KR960008420A - 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법, 패턴을 형성하고자하는 감광막의 하부에 전도성 유기 화합물층을 개재시켜 전자빔 노광을 실시하여 대전현상으로 방지하여 노광영역에만 노광에너지가 집중되도록하여 정확한 감광막 패턴을 형성하였으므로, 정확한 미세 패턴의 형성이 용이하며 접착력 향상을 위한 HMDS 공정이 생략되어 공정이 간단하고 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 및 제1b도는 종래 기술에 따른 반도체소자의 감광막 패턴 제조 공정도.
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 감광막 패턴 제조 공정도.
제3a도 및 제3b도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 감광막 패턴 제조 공정도.
제4도는 종래기술 및 본 발명에 따른 전자빔 노광시의 감광막의 수평거리에 대한 전자선 세기의 그래프.
Claims (4)
- 패턴을 형성하고자하는 기판상에 전도성 유기 화합물층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 유기 화합물층상에 전자빔 노광용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막에서 패턴으로 예정되지 않은 부분을 전자빔으로 노광하여 노광영역을 형성하는 공정과, 상기 노광영역을 제거하여 전도성 유기 화합물층을 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 노출되어 있는 전도성 유기 화합물층을 제거하여 기판을 노출시키는 전도성유기 화합물층 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소사의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 유기 화합물층을 테트라-시아노-에틸렌(tetra-cyano-ethyene)류, 테트라-시아노-퀴논(tetra-cyano-quinone)류 및 폴리아닐린(poly aniline) 계열로 구성되는 군에서 임의로선택되는 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 유기 화합물층을 스핀도포 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판과 전도성 유기 화합물층의 사이에 감광막과 SOG층을 개재시켜 삼층 레지스크공정으로 진행하는 것을 특징으보 하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019196A KR960008420A (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019196A KR960008420A (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960008420A true KR960008420A (ko) | 1996-03-22 |
Family
ID=66698091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940019196A KR960008420A (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960008420A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100459762B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2004-12-03 | 에스케이 텔레콤주식회사 | 코드분할 다중접속 이동통신망의 호 실패 메시지 감시장치 및 호 실패 메시지 감시 방법 |
-
1994
- 1994-08-03 KR KR1019940019196A patent/KR960008420A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100459762B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2004-12-03 | 에스케이 텔레콤주식회사 | 코드분할 다중접속 이동통신망의 호 실패 메시지 감시장치 및 호 실패 메시지 감시 방법 |
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