JP3625565B2 - 光起電力装置用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、光起電力装置に用いられる基板の製造方法及びその基板を用いた光起電力装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光起電力装置は、実公平5−37481号公報に開示があるように、時計の文字盤として用いるために円形として、時計の電源としても使用されている。このような光起電力装置は、その表面に絶縁膜を形成した金属板からなる矩形状の基板本体から、光起電力装置が形成された円形の基板有効部を、金型を用いたプレス工程にて打ち抜き、光起電力装置が形成された基板有効部を分離していた。
【0003】
また、基板有効部に、日付表示のための抜き部又は時計の針の軸が通る穴を設けるときには、第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層の積層体からなる光起電力装置の発電領域を形成するのに先だって、基板有効部に、抜き部、穴をプレス工程にて抜いていた。このプレス工程を発電領域形成前に行う理由は、これらの抜き部、穴が基板有効部内の発電領域に近接しているので、発電領域形成後にプレス工程を行うと、プレス工程での衝撃によりセルショ−ト等の不良が発生するからである。
【0004】
従って、日付表示用の抜き部又は時計の針の軸が通る穴を有する光起電力装置は、発電領域形成前の抜き部又は穴を抜くプレス工程と、発電領域形成後の基板有効部を基板本体から抜くプレス工程との2回のプレス工程を必要としていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、2回のプレス工程を有する従来の光起電力装置の製造方法は、次に示す問題点がある。
【0006】
▲1▼プレス用金型の作成費用は高額である。そして、光起電力装置価格はプレス金型費用を均等に配分して決められるので、特に、少量生産ではその価格が高くなる。
【0007】
▲2▼プレス金型は、長期の作成日数(2〜3ケ月)を必要とする。このため、設計から生産までの日数も長期となる。
【0008】
▲3▼上記のように、従来の光起電力装置は2回のプレス工程を必要とするので、2回のプレス工程による製造コストアップ、2つの金型作成によるコストアップとなる。
【0009】
▲4▼発電領域形成後、基板本体から基板有効部をプレス工程で打ち抜く時、プレスの衝撃により、発電領域においてセルショ−ト等の特性不良が発生することがある。
【0010】
▲5▼基板本体のサイズを大型化することは、プレス機械の許容できる金型寸法があるので容易にできない。
【0011】
本発明はこのような問題点を解決するために成されたものであり、基板本体から基板有効部を分離するに際して、従来のプレス工程が有する上記の問題点を解決しようとするものである。
【0012】
本発明は、下層より第1の電極、半導体光活性層および第2の電極により構成される発電領域が、時計の針の軸が通過予定の領域を中心にして複数の扇形状で隣接配置されて形成される基板有効部に対応する第1の領域と、前記第1の領域を囲んで成り、前記発電領域が構成されない基板無効部に対応する第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域の間に位置し、表から裏に渡り金属材料が取り除かれる外周抜き部に対応する第3の領域と、前記第1の領域の周囲に設けられ、前記第1の領域と前記第2の領域を連結する連結部に対応する第4の領域と、を構成する領域を配置した、前記金属材料から成る基板本体からなる光起電力装置用基板の製造方法であって、
前記中心に対応する第1の開穴、前記発電領域の周囲に位置し、隣接する前記扇形状の発電領域の境界の延長線上に設けられた第2の開穴、および前記第3の領域が露出するように前記基板本体の両面に耐エッチング用のマスクを被着する工程と、
前記マスクを介してエッチングすることにより、前記第3の領域、前記第1の開穴および前記第2の開穴を、基板本体の裏面から表面に渡り取り除く工程と、を有することを特徴とする。
【0013】
【実施例】
以下に、第1の構造の光起電力装置に用いる本発明の第1実施例を、図1〜5を用いて詳細に説明する。
【0014】
まず、図1において、1は金属材料からなる基板本体で、この基板本体1は光起電力装置が形成される基板有効部2と、光起電力装置が形成されない基板無効部3を有している。そして、基板有効部2の外周において、連結部4、4を除く全周に、外周抜き部6が設けられている。また、連結部4、4は、基板無効部3との境界部分は幅が広く、基板有効部2との境界部分は幅が狭い形状を有すると共に、基板有効部2との境界部分には基板本体1を厚み方向に途中まで除去した切断溝7、7を有している。
【0015】
そして、点線で区分されたA〜Dは、後述する第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層の積層体で構成される発電領域である。そして、図1に示すように、隣接する発電領域間中央部、各領域の隣接境界線上における領域の外側に開穴11、12、13、14、15が設けられている。中央部の開穴11は、この光起電力装置が時計用の電源として用いられるときに、時計の針の軸が通る開穴としても機能する。
【0016】
ここで、外周抜き部6、連結部4、切断溝7、開穴11〜15の作成方法を以下に説明する。まず、板状の基板本体1を用意し、この両面において外周抜き部6及び開穴11〜15以外の領域にレジスト樹脂を塗布する。但し、連結部4と基板有効部2との境界部分においては、片面のみにレジスト樹脂を塗布する。このレジスト樹脂の塗布方法としては、スクリーン印刷でパターン印刷する方法、又は、フォトレジストを用いるフォトリソグラフィ法が採用できる。フォトリソグラフィ法を用いる場合、フォトレジスト膜を全面に塗布後、フォトマスクを介して露光を行うことにより露光部と非露光部とを形成、現像処理して、露光部又は非露光部に対応したレジストパターンを形成する。スクリーン法は工程が簡単である反面、パターン精度はそれ程高くない。一方、フォトリソグラフィ法は、パターン精度は高いが、工程が複雑である。
【0017】
次に、レジスト膜を形成した基板本体1全体を、基板本体1材料を溶解できるエッチング液中に浸すことにより、外周抜き部6のエッチングを行う。この工程により、レジスト樹脂膜から露出する基板本体1を完全に除去し、外周抜き部6を形成する。また、連結部4と基板有効部2との境界部分においては、レジスト樹脂が片面のみに塗布されていることより、レジスト樹脂が塗布されていない他の片面においてのみ露出する基板本体1材料が厚み方向にエッチングされ、基板本体1を厚み方向に途中まで除去した切断溝7が形成される。その後、エッチング液から取り出し、レジスト樹脂膜を除去して、図1に示す基板本体1ができあがる。ここで、基板本体1材料にステンレスを用いる場合には、酸系のエッチング液が用いられる。
【0018】
次に、図2に示す工程において、ポリイミド膜の母材料であるワニスを基板本体1上の略全面にスクリーン印刷にて塗布し、その後、基板本体1全体を100〜300℃まで段階的に昇温加熱することによりイミド化させ、ポリイミド膜からなる耐熱性絶縁膜19を形成する。
【0019】
そして、この絶縁膜19上に、発電領域A〜Dに対応した第1電極層20a〜20dが分割配置される。これら第1電極層20a〜20dは、各々中心角が略90°の扇形の形を有し、これらは相互の間に所定間隔を隔てて全体として円形を成すように配置されている。更に、第1電極層20a〜20cの各々は、これらに隣接する発電領域B〜Dの外方に延在する第1接続部20ae、20be、20ceを有し、また、第1電極層20dは、発電領域Dから外側に延出する出力延出部20deを有している。ここで、第1電極層20a〜20dは、厚さ約0.1〜1.0μmで、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の金属膜からなる。
【0020】
図3の工程において、基板10上の略全面に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をpnまたはpinに積層した半導体光活性層30(厚さ約0.3〜1.0μm)を形成する。
【0021】
次に、図4に示すように、半導体光活性層30上に第2電極層40が発電領域毎に分割されることなく略円形に形成される。この第2電極層40は、第1電極層の第1接続部20ae、20be、20ceと半導体光活性層30を挟んで対向する電気接続するための第2接続部40be、40ce、40deを有し、発電領域Aに形成された第2電極層40は、この領域の外側に延出する出力端子40atを有している。更に、第1電極層20dの出力延出部20deと半導体光活性層30を挟んで対向して、第2電極層40と同一材料からなる島状の出力端子40dtが形成される。そして、第2電極層40は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2)等の透明導電膜(厚さ約0.3 〜1.0μm)からなる。
【0022】
図5に示す工程において、隣接する発電領域間に、各層の形成面側よりエネルギービームを照射することにより、各発電領域間に位置する第2電極層及び半導体光活性層を除去し、分割溝50、50・・を形成する。これら分割溝50、50・・によって、第2電極層40が、発電領域A〜D毎の第2電極層40a〜40dに分割される。
【0023】
このエネルギービームの照射は、例えば、下方に位置する開穴12上より照射を開始し、上方向に直進して中央部の開穴11を通過して、上方に位置する開穴14にて、照射を終了する。また、横方向の照射に関しても、左方に位置する開穴13より照射を開始し、中央部の開穴11を通過して、右方の開穴15にて、照射を終了する。エネルギービームは、レーザビーム又は電子ビ−ム等が利用でき、レーザビームの場合は、波長1.06μmのYAGレーザ−又はこの第2高調波(0.53μm)レーザーを用いることができる。
【0024】
次に、このエネルギービームの照射を、開穴にて開始又は終了することの理由を説明する。図6は、図5におけるX−X線断面図であり、図に示されるように、エネルギービームの照射により、照射部分の半導体光活性層及び第2電極層の積層体が除去される一方、分割溝50の両側に半導体光活性層が照射の熱により微結晶化し、低抵抗化された領域31が形成される。ここで、図7は、本発明の開穴(図5においては開穴15)が設けられなかったときの問題点を説明する図である。図に示すように、分割溝50の両側に低抵抗化した微結晶層31が形成されると共に、エネルギービームの終端においても、端部微結晶層32が形成される。よって、分割された発電領域C、Dに対応する第2電極層40c、40dの間で、微結晶層31、32を介して電流が漏れ、出力特性(特に、開放電圧、フィルファクタ−)が低下する。一方、本実施例においては、エネルギービームの終端部分において、開穴が設けられていることより、端部微結晶層32が形成されることなく、従って低抵抗化した導通路が形成されず、電流が漏れることはない。また、エネルギービームの照射開始点についても、同様の問題が発生し、本実施例では開始点においても開穴を設けることにより、この問題を解決している。
【0025】
更に、図5に示す工程において、第2電極層の第2接続部40be、40ce、40de、出力端子40dt上より、エネルギービームを照射することにより、各々が対向する第1電極層と溶着され、直列接続部60ab、60bc、60cd、出力電気接続部60dtが形成される。これにより、発電領域A〜Dが直列接続され、出力が出力端子40at、40dtより取り出される。更に、別の方法としては、開穴11を中心にして、第2接続部40be、40ce、40de、出力端子40dtが存在する円周上に、パルスレーザを照射することによって、円周上全体に点在する照射点を形成する。これにより、第2接続部40be、40ce、40de、出力端子40dt上の照射点のみが、電気接続部として機能し電気接続ができる。また、上記工程に代わって、第1電極層上に半導体光活性層を形成後、エネルギービームを照射して半導体光活性層を除去して、第1電極層を露出させ、ここに透明導電膜を形成して、電気接続部を形成してもよい。
【0026】
次に、出力端子40at、40dt上を除く、基板有効部2上方の略全面にSiO2又は樹脂材料からなる透明保護膜70を形成する。
【0027】
そして、最後に連結部4、4における分離溝7、7から光起電力装置が形成された基板有効部2を分離して、光起電力装置を完成する。分離する方法として、基板本体の厚み方向の途中まで分割溝7が形成されているので、基板有効部2を引きちぎる力を加えることより、容易に分離することができる。その他の分離する方法としては、分割溝7をレーザにて切断する方法、ニッパー等の金属用カッターを用いる方法を採用することができる。
【0028】
なお、上記実施例では、基板本体に一つの光起電力装置しか作成していないが、基板本体を大面積とし、複数の光起電力装置を配置、作成してもよい。
【0029】
続いて、参考例として、第2の構造を有する光起電力装置を、図8〜12を用いて詳細に説明する。なお、第1実施例と同じ名称のものは、同一の材料、製造方法を示すものであり、詳細な説明は省略する。
【0030】
まず、図8において、101は金属材料からなる矩形状の基板本体で、この基板本体101は光起電力装置が形成される基板有効部102と、光起電力装置が形成されない基板無効部103を有している。図においては、基板本体101のコーナ部に位置する1個の基板有効部102しか記載してないが、基板本体101全体では、複数の基板有効部を有している。そして、基板有効部102の外周において、基板有効部102の左上、右下コーナ−の連結部104、104を除く全周に、外周抜き部106が設けられている。また、連結部104、104は、基板無効部103との境界部分の幅が広く、基板有効部102との境界部分の幅が狭い形状を有すると共に、基板有効部102との境界部分には基板本体101を厚み方向に途中まで除去した切断溝107、107を有している。
【0031】
そして、点線で区分されたE〜Gは、後述する第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層の積層体で構成される発電領域で、基板有効部102の長手方向に配列されている。図8に示すように、隣接する発電領域間の境界線上における領域の外側に開穴111、112が設けられている。ここで、外周抜き部106、連結部104、切断溝107、開穴111、112の作成方法は、第1実施例と同一であり、説明は省略する。
【0032】
次に、図9に示す工程において、基板本体101上の略全面に耐熱性絶縁膜119を形成する。そして、この絶縁膜119上に、発電領域E〜Gに対応した第1電極層25e〜25gが分割配置される。第1電極層25f、25gの各々は、これらに隣接する発電領域E、Fの下側に延在する第1接続部25fe、25geを有し、また、第1電極層25eは、発電領域Eから下側に延出する出力延出部25etを有している。更には、発電領域Gの下側には、第1電極層と同一材料から成る島状出力部25gtが配置される。
【0033】
次に、図10に示す工程においては、第1電極層25e〜25g上を含んで基板本体101の略全面に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をpnまたはpinに積層した半導体光活性層35(厚さ約0.3〜1.0μm)を形成する。
【0034】
次に、図11に示す工程では、半導体光活性層35上において、第2電極層45が発電領域毎に分割されることなく略長方形状に形成される。この第2電極層45は、第1電極層の第1接続部25fe、25geと半導体光活性層35を挟んで対向する電気接続するための第2接続部45ee、45feを有し、発電領域Gに形成された第2電極層45は、この領域の下側に延出する出力端子45gtを有している。更に、第1電極層25eの出力延出部25etと半導体光活性層35を挟んで対向して、第2電極層45と同一材料からなる島状の出力端子45etが形成される。そして、第2電極層45は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2)等の透明導電膜(厚さ約0.3〜1 .0μm)からなる。
【0035】
次に、図12に示す工程において、隣接する発電領域間に、各層の形成面側よりエネルギービームを照射することにより、各発電領域間に位置する第2電極層及び半導体光活性層を除去し、分割溝55、55を形成する。これら分割溝55、55によって、第2電極層45が、発電領域E〜G毎の、第2電極層45e〜45gに分割される。
【0036】
このエネルギービームの照射は、例えば、開穴111、112上より各々照射を開始し、上方向に直進して外周抜き部106にて、照射を終了する。エネルギービームは、レーザビーム又は電子ビ−ム等が利用でき、レーザビームの場合は、波長1.06μmのYAGレーザ−又はこの第2高調波(0.53μm)レーザーを用いることができる。上記第1実施例にて説明したように、第2実施例においても、エネルギービームの照射の開始点、終了点が、開穴111、112上、外周抜き部106上であるので、半導体光活性層が微結晶し低抵抗化した導通路が形成されず、特性が良好である。
【0037】
加えて、第2実施例では、エネルギービームの終了点である開穴を、外周抜き部106が兼用している。従って、このような開穴を別途設ける必要がないので、その分、発電領域を大面積にすることができる。または、その分、基板有効部を小面積にすることができるので、一つの基板本体からより多数の基板有効部を得ることができる。
【0038】
更に、出力端子45et、第2接続部45ee、45fe、出力端子45gtに、直線的に発電領域の配列方向に沿って、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射することにより、各々の下に位置する出力延出部25et、第1電極層の第1接続部25fe、25ge、島状出力部25gtと溶着され、電気接続される。これにより、各発電領域が直列接続されると共に、出力端子45et、45gtから出力を取り出すことができる。なお、島状出力部25gtは、出力端子45gtの抵抗を低減する役割をする。また、上記のように第2電極層を形成後溶着により直列接続する方法に代わって、半導体光活性層を形成後に、第1接続部25fe、25ge上の半導体光活性層をエネルギービームにより除去し、その後ここに第2接続部45ee、45feを形成することにより、直列接続する方法を用いてもよい。
【0039】
次に、出力端子45et、40gt上を除く、基板有効部102上方の略全面にSiO2又は樹脂材料からなる透明保護膜170を形成する。
【0040】
そして、最後に連結部104、104における分離溝107、107から光起電力装置が形成された基板有効部102を分離して、光起電力装置を完成する。分離する方法として、第1実施例と同様の方法が採用できる。
【0041】
【発明の効果】
本発明の製造方法は、エネルギービームの終端部分において、開穴が設けられているので、端部微結晶層が形成されることなく、従って低抵抗化した導電路が形成されず、電流が漏れることがない。よって特性不良が少ない製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例における第1工程を示す平面図である。
【図2】本発明の第1実施例における第2工程を示す平面図である。
【図3】本発明の第1実施例における第3工程を示す平面図である。
【図4】本発明の第1実施例における第4工程を示す平面図である。
【図5】本発明の第1実施例における第5工程を示す平面図である。
【図6】図5のX−X線断面図である。
【図7】第1実施例の開穴が設けられなかったときの問題点を説明する要部平面図である。
【図8】本発明の第2実施例における第1工程を示す平面図である。
【図9】本発明の第2実施例における第2工程を示す平面図である。
【図10】本発明の第2実施例における第3工程を示す平面図である。
【図11】本発明の第2実施例における第4工程を示す平面図である。
【図12】本発明の第2実施例における第5工程を示す平面図である。
【符号の説明】
1、101 基板本体
2、102 基板有効部
3、103 基板無効部
4、104 連結部
6、106 外周抜き部
7、107 切断溝
Claims (3)
- 下層より第1の電極、半導体光活性層および第2の電極により構成される発電領域が、時計の針の軸が通過予定の領域を中心にして複数の扇形状で隣接配置されて形成される基板有効部に対応する第1の領域と、前記第1の領域を囲んで成り、前記発電領域が構成されない基板無効部に対応する第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域の間に位置し、表から裏に渡り金属材料が取り除かれる外周抜き部に対応する第3の領域と、前記第1の領域の周囲に設けられ、前記第1の領域と前記第2の領域を連結する連結部に対応する第4の領域と、を構成する領域を配置した、前記金属材料から成る基板本体からなる光起電力装置用基板の製造方法であって、
前記中心に対応する第1の開穴、前記発電領域の周囲に位置し、隣接する前記扇形状の発電領域の境界の延長線上に設けられた第2の開穴、および前記第3の領域が露出するように前記基板本体の両面に耐エッチング用のマスクを被着する工程と、
前記マスクを介してエッチングすることにより、前記第3の領域、前記第1の開穴および前記第2の開穴を、基板本体の裏面から表面に渡り取り除く工程と、を有することを特徴とする光起電力装置用基板の製造方法。 - 前記第2の領域と前記第4の領域との境界部分の幅は、前記第1の領域と前記第4の領域との境界部分の幅よりも広く形成される請求項1に記載の光起電力装置用基板の製造方法。
- 前記第4の領域と第1の領域との境界部分には、前記基板本体の厚み方向の途中まで除去した切断溝を形成する請求項1または請求項2に記載の光起電力装置用基板の製造方法。
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