JPH03296211A - ブランキングアパーチャアレーの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
このブランキングアパーチャアレーにおける電極作成に
おいて、従来、基板を相当深くエツチングる、必要性が
ありかつ基板の側面に沿って電極側面が作成されるので
極めてストレートにエツチングる、必要性のあること並
びに電極用材料の完全な埋め込みの困難性、という問題
点を解決る、ことを目的とし、 基板上に電極層を形成し、次いで該基板と該電極層の同
一位置に電子ビームが通過る、孔を形成る、ように構成
る、。
チャアレーの製造方法に関し、更に詳しくは該ブランキ
ングアパーチャアレーにおける電極の改良された製造方
法に関る、。
使用る、ポイントビーム型、サイズ可変の矩形にして使
用る、可変矩形ビーム型、ステンシルに所望とる、パタ
ーンのビーム通過孔を作成しておき、そのステンシルを
使用して所望形状にる、ステンシルマスク型等がある。
ているが非常にスループットが低いので、研究開発用に
しか使用されない。可変矩形ビームではこれより1〜2
桁スループットが高いが、0、IIRT1程度の微細パ
ターンが高集積度で詰まったパターンを露光る、場合に
は、やはりスループットが低い。これで1ギガDRAM
を露光る、と約3桁程度スループットが足りない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、多数の開口の各々の内部にそれぞれ対向する電極を
設置して電圧を印加し、各孔を通過する電子ビームの軌
道を2通りに変化せしめて、電子ビーム光学系下部のア
パーチャを通過するかしないかを選択し、該多数の開口
を通過したビームのオンオフを行う、電子ビーム露光装
置用のブランキングアパーチャアレーの製造方法であっ
て、基板上に電極層を形成し、次いで該基板と該電極層
の同一位置に電子ビームが通過する孔を形成することを
含んでなる前記ブランキングアパーチャアレーの製造方
法。 2、電極材料と基板・素子・配線とを絶縁するための絶
縁層を基板上に形成し、該絶縁層にコンタクト用の窓を
開け、該絶縁層及び窓部分の全域に電極材料を所望の電
極長さ分だけ堆積し、エッチングにより電極材料の不要
部分を除去し、次いで基板と絶縁膜と電極材料をエッチ
ングして開口し、電子ビーム通過孔を形成する、請求項
1記載のブランキングアパーチャアレーの製造方法。 3、電極材料と基板・素子・配線とを絶縁するための絶
縁層を基板上に形成し、該絶縁層にコンタクト用の窓を
開け、該絶縁層及び窓部分の全域に電極材料を所望の電
極長さ分だけ堆積し、基板と絶縁膜と電極材料をエッチ
ングして開口し、電子ビーム通過孔を形成し、次いで電
極材料の不要部分を除去する、請求項1記載のブランキ
ングアパーチャアレーの製造方法。 4、電極材料の不要部分の除去を、開口部となる領域を
除いて行う、請求項2または3に記載のブランキングア
パーチャアレーの製造方法。 5、基板内に形成されている素子領域に対応して絶縁層
内にコンタクト用の窓開けを行う請求項1〜4のいずれ
かに記載のブランキングアパーチャアレーの製造方法。 6、エッチングにより電子ビーム通過孔の形成すると同
時に電極層が形成される、請求項1ないし5項のいずれ
かに記載のブランキングアパーチャアレーの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2097715A JP2523931B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法 |
US07/685,678 US5215623A (en) | 1990-04-16 | 1991-04-16 | Blanking aperture array and method of producing same |
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EP91401008A EP0457632B1 (en) | 1990-04-16 | 1991-04-16 | Blanking aperture array and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2097715A JP2523931B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03296211A true JPH03296211A (ja) | 1991-12-26 |
JP2523931B2 JP2523931B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=14199588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2097715A Expired - Fee Related JP2523931B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5215623A (ja) |
EP (1) | EP0457632B1 (ja) |
JP (1) | JP2523931B2 (ja) |
DE (1) | DE69130375T2 (ja) |
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EP0457632A3 (en) | 1992-02-26 |
EP0457632B1 (en) | 1998-10-21 |
DE69130375T2 (de) | 1999-03-11 |
US5215623A (en) | 1993-06-01 |
JP2523931B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 13 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |