JPH0237047B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237047B2 JPH0237047B2 JP57009231A JP923182A JPH0237047B2 JP H0237047 B2 JPH0237047 B2 JP H0237047B2 JP 57009231 A JP57009231 A JP 57009231A JP 923182 A JP923182 A JP 923182A JP H0237047 B2 JPH0237047 B2 JP H0237047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film electrode
- electrode
- solar cell
- sno
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
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- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルフアス太陽電池の新規な製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来、アモルフアス太陽電池としては、電池材
料としてアモルフアス・シリコン（以下、単に
「ａ−Si」の如く略記する。）を使用したものが知
られている。しかしこの太陽電池は、窓側となる
薄膜電極上に高電導度のａ−Siのドープ層が形成
されるため、薄膜電極を任意の形状に分割する方
法としては主にケミカルエツチング法が採られて
いた。しかるにこの場合は予め分割すべき形状に
合わせた原図を作成し、写真法又は印刷法を用い
て薄膜電極の表面に前記原図よりえられた形状を
もつエツチングレジスト膜を形成させ、該レジス
ト膜による保護を受けていない部分の薄膜電極を
薬液を用いてエツチングし、さらに前記レジスト
膜を除去したのちに洗滌・乾燥するという複雑な
工程を経てはじめて前記薄膜電極を任意の形状に
分割できるものであつた。
料としてアモルフアス・シリコン（以下、単に
「ａ−Si」の如く略記する。）を使用したものが知
られている。しかしこの太陽電池は、窓側となる
薄膜電極上に高電導度のａ−Siのドープ層が形成
されるため、薄膜電極を任意の形状に分割する方
法としては主にケミカルエツチング法が採られて
いた。しかるにこの場合は予め分割すべき形状に
合わせた原図を作成し、写真法又は印刷法を用い
て薄膜電極の表面に前記原図よりえられた形状を
もつエツチングレジスト膜を形成させ、該レジス
ト膜による保護を受けていない部分の薄膜電極を
薬液を用いてエツチングし、さらに前記レジスト
膜を除去したのちに洗滌・乾燥するという複雑な
工程を経てはじめて前記薄膜電極を任意の形状に
分割できるものであつた。
本発明は、アモルフアス太陽電池の窓側となる
薄膜電極上に形成する太陽電池材料として、従来
は全く使用不可能と考えられていた高抵抗のａ−
SiC：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ又はａ−SiCN：Ｈのドー
プ層を含むヘテロ接合太陽電池を形成すると共
に、これに伴い窓側となる薄膜電極をレーザ光に
より所定の形状に分割することにより、簡単な装
置でしかも生産性良くアモルフアス太陽電池を製
造できる方法を提供することを目的とする。
薄膜電極上に形成する太陽電池材料として、従来
は全く使用不可能と考えられていた高抵抗のａ−
SiC：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ又はａ−SiCN：Ｈのドー
プ層を含むヘテロ接合太陽電池を形成すると共
に、これに伴い窓側となる薄膜電極をレーザ光に
より所定の形状に分割することにより、簡単な装
置でしかも生産性良くアモルフアス太陽電池を製
造できる方法を提供することを目的とする。
本発明によれば分割されるべき薄膜電極の形状
は予めコンピユータにプログラムしておき、該コ
ンピユータにより、レーザ光の照射位置の前記薄
膜電極の面上における相対位置を制御操作させる
だけで、前記薄膜電極を線状に溶融・蒸発させ、
所定の形状に分割することができる。レーザ光の
照射位置の薄膜電極の面上における相対位置を制
御操作するためには、レーザ発生装置の内部に偏
向系を設けこれをコンピユータ制御することによ
つてもできるし、あるいは又、薄膜電極の形成さ
れた物体を載荷する台の移動をコンピユータ制御
することによつてもできる。
は予めコンピユータにプログラムしておき、該コ
ンピユータにより、レーザ光の照射位置の前記薄
膜電極の面上における相対位置を制御操作させる
だけで、前記薄膜電極を線状に溶融・蒸発させ、
所定の形状に分割することができる。レーザ光の
照射位置の薄膜電極の面上における相対位置を制
御操作するためには、レーザ発生装置の内部に偏
向系を設けこれをコンピユータ制御することによ
つてもできるし、あるいは又、薄膜電極の形成さ
れた物体を載荷する台の移動をコンピユータ制御
することによつてもできる。
本発明は、SnO2膜、又は貴金属の膜を少くと
も一部として含む薄膜電極を窓側に有するヘテロ
接合太陽電池を製造するに当たり、上記薄膜電極
の分割工程でレーザ光を使用するものであるが、
SnO2膜や貴金属の膜は元来ケミカルエツチング
が困難であるので、生産性の向上は著しいものが
ある。すなわちこれらの薄膜電極をケミカルエツ
チングするときは、上述の如く工程が複雑である
ことに加えて、薬液によるエツチングの際の操作
条件の管理が容易でなく、又、エツチングに長時
間を要するのであるが、本発明によるときは、レ
ーザ光源の種類と出力とを選定することにより極
めて容易に加工することができるのである。
も一部として含む薄膜電極を窓側に有するヘテロ
接合太陽電池を製造するに当たり、上記薄膜電極
の分割工程でレーザ光を使用するものであるが、
SnO2膜や貴金属の膜は元来ケミカルエツチング
が困難であるので、生産性の向上は著しいものが
ある。すなわちこれらの薄膜電極をケミカルエツ
チングするときは、上述の如く工程が複雑である
ことに加えて、薬液によるエツチングの際の操作
条件の管理が容易でなく、又、エツチングに長時
間を要するのであるが、本発明によるときは、レ
ーザ光源の種類と出力とを選定することにより極
めて容易に加工することができるのである。
次に本発明を実施例により説明すると、以下の
通りである。
通りである。
図１は、レーザ光照射により分割された薄膜電
極の例を示すものであつて、図中の３は分割され
た薄膜電極の一区分であり４は分割線である。薄
膜電極１はSnO2膜１ａとITO膜１ｂとから成り、
ガラス素板２の上に真空蒸着により形成されたも
のであり、薄膜電極１の厚さは約1000Å、ガラス
素板２の厚さは0.7mmである。加工条件は、レー
ザ光源としてYAGパルスレーザを用い、レーザ
パワーを3.2W、パルス周波数10KHzとし、薄膜
電極１上に照射したレーザ光を該薄膜電極１の面
上で速度50mm／secで走査させる。この結果レー
ザ光が照射された部分の前記薄膜電極は、線幅約
100μで分割され、かつガラス素板にはほとんど
損傷が見られなかつた。薄膜電極１の材質や厚み
が上記と異なる場合は、レーザ光源の種類・パワ
ー・走査速度等を適宜変更することにより同様の
加工を行うことができる。
極の例を示すものであつて、図中の３は分割され
た薄膜電極の一区分であり４は分割線である。薄
膜電極１はSnO2膜１ａとITO膜１ｂとから成り、
ガラス素板２の上に真空蒸着により形成されたも
のであり、薄膜電極１の厚さは約1000Å、ガラス
素板２の厚さは0.7mmである。加工条件は、レー
ザ光源としてYAGパルスレーザを用い、レーザ
パワーを3.2W、パルス周波数10KHzとし、薄膜
電極１上に照射したレーザ光を該薄膜電極１の面
上で速度50mm／secで走査させる。この結果レー
ザ光が照射された部分の前記薄膜電極は、線幅約
100μで分割され、かつガラス素板にはほとんど
損傷が見られなかつた。薄膜電極１の材質や厚み
が上記と異なる場合は、レーザ光源の種類・パワ
ー・走査速度等を適宜変更することにより同様の
加工を行うことができる。
ヘテロ接合型アモルフアス太陽電池では窓側電
極としてSnO2膜又は貴金属の膜を少くとも一部
として含む薄膜電極がしばしば用いられる。ａ−
SiC：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ又は、ａ−SiCN：Ｈのド
ープ層を用いるヘテロ接合太陽電池（特願昭56−
112571号）においては、ドープ層の抵抗が比較的
大きい場合があり、この場合にはITO＋SnO2の
基板が特に有効になるのであるが、SnO2は前述
の如くエツチングしにくいので、従来はそのパタ
ーン化が困難であつた。本発明は、この点におい
て顕著な効果を奏するものである。加えてこの種
のヘテロ接合太陽電池の場合は、ａ−Siのドープ
層を用いるものに比して、アモルフアス層の抵抗
値が比較的高いため、薄膜電極の分割線幅が
100μ程度と狭くても隣接電極間のリーク電流は
無視することができ、実用上何ら差し支えがな
い。
極としてSnO2膜又は貴金属の膜を少くとも一部
として含む薄膜電極がしばしば用いられる。ａ−
SiC：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ又は、ａ−SiCN：Ｈのド
ープ層を用いるヘテロ接合太陽電池（特願昭56−
112571号）においては、ドープ層の抵抗が比較的
大きい場合があり、この場合にはITO＋SnO2の
基板が特に有効になるのであるが、SnO2は前述
の如くエツチングしにくいので、従来はそのパタ
ーン化が困難であつた。本発明は、この点におい
て顕著な効果を奏するものである。加えてこの種
のヘテロ接合太陽電池の場合は、ａ−Siのドープ
層を用いるものに比して、アモルフアス層の抵抗
値が比較的高いため、薄膜電極の分割線幅が
100μ程度と狭くても隣接電極間のリーク電流は
無視することができ、実用上何ら差し支えがな
い。
図２は、ガラス素板２上にITO膜１ｂとSnO2
膜１ａを形成して薄膜電極１となし、該薄膜電極
１をレーザ光により所定の形状に分割加工した上
でアモルフアス太陽電池５を形成し、最後に裏面
電極６を設けたものを示す。アモルフアス太陽電
池５は ｐ型ａ−SiC：Ｈ ５ａ、真性ａ−Si：Ｈ ５
ｂ、ｎ型ａ−Si：Ｈ ５ｃより成る、ヘテロ接合
型pin太陽電池である。
膜１ａを形成して薄膜電極１となし、該薄膜電極
１をレーザ光により所定の形状に分割加工した上
でアモルフアス太陽電池５を形成し、最後に裏面
電極６を設けたものを示す。アモルフアス太陽電
池５は ｐ型ａ−SiC：Ｈ ５ａ、真性ａ−Si：Ｈ ５
ｂ、ｎ型ａ−Si：Ｈ ５ｃより成る、ヘテロ接合
型pin太陽電池である。
図１Ａはガラス素板上に形成された薄膜電極を
加工した状態を示す平面図、同図Ｂは同上のＢ−
Ｂ線断面図である。図２は本発明の方法で製造し
たアモルフアス太陽電池の一例を示す側面断面図
である。 １……薄膜電極、１ａ……SnO2膜、１ｂ……
ITO膜、２……ガラス素板、３……薄膜電極の一
区分、４……分割線、５……アモルフアス太陽電
池、５ａ……ｐ型ａ−SiC：Ｈ、５ｂ……真性ａ
−Si：Ｈ、５ｃ……ｎ型ａ−Si：Ｈ、６……裏面
電極。
加工した状態を示す平面図、同図Ｂは同上のＢ−
Ｂ線断面図である。図２は本発明の方法で製造し
たアモルフアス太陽電池の一例を示す側面断面図
である。 １……薄膜電極、１ａ……SnO2膜、１ｂ……
ITO膜、２……ガラス素板、３……薄膜電極の一
区分、４……分割線、５……アモルフアス太陽電
池、５ａ……ｐ型ａ−SiC：Ｈ、５ｂ……真性ａ
−Si：Ｈ、５ｃ……ｎ型ａ−Si：Ｈ、６……裏面
電極。
Claims (1)
- １ アモルフアス太陽電池の窓側電極となる、少
なくともSnO2膜又は貴金属膜を一部として含む
薄膜電極を形成し、該薄膜電極の面上にレーザ光
を照射点の位置を移動させつゝ照射して前記薄膜
電極を線状に溶融・蒸発させることにより該薄膜
電極を所定の形状に分割した後、該薄膜電極上に
ａ−SiC：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ又はａ−SiCN：Ｈの
ドープ層を含むヘテロ接合太陽電池を形成し、最
後に裏面電極を設けることを特徴とするアモルフ
アス太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP923182A JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP923182A JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58126613A JPS58126613A (ja) | 1983-07-28 |
| JPH0237047B2 true JPH0237047B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=11714627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP923182A Granted JPS58126613A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜電極の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58126613A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2581373B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1997-02-12 | 双葉電子工業株式会社 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| CN1914695B (zh) * | 2004-02-09 | 2010-05-05 | 旭硝子株式会社 | 透明电极的制造方法 |
| JP6379562B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-08-29 | 大日本印刷株式会社 | 細胞培養用電極及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP923182A patent/JPS58126613A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58126613A (ja) | 1983-07-28 |
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