JPS6252927A - 薄膜半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS6252927A JPS6252927A JP60192231A JP19223185A JPS6252927A JP S6252927 A JPS6252927 A JP S6252927A JP 60192231 A JP60192231 A JP 60192231A JP 19223185 A JP19223185 A JP 19223185A JP S6252927 A JPS6252927 A JP S6252927A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- region
- film semiconductor
- transparent electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、主にアモルファス太陽電池にみられる薄膜
半導体装置の電極形成方法に関する。
半導体装置の電極形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
この種の薄膜半導体装置の電極形成方法については、導
電性基板上の薄膜半導体層の一部に、接合を破壊するに
足るエネルギーを与えてその部分を低抵抗化し、その部
分に電極膜を被着させる方法が捉案されている（たとえ
ば、特開昭５８−１９６０６１号参照）。
電性基板上の薄膜半導体層の一部に、接合を破壊するに
足るエネルギーを与えてその部分を低抵抗化し、その部
分に電極膜を被着させる方法が捉案されている（たとえ
ば、特開昭５８−１９６０６１号参照）。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来技術によれば、薄膜半導
体層の接合を破壊して低抵抗化し電極膜を被着して形成
される電極は、各種の接合破壊方法やその条件によって
電極部の抵抗値が決定されてしまうため、それ以上抵抗
損失を少なくすることは困難であった。この発明はこの
ような事情を考慮してなされたもので、さらに抵抗損失
の少ない電極の形成方法を提供するものである。
体層の接合を破壊して低抵抗化し電極膜を被着して形成
される電極は、各種の接合破壊方法やその条件によって
電極部の抵抗値が決定されてしまうため、それ以上抵抗
損失を少なくすることは困難であった。この発明はこの
ような事情を考慮してなされたもので、さらに抵抗損失
の少ない電極の形成方法を提供するものである。
（二ン問題を解決するための手段
この発明は、導電性基板上に形成されたｐ−１−ｎ 、
ｐ−ｎ等の接合部を有する薄膜半導体層に電極を形成す
る方法において、 導電性基板上のＳ膜半導体層の一部の複数領域に、接合
を破壊するに足るエネルギーを与えてその各領域を低抵
抗化すると共に、その各領域毎に電極膜を被着すること
を特徴とする薄膜半導体装置の電極形成方法である。
ｐ−ｎ等の接合部を有する薄膜半導体層に電極を形成す
る方法において、 導電性基板上のＳ膜半導体層の一部の複数領域に、接合
を破壊するに足るエネルギーを与えてその各領域を低抵
抗化すると共に、その各領域毎に電極膜を被着すること
を特徴とする薄膜半導体装置の電極形成方法である。
（ホ）作 用
接合が破壊された領域に電Ｉｉ！膜を被着すると、破壊
方法によって電極抵抗はほぼ決定されるが、このような
Ｎ極部を複数個形成してそれらを並列に接続することに
より、電極抵抗がさらに低減され、出力の抵抗損失が減
少する。
方法によって電極抵抗はほぼ決定されるが、このような
Ｎ極部を複数個形成してそれらを並列に接続することに
より、電極抵抗がさらに低減され、出力の抵抗損失が減
少する。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
第１図はこの発明を説明する太陽電池の断面図で、ステ
ンレス、アルミニウム等の金属基板又は絶縁体上に導電
層を被着した導電性基体（１）上に太陽電池として機能
し得るａ−８ｉ（アモルファスシリコン）（２）が積層
されている。ａ−８ｉ（２）は、ｐ −ｎ 、 ｐ −
ｉ −ｎ 、 Ｍ−１−３１シヨツトキー等の接合を備
え、これらの接合が単数又は複数に積層されて、入射光
を受けることにより光起電力を発生する。
ンレス、アルミニウム等の金属基板又は絶縁体上に導電
層を被着した導電性基体（１）上に太陽電池として機能
し得るａ−８ｉ（アモルファスシリコン）（２）が積層
されている。ａ−８ｉ（２）は、ｐ −ｎ 、 ｐ −
ｉ −ｎ 、 Ｍ−１−３１シヨツトキー等の接合を備
え、これらの接合が単数又は複数に積層されて、入射光
を受けることにより光起電力を発生する。
ａ−８１（２Ｊの表面には出力を取り出すための２種類
の電極、すなわち、１個の透明電極ｗＡ（３１及び５個
の透明電極膜（５）が形成されている。ここで透明電極
膜（３）はａ−５１（２Ｊの受光面の電極として設けら
れ、従って受光面のほぼ大部分を被って形成されている
。一方、透明電極膜（５）はａ−５ｉ（２）の裏側から
出力を取り出すための電極で、透明電極膜（３）とは離
れて形成されている。透明電極１１Ｇ！＋３３及び（５
）の夫々には銀ペースト等による端子（４）、（６）が
形成されている。第２図は上記太ｌｌｌ′Ｒ池の平面図
である。
の電極、すなわち、１個の透明電極ｗＡ（３１及び５個
の透明電極膜（５）が形成されている。ここで透明電極
膜（３）はａ−５１（２Ｊの受光面の電極として設けら
れ、従って受光面のほぼ大部分を被って形成されている
。一方、透明電極膜（５）はａ−５ｉ（２）の裏側から
出力を取り出すための電極で、透明電極膜（３）とは離
れて形成されている。透明電極１１Ｇ！＋３３及び（５
）の夫々には銀ペースト等による端子（４）、（６）が
形成されている。第２図は上記太ｌｌｌ′Ｒ池の平面図
である。
電極端子（６）の側についてはａ−８ｉｉｌ１２］の裏
面からの出力を導出するため、透明電極膜（５）と基板
（１）とで挾まれた領域（力の薄膜半導体層に接合を破
壊するエネルギーを与えて低抵抗化し、低抵抗化された
領域（刀に透明電極膜（５）を介して電極端子（６）が
形成される。
面からの出力を導出するため、透明電極膜（５）と基板
（１）とで挾まれた領域（力の薄膜半導体層に接合を破
壊するエネルギーを与えて低抵抗化し、低抵抗化された
領域（刀に透明電極膜（５）を介して電極端子（６）が
形成される。
上記ＵＳ半導体層の接合を破壊して低抵抗化するための
エネルギーは、公知の方法、すなわち、電気的なパルス
、光レーザ−、電子ビーム等によるｆｆ１Ｅｆｉ気的及
び熱的エネルギーによって与えることができる。この実
施例に用いたタンデム型アモルファス太Ｑ［池は、ステ
ンレス／１）ｔ−ｉｔ−ｎｔ／Ｄ２−ｉ２−ｎ２／ＩＴ
Ｏ構造からなるが、この太陽電池の場合はステンレス基
板（１）側をアースに０２側電極（６）を正電圧となる
逆バイアスをパルス状で印加する。印加電圧＋５０ｖ、
パルス幅４１Ｓｅｃのパルスを数回作用させると領域（
７）の直列抵抗Ｒ８は１領域当り０，５Ωを示した。
エネルギーは、公知の方法、すなわち、電気的なパルス
、光レーザ−、電子ビーム等によるｆｆ１Ｅｆｉ気的及
び熱的エネルギーによって与えることができる。この実
施例に用いたタンデム型アモルファス太Ｑ［池は、ステ
ンレス／１）ｔ−ｉｔ−ｎｔ／Ｄ２−ｉ２−ｎ２／ＩＴ
Ｏ構造からなるが、この太陽電池の場合はステンレス基
板（１）側をアースに０２側電極（６）を正電圧となる
逆バイアスをパルス状で印加する。印加電圧＋５０ｖ、
パルス幅４１Ｓｅｃのパルスを数回作用させると領域（
７）の直列抵抗Ｒ８は１領域当り０，５Ωを示した。
第３図は第１〜２図に示す太陽電池の出力電流−電圧特
性を示すグラフである。同図の（イ）は電極抵抗を無視
した場合の特性、（ロ）は端子（６）のうちの１個から
出力電流を導出した場合の特性、（ハ）は端子（６）を
すべて並列接続して出力電流を導出した場合の特性を示
す。
性を示すグラフである。同図の（イ）は電極抵抗を無視
した場合の特性、（ロ）は端子（６）のうちの１個から
出力電流を導出した場合の特性、（ハ）は端子（６）を
すべて並列接続して出力電流を導出した場合の特性を示
す。
これらの特性から、薄膜半導体層の接合を１箇所破壊し
てその領域に電極を形成する従来の方法では、電極への
直列抵抗Ｒ３−０，５Ωとなり抵抗損失が大きいが、こ
の実施例によれば、５個の並列抵抗すなわち電極への直
列抵抗Ｒ３が等価的に０．１Ωに低減されて抵抗損失が
減少し、出力電流−電圧特性が大きく改善されることが
わかる。
てその領域に電極を形成する従来の方法では、電極への
直列抵抗Ｒ３−０，５Ωとなり抵抗損失が大きいが、こ
の実施例によれば、５個の並列抵抗すなわち電極への直
列抵抗Ｒ３が等価的に０．１Ωに低減されて抵抗損失が
減少し、出力電流−電圧特性が大きく改善されることが
わかる。
ざらに、電極形成部の数を多くすれば、電極抵抗はさら
に低減され、第３図の特性（イ）に近い出力特性が得ら
れることになる。
に低減され、第３図の特性（イ）に近い出力特性が得ら
れることになる。
このようにして、従来よりも電極部の直列抵抗が十分に
低減され、＠膜半導体装置の出力特性を向上させる電極
が形成される。
低減され、＠膜半導体装置の出力特性を向上させる電極
が形成される。
（ト）発明の効果
この発明によれば、薄膜半導体層の複数領域にエネルギ
ーを与えて各領域の接合を破壊し、その各領域毎に電４
ｉｉ膜を被着させて複数の電極を設け、出力電流をその
複数の電極から並列に導出するようにしたので、抵抗損
失が少ない、出力特性の良好な半導体装置が得られる。
ーを与えて各領域の接合を破壊し、その各領域毎に電４
ｉｉ膜を被着させて複数の電極を設け、出力電流をその
複数の電極から並列に導出するようにしたので、抵抗損
失が少ない、出力特性の良好な半導体装置が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を説明する太陽電池の断面
図、第２図は第１図の平面図、第３図は第１〜２図に示
す太陽電池の出力特性を示すグラフである。 （１）・・・・・・導電性基板、 （２・・・・・・アモルファスシリコン、＋３１ ＋５
１・・・・・・透明電極、 （４） （６＋・・・・
・・端子。 出力’を充（Ａ）
図、第２図は第１図の平面図、第３図は第１〜２図に示
す太陽電池の出力特性を示すグラフである。 （１）・・・・・・導電性基板、 （２・・・・・・アモルファスシリコン、＋３１ ＋５
１・・・・・・透明電極、 （４） （６＋・・・・
・・端子。 出力’を充（Ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基板上に形成されたｐ−ｉ−ｎ、ｐ−ｎ等の
接合部を有する薄膜半導体層に電極を形成する方法にお
いて、 導電性基板上の薄膜半導体層の一部の複数領域に、接合
を破壊するに足るエネルギーを与えてその各領域を低抵
抗化すると共に、その各領域毎に電極膜を被着すること
を特徴とする薄膜半導体装置の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192231A JPS6252927A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192231A JPS6252927A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252927A true JPS6252927A (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=16287841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192231A Pending JPS6252927A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252927A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188905A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
| JPS59188906A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
| JPS59188902A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60192231A patent/JPS6252927A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188905A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
| JPS59188906A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
| JPS59188902A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器の製造方法 |
| JPH0362004B2 (ja) * | 1983-04-11 | 1991-09-24 | Murata Manufacturing Co | |
| JPH0362003B2 (ja) * | 1983-04-11 | 1991-09-24 | Murata Manufacturing Co | |
| JPH0362005B2 (ja) * | 1983-04-11 | 1991-09-24 | Murata Manufacturing Co |
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