JPS5986270A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS5986270A JPS5986270A JP57196180A JP19618082A JPS5986270A JP S5986270 A JPS5986270 A JP S5986270A JP 57196180 A JP57196180 A JP 57196180A JP 19618082 A JP19618082 A JP 19618082A JP S5986270 A JPS5986270 A JP S5986270A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ工Ｎ接合を少なくとも１つ有する光電変換
装置において、短絡（ショート）°またはリークをする
箇所または領域をレーザトリミングにて除去することＫ
よシ、光電変換装置（ｐｖｏという）としての効率の向
上を計ることを目的とする。
装置において、短絡（ショート）°またはリークをする
箇所または領域をレーザトリミングにて除去することＫ
よシ、光電変換装置（ｐｖｏという）としての効率の向
上を計ることを目的とする。
本発明は、かかるレーザトリミングをｐｖａの内部に設
けるとともに、このトリミングで生じた半導体表面を介
して再びリークが発生しないように、この半導体表面上
に望化珪素膜または酸化珪素膜またはこれらの上面の有
機樹脂とにょシパッシベーション膜を形成させることを
目的としている０ この発ＩＪ４は、不良筒ＰＪｒＣショートまたはリーク
をしている箇所または領域を以下単に不良箇所という）
を検出用に、このｐｖａとして可視光照射によシ出力を
検出し、さらにこの出方の低下箇所をマイクロコンピュ
ータによりトリミング用レーザ（例えばＹＡＧレーザ）
を与えて２０〜１００μφ一般には４０〜６０μ２０円
形のパルス元を照射して、上面の電極またはその下側の
半導体を気化除去することによシ、上下の第２、第１の
電極間でのショートまたはリークの存在を除去してしま
うことを目的とする。
けるとともに、このトリミングで生じた半導体表面を介
して再びリークが発生しないように、この半導体表面上
に望化珪素膜または酸化珪素膜またはこれらの上面の有
機樹脂とにょシパッシベーション膜を形成させることを
目的としている０ この発ＩＪ４は、不良筒ＰＪｒＣショートまたはリーク
をしている箇所または領域を以下単に不良箇所という）
を検出用に、このｐｖａとして可視光照射によシ出力を
検出し、さらにこの出方の低下箇所をマイクロコンピュ
ータによりトリミング用レーザ（例えばＹＡＧレーザ）
を与えて２０〜１００μφ一般には４０〜６０μ２０円
形のパルス元を照射して、上面の電極またはその下側の
半導体を気化除去することによシ、上下の第２、第１の
電極間でのショートまたはリークの存在を除去してしま
うことを目的とする。
従来光電変換装置とはその真性効率用面積が０．１〜５
ｃｍ’であったこともあり、その製造歩留９にはあまり
大きな進歩がみられていなかった。
ｃｍ’であったこともあり、その製造歩留９にはあまり
大きな進歩がみられていなかった。
しかし本発明人は、とのＰＶＯの１つのパネルが２０Ｘ
４０ｃｍ’または２０ Ｘ ６０ ｃ ｍ’と大きくす
ると、この面、債中に小さなピンホールが４ヶ以上、太
き定の値を有さす、’１ｔＫＦＦ（曲線因子）が一般の
０．６〜Ｏ，’７３から０．２〜０．４になってしまう
ことに気がついた。このように、かかるＰＶＯを調べた
結果、ゴミ、凸起等の汚物または異物の付着によシ、上
下の電極が互いに′電気的にショートしてしまっている
仁とがわかった。またこのような不良箇所があると前記
した如くの特性の劣化が生じＰＶＯパネルとしての所定
の特性を得ることができず、さらに前目己した２０ｃｍ
’以上のパネルにあっては、その製造歩留りが２０〜４
０％ Ｌ、かなく、９０チ以上を有さなければならない
製造ラインを全く満たしていない。結果として製品のコ
ストアップまた信頼性の低下をもたらしてしまった。
４０ｃｍ’または２０ Ｘ ６０ ｃ ｍ’と大きくす
ると、この面、債中に小さなピンホールが４ヶ以上、太
き定の値を有さす、’１ｔＫＦＦ（曲線因子）が一般の
０．６〜Ｏ，’７３から０．２〜０．４になってしまう
ことに気がついた。このように、かかるＰＶＯを調べた
結果、ゴミ、凸起等の汚物または異物の付着によシ、上
下の電極が互いに′電気的にショートしてしまっている
仁とがわかった。またこのような不良箇所があると前記
した如くの特性の劣化が生じＰＶＯパネルとしての所定
の特性を得ることができず、さらに前目己した２０ｃｍ
’以上のパネルにあっては、その製造歩留りが２０〜４
０％ Ｌ、かなく、９０チ以上を有さなければならない
製造ラインを全く満たしていない。結果として製品のコ
ストアップまた信頼性の低下をもたらしてしまった。
本発明はかかる欠点を除去するため、不良箇所に可視光
を照射して検出し、同時にその箇所にパルス光を照射し
てその箇所の電極、電極と半導体または上下の電極とそ
の間の半導体を瞬時にして消去してしまうレーザトリミ
ングを行なうことによシ１．結果として製造歩留りを向
上させ、さらにその信頼性を向上せしめることを目的と
している。
を照射して検出し、同時にその箇所にパルス光を照射し
てその箇所の電極、電極と半導体または上下の電極とそ
の間の半導体を瞬時にして消去してしまうレーザトリミ
ングを行なうことによシ１．結果として製造歩留りを向
上させ、さらにその信頼性を向上せしめることを目的と
している。
以下にその実施例全１−４面に従って説明する。
第１図は本発明に用いたレーザトリミング系の概要を示
す。
す。
第１図においてレーザトリミングをされる半導体（１）
は基板（２）、第１の１４ｉ、極（５）、Ｐ工Ｎ接合を
少なくとも１つ有する水素またはノ・ロゲン元素が添加
された非単結晶半導体（３）例えばＰ型Ｂ１ｘＯｔ−イ
（０＜Ｘ＜１）−１型８１−Ｎ型（μ０８１）よシなる
半導体で０．４〜０．６ｐの厚さを有せしめている０さ
らにこの上面に第２の電極（４）を設け、不良箇所検出
用の端子を２つのｌｌｉ ｋから連結しデテクター（６
）Ｋ導入している。
は基板（２）、第１の１４ｉ、極（５）、Ｐ工Ｎ接合を
少なくとも１つ有する水素またはノ・ロゲン元素が添加
された非単結晶半導体（３）例えばＰ型Ｂ１ｘＯｔ−イ
（０＜Ｘ＜１）−１型８１−Ｎ型（μ０８１）よシなる
半導体で０．４〜０．６ｐの厚さを有せしめている０さ
らにこの上面に第２の電極（４）を設け、不良箇所検出
用の端子を２つのｌｌｉ ｋから連結しデテクター（６
）Ｋ導入している。
この信号をＹＡＧレーザ（１〜ＩＯＷ例えば５Ｗの出力
）を与えてハーフミラ−αＯ）を介しミラーαりをへて
トリミングレーザαＪＫより３０〜５ＯＮ＋の照射光に
よυ不良箇所を除去する０ 不良箇所の検出用には３０〜１００μφの可視光例えば
Ｈθ−ＮθレーザまたはＡｒレーザ（８）Ｋより照射を
する。
）を与えてハーフミラ−αＯ）を介しミラーαりをへて
トリミングレーザαＪＫより３０〜５ＯＮ＋の照射光に
よυ不良箇所を除去する０ 不良箇所の検出用には３０〜１００μφの可視光例えば
Ｈθ−ＮθレーザまたはＡｒレーザ（８）Ｋより照射を
する。
かくして不良箇所のレーザトリミングを行なった０
第２図は第１図の工程をそのたて断面図をもって示した
ものである。
ものである。
図面（Ａ）において、基板（２）は透光性のガラスを用
い、レーザ光（１２を走査して不良箇所（１４１，（ｔ
！Ｉを検出した。ｐｖｃ（１）は基板（２）上に透光性
の第１の電極（５）、非単結晶半導体（４）、第２の電
極（例えば半導体上ＫＮｉさらＫＡＩの多層膜を０．５
〜１．５μ）（３）を設けている。
い、レーザ光（１２を走査して不良箇所（１４１，（ｔ
！Ｉを検出した。ｐｖｃ（１）は基板（２）上に透光性
の第１の電極（５）、非単結晶半導体（４）、第２の電
極（例えば半導体上ＫＮｉさらＫＡＩの多層膜を０．５
〜１．５μ）（３）を設けている。
図面（Ａ）では第１図との対応において上下逆になって
いる。異物αりによシ第１、第２の電極（５）、（Ｓ）
がリーク電流を流している。またα→がショート状態に
ある。
いる。異物αりによシ第１、第２の電極（５）、（Ｓ）
がリーク電流を流している。またα→がショート状態に
ある。
かかる不良箇所を可視光を走査し、その出力を検出し、
出力（電圧または０．５〜０．６ｖの電流値）が所定の
値に比べて３０〜６０チ以上劣化している箇所を検出し
た。さらにこζＫ ＹＡ（）レーザスポット（５ｏ？ｍ
◆）を照射し、第２図（Ｂ）に示す如く半導体および上
部の電極を蒸着せしめ除去した。
出力（電圧または０．５〜０．６ｖの電流値）が所定の
値に比べて３０〜６０チ以上劣化している箇所を検出し
た。さらにこζＫ ＹＡ（）レーザスポット（５ｏ？ｍ
◆）を照射し、第２図（Ｂ）に示す如く半導体および上
部の電極を蒸着せしめ除去した。
かくして半導体（４）はその側面−が露出する。
この後この第２図φ）のＰＶＯ（１）をこの全面にわた
って窒化珪素絶縁物Ｑ１１１を５００−２０００ｉの厚
さにコーティングをしてバツシベーショ／膜ヲ作った。
って窒化珪素絶縁物Ｑ１１１を５００−２０００ｉの厚
さにコーティングをしてバツシベーショ／膜ヲ作った。
これにプラズマ気ａ法によシ２００〜５５０”Ｏ代表内
には２８０′Ｃで形成させた。さらにこの上面にポリイ
ミド樹脂を１〜３μの厚さにコーティングをして、耐湿
性の向上およびこのトリミング部でのＰＮ間でのＬ４イ
＆’ｌΦ１−のリーク電流を防止した。
には２８０′Ｃで形成させた。さらにこの上面にポリイ
ミド樹脂を１〜３μの厚さにコーティングをして、耐湿
性の向上およびこのトリミング部でのＰＮ間でのＬ４イ
＆’ｌΦ１−のリーク電流を防止した。
第２図において、レーザ光はα埠の下側よシ上下を４
＝ｔ： ｌ −１行った。しかしこの半導体がステンレ
ス基板であシ、この基板を第１の電極とし、その上面に
非Ｊｒ−結晶半導体を形成し、さらにその上面に第２の
電極を設けた場合は、第２図（４）・のａ埠の方向よシ
のトリミング用レーザ光が好ましかった。
＝ｔ： ｌ −１行った。しかしこの半導体がステンレ
ス基板であシ、この基板を第１の電極とし、その上面に
非Ｊｒ−結晶半導体を形成し、さらにその上面に第２の
電極を設けた場合は、第２図（４）・のａ埠の方向よシ
のトリミング用レーザ光が好ましかった。
第３図はトリミング部での除去される領域を示したもの
である。
である。
第３図（Ａ）は半導体（４）は異物に対し第２の電極（
３）のみを選択的に除去したものである。このためＰＶ
Ｏ（１）の不良箇所に）に関し、半導体（４）を一部露
呈させても第２の電極（３）のみを選択的に除去し１い
る。さらにこの上面にパッシベーション膜０を設けて、
リークＣ４６生、信頼性の低下を防いでいる０ 第３図ＣＢ）は第１、第２の電極（３）、（５）が互い
にショートシている時、そのショート箇所の第２の電極
および半導体（４）をレーザトリミングをして除去した
ものである。
３）のみを選択的に除去したものである。このためＰＶ
Ｏ（１）の不良箇所に）に関し、半導体（４）を一部露
呈させても第２の電極（３）のみを選択的に除去し１い
る。さらにこの上面にパッシベーション膜０を設けて、
リークＣ４６生、信頼性の低下を防いでいる０ 第３図ＣＢ）は第１、第２の電極（３）、（５）が互い
にショートシている時、そのショート箇所の第２の電極
および半導体（４）をレーザトリミングをして除去した
ものである。
第３図は不良箇所（→に対し、半満１体（１）＋７１第
１、第２の電極（５）（３）およびその間の半導体（４
）のすべてを除去している。この場合レーザ光にょシそ
の上面よシみると第３図蕩のイ・・ｋｑ円形Ｑ９（２゜
〜８゜ｐ？一般には５０μす）を有している。もちろん
トリミングのスポットが２またはそれ以上となった場合
はその形状が複合化することにょシだ円形、ひようたん
状等があり得ることはいうまでもない。
１、第２の電極（５）（３）およびその間の半導体（４
）のすべてを除去している。この場合レーザ光にょシそ
の上面よシみると第３図蕩のイ・・ｋｑ円形Ｑ９（２゜
〜８゜ｐ？一般には５０μす）を有している。もちろん
トリミングのスポットが２またはそれ以上となった場合
はその形状が複合化することにょシだ円形、ひようたん
状等があり得ることはいうまでもない。
以上の如くにして本発明のＰＶＯにおいては、その内部
においてスポット状に少なくとも基板とは反対側の電極
を除去し、２つの相対する電極間（７）ＩＪ−り、ショ
ートの不良箇所を除去することによシ、従来３０〜４０
チしかその製造歩留ルがなかったのが、この不良イー正
を行なうことにょシ、その製造歩留シを８０−以上にす
ることができた。
においてスポット状に少なくとも基板とは反対側の電極
を除去し、２つの相対する電極間（７）ＩＪ−り、ショ
ートの不良箇所を除去することによシ、従来３０〜４０
チしかその製造歩留ルがなかったのが、この不良イー正
を行なうことにょシ、その製造歩留シを８０−以上にす
ることができた。
その結果、ＮＢＤＯ規定ｔ７２４０ｃｍＸ１２０ｃｍの
光電変換装置用のボードを作ろうとする際、即ち２゜（
８ン 上 （Ｃ） ＩＡ２ （ｆｌ （Ｉ５）
光電変換装置用のボードを作ろうとする際、即ち２゜（
８ン 上 （Ｃ） ＩＡ２ （ｆｌ （Ｉ５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基板または透光性基板上の透光性導電膜より
なる第１の電極と、該電極上に少なくとも１つのＰＩＮ
接合を有する非単結晶半導体層と、該半導体層上の導電
性の第２の電極とを有するとともに、前記第１および第
２の電極間が局部的に短絡またはリーク箇所または領域
を少なくとも１つ有する光電変換装置において、前記第
２の電極、または該電極と該電極下の半導体または半導
体および第１＋７］電塚）局部的に除去せられた箇所ま
たは領域が光電変換装置の内部に有され、かつ前記箇所
または領域の前記半導体表面上にパッシベーション用絶
縁膜を設けたことを特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、箇所または領域は
概略円状を有していることを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196180A JPS5986270A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196180A JPS5986270A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986270A true JPS5986270A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16353525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196180A Pending JPS5986270A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986270A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011001962A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877263A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子 |
| JPS5935486A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196180A patent/JPS5986270A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877263A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子 |
| JPS5935486A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011001962A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子 |
| CN102334193A (zh) * | 2009-06-29 | 2012-01-25 | 京瓷株式会社 | 光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件 |
| JP5295369B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-09-18 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
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