被着面から除去しようとする。その
際、上記レーザビームの照射により溶融した非晶質半導
体膜（12）は当然のことながら基板(1)、透明電極膜(2
a)(2b)(2c)…及び未だ溶融に至っていない非晶質半導体
膜（12）に囲まれた隣接間隔部（12′）に位置してい
る。従って、界面から溶融した非晶質半導体膜の溶融状
態は上記界面から露出面（表面）に向って膨張しながら
進行し、膜厚が極めて薄くなった時点で、上記溶融物は
上記肉薄となった膜を打破し、その殆んどは大気中に散
逸する。その結果、残留物は加工後ほとんど存在しな
い。
ームの照射方向が除去すべき隣接間隔部（12′）…の露
出面側、即ち非晶質半導体膜（12）の露出面側からでは
なく透明電極膜（11a）（11b）（11c）…との被着界面
側である非晶質半導体膜（12）…側からとなるべく基板
（10）の他方の主面側から為されている点にある。即
ち、従来のレーザビームの照射は露出面側から施され、
従って、その厚み方向の除去も露出面側から序々に蒸発
除去されていたために、レーザビームが正規型のエネル
ギ密度分布を持つと、隣接間隔部（12′）の除去断面も
ほぼ正規型に近い形状となり両側面に於いて第２図に示
す如く未除去による残留物が発生していたのに対し、レ
ーザビームを正反対の基板（10）の他方の主面側から照
射すると、該レーザビームは基板（10）及び透明電極膜
（11a）（11b）（11c）…を透過して先ず該透明電極膜
（11a）（11b）（11c）…との界面に被着された非晶質
半導体膜（12）に到達し、除去すべき隣接間隔部（1
2′）の膜をその被着面から除去しようとする。その
際、上記レーザビームの照射により溶融した非晶質半導
体膜（12）は当然のことながら基板(1)、透明電極膜(2
a)(2b)(2c)…及び未だ溶融に至っていない非晶質半導体
膜（12）に囲まれた隣接間隔部（12′）に位置してい
る。従って、界面から溶融した非晶質半導体膜の溶融状
態は上記界面から露出面（表面）に向って膨張しながら
進行し、膜厚が極めて薄くなった時点で、上記溶融物は
上記肉薄となった膜を打破し、その殆んどは大気中に散
逸する。その結果、残留物は加工後ほとんど存在しな
い。
とりわけ、波長を約0.35μｍ−0.78μｍとするレーザビ
ームをパルス的に照射することは、被照射物である非晶
質半導体膜（12）の透明電極膜側に於て十分レーザ光を
吸収し得ると共に、その非晶質半導体膜（12）のレーザ
ビーム照射側表面と裏面との温度差が大きくできること
から、上記界面と上記露出面との温度差が大きくなり、
効果的な上記溶融が発生することとなる。
ームをパルス的に照射することは、被照射物である非晶
質半導体膜（12）の透明電極膜側に於て十分レーザ光を
吸収し得ると共に、その非晶質半導体膜（12）のレーザ
ビーム照射側表面と裏面との温度差が大きくできること
から、上記界面と上記露出面との温度差が大きくなり、
効果的な上記溶融が発生することとなる。
第11図は本発明方法を原理的に示す概念図であり、同図
に於いて、（ＬＡ）はレーザ装置で、該レーザ装置（Ｌ
Ａ）を出発したレーザビーム（ＬＢ）は反射鏡（Ｒ
Ｍ）、対物レンズ（ＯＬ）、基板（10）及び透明電極膜
（11）を介して被加工膜である非晶質半導体膜（12）に
到達する。一方、従来方法にあっては第12図のように対
物レンズ（０Ｌ）によりビーム径が調整されたレーザビ
ーム（ＬＢ）は基板(1)、透明電極膜(2)を透過すること
なく直接被加工膜の非晶質半導体膜(3)の表面を照射し
ていたのである。
に於いて、（ＬＡ）はレーザ装置で、該レーザ装置（Ｌ
Ａ）を出発したレーザビーム（ＬＢ）は反射鏡（Ｒ
Ｍ）、対物レンズ（ＯＬ）、基板（10）及び透明電極膜
（11）を介して被加工膜である非晶質半導体膜（12）に
到達する。一方、従来方法にあっては第12図のように対
物レンズ（０Ｌ）によりビーム径が調整されたレーザビ
ーム（ＬＢ）は基板(1)、透明電極膜(2)を透過すること
なく直接被加工膜の非晶質半導体膜(3)の表面を照射し
ていたのである。
以下に上記レーザビーム（ＬＢ）の加工特性の違いを論
理計算と実験結果に基づき説明する。
理計算と実験結果に基づき説明する。
第13図、第14図及び第15図は本発明方法を実施せる基板
（10）の他方の主面側から非晶質シリコン系の非晶質半
導体膜（12）にレーザビーム（ＬＢ）を照射したときの
吸収率(A)、反射率(R)、透過率(T)の各強度を透明電極
膜（11）の膜厚をパラメータとして光学的に解析し線図
化したものであって、横軸は非晶質半導体膜（12）の膜
厚であり、縦軸は各強度を表わしている。即ち、第13図
の透明電極膜（11）の膜厚（Ttco）は約2100Åであり、
第14図、第15図のそれは各々約2800Å、約3300Åであっ
て、上記膜厚は通常の光起電力装置の透明電極膜（11）
として使用される範囲である。斯る理論計算の結果、非
晶質半導体膜（12）に於けるレーザビームの吸収特性は
その照射面側に設けられる透明電極膜（11）の膜厚によ
って変動するものの、最低の第14図の吸収率(A)でも非
晶質半導体膜（12）が光活性層として実用に供せられる
約5000Å或いは約4000Å以上にあっては約64％あり、ま
た最高の第13図に至っては99％の吸収特性を呈する。
（10）の他方の主面側から非晶質シリコン系の非晶質半
導体膜（12）にレーザビーム（ＬＢ）を照射したときの
吸収率(A)、反射率(R)、透過率(T)の各強度を透明電極
膜（11）の膜厚をパラメータとして光学的に解析し線図
化したものであって、横軸は非晶質半導体膜（12）の膜
厚であり、縦軸は各強度を表わしている。即ち、第13図
の透明電極膜（11）の膜厚（Ttco）は約2100Åであり、
第14図、第15図のそれは各々約2800Å、約3300Åであっ
て、上記膜厚は通常の光起電力装置の透明電極膜（11）
として使用される範囲である。斯る理論計算の結果、非
晶質半導体膜（12）に於けるレーザビームの吸収特性は
その照射面側に設けられる透明電極膜（11）の膜厚によ
って変動するものの、最低の第14図の吸収率(A)でも非
晶質半導体膜（12）が光活性層として実用に供せられる
約5000Å或いは約4000Å以上にあっては約64％あり、ま
た最高の第13図に至っては99％の吸収特性を呈する。
一方、第16図は、従来方法による非晶質半導体膜(3)を
その露出表面からレーザビーム（ＬＢ）を照射した場合
の吸収率(A)、反射率(R)及び透過率(T)の各強度と透明
電極膜(2)の膜厚との関係を示している。即ち、非晶質
半導体膜(3)の膜厚を光活性層として実用に供せられる5
000Åとしたときの上記Ａ、Ｒ、Ｔの何れの強度も下層
の透明電極膜(2)の膜厚に依存しないことが判る。
その露出表面からレーザビーム（ＬＢ）を照射した場合
の吸収率(A)、反射率(R)及び透過率(T)の各強度と透明
電極膜(2)の膜厚との関係を示している。即ち、非晶質
半導体膜(3)の膜厚を光活性層として実用に供せられる5
000Åとしたときの上記Ａ、Ｒ、Ｔの何れの強度も下層
の透明電極膜(2)の膜厚に依存しないことが判る。
第17図は、上記第16図から従来方法にあっては非晶質半
導体膜(3)のレーザビーム（ＬＢ）の照射に於いて、
Ａ、Ｒ、及びＴの何れの強度も透明電極膜(2)の膜厚に
依存しないことが判明した結果、斯る透明電極膜(2)の
膜厚（Ttco）を2000Åと固定した場合の非晶質半導体膜
(3)の膜厚依存性を理論計算したものである。
導体膜(3)のレーザビーム（ＬＢ）の照射に於いて、
Ａ、Ｒ、及びＴの何れの強度も透明電極膜(2)の膜厚に
依存しないことが判明した結果、斯る透明電極膜(2)の
膜厚（Ttco）を2000Åと固定した場合の非晶質半導体膜
(3)の膜厚依存性を理論計算したものである。
第18図は第17図と同一構成にある基板（10）、透明電極
膜（11）、非晶質半導体膜（12）の被加工膜、即ち非晶
質半導体膜（12）に対し、第11図の本発明方法の原理に
基づきレーザビーム（ＬＢ）を照射したときの比較例で
ある。使用されたレーザ及びその他のレーザ条件は両者
共に同一であり、異なるのはレーザビーム（ＬＢ）の照
射方向のみである。この様に本発明方法にあっては非晶
質半導体膜（12）に於ける吸収率(A)が実用膜厚に於い
て90％を越えており、従来方法に比して低出力での加工
が可能となる。
膜（11）、非晶質半導体膜（12）の被加工膜、即ち非晶
質半導体膜（12）に対し、第11図の本発明方法の原理に
基づきレーザビーム（ＬＢ）を照射したときの比較例で
ある。使用されたレーザ及びその他のレーザ条件は両者
共に同一であり、異なるのはレーザビーム（ＬＢ）の照
射方向のみである。この様に本発明方法にあっては非晶
質半導体膜（12）に於ける吸収率(A)が実用膜厚に於い
て90％を越えており、従来方法に比して低出力での加工
が可能となる。
第19図及び第20図は上記第18図及び第17図により求めら
れた反射率及び吸収率に基づくエネルギ密度を以ってレ
ーザビーム（ＬＢ）を照射したときの温度分布をシュミ
レーションしたものである。斯るシュミレーションにあ
っては、第19図の本発明方法に於けるレーザビームのエ
ネルギ密度は0.351J/cm2に設定され、また第20図の従来
方法のそれは0.559J/cm2であり、本発明方法の方が低エ
ネルギ密度であるにも拘わずレーザビーム（ＬＢ）の照
射開始から同一時間経過後の温度上昇は両者共ほぼ等し
くなっている。
れた反射率及び吸収率に基づくエネルギ密度を以ってレ
ーザビーム（ＬＢ）を照射したときの温度分布をシュミ
レーションしたものである。斯るシュミレーションにあ
っては、第19図の本発明方法に於けるレーザビームのエ
ネルギ密度は0.351J/cm2に設定され、また第20図の従来
方法のそれは0.559J/cm2であり、本発明方法の方が低エ
ネルギ密度であるにも拘わずレーザビーム（ＬＢ）の照
射開始から同一時間経過後の温度上昇は両者共ほぼ等し
くなっている。
以上の理論計算に基づき実際にレーザビーム（ＬＢ）を
照射した場合、エネルギ密度と、非晶質半導体膜（12）
の加工幅（除去幅）と、について本発明方法と従来方法
との比較例を第21図及び第22図に示す。即ち、第21図は
膜厚約6000Åの非晶質シリコン系の非晶質半導体膜（1
2）を、既に形成済みの透明電極膜（11）に熱的ダメー
ジを与えることなく除去するのに必要なレーザビームの
閾値エネルギ密度と走査速度の関係を示しており、同図
から明らかな如く基板（10）の他方の主面側からレーザ
ビームを照射する本発明方法の方が約1/2のエネルギ密
度で済む。また、第22図は非晶質半導体膜（12）に対
し、１回のレーザビーム（ＬＢ）の走査でどれくらいの
半導体膜（12）を加工（除去）できるのかを示してお
り、同一条件下に於いて本発明方法にあっては幅広な加
工ができることが判る。即ち、斯る幅広な加工は第２図
に於いて符号Ｄで示す透明電極膜（2b）（或いは本発明
実施例にあっては（11b））の露出長を、レーザビーム
（ＬＢ）の走査速度を遅くすることなく、或いは走査回
数を２〜３回止りで十分な長さのものが得られることを
意味し、生産性の向上が図れる。
照射した場合、エネルギ密度と、非晶質半導体膜（12）
の加工幅（除去幅）と、について本発明方法と従来方法
との比較例を第21図及び第22図に示す。即ち、第21図は
膜厚約6000Åの非晶質シリコン系の非晶質半導体膜（1
2）を、既に形成済みの透明電極膜（11）に熱的ダメー
ジを与えることなく除去するのに必要なレーザビームの
閾値エネルギ密度と走査速度の関係を示しており、同図
から明らかな如く基板（10）の他方の主面側からレーザ
ビームを照射する本発明方法の方が約1/2のエネルギ密
度で済む。また、第22図は非晶質半導体膜（12）に対
し、１回のレーザビーム（ＬＢ）の走査でどれくらいの
半導体膜（12）を加工（除去）できるのかを示してお
り、同一条件下に於いて本発明方法にあっては幅広な加
工ができることが判る。即ち、斯る幅広な加工は第２図
に於いて符号Ｄで示す透明電極膜（2b）（或いは本発明
実施例にあっては（11b））の露出長を、レーザビーム
（ＬＢ）の走査速度を遅くすることなく、或いは走査回
数を２〜３回止りで十分な長さのものが得られることを
意味し、生産性の向上が図れる。
尚、斯る実験に共通に使用されたレーザは繰返し周波数
４ＫＨｚ、波長0.53μｍのパルス出力型レーザである。
４ＫＨｚ、波長0.53μｍのパルス出力型レーザである。
第23図及び第24図は本発明方法と従来方法により上述の
如く非晶質半導体膜（12）をパルス出力型のレーザビー
ムにより１回走査させたときの顕微鏡写真の模式図であ
り、両者共に同一方向である非晶質半導体膜（12）の露
出面側から臨んだものである。両図に於いて、使用され
たレーザは上述の如く波長0.53μｍのパルス出力型レー
ザであり、レーザ出力、走査速度等の条件は同一であっ
て、レーザビーム（ＬＢ）の照射方向のみが、本発明方
法による第23図のものが第11図の如く基板（10）の他方
の主面側である点についてのみ相違している。
如く非晶質半導体膜（12）をパルス出力型のレーザビー
ムにより１回走査させたときの顕微鏡写真の模式図であ
り、両者共に同一方向である非晶質半導体膜（12）の露
出面側から臨んだものである。両図に於いて、使用され
たレーザは上述の如く波長0.53μｍのパルス出力型レー
ザであり、レーザ出力、走査速度等の条件は同一であっ
て、レーザビーム（ＬＢ）の照射方向のみが、本発明方
法による第23図のものが第11図の如く基板（10）の他方
の主面側である点についてのみ相違している。
この様に照射方向を除き同一条件でレーザ加工を施した
にも拘わず、本発明方法にあっては残留物のない鮮明な
加工界面が得られ、また加工（除去）幅も広いものが得
られることが理解できよう。更に、加工界面に従来では
見られた熱影響層の発生も抑圧されている。
にも拘わず、本発明方法にあっては残留物のない鮮明な
加工界面が得られ、また加工（除去）幅も広いものが得
られることが理解できよう。更に、加工界面に従来では
見られた熱影響層の発生も抑圧されている。
而して、上述の如く非晶質半導体膜（12a）（12b）（12
c）…が第７図のように基板（10）の他の主面側からの
レーザビーム（ＬＢ）の照射により各個別に鮮明に分離
された後、該非晶質半導体膜（12a）（12b）（12c）…
及び透明電極膜（11a）（11b）（11c）…の各露出部分
を含んで基板（10）上全面に4000Å〜２μｍ程度の厚さ
のアルミニウム単層構造、或いは該アルミニウムにチタ
ンまたはチタン銀を二層構造、更には斯る二層構造を二
重に積み重ねた裏面電極膜（13）が被着される。（第８
図） 第９図の最終工程では、隣接間隔部（13′）がレーザビ
ーム（ＬＢ）の照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜（13a）（13b）（13c）…が形成される。その結
果、各光電変換領域（14a）（14b）（14c）…が電気的
に直列接続される。上記レーザビーム（ＬＢ）の照射は
除去すべき隣接間隔部（13′）が透明電極膜（11a）（1
1b）（11c）…の露出部分上に位置する場合、上記非晶
質半導体膜（12）の照射方向と同じく基板（10）の他方
の主面側から施される。使用されるレーザは波長1.06μ
ｍのパルス出力型レーザであり、その時のエネルギ密度
は約３Ｊ／cm2である。斯る隣接間隔部（13′）の間隔
（L3）は例えば約20μｍ〜100μｍに設定される。
c）…が第７図のように基板（10）の他の主面側からの
レーザビーム（ＬＢ）の照射により各個別に鮮明に分離
された後、該非晶質半導体膜（12a）（12b）（12c）…
及び透明電極膜（11a）（11b）（11c）…の各露出部分
を含んで基板（10）上全面に4000Å〜２μｍ程度の厚さ
のアルミニウム単層構造、或いは該アルミニウムにチタ
ンまたはチタン銀を二層構造、更には斯る二層構造を二
重に積み重ねた裏面電極膜（13）が被着される。（第８
図） 第９図の最終工程では、隣接間隔部（13′）がレーザビ
ーム（ＬＢ）の照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜（13a）（13b）（13c）…が形成される。その結
果、各光電変換領域（14a）（14b）（14c）…が電気的
に直列接続される。上記レーザビーム（ＬＢ）の照射は
除去すべき隣接間隔部（13′）が透明電極膜（11a）（1
1b）（11c）…の露出部分上に位置する場合、上記非晶
質半導体膜（12）の照射方向と同じく基板（10）の他方
の主面側から施される。使用されるレーザは波長1.06μ
ｍのパルス出力型レーザであり、その時のエネルギ密度
は約３Ｊ／cm2である。斯る隣接間隔部（13′）の間隔
（L3）は例えば約20μｍ〜100μｍに設定される。
第25図は、厚み5000Åのアルミニウムからなる裏面電極
膜（13）に対し、レーザビーム（ＬＢ）の照射が基板
（10）の他方の主面側から行なわれたときの透明電極膜
（11）の膜厚依存性を吸収率(A)、反射率(R)及び透過率
(T)につき光学的に解析した結果で、透過率(T)は零であ
ったために図中には示されていない。この光学的解析に
より透明電極膜（11）の膜厚により裏面電極膜（13）の
吸収率(A)は周期的に変動するものの、裏面電極膜（1
3）の露出面側からレーザビーム（ＬＢ）を照射した場
合の解析結果を示す第26図に比較して、約1.6倍〜2.25
倍の増加が見られる。即ち、斯る吸収率の増加は基板
（10）の他方の主面側からレーザビーム（ＬＢ）を照射
することにより低出力により加工ができ、レーザビーム
の有効利用が図れることを意味している。
膜（13）に対し、レーザビーム（ＬＢ）の照射が基板
（10）の他方の主面側から行なわれたときの透明電極膜
（11）の膜厚依存性を吸収率(A)、反射率(R)及び透過率
(T)につき光学的に解析した結果で、透過率(T)は零であ
ったために図中には示されていない。この光学的解析に
より透明電極膜（11）の膜厚により裏面電極膜（13）の
吸収率(A)は周期的に変動するものの、裏面電極膜（1
3）の露出面側からレーザビーム（ＬＢ）を照射した場
合の解析結果を示す第26図に比較して、約1.6倍〜2.25
倍の増加が見られる。即ち、斯る吸収率の増加は基板
（10）の他方の主面側からレーザビーム（ＬＢ）を照射
することにより低出力により加工ができ、レーザビーム
の有効利用が図れることを意味している。
このレーザビーム（ＬＢ）の照射による除去工程に於い
て除去すべき隣接間隔部（13′）に位置している裏面電
極膜（13）の溶融状態は非晶質半導体膜（12）の除去工
程と同じくレーザビーム（ＬＢ）入射側の透明電極膜
（11）との界面から露出面（表面）に向って膨張しなが
ら進行し、該裏面電極膜（13）が肉薄となった時点で該
膜（13）を打破して大気中に散逸するために、その加工
界面は残留物(7)のない鮮明なものとなる。従って、第
３図の如き裏面電極膜（13）の残留物(7)を媒体とした
１つの光電変換領域（14a）（14b）（14c）…の短絡事
故は発生しない。即ち、裏面電極膜（13）の露出面側か
ら隣接間隔部（13′）を除去する場合、該裏面電極膜
（13′）の下層には透明電極膜（11）が存在しており、
高エネルギ密度のレーザビーム（ＬＢ）により裏面電極
膜（13）を除去しようとすれば下層の透明電極膜（11）
に熱的ダメージを与えたり、或いは上記露出面側からレ
ーザビーム（ＬＢ）を照射するが故に第３図に示す如く
加工界面に残留物(7)が残存していたのである。
て除去すべき隣接間隔部（13′）に位置している裏面電
極膜（13）の溶融状態は非晶質半導体膜（12）の除去工
程と同じくレーザビーム（ＬＢ）入射側の透明電極膜
（11）との界面から露出面（表面）に向って膨張しなが
ら進行し、該裏面電極膜（13）が肉薄となった時点で該
膜（13）を打破して大気中に散逸するために、その加工
界面は残留物(7)のない鮮明なものとなる。従って、第
３図の如き裏面電極膜（13）の残留物(7)を媒体とした
１つの光電変換領域（14a）（14b）（14c）…の短絡事
故は発生しない。即ち、裏面電極膜（13）の露出面側か
ら隣接間隔部（13′）を除去する場合、該裏面電極膜
（13′）の下層には透明電極膜（11）が存在しており、
高エネルギ密度のレーザビーム（ＬＢ）により裏面電極
膜（13）を除去しようとすれば下層の透明電極膜（11）
に熱的ダメージを与えたり、或いは上記露出面側からレ
ーザビーム（ＬＢ）を照射するが故に第３図に示す如く
加工界面に残留物(7)が残存していたのである。
尚、透明電極膜（11）のレーザビーム（ＬＢ）の照射方
向については別段どちらでも良いが、斯るレーザビーム
（ＬＢ）の照射により散逸する飛散物がレーザ装置（Ｌ
Ａ）側の対物レンズ（ＯＬ）を傷付けない点から基板
（10）の他方の主面側から施されるのが良い。
向については別段どちらでも良いが、斯るレーザビーム
（ＬＢ）の照射により散逸する飛散物がレーザ装置（Ｌ
Ａ）側の対物レンズ（ＯＬ）を傷付けない点から基板
（10）の他方の主面側から施されるのが良い。
（ヘ）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、透光性基板の一
主面に複数の領域に跨って被着された半導体膜は、基板
の他方の主面側からレーザビームを照射したので、照射
された隣接間隔部の半導体膜を、太陽電池にあっては裏
面電極膜の剥離事故の原因となり、また複数のセンサ領
域を一次元的に配列せしめた一次元光センサにあっては
パターン精度の低下を招く残留物の形成を抑圧するにも
拘わず、除去することができ、ウエットプロセスを含ま
ないレーザビームの如きエネルギビームの利用を可能な
らしめることができる。また、約0.35μｍ〜0.78μｍの
波長領域にあるレーザビームをパルス的に従来の照射方
向と反転させて照射することで半導体膜の加工幅を低出
力で以って広くすることができ、隣接間隔部に於いて電
気的な直列接続を施す太陽電池の製造に適用した場合、
エネルギビームの走査速度を上昇せしめたり或いは走査
回数を減少せしめることができる結果、生産性の向上が
図れる。
主面に複数の領域に跨って被着された半導体膜は、基板
の他方の主面側からレーザビームを照射したので、照射
された隣接間隔部の半導体膜を、太陽電池にあっては裏
面電極膜の剥離事故の原因となり、また複数のセンサ領
域を一次元的に配列せしめた一次元光センサにあっては
パターン精度の低下を招く残留物の形成を抑圧するにも
拘わず、除去することができ、ウエットプロセスを含ま
ないレーザビームの如きエネルギビームの利用を可能な
らしめることができる。また、約0.35μｍ〜0.78μｍの
波長領域にあるレーザビームをパルス的に従来の照射方
向と反転させて照射することで半導体膜の加工幅を低出
力で以って広くすることができ、隣接間隔部に於いて電
気的な直列接続を施す太陽電池の製造に適用した場合、
エネルギビームの走査速度を上昇せしめたり或いは走査
回数を減少せしめることができる結果、生産性の向上が
図れる。
更に、上記半導体膜の分割後に連続的に被着される電極
膜についても基板の他方の主面側からレーザビームを照
射することによって分割すれば、斯る電極膜の加工界面
についても残留物の形成を抑圧することができ、太陽電
池にあっては光電変換領域の短絡事故を回避し得る。
膜についても基板の他方の主面側からレーザビームを照
射することによって分割すれば、斯る電極膜の加工界面
についても残留物の形成を抑圧することができ、太陽電
池にあっては光電変換領域の短絡事故を回避し得る。
第１図は太陽電池の典型例を示す断面図、第２図及び第
３図は従来方法の欠点を説明するための拡大断面図、第
４図乃至第９図は第１、第２の本発明方法を工程別に示
す断面図、第10図は非晶質シリコン系の半導体膜の吸収
係数及びガラスの透過率と波長との関係を示す曲線図、
第11図は本発明方法の原理を示す概念図、第12図は従来
方法の原理を示す概念図、である。 第13図乃至第15図は本発明方法に於ける透明電極膜の膜
厚をパラメータとした吸収率(A)、反射率(R)及び透過率
(T)の各強度を光学的に解析した曲線図、第16図は従来
方法に於ける非晶質半導体膜の吸収率(A)、反射率(R)及
び透過率(T)の各強度の透明電極膜の膜厚に対する依存
性を光学的に解析した曲線図、第17図及び第18図は同一
構成の被加工体に対する吸収率(A)、反射率(R)及び透過
率(T)とを比較するための曲線図であり、第17図は従来
方法の光学的解析で、第18図は本発明方法の光学的解析
である。 第19図は本発明方法による深さ方向の温度分布を示す曲
線図、第20図は従来方法による深さ方向の温度分布を示
す曲線図、第21図は非晶質半導体膜の選択除去の限界に
つき本発明方法と従来方法とを比較するための曲線図、
第22図は非晶質半導体膜の加工幅につき本発明方法と従
来方法とを比較するための曲線図、である。 第23図は本発明方法により非晶質半導体膜を除去したと
きの隣接間隔部の顕微鏡写真の模式図、第24図は従来方
法により非晶質半導体膜を除去したときの隣接間隔部の
顕微鏡写真の模式図、で同一方向から臨んだものであ
る。 第25図及び第26図は裏面電極膜に対する光学的解析であ
り、第25図はレーザビームを基板の他方の主面から照射
したときの曲線図、第26図はその逆の露出面（表面）側
から照射したときの曲線図である。 主な図番の説明 （10）…基板、（12）（12a）（12b）（12c）…非晶質
半導体膜、（13）（13a）（13b）（13c）…裏面電極
膜、（15）…絶縁断熱層。
３図は従来方法の欠点を説明するための拡大断面図、第
４図乃至第９図は第１、第２の本発明方法を工程別に示
す断面図、第10図は非晶質シリコン系の半導体膜の吸収
係数及びガラスの透過率と波長との関係を示す曲線図、
第11図は本発明方法の原理を示す概念図、第12図は従来
方法の原理を示す概念図、である。 第13図乃至第15図は本発明方法に於ける透明電極膜の膜
厚をパラメータとした吸収率(A)、反射率(R)及び透過率
(T)の各強度を光学的に解析した曲線図、第16図は従来
方法に於ける非晶質半導体膜の吸収率(A)、反射率(R)及
び透過率(T)の各強度の透明電極膜の膜厚に対する依存
性を光学的に解析した曲線図、第17図及び第18図は同一
構成の被加工体に対する吸収率(A)、反射率(R)及び透過
率(T)とを比較するための曲線図であり、第17図は従来
方法の光学的解析で、第18図は本発明方法の光学的解析
である。 第19図は本発明方法による深さ方向の温度分布を示す曲
線図、第20図は従来方法による深さ方向の温度分布を示
す曲線図、第21図は非晶質半導体膜の選択除去の限界に
つき本発明方法と従来方法とを比較するための曲線図、
第22図は非晶質半導体膜の加工幅につき本発明方法と従
来方法とを比較するための曲線図、である。 第23図は本発明方法により非晶質半導体膜を除去したと
きの隣接間隔部の顕微鏡写真の模式図、第24図は従来方
法により非晶質半導体膜を除去したときの隣接間隔部の
顕微鏡写真の模式図、で同一方向から臨んだものであ
る。 第25図及び第26図は裏面電極膜に対する光学的解析であ
り、第25図はレーザビームを基板の他方の主面から照射
したときの曲線図、第26図はその逆の露出面（表面）側
から照射したときの曲線図である。 主な図番の説明 （10）…基板、（12）（12a）（12b）（12c）…非晶質
半導体膜、（13）（13a）（13b）（13c）…裏面電極
膜、（15）…絶縁断熱層。
Claims (1)
- 【請求項１】透光性基板の一主面に於ける複数の領域に
跨って被着された半導体膜の分割すべき隣接間隔部に対
して、上記基板の他方の主面側から波長を約0.35μｍ〜
0.78μｍとするレーザビームをパルス的に照射し該隣接
間隔部に位置した半導体膜を除去して、上記半導体膜を
複数の領域毎に分割すると共に、該複数の半導体膜を含
む複数の領域に跨って被着された電極膜の分割すべき隣
接間隔部に対しても上記基板の他方の主面側からレーザ
ビームを照射し、該隣接間隔部に位置した電極膜を除去
して上記電極膜を複数の領域毎に分割することを特徴と
した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135825A JPH0650781B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
| US06/745,301 US4650524A (en) | 1984-06-20 | 1985-06-14 | Method for dividing semiconductor film formed on a substrate into plural regions by backside energy beam irradiation |
| FR8509389A FR2566584B1 (fr) | 1984-06-20 | 1985-06-20 | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs avec subdivision d'une pellicule semi-conductrice dudit dispositif possedant une pluralite de regions de conversion photoelectrique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135825A JPH0650781B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5217571A Division JPH0779007A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6114727A JPS6114727A (ja) | 1986-01-22 |
| JPH0650781B2 true JPH0650781B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=15160669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135825A Expired - Lifetime JPH0650781B2 (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650781B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454769A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Res | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| KR101007099B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP4472014B1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-06-02 | 株式会社 エスアンドデイ | 膜回収装置及び膜回収方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS59107579A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| JPS6014479A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59135825A patent/JPH0650781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6114727A (ja) | 1986-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |