KR960015752A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세패턴 형성방법에 관한 것으로서, 반도체기판 표면에 도전성의 금속과 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막의 상부에 제1감광막을 도포하고 상기 제1감광막의 표면에 노광 및 현상특성을 변화시킨 제2감광막을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2감광막들의 소정 부분을 상기 산화막이 노출되도록 제거하여 상기 제2감광막이 오버행된 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구에 의해 노출된 상기 산화막의 표면에 리프트-오프 방법에 의해 상기 산화막보다 식각율이 훨씬 낮은 저식각층의 패턴을 형성하고 상기 제1감광막 하부의 산화막을 노출시키는 공정과, 상기 저식각층의 패턴과 상기 노출된 산화막을 전면식각하여 이 저식각층의 패턴에 의해 산화막 패턴을 형성하고 상기 금속을 노출시키는 공정과, 상기 산화막의 패턴과 노출된 금속을 전면식각하여 이 산화막 패턴에 의해 도선패턴을 형성하고 상기 반도체기판을 노출시키는 공정을 구비한다. 따라서,미세한 폭을 갖는 두꺼운 도선패턴을 정확하게 형성할 수 있다.

Description

미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A) 내지 (E)는 본 발명에 따른 미세패턴의 형성방법을 나타내는 공정도.

Claims (8)

  1. 반도체기판 표면에 도전성의 금속과 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막의 상부에 제1감광막을 도포하고 상기 제1감광막의 표면에 노광 및 현상특성을 변화시킨 제2감광막을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2감광막들의 소정 부분을 상기 산화막이 노출되도록 제거하여 상기 제2감광막이 오버행된 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구에 의해 노출된 상기 산화막의 표면에 리프트-오프 방법에 의해 상기 산화막 보다 식각율이 훨씬 낮은 저식각층의 패턴을 형성하고 상기 제1감광막 하부의 산화막을 노출시키는 공정과, 상기 저식각층의 패턴과 상기 노출된 산화막을 전면식각하여 이 저식각층의 패턴에 의해 산화막 패턴을 형성하고 상기 금속을 노출시키는 공정과, 상기 산화막의 패턴과 노출된 금속을 전면식각하여 이 산화막 패턴에 의해 도선패턴을 형성하고 상기 반도체기판을 노출시키는 공정을 구비하는 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저식각층을 Al2O3또는 TiO2의 산화막보다 식각율이 낮은 절연물질로 형성하는 미세패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저식각층의 패턴과 상기 노출된 산화막을 반응성이온 식각 또는 전자-빔으로 상부에 저식각층의 잔유물이 남도록 전면식각하여 산화막패턴을 형성하는 미세패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산화막 패턴과 상기 노출된 금속을 반응성이온식각 또는 전자-빔으로 상부에 산화막패턴의 잔유물이 남도록 전면식각하여 도선패턴을 형성하는 미세패턴 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 도선패턴의 상부의 산화잔유물을 제거하는 공정을 더 포함하는 미세패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 산화잔유물을 선택적 습식식각방법으로 제거하는 미세패턴 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 산화잔유물을 덮으며 표면이 평탄하도록 감광막을 두껍게 도포한 후 상기 도선패턴의 표면이 노출되도록 에치백하여 상기 산화잔유물을 제거하는 미세패턴 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 감광막을 제거하는 공정을 더 포함하는 미세패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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