KR870001647A - 고전류밀도 전자빔을 이용한 패턴형성방법 - Google Patents

고전류밀도 전자빔을 이용한 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고전류밀도 전자빔을 이용한 패턴형성방법
제1도는 반도체칩(chip)상의 미리 정해진 부분에 형성된 패턴(pattern)을 설명하는 도식도.
제2도 A도는 함께 결합하도록 형성된 패턴의 대표적인 결합부위를 가각 설명하고 이들 패턴은 높은 스루푸트(throughput)EB 석판인쇄에 의하여 묘화(描畵)되어 있는 도식적인 확대도.
제3도는 반도체 기판칩 상의 서브필드(snbfield)에 형성되어 있는 다수의 직각 패턴으로 구성된 상호연결선의 부분적 확대평면도.

Claims (13)

  1. 첫번째 및 두번째 패턴을 적어도 한번의 전자빔 조사에 상응하도록 각각 노광함으로써 상기 첫 번째 패턴과 두번째 패턴의 순서로 묘화되고, 서로 접촉하는 각각의 엣지부분을 갖는 상기 첫번째 및 두번째 패턴을 포함하는 다수의 패턴을 형성하기 위한 전자빔 노광방법에 있어서, 상기 첫번째 및 두번째 패턴이 예정된 오버랩을 갖도록 하기 위하여 상기 엣지 부분과 수직한 방향으로 상기 첫번째 및 두번째 패턴중, 적어도 하나를 연장하고 여기에서 상기 오버랙의 크기는 상기 엣지부분에 전자빔을 조사하는 각 조사간의 사간간격에 따라 결정되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫번째 및 두 번째 패턴중, 어느 하나가 직사각형이 되는 방법.
  3. 청구범위 제1항에 있어서,상기 첫번째 및 두번째 패턴이 둘다 그온도가 상승될 때 더 민감해지는 전자빔 감응성 저항물질층에 형성되는 방법
  4. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 저항물질층이 반도체 기판상에 형성되는 방법.
  5. 청구범위 제3항에 있어서, 저항물질이 폴리메틸 메타크리레이트(polymethyl methacrylate)로부터 선택되는 방법.
  6. 청구범위 제3항에 있어서, 저항물질이 폴리-디-알릴-오토프타레이트 (poly-de-ally-orthophthalate)인 방법.
  7. 청구범위 제3항에 있어서, 저항물질이 클로로메틸 폴리스틸렌(chloromethyl polystystyrene)인 방법
  8. 청구범위 제4항에 있어서, 저항층과 반도체 기판사이에 적어도 하나의 절연물층이 형성되는 방법.
  9. 청구범위 제3항에 있어서, 전자빔이 1에서 20마이크로암페어(㎛)의 전류량과 함께 20KeV에서 80KeV 사이의 에너지를 가지는 방법.
  10. 청구범위 제3항에 있어서, 저항층의 두께가 0.1미크론 이상인 방법.
  11. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 오버랩이 첫 번째 및 두 번째 패턴둘을 연장함으로써 생성되는데, 여기에서 상기 첫번째 및 두번째 패턴의 연장이 각각 상기 오버랩크기의약 1/2이 되는 방법.
  12. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 저항물질층이 상기 기판에 의하여 지지를 받는 금속 또는 금속합금층 상에 형성되는 방법.
  13. 청구범위 제12항에 있어서, 그 주위에 제공된 플랜지 또는 프레임에 의하여 지지를 받는 금속 또는 금속합금층과 저항층 사이에 적어도 하나의 절연물층이 형성되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860005442A 1985-07-09 1986-07-05 고전류밀도 전자빔을 이용한 패턴 형성방법 KR900001650B1 (ko)

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