KR980003857A - 반도체소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 미세패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 도전층을 형성하고 상기 도전층 상부에 전자빔용 감광막을 형성한 다음, 상기 도전층 양측에 전기장을 인가하는 동시에 상기 감광막을 전자빔으로 노광하고 후속공정으로 현상공정을 실시하여 감광막패턴을 형성함으로써 해상도를 증가시키고 스캐터링되는 전자로 인한 패턴의 왜곡을 방지하여 반도체소자의 특성, 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 미세패턴 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (13)

  1. 반도체기판 상부에 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 전자빔용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 도전층 양측에 전기장을 인가하는 동시에 상기 감광막을 전자빔으로 노광하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 부도체인 폴티머에 (+) 금속이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 부도체인 폴리머에 중성의 금속이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전기장은 상기 도전층에 (+)로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  5. 반도체기판 상부에 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층에 전기장을 균일하게 인가하는 공정과, 상기 도전층 상부에 전자빔용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 전자빔으로 노광하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전층은 부도체인 폴리머에 금속이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 전기장은 상기 도전층에 (+)로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  8. 반도체기판 상부에 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층에 전자빔용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 도전층에 전기장을 균일하게 인가하는 동시에 상기 감광막을 전자빔으로 노광하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도전층은 부도체인 폴리머에 금속이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전기장은 상기 도전층에 (+)로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  11. 반도체기판 상부에 전자빔용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막에 도전층을 형성하되, 상기 도전층에 전기장을 균일하게 인가하는 공정과, 상기 감광막을 전자빔으로 노광하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전층은 부도체인 폴리머에 금속이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 전기장은 상기 도전층에 (+)로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960023278A 1996-06-24 1996-06-24 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 KR0177587B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307223B1 (ko) * 1998-04-24 2002-01-19 박종섭 전자빔을 이용한 반도체소자의 제조방법

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