JPS5950574A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
- Publication number
- JPS5950574A JPS5950574A JP57159670A JP15967082A JPS5950574A JP S5950574 A JPS5950574 A JP S5950574A JP 57159670 A JP57159670 A JP 57159670A JP 15967082 A JP15967082 A JP 15967082A JP S5950574 A JPS5950574 A JP S5950574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- type layer
- metal electrode
- solar cell
- amorphous solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は多層構造を有するアモルファス太陽電池の改
良に関するものである。
良に関するものである。
第１図は従来の多層構造アモルファス太陽電池の平面図
、第２図はその■−■線での断面図である。ステンレス
鋼などの金属基板（］）の上に順次堆積した第１のｐ形
アモルファス半導体層Ｃｒｐ形層」と称し、以下これに
準する。） （２ａ）、 第１の１形層（３ａ）、第１
のｎ形層 （４ａ）、 ｍ’ｔ、２のｐ形層１ （２ｂ
）、第２の１形層（３ｂ）および第２のｎ形層（ａ、ｂ
）、並びに更にその上に形成されたＩ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎ
２０３とＳｎＯ３との混合物）などの透明導電膜（５
）および電気抵抗低減のための金属電極（６）によって
多層構造アモルファ２、太ＫＷ％池は邪７成されている
。
、第２図はその■−■線での断面図である。ステンレス
鋼などの金属基板（］）の上に順次堆積した第１のｐ形
アモルファス半導体層Ｃｒｐ形層」と称し、以下これに
準する。） （２ａ）、 第１の１形層（３ａ）、第１
のｎ形層 （４ａ）、 ｍ’ｔ、２のｐ形層１ （２ｂ
）、第２の１形層（３ｂ）および第２のｎ形層（ａ、ｂ
）、並びに更にその上に形成されたＩ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎ
２０３とＳｎＯ３との混合物）などの透明導電膜（５
）および電気抵抗低減のための金属電極（６）によって
多層構造アモルファ２、太ＫＷ％池は邪７成されている
。
ここでは２つのｐｉｎ接合を積層したものを示したが、
３層以上のものも当然あり得る。この多層構造の太陽電
池は、複数個のホトダイオードを直列に接続したものと
考えてよく、太陽光スペクトルを広い波長範囲にわたっ
て有効利用することができる。すなわち、光を吸収しキ
ャリアを発生するｉ形層の禁止帯幅を上層の第２の１形
層（３ｂ）と下層の第１の１形層（３ａ）とで異なった
値になるようにすることによって、それぞれの１形層（
３ａ）＋ （３ｂ）で吸収する光の波長領域を配分分担
させ、全体として単層のｐｉｎ接合太陽電池よりも光の
吸収効率を向上することができる。
３層以上のものも当然あり得る。この多層構造の太陽電
池は、複数個のホトダイオードを直列に接続したものと
考えてよく、太陽光スペクトルを広い波長範囲にわたっ
て有効利用することができる。すなわち、光を吸収しキ
ャリアを発生するｉ形層の禁止帯幅を上層の第２の１形
層（３ｂ）と下層の第１の１形層（３ａ）とで異なった
値になるようにすることによって、それぞれの１形層（
３ａ）＋ （３ｂ）で吸収する光の波長領域を配分分担
させ、全体として単層のｐｉｎ接合太陽電池よりも光の
吸収効率を向上することができる。
ところで、従来から太陽電池の上面には透明導電膜（５
）が全面に形成されてはいるが、その電気抵抗は十分小
さいとは言えず、その抵抗によって電力損失を生じるの
で、通常第１図、第２図に示すように更にその上に金属
電極（６）を部分的に形成して、上記電気抵抗の低下を
計っている。しかし、これは光に対しては遮光体となる
ので、この金属電極（６）の直下ではキャリアが発生し
ないばかりか、他の光照射部で発生した電流の内部負荷
となり、不都合なものである。従って、この金属電極（
６）の形状はこのような弊害をできるだけ小さくして目
的を達するよう種々工夫がなされている。一方、多層構
造においては第１のｐｉｎ層と第２のｐｉｎ層との界面
すなわち、第１のｎ形層（４ａ）と第２のｐ形層（２ｂ
）とはトンネル接合でつながるわけであるが、必らずし
もこれがきれいに接続されるわけではなく、ポテンシャ
ルバリアが形成されることがあり、満足すべき特性のも
のを得ることは困難であった。
）が全面に形成されてはいるが、その電気抵抗は十分小
さいとは言えず、その抵抗によって電力損失を生じるの
で、通常第１図、第２図に示すように更にその上に金属
電極（６）を部分的に形成して、上記電気抵抗の低下を
計っている。しかし、これは光に対しては遮光体となる
ので、この金属電極（６）の直下ではキャリアが発生し
ないばかりか、他の光照射部で発生した電流の内部負荷
となり、不都合なものである。従って、この金属電極（
６）の形状はこのような弊害をできるだけ小さくして目
的を達するよう種々工夫がなされている。一方、多層構
造においては第１のｐｉｎ層と第２のｐｉｎ層との界面
すなわち、第１のｎ形層（４ａ）と第２のｐ形層（２ｂ
）とはトンネル接合でつながるわけであるが、必らずし
もこれがきれいに接続されるわけではなく、ポテンシャ
ルバリアが形成されることがあり、満足すべき特性のも
のを得ることは困難であった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、不
可欠な表面の金属電極の直下の陰となる部分を利用して
第１のｐｉｎ層と第２のｐｉｎ層との界面に金属薄膜を
挿入することによってｌｉ’Ｊｌｌ）ｉｎ層の電気接続
を良好ならしめ、すぐれた特性のアモルファス太陽電池
を得ることを特徴としている。
可欠な表面の金属電極の直下の陰となる部分を利用して
第１のｐｉｎ層と第２のｐｉｎ層との界面に金属薄膜を
挿入することによってｌｉ’Ｊｌｌ）ｉｎ層の電気接続
を良好ならしめ、すぐれた特性のアモルファス太陽電池
を得ることを特徴としている。
第３図はこの発明の一実施例を示す断面図で、従来例の
第２図に対応するものである。図において、従来例と同
等部分には同一符号を付したので、その説明省略する。
第２図に対応するものである。図において、従来例と同
等部分には同一符号を付したので、その説明省略する。
図示のように、第１のｎ形層（４ａ）と第２のｐ形層（
２ｂ）との界面のうち、表面の金属電極（６）の直下で
陰となる部分のみに金属薄膜（７）が挿入されている。
２ｂ）との界面のうち、表面の金属電極（６）の直下で
陰となる部分のみに金属薄膜（７）が挿入されている。
前ニモ述べたように、この陰の部分は光発電素子として
は死んだ領域であるが、この実施例ではこの領域を利用
して金属薄膜（７）によって２′：）のｐｉｎ層間の電
気的接続をより確実、良好にしたもので下層のｐｉｎ接
合への入射光量を損なわず、すなわち、光利用効率を低
下させることなく、特性のよいアモルファス太陽電池が
実現できる。
は死んだ領域であるが、この実施例ではこの領域を利用
して金属薄膜（７）によって２′：）のｐｉｎ層間の電
気的接続をより確実、良好にしたもので下層のｐｉｎ接
合への入射光量を損なわず、すなわち、光利用効率を低
下させることなく、特性のよいアモルファス太陽電池が
実現できる。
また、金属薄膜の代りにサーメット薄膜を用いてもよい
。
。
以上説明したように、この発明になるアモルファス太陽
電池では複数個のｐｉｎ接合層の相互間の界面の、上表
面の金属電極の陰となる部分に導電薄膜を挿入したので
、ｐｉｎ接合層相互間の電気的接続は良好となり、特性
を良好ならしめることができる。
電池では複数個のｐｉｎ接合層の相互間の界面の、上表
面の金属電極の陰となる部分に導電薄膜を挿入したので
、ｐｉｎ接合層相互間の電気的接続は良好となり、特性
を良好ならしめることができる。
第１図は従来の多層構造アモルファス太陽電池の平面図
、第２図は第１図の■−■線での断面図、第３図はこの
発明の一実施例の上記第２図に対応する位置での断面図
である。 図において、（１）は金属基板、（２ａ）、 （２ｂ）
はｐ形層、（３ａ）、 （３１））はｉ形層、（ａａ）
、 （４ｂ）はｎ形層、（６１は金属電極、（７）は金
属薄膜（導電薄膜）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 出願人 工業技術院長 石板 誠−
、第２図は第１図の■−■線での断面図、第３図はこの
発明の一実施例の上記第２図に対応する位置での断面図
である。 図において、（１）は金属基板、（２ａ）、 （２ｂ）
はｐ形層、（３ａ）、 （３１））はｉ形層、（ａａ）
、 （４ｂ）はｎ形層、（６１は金属電極、（７）は金
属薄膜（導電薄膜）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 出願人 工業技術院長 石板 誠−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 に金属電極を形成してなるものにおいて、互いに隣接す
る２つのｐｉｎ接合層について互いに接し合うｐ形アモ
ルファス半導体層とｎ形アモルファス半導体層との界面
の、上記上表面から光を入射させたときに上記金属電極
の陰となる部分に導電薄膜を挿入したことを特徴とする
アモルファス太陽電池。 （２）導電薄膜が金属薄膜でるることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のアモルファス太陽電池。 （３） 導電薄膜がサーメット薄膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のアモルファス太陽電
池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159670A JPS5950574A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159670A JPS5950574A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950574A true JPS5950574A (ja) | 1984-03-23 |
| JPS6227756B2 JPS6227756B2 (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=15698763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159670A Granted JPS5950574A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017534184A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-11-16 | ソル ヴォルタイクス アーベー | ２層光発電デバイス |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP57159670A patent/JPS5950574A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017534184A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-11-16 | ソル ヴォルタイクス アーベー | ２層光発電デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227756B2 (ja) | 1987-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109728103B (zh) | 太阳能电池 | |
| JP2015525961A (ja) | 太陽電池 | |
| US20140373911A1 (en) | Solar cell | |
| CN103280465A (zh) | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 | |
| US20130125964A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US3888698A (en) | Infrared-transparent solar cell | |
| KR20120079215A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| EP4287269A2 (en) | Solar cell, method for manufacturing the same, photovoltaic module, and photovoltaic system | |
| KR20190013927A (ko) | 광전지, 광전지 어레이, 태양 전지 및 광전지 준비 방법 | |
| US4151005A (en) | Radiation hardened semiconductor photovoltaic generator | |
| US8536447B2 (en) | Electrode of solar cell and fabricating method thereof | |
| US20240341107A1 (en) | Laminated solar cell and photovoltaic assembly | |
| CA2086409A1 (en) | Advanced solar cell | |
| CN117673177A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| JP7284865B1 (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| JPH0237116B2 (ja) | ||
| TW201324812A (zh) | 太陽能電池組 | |
| JPH11266029A (ja) | 太陽電池及びその製造方法及びその接続方法 | |
| JPS5950574A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPS61199672A (ja) | 光起電力装置 | |
| EP2610917A2 (en) | Solar cell having buried electrode | |
| TWI543383B (zh) | Buried electrode solar cells, production methods, and multi - face Solar module | |
| CN214542256U (zh) | 硅异质结太阳能电池 | |
| CN215933617U (zh) | 电池片和具有其的光伏组件 | |
| JPH0442974A (ja) | バイパスダイオード付太陽電池 |